一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置。所述種陣列基板，包括顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域外圍的非顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域包括：多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，限定多個像素單元，所述像素單元包括像素電極；多條公共電極線，所述公共電極線包括本體，以及與所述本體一體成型的支線，所述支線位于所述本體的一側(cè)，且至少一部分所述支線位于顯示區(qū)域的內(nèi)邊緣。所述顯示面板，包括本實用新型任意一項實施例所提供的陣列基板。所述顯示裝置，包括本實用新型任意一項實施例所提供的顯示面板。本實用新型能夠解決液晶顯示器顯示區(qū)域邊緣的液晶分子不易偏轉(zhuǎn)的問題。
【專利說明】
一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置。 【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示技術(shù)廣泛應(yīng)用與電視、手機以及公共信息顯示，是目前使用最為廣泛的顯示技術(shù)。現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示器，位于顯示區(qū)域邊緣的液晶分子不易偏轉(zhuǎn)，影響了液晶顯示器的顯示角度和顯示效果?！緦嵱眯滦蛢?nèi)容】
[0003]本實用新型實施例提供一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置，至少可以一定程度解決液晶顯示器顯示區(qū)域邊緣的液晶分子不易偏轉(zhuǎn)的問題。
[0004]本實用新型實施例提供一種陣列基板，包括顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域外圍的非顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域包括:
[0005]多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線和柵線限定出多個像素單元，所述像素單元包括像素電極；
[0006]多條公共電極線，至少一條所述公共電極線包括本體和支線，所述支線位于所述本體的一側(cè)，且至少一部分所述支線位于顯示區(qū)域的內(nèi)邊緣。
[0007]可選的，所述支線的一部分位于一像素單元所在的區(qū)域，且所述支線在所述陣列基板所在平面上的正投影與對應(yīng)的像素單元的像素電極在所述陣列基板所在平面上的正投影存在交疊區(qū)域。
[0008]可選的，一部分所述支線位于所述多個像素單元所在的區(qū)域。
[0009]可選的，所述本體的相對兩側(cè)均具有所述支線。
[0010]可選的，所述柵線沿行方向延伸，相鄰兩行像素單元對應(yīng)的兩條柵線組成一柵線組，所述柵線組位于對應(yīng)的相鄰兩行像素單元之間，所述公共電極線位于相鄰兩行像素單元之間，且所述柵線組和所述公共電極線間隔設(shè)置，相鄰的柵線組和公共電極線之間具有一行像素單元；
[0011]所述支線包括位于所述本體一側(cè)的第一支線和位于所述本體相對另一側(cè)的第二支線，所述第一支線和第二支線平行或位于同一條直線上。
[0012]可選的，所述本體與所述柵線平行，且為同層結(jié)構(gòu)。
[0013]可選的，所述支線與所述數(shù)據(jù)線平行。
[0014]可選的，在所述數(shù)據(jù)線的延伸方向上，所述支線的長度為對應(yīng)的像素單元的長度的3/5?8/9〇
[0015]可選的，所述支線的一部分位于相鄰的第一像素單元和第二像素單元之間，且所述支線在所述陣列基板所在平面上的正投影與所述第一像素單元的像素電極和第二像素單元的像素電極在所述陣列基板所在平面上的正投影均存在交疊區(qū)域。
[0016]可選的，所述多條公共電極線中，第一公共電極線以及位于第一公共電極線相對側(cè)的第二公共電極線，所述第一公共電極線以及所述第二公共電極線的寬度大于其他公共電極線的寬度;所述第一公共電極線位于顯示區(qū)域靠近源極驅(qū)動芯片所在區(qū)域的一側(cè)。
[0017]可選的，所述公共電極線包括第一公共電極線和第二公共電極線，其中，第一公共電極線的寬度大于第二公共電極線的寬度，所述第一公共電極線和第二公共電極線間隔設(shè)置。
[0018]可選的，所述公共電極線以所述陣列基板的中心軸對稱分布。
[0019]可選的，公共電極線在顯示區(qū)域內(nèi)至少部分電性連接。
[0020]可選的，相鄰兩條公共電極線在顯示區(qū)域內(nèi)電線連接。
[0021]同時，本實用新型還提供一種顯示面板，包括本實用新型任意一項實施例所提供的陣列基板。[〇〇22]進一步，本實用新型還提供一種顯示裝置，包括本實用新型任意一項實施例所提供的顯示面板。
[0023]本實用新型的上述技術(shù)方案的有益效果如下:
[0024]上述技術(shù)方案中，通過在公共電極線上設(shè)置有支線，至少有一部分所述支線位于顯示區(qū)域的邊緣，支線與本體可以從不同方位與像素電極產(chǎn)生電場，使得位于顯示區(qū)域內(nèi)邊緣難以偏轉(zhuǎn)的液晶分子能夠偏轉(zhuǎn)，擴大顯示角度?！靖綀D說明】
[0025]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0026]圖1為本實用新型實施例的陣列基板線路布置示意圖；
[0027]圖2為本實用新型另一種實施例的陣列基板線路布置示意圖；
[0028]圖3為本實用新型另一種實施例的陣列基板線路布置示意圖；
[0029]圖4為本實用新型又一種實施例的陣列基板線路布置示意圖；
[0030]圖5為本實用新型的陣列基板區(qū)域劃分示意圖。【具體實施方式】
[0031]下面將結(jié)合附圖和實施例，對本實用新型的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本實用新型，但不用來限制本實用新型的范圍。
[0032]本實用新型首先提供一種陣列基板，包括顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域外圍的非顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域包括:
[0033]多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線和柵線限定出多個像素單元;參照圖1，所述像素單元包括:像素電極101;
[0034]多條公共電極線102,至少一條所述公共電極線102包括本體1021和支線1022,所述支線1022位于所述本體1021的一側(cè)，且至少一部分所述支線1022位于顯示區(qū)域的內(nèi)邊緣。
[0035]通過設(shè)置所述支線，支線與本體可以從不同方位與像素電極產(chǎn)生電場，使得難以偏轉(zhuǎn)的液晶分子可以一定程度的發(fā)生偏轉(zhuǎn)，改善顯示角度，擴大視角范圍。
[0036]此外，還可以起到一定的遮光作用，減小彩膜基板上黑矩陣的面積。[〇〇37]在本實用新型具體實施例中，所述公共電極線至少包括位于顯示區(qū)域內(nèi)邊緣的支線。[〇〇38]在本實用新型具體實施例中，所述陣列基板區(qū)域分布如圖5所示，陣列基板501上虛線劃分出的區(qū)域代表顯示區(qū)域502,陣列基板上除了顯示區(qū)域502以外的區(qū)域為非顯示區(qū)域503,所述顯示區(qū)域的內(nèi)邊緣，為圖5中虛線以內(nèi)的區(qū)域的邊緣，即所述顯示區(qū)域502遠離所述陣列基板501邊緣線一側(cè)的邊緣。
[0039]在本實用新型一些實施例中，所述支線的一部分位于一像素單元所在的區(qū)域，且所述支線在所述陣列基板所在平面上的正投影與對應(yīng)的像素單元的像素電極在所述陣列基板所在平面上的正投影存在交疊區(qū)域。通過這種設(shè)置方式能夠進一步增加陣列基板的存儲電容，使得難以偏轉(zhuǎn)的液晶分子偏轉(zhuǎn)，改善顯示效果。此外，還可以起到更好的遮光作用， 減小彩膜基板上黑矩陣的面積。
[0040]在本實用新型一些實施例中，一部分所述支線位于所述多個像素單元所在的區(qū)域。
[0041]在本實用新型一些實施例中，所述本體的一側(cè)具有所述支線，或者所述本體的相對兩側(cè)均具有所述支線。[〇〇42]在本實用新型一些實施例中，參照圖2,所述柵線201沿行方向延伸，相鄰兩行像素單元對應(yīng)的兩條柵線201組成一柵線組202,所述柵線組202位于對應(yīng)的相鄰兩行像素單元之間，所述公共電極線203位于相鄰兩行像素單元之間，也就是位于圖2所示的相鄰兩行像素電極206之間；且所述柵線組202和所述公共電極線203間隔設(shè)置，相鄰的柵線組202和公共電極線203之間具有一行像素單元；[〇〇43]所述支線包括位于所述本體一側(cè)的第一支線204和位于所述本體相對另一側(cè)的第二支線205所述第一支線204和第二支線205平行或位于同一條直線上。
[0044]在本實用新型具體實施例中，所述第一支線和第二支線平行于數(shù)據(jù)線。所述第一支線和第二支線與像素電極部分重疊，即第一支線和第二支線在陣列基板所在平面上的正投影與所述對應(yīng)的像素單元的像素電極在所述陣列基板所在平面上的正投影存在交疊區(qū)域。
[0045]在本實用新型具體實施例中，所述支線可以為長條狀、彎折狀等多種形狀。
[0046]在本實用新型一些實施例中，所述本體與所述柵線平行，且為同層結(jié)構(gòu)。
[0047]在本實用新型一些實施例中，所述支線與所述數(shù)據(jù)線平行。
[0048]在本實用新型一些實施例中，所述本體為條狀，所述支線與所述本體一體成型。
[0049]在本實用新型一些實施例中，在所述數(shù)據(jù)線的延伸方向上，所述支線的長度為對應(yīng)的像素單元的長度的3/5?8/9,如此，可以盡量起到遮光作用。具體的，所述像素單元的長度指像素單元在數(shù)據(jù)線延伸方向上的長度。
[0050]在本實用新型一些實施例中，所述支線的一部分位于相鄰的第一像素單元和第二像素單元之間，且所述支線在所述陣列基板所在平面上的正投影與所述第一像素單元的像素電極和第二像素單元的像素電極在所述陣列基板所在平面上的正投影均存在交疊區(qū)域。
[0051]在本實用新型一些實施例中，參照圖4,所述多條公共電極線中，第一公共電極線402以及位于第一公共電極線402相對側(cè)的第二公共電極線401，第一公共電極線402以及第二公共電極線401的寬度大于其他公共電極線403的寬度;所述第一公共電極線402位于顯示區(qū)域靠近源極驅(qū)動芯片的一側(cè)。所述源極驅(qū)動芯片在圖4中未畫出，在一種具體實施例中，所述源極驅(qū)動芯片位于圖4中第一公共電極線401在圖中的下方位置。這樣可以增大像素區(qū)公共電極線的信號輸入，減小公共電極線信號延遲以及改善液晶分子在像素區(qū)邊緣的偏轉(zhuǎn)。[〇〇52]在本實用新型一些實施例中，參照圖3,所述公共電極線包括第一公共電極線301 和第二公共電極線302,其中，第一公共電極線301的寬度大于第二公共電極線302的寬度， 所述第一公共電極線301和第二公共電極線302間隔設(shè)置。這種設(shè)計可以減小公共電極線相互間的彳目號差異。[〇〇53]可選的，公共電極線在顯示區(qū)域內(nèi)至少部分電性連接。例如:相鄰兩條公共電極線在顯示區(qū)域內(nèi)電線連接，可以減小公共電極線相互間的信號差異。[〇〇54]在本實用新型一些實施例中，所述公共電極線以所述陣列基板的中心軸對稱分布。
[0055]在本實用新型具體實施例中，陣列基板的柵絕緣層可以為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)， 例如，柵絕緣層可包括氮化硅層或氧化硅層。[〇〇56]在本實用新型具體實施例中，所述陣列基板的柵線、數(shù)據(jù)線可以采用Cu，Al，Mo， Ti，Cr，W等金屬材料制備，也可以采用這些材料的合金制備，柵線可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以采用多層結(jié)構(gòu)。例如，柵線為多層結(jié)構(gòu)，依次包括Mo層-鋁層-Mo層，或依次包括Ti層-&!層-Ti層，或Mo層-Ti層-Cu層。
[0057]在本實用新型具體實施例中，所述陣列基板還包括有源層、鈍化層;所述有源層的材料可以采用非晶硅，或氧化物半導(dǎo)體。所述鈍化層可以采用無機物如氮化硅，也可以采用有機物如樹脂。所述像素電極的材料采用IT0(氧化銦錫)，IZ0(氧化銦鋅)或其他透明金屬氧化物導(dǎo)電材料制備。
[0058]在本實用新型具體實施例中，所述陣列基板的制作過程包括:[〇〇59]采用Sputter(濺鍍)濺射沉積金屬層，所述金屬層可以為A1;
[0060]通過涂覆光刻膠、曝光顯影、刻蝕，形成柵線、柵極和公共電極線的圖形；[0061 ]利用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposit1n，等離子體增強化學(xué)氣相沉積法)沉積柵絕緣層，所述柵絕緣層可以為氮化硅；[〇〇62] 沉積半導(dǎo)體層，如PECVD沉積a-Si (無定形硅)；或利用Sputter工藝沉積IGZ0 (Indium Gallium Zinc Oxide，銦嫁鋅氧化物)；[〇〇63]涂覆光刻膠，曝光顯影，刻蝕，形成有源層圖形；[0〇64]利用Sputter派射沉積金屬層，所述金屬層可以為A1;
[0065]涂覆光刻膠，曝光顯影，刻蝕，形成數(shù)據(jù)線、源極和漏極的圖形。
[0066]還包括形成鈍化層和像素電極的步驟。[〇〇67]進一步，本實用新型提供一種顯示面板，包括本實用新型任意一項實施例所提供的陣列基板。[〇〇68]進一步，本實用新型提供一種顯示裝置，包括本實用新型任意一項實施例提供的的顯示面板。
[0069]從上面所述可以看出，本實用新型提供的陣列基板、顯示面板和顯示裝置，在公共電極線上設(shè)置有支線，至少有一部分所述支線位于顯示區(qū)域的邊緣，能夠增加陣列基板的存儲電容，使得位于顯示區(qū)域內(nèi)邊緣難以偏轉(zhuǎn)的液晶分子能夠偏轉(zhuǎn)，擴大顯示角度。
[0070]此外，可以起到一定的遮光作用，減小彩膜基板的黑矩陣面積。
[0071]以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進
[0072]和替換，這些改進和替換也應(yīng)視為本實用新型的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種陣列基板，包括顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域外圍的非顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域包 括:多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線和柵線限定出多個像素單元，所述像素單元包括 像素電極；多條公共電極線，其特征在于，至少一條所述公共電極線包括本體和支線，所述支線位 于所述本體的一側(cè)，且至少一部分所述支線位于顯示區(qū)域的內(nèi)邊緣。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述支線的一部分位于一像素單元所 在的區(qū)域，且所述支線在所述陣列基板所在平面上的正投影與對應(yīng)的像素單元的像素電極 在所述陣列基板所在平面上的正投影存在交疊區(qū)域。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，一部分所述支線位于所述多個像素單 元所在的區(qū)域。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述本體的相對兩側(cè)均具有所述支線。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述柵線沿行方向延伸，相鄰兩行像 素單元對應(yīng)的兩條柵線組成一柵線組，所述柵線組位于對應(yīng)的相鄰兩行像素單元之間，所 述公共電極線位于相鄰兩行像素單元之間，且所述柵線組和所述公共電極線間隔設(shè)置，相 鄰的柵線組和公共電極線之間具有一行像素單元；所述支線包括位于所述本體一側(cè)的第一支線和位于所述本體相對另一側(cè)的第二支線， 所述第一支線和第二支線平行或位于同一條直線上。6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述本體與所述柵線平行， 且為同層結(jié)構(gòu)。7.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項所述的陣列基板，其特征在于，所述支線與所述數(shù)據(jù)線平行。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，在所述數(shù)據(jù)線的延伸方向上，所述支 線的長度為對應(yīng)的像素單元的長度的3/5?8/9。9.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述支線的一部分位于相鄰 的第一像素單元和第二像素單元之間，且所述支線在所述陣列基板所在平面上的正投影與 所述第一像素單元的像素電極和第二像素單元的像素電極在所述陣列基板所在平面上的 正投影均存在交疊區(qū)域。10.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述多條公共電極線中，第 一公共電極線以及位于第一公共電極線相對側(cè)的第二公共電極線，所述第一公共電極線以 及第二公共電極的寬度大于其他公共電極線的寬度;所述第一公共電極線位于顯示區(qū)域靠 近源極驅(qū)動芯片所在區(qū)域的一側(cè)。11.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極線包括第一 公共電極線和第二公共電極線，其中，第一公共電極線的寬度大于第二公共電極線的寬度， 所述第一公共電極線和第二公共電極線間隔設(shè)置。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極線以所述陣列基板的 中心軸對稱分布。13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極線在顯示區(qū)域內(nèi)至少部分電性連接。14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于:相鄰兩條所述公共電極線在顯示區(qū) 域內(nèi)電線連接。15.—種顯示面板，其特征在于，采用權(quán)利要求1-14中任一項所述的陣列基板。16.—種顯示裝置，其特征在于，采用權(quán)利要求15所述的顯示面板。
【文檔編號】G02F1/1343GK205656411SQ201620525942
【公開日】2016年10月19日
【申請日】2016年6月1日 公開號201620525942.6, CN 201620525942, CN 205656411 U, CN 205656411U, CN-U-205656411, CN201620525942, CN201620525942.6, CN205656411 U, CN205656411U
【發(fā)明人】先建波, 程鴻飛, 喬勇, 馬永達
【申請人】京東方科技集團股份有限公司