使反射抑制膜5的透過率為10[ % ]、使公共布線4的反射率為20[ % ]的情況下，反射抑制膜5和公共布線4的層合體的反射率為0.2[%]。如上所述，本實(shí)施方式的液晶顯示裝置100能夠抑制外部光線的反射，抑制對比度的降低。
[0078]第一絕緣層3為厚度120?200[nm]的氮化硅膜等無機(jī)絕緣體制。第一絕緣層3具有平板部31和突出部32。將平板部31設(shè)置于反射抑制膜5上、及上方未設(shè)置有反射抑制膜5的公共電極95上。突出部32沿著公共電極95中的孔的側(cè)面、第二絕緣層2的孔的周緣的上表面及側(cè)面、以及彩色濾光片I的孔的周緣的上表面設(shè)置。因此，突出部32的下端設(shè)置于彩色濾光片I上。突出部32形成大致圓錐臺形。
[0079]在反射抑制膜5為鉻鉬合金制的情況下，有時含有帶電荷的雜質(zhì)。這種情況下，由于帶電荷的雜質(zhì)在液晶層400中移動，所以有時會降低附近的液晶層400的電阻，產(chǎn)生閃爍、殘像等不良情況。但通過在反射抑制膜5和液晶層400之間設(shè)置第一絕緣層3，能夠防止雜質(zhì)的移動。
[0080]像素電極6設(shè)置于每一個亞像素，具有帶狀部61和突出部62。帶狀部61沿著各影像信號線8，為比掃描信號線9彼此之間的間隔稍短的帶狀。像素電極6例如為ITO等透明的導(dǎo)電性物質(zhì)制，厚度為50[nm]。像素電極6的形狀并不限于此，還可以將多個帶狀的電極隔開間隔地并列設(shè)置于每一個亞像素。
[0081]像素電極6和公共電極95在兩者之間產(chǎn)生邊緣電場。邊緣電場控制液晶層400的取向。此外，像素電極6、第一絕緣層3及公共電極95重疊的部分由于作為電容器發(fā)揮功能，所以在未施加電壓的時間內(nèi)保持電荷。
[0082]突出部62連續(xù)地設(shè)置于帶狀部61。突出部62沿著突出部32的內(nèi)側(cè)的側(cè)面及彩色濾光片I的孔的周緣形成層差。即，第一絕緣層3的突出部32從外側(cè)覆蓋所述突出部62的側(cè)面。
[0083]進(jìn)而，與第一絕緣層3的突出部32相比，突出部62更向下方突出，下端與中繼電極7的上表面接觸。由此，像素電極6和中繼電極7電連接。需要說明的是，可以在突出部62與中繼電極7之間設(shè)置導(dǎo)體物質(zhì)，將突出部62和中繼電極7電連接。
[0084]絕緣層97、中繼電極7、半導(dǎo)體層94、和設(shè)置于它們附近的部分影像信號線8及掃描信號線9作為有源元件發(fā)揮功能。有源元件通過施加于掃描信號線9的電壓來控制開關(guān)。需要說明的是，與中繼電極7、影像信號線8或掃描信號線9電連接的電極可以代替中繼電極7、影像信號線8或掃描信號線9而作為有源元件發(fā)揮功能。在有源元件開啟時，將與影像信號線8所輸入的影像信號相應(yīng)的電位經(jīng)由半導(dǎo)體層94導(dǎo)通至中繼電極7及像素電極6。像素電極6向液晶層400施加與影像信號相應(yīng)的電位。
[0085]第一取向膜96例如為聚酰亞胺制，并且使液晶層400的液晶分子群沿規(guī)定方向排列。將第一取向膜96設(shè)置于未設(shè)置有像素電極6的第一絕緣層3上、及像素電極6上。
[0086]在形成于彩色濾光片I中的孔內(nèi)設(shè)置有下端與中繼電極7接觸的像素電極6、和與像素電極6的內(nèi)側(cè)接觸的第一取向膜96。因此，第一取向膜96為大致圓錐狀，在第一取向膜96的內(nèi)側(cè)填充有液晶層400。
[0087]在形成于第二絕緣層2的孔中，從孔的側(cè)面朝向內(nèi)側(cè)設(shè)置有第一絕緣層3的突出部
31、與突出部31的內(nèi)側(cè)接觸的像素電極6的突出部62和與突出部62的內(nèi)側(cè)接觸的第一取向膜96。在第一取向膜96的內(nèi)側(cè)填充有液晶層400。即，第一絕緣層3的突出部32覆蓋像素電極6的突出部62。
[0088]對于液晶層400而言，取向方向的介電常數(shù)具有比其垂直方向大的正介電常數(shù)各向異性，在包括室溫的寬溫度范圍內(nèi)呈現(xiàn)向列相。在未向液晶層400施加電壓的情況下，為均勻取向。通過像素電極6向液晶層400施加電壓，液晶層400中的各液晶的方位旋轉(zhuǎn)成橫向。
[0089]對置基板300包括透明基板301、第二取向膜303和第二偏振板304。
[0090]透明基板301例如為平板。將第二取向膜303設(shè)置于對置基板300之下?？梢栽诘诙∠蚰?03上設(shè)置保護(hù)膜。
[0091 ]將第二偏振板304設(shè)置于透明基板301上。將第二偏振板304的吸收軸與第一偏振板91的吸收軸以在俯視下正交的方式進(jìn)行設(shè)定。此外，例如，第一偏振板91的吸收軸與液晶層400的取向方向平行。
[0092]根據(jù)本實(shí)施方式，由于在公共布線4上設(shè)置有反射抑制膜5，所以能夠抑制外部光線于影像信號線8或掃描信號線9處進(jìn)行反射的反射光。
[0093]此外，通過使公共布線4與反射抑制膜5接觸，不僅能夠遮擋來自上方的光，還能夠遮擋來自斜方的光，能夠抑制從寬廣角度射入的外部光線的反射光。
[0094]<實(shí)施方式2>
[0095]對實(shí)施方式2進(jìn)行說明。本實(shí)施方式中，將反射抑制膜5設(shè)置于公共電極95之下。
[0096]圖8是實(shí)施方式2中的液晶顯示裝置100的剖視圖。圖9是實(shí)施方式2中的液晶顯示裝置100的剖視圖。圖8與圖3對應(yīng)。圖9于圖4對應(yīng)。需要說明的是，以下，對與實(shí)施方式I相同的結(jié)構(gòu)省略說明。
[0097]反射抑制膜5為與實(shí)施方式I相同的形狀，并且設(shè)置于公共電極95的正上方。
[0098]<實(shí)施方式3>
[0099]對實(shí)施方式3進(jìn)行說明。本實(shí)施方式中，在公共電極95上設(shè)置有反射抑制膜5，在公共電極95之下設(shè)置有公共布線4。
[0100]圖10是實(shí)施方式3中的液晶顯示裝置100的剖視圖。圖11是實(shí)施方式3中的液晶顯示裝置100的剖視圖。
[0101]公共布線4設(shè)置于公共電極95的正下方，與公共電極95電連接。另一方面，反射抑制膜5設(shè)置于公共電極95的正上方。本實(shí)施方式的反射抑制膜5優(yōu)選為含有黑色粒子的非感光性的有機(jī)高分子膜制。
[0102]<實(shí)施方式4>
[0103]對實(shí)施方式4進(jìn)行說明。本實(shí)施方式中，公共電極95與反射抑制膜5接觸，并且，公共布線4與公共電極95電連接。
[0104]圖12是實(shí)施方式4中的液晶顯示裝置100的剖視圖。圖13是實(shí)施方式4中的液晶顯示裝置100的剖視圖。在本實(shí)施方式中，反射抑制膜5為導(dǎo)電性的物質(zhì)制。反射抑制膜5設(shè)置于公共電極95的正下方，與公共電極95電連接。
[0105]公共布線4設(shè)置于反射抑制膜5之下。公共布線4與反射抑制膜5電連接。因此，公共電極95與公共布線4電連接。這種情況下，例如，公共布線4在俯視下為與實(shí)施方式I中的公共布線4相同的形狀。
[0106]根據(jù)本實(shí)施方式，公共布線4由于設(shè)置于比公共電極95更靠下方的位置，所以靠近影像信號線8及掃描信號線9。由此，公共布線4能夠在較寬的范圍內(nèi)抑制由影像信號線8及掃描信號線9導(dǎo)致的反射光。
[0107]<實(shí)施方式5>
[0108]對實(shí)施方式5進(jìn)行說明。本實(shí)施方式中，公共布線4的寬度比反射抑制膜5窄。
[0109]圖14是實(shí)施方式5中的液晶顯示裝置100的剖視圖。圖15是實(shí)施方式5中的液晶顯示裝置100的剖視圖。圖16是實(shí)施方式5中的有源元件基板200的俯視圖。圖14與圖3對應(yīng)。圖15與圖4對應(yīng)。圖16是實(shí)施方式I中的有源元件基板200的俯視圖。圖16示意性地表示公共布線4及反射抑制膜5。
[0110]沿著掃描信號線9的公共布線4為與掃描信號線9相同的寬度。在俯視下，公共布線4設(shè)置于與掃描信號線9重合的位置。需要說明的是，沿著掃描信號線9的公共布線4可以比掃描信號線9稍微寬一些。
[0111]根據(jù)本實(shí)施方式，由于公共布線4的寬度比反射抑制膜5窄，所以一方面能夠使液晶顯示裝置100薄型化、輕質(zhì)化，一方面能夠抑制外部光線于影像信號線8或掃描信號線9處進(jìn)行反射的反射光。
[0112]<實(shí)施方式6>
[0113]對實(shí)施方式6進(jìn)行說明。本實(shí)施方式中，將公共布線4和反射抑制膜5—并形。
[0114]圖17A是表示實(shí)施方式6中的液晶顯示裝置100的制造方法的圖。圖17B是表示實(shí)施方式6中的液晶顯示裝置100的制造方法的圖。圖17A及圖17B表示公共電極95、公共布線4及反射抑制膜5的制造方法。
[0115]對制造方法進(jìn)行說明。如圖17A的(a)所示，從下方設(shè)置有公共電極95、公共布線4及反射抑制膜5 (SI)。