1.一種分段電阻型IGBT驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括驅(qū)動(dòng)推挽電路、分段電阻驅(qū)動(dòng)電路和IGBT門極鉗位電路，
所述分段電阻驅(qū)動(dòng)電路包括若干串聯(lián)連接的分段電阻，每個(gè)分段電阻的兩端均并聯(lián)有旁路MOS管；各旁路MOS管的門極以及所述驅(qū)動(dòng)推挽電路的控制輸入端分別與驅(qū)動(dòng)控制器連接；
所述IGBT門極鉗位電路包括分別與IGBT門極連接的：IGBT門極穩(wěn)壓鉗位電路及IGBT門極電源鉗位電路；
所述IGBT的門極通過(guò)串聯(lián)連接的分段電阻與驅(qū)動(dòng)推挽電路的To端口連接，還通過(guò)IGBT門極電源鉗位電路與驅(qū)動(dòng)推挽電路的VSS端口連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分段電阻型IGBT驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述IGBT門極電源鉗位電路包括一個(gè)肖特基二極管和兩個(gè)支撐電容，肖特基二極管的陽(yáng)極與IGBT門極電連接，陰極通過(guò)并聯(lián)連接的兩支撐電容接地；肖特基二極管的陰極同時(shí)與驅(qū)動(dòng)推挽電路的VSS端連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的分段電阻型IGBT驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述IGBT門極穩(wěn)壓鉗位電路包括兩個(gè)穩(wěn)壓二極管，其中一個(gè)穩(wěn)壓二極管的陰極與IGBT的門極電連接，陽(yáng)極與另一穩(wěn)壓二極管的陽(yáng)極連接，另一穩(wěn)壓二極管的陰極接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分段電阻型IGBT驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)控制器選用FPGA控制器。
5.采用權(quán)利要求1所述的分段電阻型IGBT驅(qū)動(dòng)電路的控制方法，其特征在于，
IGBT開(kāi)通時(shí)，當(dāng)IGBT進(jìn)入導(dǎo)通過(guò)程，將大于2/3數(shù)量的分段電阻接入IGBT門極，降低IGBT門極震蕩；
當(dāng)IGBT進(jìn)入密勒平臺(tái)時(shí)間，將接入IGBT門極的分段電阻數(shù)減少至1/3數(shù)量以下，縮短密勒平臺(tái)時(shí)間，加快IGBT源極s與漏極d之間電壓下降，減少IGBT開(kāi)通損耗；
IGBT關(guān)斷時(shí)，在IGBT門極g與漏極d之間電壓下降到密勒平臺(tái)結(jié)束的時(shí)間內(nèi)，將1/3數(shù)量以下分段電阻接入IGBT門極，加快IGBT門極抽取電荷，減少IGBT門極開(kāi)關(guān)時(shí)間；
在密勒平臺(tái)電壓逐漸降低到閾值電壓時(shí)，IGBT進(jìn)入關(guān)斷過(guò)程，將1/2以上數(shù)量分段電阻接入IGBT門極，降低浪涌；
當(dāng)浪涌結(jié)束進(jìn)入拖尾電流時(shí)間后，將1/3數(shù)量以下分段電阻接入IGBT門極，減少拖尾電流時(shí)間。