1及第二基板12可為透光材質(zhì)制成，例如為一玻璃基板、一石英基板或一塑膠基板，并不限定。
[0025]電極層13設(shè)置于第一基板11上并面向第二基板12。電極層13為一透明導(dǎo)電層，其材質(zhì)例如但不限于為銦錫氧化物(indium-tin oxide, ITO)或銦鋅氧化物(indium-zincoxide, IZO)。在本實(shí)施例中，電極層13為顯示面板I的像素電極(pixel electrode)層，且與數(shù)據(jù)線(圖未顯示)電連接。于此，圖2A只顯示圖1的電極層13的一部分(仍標(biāo)示為13)，且所顯示者為顯示面板I的一個次像素的像素電極的圖案。
[0026]另外，顯示面板I還可包括一薄膜電晶體陣列、一彩色濾光陣列及一黑色矩陣層(圖未顯示)，薄膜電晶體陣列設(shè)置于第一基板11上，而彩色濾光陣列或黑色矩陣層可設(shè)置于第一基板11或第二基板12上。其中，薄膜電晶體陣列、彩色濾光陣列及液晶層14可形成一像素陣列。在一實(shí)施例中，黑色矩陣層與彩色濾光陣列可分別設(shè)置于第二基板12上，不過，在另一實(shí)施例中，黑色矩陣層或彩色濾光陣列也可分別設(shè)置于第一基板11上，使其成為一BOA(BM on array)基板，或成為一C0A(color filter on array)基板，并不加以限制。此外，顯示面板I還可包括多個掃描線與多個數(shù)據(jù)線(圖未顯示)，該等掃描線與該等數(shù)據(jù)線交錯設(shè)置，例如相互垂直而定義出該像素陣列的區(qū)域。其中，像素陣列包含多個(次)像素，且該些(次)像素配置成矩陣狀。
[0027]如圖2A及圖2B所示，電極層13包含一第一主干(trunk)電極131、一第二主干電極132及位于第一主干電極131兩側(cè)的多個第一分支(branch)電極133與多個第二分支電極134。其中，第一主干電極131沿一第一方向Dl延伸，而第二主干電極132沿一第二方向D2延伸，且第一方向Dl實(shí)質(zhì)上垂直于第二方向D2。在本實(shí)施例中，第一方向Dl為圖2A的上、下的方向，而第二方向D2為圖2A的左、右的方向。不過，在不同的實(shí)施例中，第一方向Dl也可為圖2A的左、右方向，而第二方向D2也可為圖2A的上、下方向，本實(shí)用新型并不限定。
[0028]第一主干電極131與第二主干電極132為交錯連接，且第一主干電極131與第二主干電極132之間的夾角可介于80度至100度之間。于此，第一主干電極131與第二主干電極132的連接部分位于電極層13的中間區(qū)域，且第一主干電極131與第二主干電極132之間的夾角實(shí)質(zhì)上為90度(也即第一方向Dl與第二方向D2實(shí)質(zhì)上為垂直)為例。由于第一主干電極131與第二主干電極132為交錯連接，且其連接部分位于中間區(qū)域，因此，電極層13可被第一主干電極131與第二主干電極132區(qū)分為四個電極區(qū)域(具有4個domains)。另外，本實(shí)施例的電極層13的四周還具有一環(huán)繞電極135，環(huán)繞電極135具有4個環(huán)繞部135a、135b、135c、135d，其中，環(huán)繞部135a、135b分別與第一主干電極131、第二主干電極132及該些第二分支電極134連接，且環(huán)繞部135c、135d分別與第一主干電極131、第二主干電極132及該些第一分支電極133連接，以形成一封閉式的電極層13。
[0029]如圖2B所示，該些第一分支電極133或該些第二分支電極134彼此間隔一距離T。于此，兩相鄰該些第一分支電極133沿一第三方向D3彼此的間隔為距離T，而兩相鄰該些第二分支電極134沿一第四方向D4彼此的間隔也為距離T，且第三方向D3與第四方向D4實(shí)質(zhì)上為相互垂直其中，該些第一分支電極133與第一主干電極131或第二主干電極132連接，該些第二分支電極134與第一主干電極131或第二主干電極132連接。于此，一部分的第一分支電極133與第一主干電極131連接、一部分的第一分支電極133與第二主干電極132連接、一部分的第二分支電極134與第一主干電極131連接且一部分的第二分支電極134與第二主干電極132連接。
[0030]另外，該些第一分支電極133的其中之一與該些第二分支電極134的其中之一鄰近第一主干電極131之處具有一第一弧狀側(cè)邊Cl與一第二弧狀側(cè)邊C2。本實(shí)施例的該些第一分支電極133鄰近第一主干電極131之處分別具有第一弧狀側(cè)邊Cl，且該些第二分支電極134鄰近第一主干電極131之處分別具有第二弧狀側(cè)邊C2。其中，第一弧狀側(cè)邊Cl與第二弧狀側(cè)邊C2為相對設(shè)置。不過，在不同的實(shí)施例中，第一弧狀側(cè)邊Cl與第二弧狀側(cè)邊C2也可于第一方向Dl上為錯位設(shè)置(即上、下錯開，不相對)，本實(shí)用新型并不限定。另外，除了第一弧狀側(cè)邊Cl與第二弧狀側(cè)邊C2之外，第一分支電極133及第二分支電極134還分別具有至少一直線側(cè)邊L，此直線側(cè)邊L的延伸與第一主干電極131或第二主干電極132的夾角Θ可介于5度至85度之間。于此，第一分支電極133 (及第二分支電極134)的直線側(cè)邊L的延伸與第一主干電極131之間的夾角Θ以45度為例。
[0031]另外，第一弧狀側(cè)邊Cl與第二弧狀側(cè)邊C2沿第二方向D2上具有一第一最短距離A。在本實(shí)施例中，如圖2B所示，由于第一弧狀側(cè)邊Cl與第二弧狀側(cè)邊C2是相對設(shè)置，因此，兩者在沿第二方向D2上所具有的最短距離定義為A。不過，在其他的實(shí)施例中，若其他條件不變的情況下，由于已限定為沿第二方向D2，故在第一弧狀側(cè)邊Cl與第二弧狀側(cè)邊C2為錯位設(shè)置時，兩者在沿第二方向D2上所具有的第一最短距離A仍與圖2B的相對設(shè)置時相同。此外，在一些實(shí)施例中，第一最短距離A也可例如為以下的定義:第一最短距離A也可為第一主干電極131沿第二方向D2上的寬度；或者，也可為兩相鄰該些第一分支電極133具有一第一間隙，兩相鄰該些第二分支電極134具有一第二間隙，且第一最短距離A為第一間隙與第二間隙沿第二方向D2上的最短距離，本實(shí)用新型并不限定第一最短距離A的定義。
[0032]另外，第一弧狀側(cè)邊Cl具有一第一頂點(diǎn)VI，第二弧狀側(cè)邊C2具有一第二頂點(diǎn)V2。其中，第一頂點(diǎn)Vl為第一弧狀側(cè)邊Cl于第一方向Dl上的最高點(diǎn)或最低點(diǎn)，而第二頂點(diǎn)V2為第二弧狀側(cè)邊C2于第一方向Dl上的最高點(diǎn)或最低點(diǎn)，且第一頂點(diǎn)Vl與第二頂點(diǎn)V2沿第二方向D2具有一第二最短距離B。于此，第一頂點(diǎn)Vl為第一弧狀側(cè)邊Cl于第一方向Dl上的最高點(diǎn)，且第二頂點(diǎn)V2也為第二弧狀側(cè)邊C2于第一方向Dl上的最高點(diǎn)。特別注意的是，本實(shí)施例的第一方向Dl為圖2B的垂直方向，但在不同實(shí)施例中，第一方向Dl若為水平方向的話，只是觀看電極層13的角度旋轉(zhuǎn)90度而已，一樣可以將第一頂點(diǎn)Vl視為第一弧狀側(cè)邊Cl于第一方向Dl上的最高點(diǎn)或最低點(diǎn)，且第二頂點(diǎn)V2也視為第二弧狀側(cè)邊C2于第一方向Dl上的最高點(diǎn)或最低點(diǎn)。
[0033]通過實(shí)際的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn)，于現(xiàn)有技術(shù)中，分支電極與主干電極連接的轉(zhuǎn)折處為尖角設(shè)計時(也即(B — A) = O)，顯示面板I的穿透率較高，但液晶分子排列異常的情況較多；若轉(zhuǎn)折處為弧狀側(cè)邊設(shè)計時，(B - A)/T的值將上升，則液晶分子排列異常的情況可改善；但當(dāng)(B - A)/T的值上升到I或超過I時，雖然液晶分子排列異常的情況可更加改善，但相對的，穿透率則有顯著下降的趨勢。因此，通過改變A與B的相對大小(即不同的弧狀側(cè)邊的設(shè)計)，可使穿透率與液晶分子排列異常之間有最佳的效果。
[0034]因此，于本實(shí)施例的顯示面板I中，第一最短距離A、第二最短距離B與該些第一分支電極133 (或該些第二分支電極134)之間的間距T滿足以下方程式:0.5T ( (B-A) ( T，A、B與T的單位為微米