專利名稱：電子束誤著屏量減小的陰極射線管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及陰極射線管，特別涉及旨在改善以地磁等為代表的外部磁特性的內(nèi)磁屏蔽的形狀。


圖11表示以往的電視和個(gè)人計(jì)算機(jī)監(jiān)視器等的陰極射線管(以下，記載為“CRT”)。在這里示出的CRT中，用偏轉(zhuǎn)線圈112使從電子槍射出的電子束111在垂直和水平方向偏轉(zhuǎn)，掃描整個(gè)畫面而再現(xiàn)圖像。此時(shí)，如果地磁等外部磁場(chǎng)在與電子束行進(jìn)方向垂直的方向上作用于CRT，那么電子束111就如圖中虛線所示那樣彎曲(有些夸張地圖示)，產(chǎn)生不能到達(dá)相對(duì)于屏盤113上的熒光體114的預(yù)定位置的所謂誤著屏。作為防止它的對(duì)策，一般設(shè)置內(nèi)磁屏蔽115，使其包圍CRT內(nèi)部(這里是錐體部分內(nèi)部)的電子束通過路徑。再有，在CRT中，一般采用光柵掃描方式，即通過用偏轉(zhuǎn)線圈控制偏轉(zhuǎn)量，使電子束在熒光屏的水平方向上水平掃描(從圖面正前方側(cè)至里側(cè)或從圖面里側(cè)至正前方側(cè))，和在垂直方向上(圖面中箭頭Y的方向)垂直掃描，由此構(gòu)成光柵。
可是，由于完全屏蔽外部磁場(chǎng)是不可能的，因而內(nèi)磁屏蔽115實(shí)質(zhì)上的作用在于，必須屏蔽某一程度的磁場(chǎng)，盡量使磁力線方向不變化的電子束不受力，或校正在某些部分中受到的力。
除特別的情況外，外部磁場(chǎng)的主要原因是地磁。該地磁場(chǎng)分為水平成分(畫面上水平方向的矢量成分)和垂直成分(與畫面垂直的方向的矢量成分)。象已很好地了解其中的垂直成分那樣，其在幾乎整個(gè)畫面上同樣地使著屏變化，因而不會(huì)成為在形成熒光面時(shí)用校正透鏡等校正熒光面的形成位置的問題。
另一方面，如圖12所示的水平磁場(chǎng)120的方向根據(jù)CRT與磁場(chǎng)方向的相對(duì)位置而改變，因而一般把其分解為CRT的管軸方向121和橫方向122。其中，電子束通過的空間區(qū)域成為朝向電子束行進(jìn)方向漸漸擴(kuò)大的大致圓錐形狀，把構(gòu)成該圓錐形狀的電子束通過區(qū)域的中心軸稱為管軸。
因此，在考慮最終的地磁屏蔽的情況下，必須考慮作為地磁水平成分的分力的橫向磁場(chǎng)，和管軸方向磁場(chǎng)的磁特性。
通過從外部施加與地磁相當(dāng)以上的磁場(chǎng)，測(cè)定此時(shí)的熒光面中的束著屏變化量，可評(píng)價(jià)CRT中的該特性。測(cè)定點(diǎn)可以是，例如，如圖13所示的四個(gè)地方的畫面角部，和畫面長(zhǎng)邊部分的上下中央部(以下記為NS部)，其中特別重要的特性是(1)施加橫方向磁場(chǎng)時(shí)的角部特性(以下記為“橫角部”)。
(2)施加管軸方向磁場(chǎng)時(shí)的NS部特性(以下記為“管軸NS”)。再有，如圖14所示，內(nèi)磁屏蔽115的形狀一般為用相對(duì)的長(zhǎng)邊側(cè)壁141和相對(duì)的短邊側(cè)壁142形成的多角錐形筒狀，在錘的頂部有開口部143。
另一方面，近年來，大畫面化和面板為平面的CRT正成為主流。因此，特別是在面板為平面的CRT中，一般采用上述那樣的對(duì)蔭罩施加張力的方式。通過把線狀材料伸開在框架上來施加張力。
在這種方式的CRT中，用以往技術(shù)的內(nèi)磁屏蔽，存在因地磁引起的誤著屏顯著惡化的傾向。這被認(rèn)為是，通過對(duì)蔭罩施加張力，蔭罩的磁阻變大，在蔭罩附近產(chǎn)生不期望的磁場(chǎng)(村井他，SID2000DIGEST P582-585)。例如，在以往的25″CRT中，橫角部、管軸NS都為10μm左右，一旦對(duì)蔭罩施加張力，橫角部就變劣為30μm，管軸NS就變劣為25μm。
應(yīng)改善圖14所示結(jié)構(gòu)的內(nèi)磁屏蔽的特性，嘗試改變?cè)谒龆踢厒?cè)壁上設(shè)置V字形切口部144的切口深度和寬度等，使其最適當(dāng)。
特別是，在使V字狀切口部的深度改變方面，通過改變寬度等，大大地改變特性。圖15中示出其狀態(tài)。如圖15所示，如果使切口深度變大，那么橫角部的特性可大大改善。但是，管軸NS的特性幾乎不變化。在V字形狀的深度從0mm到150mm變化的情況下，橫角部變化約10μm，但管軸NS幾乎不變。
在最終V字形狀的最佳化中，相對(duì)于與地磁相當(dāng)?shù)耐獠看艌?chǎng)，束著屏的變化量改善到(橫角部、管軸NS)=(20μm、23μm)，并且不可能同時(shí)改善這兩方面的特性。
因此，橫角部和管軸NS的特性在于變化率大致相同但符號(hào)相反的折衷關(guān)系，并且不可能同時(shí)改善這兩方面的特性。
為了解決上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種可減少因地磁等外部磁場(chǎng)引起的電子束彎曲所致的誤著屏量，和減小整個(gè)畫面上色差或色不勻的陰極射線管。
其中，本發(fā)明，為了達(dá)到該目的，對(duì)內(nèi)磁屏蔽的偏轉(zhuǎn)線圈側(cè)端部附近的磁場(chǎng)分布和蔭罩附近的磁場(chǎng)分布進(jìn)行了研究。
與CRT畫面周邊部顯示時(shí)相當(dāng)?shù)碾娮邮?jīng)過的軌道上的磁場(chǎng)分布是重要的。如果這在內(nèi)磁屏蔽的入口平面中，那么在沿邊緣的部分中，與平面的大約20％的面積相當(dāng)。
首先說明，應(yīng)該理解，為了改善管軸NS，有必要在從管軸方向施加磁場(chǎng)的情況下，對(duì)垂直方向磁場(chǎng)(By、所謂垂直方向，是沿垂直掃描方向的方向)的分布進(jìn)行研究。具體地說，如圖16所示，使偏轉(zhuǎn)線圈附近的By成分和蔭罩附近的By成分成為正負(fù)反方向是有積極效果的。再有，該圖中磁場(chǎng)By為相對(duì)值。因此，由于在內(nèi)磁屏蔽的電子束入射側(cè)入口部分中，與電子束軌道上罩附近產(chǎn)生的誤差相反方向地預(yù)先使電子束的軌道移位，因而使電子束在垂直方向上的受力抵消，從而可以減少電子束的因磁場(chǎng)引起的移動(dòng)量。
為了使偏轉(zhuǎn)線圈側(cè)的By成分成為負(fù)方向，發(fā)明人在內(nèi)磁屏蔽中(1)通過對(duì)形狀進(jìn)行研究，使偏轉(zhuǎn)線圈側(cè)的電子束入口側(cè)的沿垂直掃描方向的方向的上方下方側(cè)兩端的部分(實(shí)施例中的長(zhǎng)邊側(cè)壁)中的磁通吸收量比位于沿水平掃描方向的方向的左右兩端的部分(實(shí)施例中短邊側(cè)壁)中的磁通吸收量多。并且，(2)通過有效地改變導(dǎo)磁率，可使偏轉(zhuǎn)線圈側(cè)的電子束入口側(cè)的沿垂直掃描方向的方向的上方下方側(cè)兩端的部分中的磁通吸收量比位于沿水平掃描方向的方向的左右兩端的部分中的磁通吸收量多。
作為改變導(dǎo)磁率的方法，例如，在內(nèi)磁屏蔽中，偏轉(zhuǎn)線圈側(cè)的電子束入口側(cè)的沿垂直掃描方向的方向的上方下方側(cè)兩端的部分用導(dǎo)磁率實(shí)際上大的材料構(gòu)成，在位于沿水平掃描方向的方向的左右兩端的部分用導(dǎo)磁率實(shí)際上小的材料構(gòu)成。
這樣，本發(fā)明通過研究?jī)?nèi)磁屏蔽的偏轉(zhuǎn)線圈側(cè)端部附近的磁場(chǎng)分布和蔭罩附近的磁場(chǎng)分布，可減少電子束的誤著屏量。
圖1是本發(fā)明實(shí)施例的CRT的剖面圖。
圖2是展示所述CRT內(nèi)部結(jié)構(gòu)主要部分的圖，是內(nèi)磁屏蔽30與蔭罩框架40的安裝狀態(tài)的分解透視圖。
圖3是展示H1與H2之差變化時(shí)電子束誤著屏量的變化圖。
圖4是展示切口部分35的寬度W1與電子束誤著屏量之間的關(guān)系圖。
圖5是展示切口部分35的深度與電子束誤著屏量之間的關(guān)系圖。
圖6A和圖6B是共同展示實(shí)施例的變形例的內(nèi)磁屏蔽結(jié)構(gòu)的透視圖。
圖7A和圖7B是共同展示 實(shí)施例的變形例的內(nèi)磁屏蔽結(jié)構(gòu)的短邊側(cè)壁部分的平面圖。
圖8是展示切口部64的長(zhǎng)度L與電子束誤著屏量之間的關(guān)系圖。
圖9A和圖9B是共同展示實(shí)施例的變形例的內(nèi)磁屏蔽結(jié)構(gòu)的透視圖。
圖10是展示實(shí)施例的變形例的內(nèi)磁屏蔽結(jié)構(gòu)的透視圖。
圖11是以往例的CRT的剖面圖。
圖12是展示CRT內(nèi)產(chǎn)生的水平磁場(chǎng)的矢量成分圖。
圖13是展示CRT熒光屏上的誤著屏量的測(cè)定點(diǎn)的圖。
圖14是展示用于以往CRT的內(nèi)磁屏蔽結(jié)構(gòu)的透視圖。
圖15是展示以往CRT的內(nèi)磁屏蔽中的切口部的切口深度與電子束誤著屏量之間的關(guān)系圖。
圖16是展示本發(fā)明CRT內(nèi)的垂直方向上所產(chǎn)生的磁場(chǎng)的分布狀態(tài)圖。以下具體說明本發(fā)明的CRT。
(CRT的概略結(jié)構(gòu)、內(nèi)磁屏蔽的結(jié)構(gòu))圖1是本發(fā)明實(shí)施例的剖面圖。
該CRT是近年來成為主流的平面型(面板前表面是平坦的)和蔭罩伸開方式的25″的CRT。
具體地說，該CRT主要包括前表面平坦的面板10、配置內(nèi)磁屏蔽30的錐體部15、頸部20和插入頸部20內(nèi)的電子槍25。
在所述面板10的前部?jī)?nèi)表面上形成各色熒光體部11。在錐體部15的與面板10相反一側(cè)的端部外周邊上覆蓋整個(gè)周邊地安裝著偏轉(zhuǎn)線圈16。
圖2是展示所述CRT的與發(fā)明有關(guān)部分的主要部分的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖，是內(nèi)磁屏蔽30與蔭罩框架40的安裝狀態(tài)的分解透視圖。
圖2中，內(nèi)磁屏蔽30是由相對(duì)的長(zhǎng)邊側(cè)壁31與相對(duì)的短邊側(cè)壁32形成的多角錐狀，在錘的頂部具有開口部33。
在所述長(zhǎng)邊側(cè)壁31的兩個(gè)上端部(偏轉(zhuǎn)線圈側(cè))上，形成使其左右兩端附近殘留，中央部分在偏轉(zhuǎn)線圈側(cè)延長(zhǎng)的矩形上的延長(zhǎng)部34。
結(jié)果，成為在延長(zhǎng)部34的兩個(gè)鄰接位置上形成切口部35的狀態(tài)。在短邊側(cè)壁32的上端部的與長(zhǎng)邊側(cè)壁31側(cè)鄰近的部分上，形成與切口部35連接的切口部36。
并且，規(guī)定從所述延長(zhǎng)部34的上端邊緣34A的距切口部35底邊的高度H1，比所述短邊側(cè)壁32的上端邊緣32A的最上端的高度，即距切口部36底邊的高度H2高。再有，兩切口部35、36的底邊為相同高度。
蔭罩框架40由一對(duì)伸開部件41和外形為コ字形的一對(duì)保持部件42構(gòu)成。把伸開部件41伸向相同方向地相對(duì)配置，在其兩端部上熔接固定コ字形的所述保持部件42。然后，對(duì)多根線狀材料集合于伸開部件41上所形成的蔭罩Ma施加張力，并固定上下端部。為了保持蔭罩Ma和增加框架的強(qiáng)度，沿張力方向決定伸開部件的位置，以此來設(shè)置保持部件42。
在這樣的蔭罩框架40的與伸開蔭罩Ma的面相反的一側(cè)上，通過熔接等固定內(nèi)磁屏蔽的下端。
(內(nèi)磁屏蔽的作用和效果)如上所述，在長(zhǎng)邊側(cè)壁的上端部上設(shè)置延長(zhǎng)部，使該端邊緣部的高度比短邊側(cè)壁上端邊緣部的高度高，能夠使偏轉(zhuǎn)線圈側(cè)的電子束入口側(cè)的沿垂直掃描方向的方向的上方下方側(cè)的部分中的磁通的吸收量(Φ1)比位于沿水平掃描方向的方向的左右的部分中的磁通的吸收量(Φ2)多(Φ1＞Φ2)。換言之，偏轉(zhuǎn)線圈側(cè)的電子束入口側(cè)的沿垂直掃描方向的方向的上方下方側(cè)的部分中的磁通密度(B1)比位于沿水平掃描方向的方向的左右的部分中的磁通密度(B2)大(B1＞B2)。
此外，相同地注意長(zhǎng)邊側(cè)壁附近，延長(zhǎng)部34中的磁通吸收量比切口部35多，因此，在延長(zhǎng)部34中吸收的磁通的磁通密度比切口部35附近的高。即，磁場(chǎng)集中在延長(zhǎng)部34上。
通過使這種磁通的通過內(nèi)磁屏蔽的吸收量和磁通密度在水平方向和垂直方向形成差異，偏轉(zhuǎn)線圈側(cè)的By成分和蔭罩附近的By成分成為正負(fù)相反的方向。因此，由于在與電子束軌道上蔭罩附近產(chǎn)生的誤差成相反方向的內(nèi)磁屏蔽的電子束入射側(cè)入口部分中，預(yù)先使電子束軌道位移，因而電子束在垂直方向上的受力被抵消。結(jié)果，可有效地改善管軸NS特性，特別是在管軸NS上，可有效地改善電子束的誤著屏。
這樣，在長(zhǎng)邊側(cè)壁的上端部設(shè)置延長(zhǎng)部，使該端邊緣部的高度比短邊側(cè)壁的上端邊緣部的高度高，為了在磁通的吸收量上產(chǎn)生差異，使偏轉(zhuǎn)線圈側(cè)的電子束入口側(cè)的沿垂直掃描方向的方向的上方下方側(cè)的磁通吸收量多的部分中的磁通吸收曲率(R1)，比位于沿水平掃描方向的方向的左右的磁通吸收量少的部分中的磁通的吸收曲率(R2)大，實(shí)現(xiàn)(R1)＞R2)的狀態(tài)。
并且，注意相同的長(zhǎng)邊側(cè)壁附近，延長(zhǎng)部34中磁通吸收時(shí)的曲率比切口部35的大。即，磁場(chǎng)集中在延長(zhǎng)部34中。
沿管軸直進(jìn)的外部磁場(chǎng)在內(nèi)磁屏蔽的電子束入口部分中被吸收，沿垂直掃描方向的方向的上方下方側(cè)的磁通吸收量比水平方向的多，因而由于垂直方向的吸收效率高，難道認(rèn)為磁通的曲率不會(huì)出現(xiàn)這種不同嗎 通常，從外部輸入時(shí)，外部磁場(chǎng)被內(nèi)磁屏蔽的電子束入口部分中完全包圍電子束通過區(qū)域的部分所吸收。對(duì)此，通過如上述那樣在長(zhǎng)邊側(cè)壁上端部分上設(shè)置延長(zhǎng)部，外部磁場(chǎng)在內(nèi)磁屏蔽的電子束入口部分中完全包圍電子束通過區(qū)域的部分中不會(huì)一樣地被吸收，而是在延長(zhǎng)部中的吸收更優(yōu)先地進(jìn)行。
在上述外部磁場(chǎng)的吸收量(磁通的吸收量)上產(chǎn)生差異的作用，在于H1和H2之差的最佳范圍。再有，期望H1的尺寸確定在這樣的范圍，即內(nèi)磁屏蔽的邊緣部進(jìn)入被偏轉(zhuǎn)線圈包圍的空間部分中并且不阻礙偏轉(zhuǎn)線圈的偏轉(zhuǎn)控制的范圍。
其中，圖3中示出改變H1和H2之差時(shí)(H2為2cm或4cm的一定值時(shí)，改變H1的值。再有，規(guī)定W1=W2=3cm)，測(cè)定電子束誤著屏量的變化量的結(jié)果。
如該圖所示，在H2=2cm和H2=4cm的情況下，誤著屏量的變化量的絕對(duì)值不同，但表現(xiàn)出相同的傾勢(shì)。在H2=2cm的情況下，可知效果特別好，并且在這種場(chǎng)合，可知在H1=2cm～3cm的范圍中有最佳值，在除此之外的范圍變劣。
此外，在吸收該外部磁場(chǎng)的量(磁通的吸收量)上產(chǎn)生差異的作用，通過如上述那樣在短邊側(cè)壁的邊界部分附近的上端部分上設(shè)置切口部35、36，就變得更顯著。認(rèn)為這是由于，通過設(shè)置切口部35、36，從該部分吸收的磁通就更少，從而可更有效地進(jìn)行從延長(zhǎng)部吸收磁通。該切口部的尺寸有最佳范圍。
其中，圖4示出當(dāng)切口部35、36的深度為2cm時(shí)改變切口寬度W1、W2之時(shí)的束著屏量變化。其中，規(guī)定切口寬度W1=W2進(jìn)行測(cè)定。
由圖4可知，以角部為中心，設(shè)置切口部，與僅使磁屏蔽的短邊側(cè)壁的V字狀切口的參數(shù)改變時(shí)相比(參照?qǐng)D15)，橫角部的變化小，但可使管軸NS的變化增大，兼顧這兩個(gè)特性。由該結(jié)果可推知，期望在實(shí)施數(shù)據(jù)中沒有出現(xiàn)的切口部35的長(zhǎng)度為長(zhǎng)邊側(cè)壁的上端寬度的1/2以下。
因此，橫角部的特性在沒有什么問題的管型的情況下，在改善管軸NS特性上是非常有效的改善方法。在必需更細(xì)調(diào)整的情況，為了使W1和W2不同，以切口長(zhǎng)度為長(zhǎng)邊側(cè)(W1)，便可改變短邊側(cè)(W2)。
至此所述的是以切口深度為2cm一定的情況，但即使改變切口深度，也可獲得同樣的效果。
附帶說一下，圖5表示短邊側(cè)的切口寬度為3cm、長(zhǎng)邊側(cè)的切口寬度為5cm時(shí)的切口深度變化情況下的束著屏量變化。
使用以上那樣的內(nèi)磁屏蔽，在電子束到達(dá)熒光面的軌道上，形成使地磁等外部磁場(chǎng)施加的力抵消的相反磁場(chǎng)，結(jié)果，電子束受到的力變小，電子束彎曲引起的誤著屏變小，在整個(gè)畫面上，可防止色差和色不勻。并且，在整個(gè)畫面上使誤著屏變小的同時(shí)，特別是，還可改善使以地磁為代表的外部磁場(chǎng)的影響抵消的管軸NS特性。
(變形例)①在偏轉(zhuǎn)中心側(cè)的開口部33的短邊側(cè)壁32上形成V字形狀的切口部，并且可改善特性。
具體地說，可為如圖6A、圖6B所示的形狀。
圖6中，內(nèi)磁屏蔽60是由相對(duì)的長(zhǎng)邊側(cè)壁61和相對(duì)的短邊側(cè)壁62形成的多角錐狀，在錘的頂點(diǎn)上有開口部63，同時(shí)，在偏轉(zhuǎn)中心側(cè)的開口部的短邊側(cè)壁上形成切口部64。
圖6A中，切口部64只不過是單純的按一定切口角度(θ1)的切口。
另一方面，圖6B中，切口部64不是單純的按一定切口角度(θ1)的切口，而是按大切口角度(θ2)和比它小的切口角度(θ3)中的至少兩個(gè)切口角度的切口，可以說為本壘形狀。
②下面，如圖7A所示，切口部64的底部64A的形狀不為銳角狀，而是平坦的具有一定的寬度，可以為如圖7B所示的圓弧狀。
其中，作為實(shí)側(cè)值，圖8示出使所述切口部64的最大開口部的寬度(圖6A中用L表示的尺寸)改變時(shí)的束著屏量的變化。此時(shí)管軸NS和橫角部的變化大致相同。
其結(jié)果，如果L=30mm，那么可實(shí)現(xiàn)管軸NS=15μm橫角部=10μm的特性。
③上述延長(zhǎng)部可為如圖9A和圖9B所示的多個(gè)突起91...。
該突起的形狀可以為如圖9A所示的矩形形狀，也可以為如圖9B所示的半圓形狀。
此外，如圖10所示，延長(zhǎng)部的中央部分可以為銳角狀。由此可更有效地進(jìn)行該部分的磁通吸收。
再有，圖1至圖10中，為了容易理解，稍稍分開地描繪了磁屏蔽體和蔭罩的間隔。
最后，本實(shí)施例中，假定25″的CRT，但不僅該尺寸，本發(fā)明也可適用于其它尺寸的CRT，此時(shí)的延長(zhǎng)部的高度和切口部的寬度等各部分的尺寸隨CRT的大小和使用時(shí)放置它的環(huán)境而不同。此外，即使相同尺寸的CRT，作為電子束產(chǎn)生誤著屏的要因，為了不否定除外部磁場(chǎng)之外的偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)的影響，如果偏轉(zhuǎn)線圈的特性不同，那么即使研究?jī)?nèi)磁屏蔽的形狀，其電子束的軌道同樣也不相同，因而最佳的內(nèi)磁屏蔽的各要素的更細(xì)的尺寸由偏轉(zhuǎn)線圈的特性來確定。
權(quán)利要求
1．陰極射線管，包括下列部分內(nèi)磁屏蔽；罩；框架，其中，所述陰極射線管配有在與起因于陰極射線管內(nèi)部產(chǎn)生的磁場(chǎng)的在罩附近的電子束偏移方向相反的一側(cè)，在內(nèi)磁屏蔽的電子束入射側(cè)，預(yù)先使電子束的軌道位移的部件。
2．陰極射線管，包括下列部分內(nèi)磁屏蔽；罩；框架，其中，對(duì)通過電子束通過區(qū)域的沿垂直掃描方向的方向的上下端的20％區(qū)域的電子束起作用的磁通中，以電子束通過區(qū)域的中心軸為管軸時(shí)，從電子束入射側(cè)直到入射方向中央附近的磁通的方向是從管軸向該區(qū)域的方向，從中央附近至罩側(cè)的磁通的方向是從該區(qū)域朝向管軸的方向，兩者的磁通的方向相互相反。
3．陰極射線管，包括下列部分內(nèi)磁屏蔽；罩；框架，其中，對(duì)通過電子束通過區(qū)域的沿垂直掃描方向的方向的上下端的20％區(qū)域的電子束起作用的磁通中，以電子束通過區(qū)域的中心軸為管軸時(shí)，在內(nèi)磁屏蔽的電子束入射側(cè)入口部分中從管軸產(chǎn)生至該區(qū)域方向的磁通的磁通密度，比從管軸沿水平掃描方向的方向的兩端部分產(chǎn)生的磁通的磁通密度大。
4．陰極射線管，包括下列部分內(nèi)磁屏蔽；罩；框架，其中，對(duì)于通過電子束通過區(qū)域的沿垂直掃描方向的方向的上下端的20％區(qū)域的電子束，當(dāng)以電子束通過區(qū)域的中心軸為管軸時(shí)，對(duì)于來自管軸的磁通，在位于內(nèi)磁屏蔽的電子束入射側(cè)的沿垂直掃描方向的方向兩端部分的部分中吸收的磁通的曲率，比位于沿水平掃描方向的方向的兩端部分的部分中吸收的磁通的曲率大。
5．陰極射線管，包括下列部分內(nèi)磁屏蔽；罩；框架，其中，對(duì)通過電子束通過區(qū)域的沿垂直掃描方向的方向的上下端的20％區(qū)域的電子束起作用的磁通中，當(dāng)以電子束通過區(qū)域的中心軸為管軸時(shí)，在內(nèi)磁屏蔽的電子束入射側(cè)入口部分的從管軸產(chǎn)生至該區(qū)域方向的磁通的磁通密度，比沿水平掃描方向的方向的兩端部分中產(chǎn)生的磁通的磁通密度大，并且，比起從管軸沿垂直掃描方向的方向的端部來說，更涉及電子束的入射側(cè)入口部分中產(chǎn)生的磁通的磁通密度，該入口部分的邊緣部的中央部分中的比其周邊部分中的要大。
6．陰極射線管，包括下列部分內(nèi)磁屏蔽；罩；框架，其中，對(duì)于通過電子束通過區(qū)域的沿垂直掃描方向的方向的上下端的20％區(qū)域的電子束，當(dāng)以電子束通過區(qū)域的中心軸為管軸時(shí)，對(duì)于來自管軸的磁通，在位于內(nèi)磁屏蔽的電子束入射側(cè)的沿垂直掃描方向的方向兩端部分的部分中吸收的磁通的曲率，比位于沿水平掃描方向的方向的兩端部分的部分中吸收的磁通的曲率大，并且對(duì)于來自管軸的磁通，與位于內(nèi)磁屏蔽的電子束入射側(cè)的沿垂直掃描方向的方向兩端部分的部分中吸收的磁通的曲率有關(guān)，電子束入射入口部分的沿邊緣方向的部分中的比中央部分中的要大。
7．陰極射線管，包括下列部分內(nèi)磁屏蔽；罩；框架，其中，所述內(nèi)磁屏蔽中位于沿垂直掃描方向的方向的兩端部分的電子束入射側(cè)端部邊緣的高度，比位于沿水平掃描方向的方向的兩端部分的電子束入射側(cè)端部邊緣的高度高。
8．如權(quán)利要求7所述的陰極射線管，包括下列部分所述內(nèi)磁屏蔽中，在電子束入射側(cè)端部邊緣的沿相對(duì)高的所述端部邊緣部的端部邊緣的方向的兩端，配置切口部。
9．如權(quán)利要求8所述的陰極射線管，所述切口部長(zhǎng)度，在位于沿垂直掃描方向的方向的兩端部分的電子束入射側(cè)各端部邊緣的沿端部邊緣的方向的寬度的1/2以下。
10．陰極射線管，包括下列部分內(nèi)磁屏蔽，為錐的頂部有開口部的角錘筒狀，由相對(duì)的長(zhǎng)邊側(cè)壁和相對(duì)的短邊側(cè)壁構(gòu)成；罩；框架，其中，所述內(nèi)磁屏蔽在所述長(zhǎng)邊側(cè)壁的電子束入射側(cè)端部邊緣中沿該端部邊緣的方向的中央部分上配有延長(zhǎng)部，該延長(zhǎng)部的高度比與該長(zhǎng)邊側(cè)壁鄰接的短邊側(cè)壁的電子束入射側(cè)端部邊緣的高度高。
11．如權(quán)利要求10所述的陰極射線管，所述延長(zhǎng)部是多個(gè)突起。
12．如權(quán)利要求11所述的陰極射線管，所述多個(gè)突起為矩形形狀或半圓形狀。
13．如權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的陰極射線管，所述內(nèi)磁屏蔽在所述短邊側(cè)壁上配有從電子束入射側(cè)端部邊緣朝向罩側(cè)其寬度逐漸減小的切口部。
14．如權(quán)利要求13所述的陰極射線管，所述切口部由至少兩個(gè)以上的切口角度形成。
15．如權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的陰極射線管，所述罩加有張力。
全文摘要
陰極射線管包括下列部分:內(nèi)磁屏蔽,為錐的頂部有開口部的角錘筒形狀,由相對(duì)的長(zhǎng)邊側(cè)壁和相對(duì)的短邊側(cè)壁構(gòu)成;罩;框架,其中,所述內(nèi)磁屏蔽在所述長(zhǎng)邊側(cè)壁的電子束入射側(cè)端部邊緣中沿該端部邊緣的方向的中央部分上配有延長(zhǎng)部,該延長(zhǎng)部的高度比與該長(zhǎng)邊側(cè)壁鄰接的短邊側(cè)壁的電子束入射側(cè)端部邊緣的高度高。
文檔編號(hào)H01J29/06GK1314695SQ0111733
公開日2001年9月26日 申請(qǐng)日期2001年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2000年3月16日
發(fā)明者村井隆一, 八田真一郎, 巖本洋, 小澤哲郎, 中寺茂夫 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社