專(zhuān)利名稱(chēng)：等離子顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到一種等離子顯示裝置，具體而言涉及到一種用于減少面板靜電容量的總線電極及透明電極的構(gòu)造。
背景技術(shù)：
一般情況下，等離子顯示面板(以下稱(chēng)為“PDP”)是如下所示的顯示裝置利用由氣體放電得到的等離子所放射出的真空紫外線VUV激勵(lì)熒光體，產(chǎn)生紅綠藍(lán)的可視光，利用該可視光顯示預(yù)定的圖像。
上述等離子顯示裝置通過(guò)掃描電極及地址電極之間的相對(duì)放電選擇放電單元，通過(guò)上述掃描電極及維持電極之間的面放電顯示圖像。
具體而言，等離子顯示裝置的結(jié)構(gòu)是面板由上部基板及和該上部基板相對(duì)的下部基板結(jié)合而形成，上述上部基板上形成掃描電極、維持電極、及電介質(zhì)層。
上述下部基板上形成多個(gè)地址電極、用于保護(hù)上述地址電極并進(jìn)行絕緣的電介質(zhì)層、隔開(kāi)放電單元的隔壁、以及涂布到上述電介質(zhì)層及上述隔壁上并通過(guò)等離子放電放出可視光的熒光體層。
并且，上述上部基板上形成掃描電極和維持電極、及用于保護(hù)上述電極并進(jìn)行絕緣的電介質(zhì)層，上述掃描電極及維持電極分別由總線電極及透明電極構(gòu)成。
通過(guò)向上述地址電極、上述掃描電極及維持電極中的任意一個(gè)電極施加電壓，產(chǎn)生地址放電，放電單元被選擇，在上述掃描電極及維持電極之間，產(chǎn)生維持放電，圖像被顯示。
以下參照?qǐng)D1對(duì)這樣構(gòu)成的等離子顯示裝置中的現(xiàn)有的總線電極的構(gòu)造進(jìn)行說(shuō)明，并且對(duì)現(xiàn)有發(fā)明的問(wèn)題點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。
參照?qǐng)D1，放電空間通過(guò)隔壁23被隔開(kāi)，總線電極11b以從上述放電空間開(kāi)始不到20μm的裕量 m1，形成在隔壁的上部。并且，現(xiàn)有技術(shù)中，總線電極11b的寬d1形成為55～80μm。
但是，在結(jié)合上部基板及下部基板而形成面板的工序中，當(dāng)上述上部基板或下部基板的位置對(duì)齊超過(guò)允許誤差時(shí)，在現(xiàn)有技術(shù)中，無(wú)法充分確保總線電極11b的裕量m1，因此如圖1右側(cè)所示，上述總線電極進(jìn)入到放電空間內(nèi)部，出現(xiàn)放射可視光線的發(fā)光面積減小、亮度下降的問(wèn)題。
并且以下參照?qǐng)D2對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中，與總線電極11b電連接的透明電極11a的形狀進(jìn)行說(shuō)明。
參照?qǐng)D2，放電空間通過(guò)隔壁23被隔開(kāi)，在上述隔壁23上形成總線電極11b。并且，形成從上述總線電極11b突出到放電空間內(nèi)部的透明電極11a。其中，上述透明電極11a及總線電極11b是與掃描驅(qū)動(dòng)器連接的掃描電極Y。
特別是，在現(xiàn)有技術(shù)中，透明電極11a和總線電極11b為了使重疊區(qū)域的截面積變大，例如如圖3所示，透明電極11a的寬T1形成得大于總線電極11b的寬T2。上述透明電極11a的寬T1形成為大約100μm，上述總線電極11b的寬T2形成為大約80μm。
即，從上述掃描驅(qū)動(dòng)器提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)的金屬總線電極11b與上述透明電極11a重疊的截面積越大，則越會(huì)順利產(chǎn)生維持放電，因此在現(xiàn)有的發(fā)明中，如圖2及圖3所示，突出到放電空間內(nèi)部的透明電極11a的寬進(jìn)一步較大地形成。
但是，通過(guò)上述透明電極11a的寬形成得大于上述總線電極11b的寬，和圖2的虛線所示的上述隔壁23重疊的面積也會(huì)變大，因此存在面板靜電容量上升的問(wèn)題。
上述面板靜電容量是指，對(duì)具有存儲(chǔ)電場(chǎng)產(chǎn)生的能量并通過(guò)電壓變動(dòng)感應(yīng)電流的特性的面板上所形成的靜電容量進(jìn)行等價(jià)表現(xiàn)的容量。
上述面板靜電容量越高，則越產(chǎn)生消耗電力增加，波形產(chǎn)生扭曲等問(wèn)題，因此為了減少上述面板靜電容量，要求對(duì)上部基板或下部基板上形成的電極的寬、電極之間的間隔等進(jìn)行調(diào)整。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種等離子顯示裝置，為了減少面板靜電容量而使總線電極的寬形成得較窄，并考慮到位置對(duì)齊工序上的誤差，充分設(shè)置并形成上述總線電極的裕量，使上述總線電極不會(huì)進(jìn)入到放電空間內(nèi)部。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明涉及的等離子顯示裝置具有第一電極，形成在上部基板上；和隔壁，形成在和上述上部基板相對(duì)的下部基板上，并隔開(kāi)放電空間，上述第一電極與上述放電空間不重疊地，以預(yù)定的裕量形成在上述隔壁上。
上述上部基板還具有與上述第一電極并排形成的第二電極，上述第二電極也與上述放電空間不重疊地形成在上述隔壁上。
上述第一電極或第二電極的特征在于，從上述放電空間的外圍開(kāi)始以預(yù)定的裕量間隔而形成，上述預(yù)定的裕量為20～200μm以?xún)?nèi)。
上述第一電極及第二電極是金屬總線電極，總線電極的寬形成為50μm以下，在上述第一電極或第二電極的下部隔壁中形成溝槽，因此面板靜電容量減少。
從上述總線電極突出到放電空間內(nèi)部的透明電極呈T字狀地突出設(shè)置，形成延伸到上述放電空間內(nèi)部的至少一個(gè)突出部。
上述透明電極具有與上述總線電極重疊的第一部分；從上述第一部分在上述放電空間內(nèi)部至少形成一個(gè)突出部的第二部分；以及電連接上述第二部分的第三部分。
上述第一部分的寬形成得小于上述總線電極的寬，上述第二部分的寬為放電單元的寬的5～30％。
根據(jù)本發(fā)明，總線電極高精度地形成，并且不與放電空間重疊地、以預(yù)定的裕量形成在隔壁的上部，從而具有可防止因上部基板和下部基板的位置對(duì)齊誤差所引起的總線電極進(jìn)入到放電空間的效果。
并且，從總線電極到放電空間內(nèi)部至少形成一個(gè)突出部的透明電極形成掃描電極或維持電極，上述透明電極的寬形成得小于上述總線電極，因此具有可減少上部基板的電極產(chǎn)生的靜電容量的效果。


圖1是表示現(xiàn)有的等離子顯示裝置的總線電極的平面圖。
圖2是表示現(xiàn)有的等離子顯示裝置的總線電極及透明電極的平面圖。
圖3是表示現(xiàn)有的透明電極相對(duì)于總線電極的寬的平面圖。
圖4是表示本發(fā)明的PDP結(jié)構(gòu)的透視圖。
圖5是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的等離子顯示裝置的總線電極的平面圖。
圖6是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的等離子顯示裝置的總線電極的平面圖。
圖7是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的總線電極及隔壁的形狀的截面圖。
圖8是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的總線電極及透明電極的平面圖。
圖9是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的總線電極及透明電極的平面圖。
圖10是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的總線電極及透明電極的平面圖。
圖11是表示本發(fā)明的第四實(shí)施方式的總線電極及透明電極的平面圖。
具體實(shí)施例方式
上述目的以外的本發(fā)明的其它目的及特征通過(guò)對(duì)參照了附圖的實(shí)施方式的說(shuō)明可得以明確。
以下參照?qǐng)D4至圖11對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
圖4是表示本發(fā)明的PDP的結(jié)構(gòu)的透視圖。上述PDP的掃描電極和維持電極分別配置在放電單元單位上，但為了便捷一個(gè)一個(gè)進(jìn)行圖示。
首先，上述基板30上形成掃描電極Y及維持電極Z，與上述掃描電極Y及維持電極Z相鄰，層積上部電介質(zhì)層33。并且，設(shè)有用于保護(hù)上述上部電介質(zhì)層33的保護(hù)層34。
在上述下部基板40上形成有與形成在上述上部基板30上的掃描電極Y及維持電極Z相對(duì)的地址電極X、以及在上述地址電極上層積的下部電介質(zhì)層42。并且，在上述下部電介質(zhì)層42及隔開(kāi)放電空間的隔壁43上涂布熒光體44。
在尋址期間內(nèi)，在上述掃描電極Y及上述地址電極X之間產(chǎn)生相對(duì)放電，放電單元被選擇，在維持期間內(nèi)，上述掃描電極Y及維持電極Z之間產(chǎn)生面放電，通過(guò)上述放電產(chǎn)生真空紫外線VUV，涂布在上述放電空間內(nèi)部的熒光體44被激勵(lì)、發(fā)光，顯示出圖像。
圖5表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的總線電極的構(gòu)造。
上述金屬總線電極31b為了防止因位置對(duì)齊工序中的誤差引起的總線電極進(jìn)入到放電空間內(nèi)部的問(wèn)題，以充分的裕量m2在非放電空間上相對(duì)形成。
圖5所示的總線電極中的任意一個(gè)是由未圖示的掃描驅(qū)動(dòng)器提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)的掃描電極Y，另一個(gè)是由未圖示的維持驅(qū)動(dòng)器提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)的維持電極Z。
此時(shí)，上述總線電極31b從上述放電空間的外圍以預(yù)定的裕量m2間隔形成，優(yōu)選為20～200μm以?xún)?nèi)。從現(xiàn)有的工藝水準(zhǔn)來(lái)看，上述位置對(duì)齊工序中的誤差大約為20μm以?xún)?nèi)，因此上述總線電極的裕量m2為20μm以上，考慮到相鄰的放電單元的非放電空間的距離，優(yōu)選為200μm以下。
并且，上述總線電極31b的裕量m2可以確保與現(xiàn)有技術(shù)相比形成得較長(zhǎng)，因此上述總線電極之間的間隔和現(xiàn)有技術(shù)相比也有所增加，提高了放電效率，減少了兩個(gè)電極之間的靜電容量。
并且，優(yōu)選的是，上述總線電極31b的寬d2高精度地形成為50μm以下，因此減少兩個(gè)電極間的靜電容量。
圖6是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的總線電極的平面圖。其特征在于，雖然與圖5所示的第一實(shí)施方式的總線電極類(lèi)似，但在形成上述金屬總線的下部隔壁中形成溝槽G。
第二實(shí)施方式的總線電極31b不與放電空間重疊地在非放電空間上相對(duì)形成，從上述放電空間的外圍以預(yù)定的裕量m2間隔形成，該裕量為20～200μm以?xún)?nèi)，這一點(diǎn)和第一實(shí)施方式相同。
并且，優(yōu)選的是，第二實(shí)施方式的總線電極31b的寬d2高精度地形成為50μm以下，與上述總線電極的寬形成為55μm以上的現(xiàn)有技術(shù)相比，減少了上述總線電極之間形成的靜電容量。
并且，在第二實(shí)施方式中，在位于形成有上述總線電極31b的下部的隔壁43中形成溝槽，因此如圖6所示，在上述總線電極的下部，形成存在低介電率的空氣的空間(vacancy)，以替代隔壁。
圖7是表示第二實(shí)施方式的面板的截面圖，在下部基板40上形成地址電極X及電介質(zhì)層42，在上述電介質(zhì)層上形成隔壁43以隔開(kāi)放電空間。此時(shí)，由于在上述隔壁43中形成溝槽G，因此通過(guò)上述溝槽，上述隔壁的介電率變低，從而使下部基板的靜電容量降低。
上部基板30上形成掃描電極Y及維持電極Z，在上述電極上形成層積的電介質(zhì)層33及保護(hù)層34。此時(shí)，形成上述掃描電極Y及維持電極Z的總線電極31b位于上述溝槽G的上部而形成，透明電極31a從上述總線電極31b突出設(shè)置在放電空間內(nèi)部。
如上所述，第一及第二實(shí)施方式的等離子顯示裝置中，總線電極31b的寬d2高精度地形成為50μm以下，考慮到位置對(duì)齊工序上的誤差，充分確保上述總線電極的裕量m2地形成，因此可防止上述總線電極進(jìn)入到放電空間內(nèi)部。并且，由于在上述總線電極的下部隔壁43中形成溝槽G，因此具有減少面板的靜電容量的效果。
圖8至圖11是表示從圖5所示的第一實(shí)施方式的金屬總線電極、或從圖6所示的第二實(shí)施方式的金屬總線電極突出到放電空間內(nèi)部的透明電極的形狀的圖。圖8至圖11分別表示第一至第四實(shí)施方式的透明電極的形狀。
首先，參照?qǐng)D8，第一實(shí)施方式中，僅掃描電極Y或維持電極Z中的任意一個(gè)透明電極31a突出設(shè)置為T(mén)字狀，參照?qǐng)D9，第二實(shí)施方式中，掃描電極Y或維持電極Z中，各個(gè)透明電極31a呈T字狀地突出相對(duì)形成。
與金屬總線電極31b電連接的上述透明電極31a至少形成一個(gè)呈T字狀地突出到上述放電空間內(nèi)部的突出部，上述透明電極31a具有與上述總線電極31b重疊的第一部分31-1、以及從上述第一部分在上述放電空間內(nèi)部至少形成一個(gè)突出部的第二部分31-2。
這樣構(gòu)成的透明電極31a的構(gòu)造如圖8所示的第一實(shí)施方式所示，僅適用于上部基板上設(shè)置的任意一個(gè)電極，其它透明電極的構(gòu)造不受本實(shí)施方式的限制。
此時(shí)，突出到放電空間內(nèi)部的透明電極相對(duì)，通過(guò)從各總線電極31b提供的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，在上述透明電極之間產(chǎn)生維持放電。
并且，上述透明電極的構(gòu)造如圖9所示的第二實(shí)施方式所示，設(shè)置在上部基板上的掃描電極Y及維持電極Z的各自的透明電極31a面向放電空間呈T字狀地突出相對(duì)形成。
此時(shí)，第一及第二實(shí)施方式的透明電極31a中，與上述總線電極31b重疊的第一部分31-1的寬T1’形成得小于上述總線電極的寬T2’，因此上述第一部分31-1不向上述總線電極31b的外圍突出。
并且，上述第二部分31-2的寬B為上述放電單元的寬A的5～30％，與虛線所示的上述隔壁43重疊的區(qū)域的截面積和現(xiàn)有技術(shù)相比，大幅減少，面板靜電容量減少。
并且，上述透明電極的第二部分31-2形成為T(mén)字狀，因此與引起維持放電的相對(duì)電極的相對(duì)面積變大，放電效率提高。
參照?qǐng)D10，第三實(shí)施方式中，僅在掃描電極Y或維持電極Z的任意一個(gè)透明電極31a’中，至少呈T字狀地形成二個(gè)突出部，參照?qǐng)D11，第四實(shí)施方式中，掃描電極Y及維持電極Z中，各個(gè)透明電極31a’中至少呈T字狀地形成二個(gè)突出部。
將圖10所示的電極設(shè)為掃描電極Y時(shí)，形成上述掃描電極的金屬總線電極31b’不與放電空間重疊地形成在非放電空間上，與上述總線電極31b’電連接的上述透明電極31a’呈T字狀，至少形成二個(gè)突出到上述放電空間內(nèi)部的突出部。
這種透明電極31a’具有與上述總線電極31b’重疊的第一部分31-1、從上述第一部分在上述放電空間內(nèi)部至少形成二個(gè)突出部的第二部分31-2、以及連接上述第二部分的第三部分31-3。
這樣構(gòu)成的透明電極31a’的構(gòu)造如圖10所示的第三實(shí)施方式所示，僅適用于上部基板上設(shè)置的任意一個(gè)電極，其它的透明電極的構(gòu)造不受本實(shí)施方式的限制。
此時(shí)，突出到放電空間內(nèi)部的透明電極是相對(duì)的，通過(guò)由各總線電極31b’提供的驅(qū)動(dòng)信號(hào)在上述透明電極之間產(chǎn)生維持放電。
并且，如圖11所示的第四實(shí)施方式所示，在上部基板上設(shè)置的掃描電極Y及維持電極Z的透明電極中，分別呈T字狀地至少形成二個(gè)突出部。
此時(shí)，第三及第四實(shí)施方式的透明電極31a’中，與上述總線電極31b’重疊的第一部分31-1的寬T1’形成得小于上述總線電極的寬T2’，因此上述第一部分31-1不向上述總線電極31b’的外圍突出。
并且，上述第二部分31-2的寬的和b1+b2為上述放電單元的寬A的5～30％，和現(xiàn)有發(fā)明相比，與上述隔壁43重疊的區(qū)域的截面積減少，面板靜電容量減少。
以上參照附圖對(duì)本發(fā)明的等離子顯示裝置進(jìn)行了說(shuō)明，本發(fā)明不受本說(shuō)明書(shū)中公開(kāi)的實(shí)施方式及附圖的限制，在受保護(hù)的本發(fā)明的技術(shù)思想范圍內(nèi)，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可進(jìn)行應(yīng)用。
本發(fā)明可適用于PDP相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示裝置，其特征在于，具有第一電極，形成在上部基板上；和隔壁，形成在和上述上部基板相對(duì)的下部基板上，并隔開(kāi)放電空間，上述第一電極和上述放電空間不重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，上述上部基板還具有與上述第一電極并排形成的第二電極，上述第一電極及第二電極與上述放電空間不重疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，上述第一電極是金屬總線電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，上述第一電極從上述放電空間的外圍開(kāi)始以預(yù)定的裕量間隔而形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子顯示裝置，其特征在于，上述預(yù)定的裕量為20～200μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，上述第一電極的寬為20～50μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，上述隔壁中形成溝槽。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，上述上部基板還具有從上述第一電極突出到上述放電空間的內(nèi)部的透明電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子顯示裝置，其特征在于，上述透明電極呈T字狀地突出設(shè)置。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子顯示裝置，其特征在于，上述透明電極形成延伸到上述放電空間內(nèi)部的至少二個(gè)突出部。
11.一種等離子顯示裝置，其特征在于，具有在下部基板中隔開(kāi)放電空間的至少一個(gè)隔壁；在和上述下部基板相對(duì)的上部基板上形成的第一電極及第二電極，上述第一電極或第二電極中的至少任意一個(gè)電極與上述放電空間不重疊地形成在上述隔壁的上部，上述隔壁中形成溝槽。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子顯示裝置，其特征在于，上述第一電極及第二電極從上述放電空間的外圍開(kāi)始以預(yù)定的裕量間隔而形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的等離子顯示裝置，其特征在于，上述預(yù)定的裕量為20～200μm。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子顯示裝置，其特征在于，上述第一電極及第二電極的寬為20～50μm。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子顯示裝置，其特征在于，從上述第一電極及第二電極突出到放電空間內(nèi)部的透明電極具有與上述第一電極及第二電極重疊的第一部分；從上述第一部分在上述放電空間內(nèi)部形成至少一個(gè)突出部的第二部分；以及與形成了至少一個(gè)突出部的第二部分相連接的第三部分。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子顯示裝置，其特征在于，上述第一部分的全部區(qū)域與上述第一電極或第二電極重疊形成。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子顯示裝置，其特征在于，上述第二部分的寬是放電單元的寬的5～30％。
18.一種等離子顯示裝置，其特征在于，具有形成有第一電極及和第一電極相對(duì)的第二電極的上部基板；以及與上述上部基板相對(duì)、形成有至少一個(gè)隔壁的下部基板，上述隔壁形成放電空間，上述第一電極及第二電極具有不與上述放電空間重疊地、形成在非放電空間的第一部分；以及從上述第一部分在上述放電空間內(nèi)部形成至少一個(gè)突出部的第二部分。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的等離子顯示裝置，其特征在于，上述第一電極及第二電極是透明電極。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的等離子顯示裝置，其特征在于，上述第一電極及第二電極還具有第三部分，其連接形成了至少一個(gè)突出部的上述第二部分。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的等離子顯示裝置，其特征在于，上述第二部分的寬是放電單元的寬的5～30％。
全文摘要
提供一種等離子顯示裝置，為了減少面板靜電容量使總線電極的寬形成得較窄，并考慮到位置對(duì)齊工序上的誤差，充分設(shè)置并形成上述總線電極的裕量，使上述總線電極不會(huì)進(jìn)入到放電空間內(nèi)部，本發(fā)明的等離子顯示裝置具有形成在上部基板上的第一電極；形成在與上部基板相對(duì)的下部基板上并隔開(kāi)放電空間的隔壁，其中第一電極與放電空間不重疊。
文檔編號(hào)H01J17/02GK1975968SQ20061007101
公開(kāi)日2007年6月6日 申請(qǐng)日期2006年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月28日
發(fā)明者安成容 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社