稀釋劑組合物的制作方法
【專利摘要】公開了稀釋劑組合物，包括：丙二醇C1?C10烷基醚；C1?C10烷基C1?C10烷氧基丙酸酯；和C1?C10烷基乳酸酯，從而可以提高光致抗蝕劑的適用性，同時顯著減少光致抗蝕劑的使用量以及對不同的光致抗蝕劑、BARC和底層具有優(yōu)異的溶解性和EBR性能。
【專利說明】
稀釋劑組合物
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及稀釋劑組合物。
【背景技術(shù)】
[0002] 在用于制作半導(dǎo)體設(shè)備的方法中光刻工藝為重要工作之一，其包括將光敏樹脂組 合物施加于晶片，將預(yù)先設(shè)計的圖案轉(zhuǎn)印到其上，然后根據(jù)所轉(zhuǎn)印的圖案適當蝕刻因此形 成電子電路。
[0003] 這種光刻工藝可以按以下依次實施：（1)將光敏樹脂組合物均勻施加到晶片表面 的涂覆工序；（2)蒸發(fā)來自所施加的光敏膜的溶劑以使光敏膜附著在晶片表面上的軟烘烤 工序；（3)在使用如紫外線等光源重復(fù)并依次在掩模上進行電路圖案的縮小投影的同時曝 光光敏膜的曝光工序，因此將掩模的圖案轉(zhuǎn)印到光敏膜；（4)使用顯影劑有選擇地去除一些 具有不同物理性能（如由于曝光光源敏化發(fā)生的溶解性差異）的部分的顯影工序；（5)顯影 之后使留在晶片上的光敏膜緊密固定于晶片的硬烘烤工序；（6)根據(jù)顯影的光敏膜的圖案 蝕刻預(yù)定部分的蝕刻工序;和(7)在上述工序之后去除不必要的光敏膜的剝除工序。
[0004]上述光刻工藝中，在晶片上提供光敏膜并旋轉(zhuǎn)基板以通過離心力將光敏膜均勻分 散在表面上的旋涂工序，可能造成由于離心力光敏膜被聚集在基板的邊緣部分和后面部分 因此形成小球形材料。該球形材料在烘烤工序之后基板的傳送過程中可能被剝離，因此成 為顆粒在設(shè)備中的原因，并且還成為曝光過程中散焦的原因。這種不必要的光敏材料可能 帶來設(shè)備的污染，因此在半導(dǎo)體設(shè)備制作過程中減少產(chǎn)率。因此，通常通過在基板邊緣部分 和后面部分的上下安裝噴嘴并通過噴嘴向邊緣部分和后面部分噴射包括有機溶劑組分的 稀釋劑組合物，將不必要的光敏材料去除。
[0005] 決定稀釋劑組合物性能的因素可以包括溶解速率（"溶出率"）和其揮發(fā)性。稀釋劑 組合物的溶出率決定了通過稀釋劑組合物溶解和去除光敏樹脂的快速和有效程度，因此， 為非常重要的因素。特別地，當沖洗基板的邊緣部分時，需要合適的溶出率以提供平滑處理 的截面。如果溶出率太高，在沖洗涂在基板上的光敏膜中可能發(fā)生光敏膜損害。另一方面， 如果溶出率太低，在沖洗涂在基板上的光敏膜中可能發(fā)生所謂的"拖尾現(xiàn)象"，其為使部分 溶解的光敏膜尾部流動的現(xiàn)象。特別是，近來由于半導(dǎo)體集成電路的高集成度和高稠化增 大了基板的直徑，所以在使用旋轉(zhuǎn)涂布機沖洗過程的情況下，低轉(zhuǎn)速(rpm)的旋轉(zhuǎn)速率不可 避免。在這種沖洗過程中，如果由于低轉(zhuǎn)速在基板上發(fā)生波動并且在噴射下的稀釋劑組合 物的接觸速率內(nèi)溶出率不合適，可能發(fā)生束縛(bounding)現(xiàn)象而且不必要地增加稀釋劑組 合物的使用。因此，在由于基板直徑的增加導(dǎo)致的低轉(zhuǎn)速沖洗過程的情況下，稀釋劑具有比 任何常規(guī)高轉(zhuǎn)速沖洗過程更高的溶出率是必要的。
[0006] 此外，去除光敏樹脂之后，稀釋劑組合物易被揮發(fā)并且不留在基板表面上是必要 的。如果由于非常低的揮發(fā)度導(dǎo)致稀釋劑組合物不能被揮發(fā)卻留下，稀釋劑殘留本身可能 充當不同工序中的污染物，特別是，在后續(xù)的蝕刻工序中，引起減少半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)率的問 題。另一方面，如果揮發(fā)度太高，基板快速被冷卻以更多增加所涂覆光敏膜的厚度的偏差， 而且在使用過程中稀釋劑可能易揮發(fā)到空氣中，因此引起清潔度降低。
[0007]目前，在半導(dǎo)體光刻（lithography)工藝中用作光致抗蝕劑的i-線光致抗蝕劑、 1(沖，4沖3群，1(沖減反射膜4沖減反射膜等分別包括不同的主要組分。因此，需要控制用于 提高所有這些組分的溶解性和適用性的有機溶劑的含量。
[0008] 韓國專利公布公開No. 2011-21189公開了包括可氫鍵結(jié)合的有機溶劑，二醇類，酯 等的稀釋劑組合物。在這方面，組合物具有如下優(yōu)點：減少光致抗蝕劑施加量，使光致抗蝕 劑能夠均勻涂覆，和有效去除施加在基板外圍部分或后面部分的不必要的光致抗蝕劑。然 而，由于氫鍵，稀釋劑的粘度增加但揮發(fā)度劣化從而阻止稀釋劑的揮發(fā)而將其留在基板上， 因此導(dǎo)致在光致抗蝕劑去除界面的拖尾現(xiàn)象。而且，在后續(xù)工序中稀釋劑殘留可以作為阻 塞性顆粒以引起減少生產(chǎn)過程產(chǎn)率的問題。
[0009] 因此，為了在施加光致抗蝕劑時表現(xiàn)出優(yōu)異的涂覆能力從而減少光致抗蝕劑的使 用量，有必要使稀釋劑組合物對各種光致抗蝕劑膜、底部減反射涂層(BARCs)和底層具有優(yōu) 異的溶解性和良好的揮發(fā)度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]為了提高光致抗蝕劑施加性能和減少光致抗蝕劑的使用量，本發(fā)明的目的為提供 用于晶片表面預(yù)處理過程的稀釋劑組合物。
[0011]本發(fā)明的另一個目的為提供對各種光致抗蝕劑，BARCs和底層具有優(yōu)異的溶解性 和(基于邊緣去除)EBR性能，并且還在其中使用光致抗蝕劑的晶片再加工(reworking)過程 (再加工）中表現(xiàn)出優(yōu)異的特征的稀釋劑組合物。
[0012]將通過以下特征達到本發(fā)明上述目的：
[0013] (1)稀釋劑組合物包括:丙二醇C1-C10烷基醚;C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯； 和Cl-C10烷基乳酸酯。
[0014] (2)根據(jù)上述（1)所述的稀釋劑組合物，其中所述丙二醇C1-C10烷基醚為選自由丙 二醇甲醚、丙二醇乙醚、丙二醇丙醚和丙二醇丁醚所組成的組中的至少一種。
[0015] (3)根據(jù)上述（1)所述的稀釋劑組合物，其中所述C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯 為選自由甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸甲酯、甲氧基丙酸乙酯和乙氧基丙酸乙酯所組成的 組中的至少一種。
[0016] (4)根據(jù)上述(1)所述的稀釋劑組合物，其中所述C1-C10烷基乳酸酯為選自由乳酸 甲酯、乳酸乙酯、乳酸丙酯和乳酸丁酯所組成的組中的至少一種。
[0017] (5)根據(jù)上述（1)所述的稀釋劑組合物，其中所述丙二醇C1-C10烷基醚為40-80重 量％，所述C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯為15-50重量％，和所述C1-C10烷基乳酸酯為1- 20重量％。
[0018] (6)根據(jù)上述（1)所述的稀釋劑組合物，其中所述丙二醇C1-C10烷基醚為50-70重 量％，所述C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯為20-40重量％，和所述C1-C10烷基乳酸酯為5- 15重量％。
[0019] (7)用于處理基板的方法，在光致抗蝕劑施加于基板之前使用根據(jù)上述（1)-(6)任 一項所述的稀釋劑組合物。
[0020] (8)用于處理基板的方法，在光致抗蝕劑施加于基板之后且使其曝光之前使用根 據(jù)上述(1)-(6)任一項所述的稀釋劑組合物。
[0021]施加光致抗蝕劑之前，本發(fā)明的稀釋劑組合物在晶片表面上被預(yù)處理以顯著減少 光致抗蝕劑的使用量(減少光刻膠涂覆(RRC)性能），并提高光致抗蝕劑的適用性因此使其 能夠均勻涂覆。
[0022]本發(fā)明的稀釋劑組合物對各種光致抗蝕劑，BARCs和底層具有優(yōu)異的溶解性和EBR 性能。因此，本發(fā)明的稀釋劑組合物可以用在使用光致抗蝕劑的晶片改造過程中。
【附圖說明】
[0023] 本發(fā)明的上述和其他目的，特征和其他優(yōu)勢將從以下結(jié)合附圖的詳細描述中更清 楚地被理解，其中：
[0024] 圖1為通過將實施例3中的稀釋劑組合物施加到晶片，然后將光致抗蝕劑施加到其 上，顯示光致抗蝕劑在晶片上的99%或更多涂覆的照片；
[0025] 圖2為通過將比較例1中的稀釋劑組合物施加到晶片，然后將光致抗蝕劑施加到其 上，顯示光致抗蝕劑在晶片上的少于85%涂覆的照片；
[0026] 圖3為其中評價施加到晶片的光致抗蝕劑的涂覆均勻性的點的示意圖；
[0027]圖4為示出使用實施例3中稀釋劑組合物實施EBR評價的照片；
[0028]圖5為示出使用比較例1中稀釋劑組合物實施EBR評價的照片。
【具體實施方式】
[0029] 本發(fā)明提供稀釋劑組合物，其包括:丙二醇C1-C10烷基醚;C1-C10烷基C1-C10烷氧 基丙酸酯;和C1-C10烷基乳酸酯，從而可以提高光致抗蝕劑的適用性同時顯著減少光致抗 蝕劑的使用量以及對各種光致抗蝕劑、BARCs和底層具有優(yōu)異的溶解性和EBR性能。
[0030] 在下文中，本發(fā)明將被詳細描述。
[0031] 本發(fā)明稀釋劑組合物可以包括丙二醇C1-C10烷基醚;C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙 酸酯;和Cl-C10烷基乳酸酯。
[0032] 丙二醇C1-C10烷基醚為對聚合物具有優(yōu)異的溶解性的組分，相應(yīng)地，對光致抗蝕 劑表現(xiàn)出優(yōu)異的溶解性。
[0033]通常用于稀釋劑組合物的丙二醇單甲醚乙酸酯顯示出再生毒性，并具有高沸點， 因此，當用在基板的再循環(huán)工序時需要大量的熱量。然而，丙二醇C1-C10烷基醚不具有再生 毒性卻具有對光致抗蝕劑較好的溶解性。
[0034] 丙二醇C1-C10烷基醚在其類型沒有特別限制，只要是包含具有1-10個碳原子的烷 基。例如，可以使用丙二醇甲醚、丙二醇乙醚、丙二醇丙醚和丙二醇丁醚等。優(yōu)選地，使用丙 二醇甲醚。這些化合物可以單獨使用或以其兩種或更多種結(jié)合使用。
[0035] 丙二醇C1-C10烷基醚的含量沒有特別限制但，例如，可以以組合物總重量的40-80wt. %，優(yōu)選地，50-70wt. %，更優(yōu)選地，55-65wt. %的量被包括。如果丙二醇C1-C10烷基 醚的含量少于40wt. %，組合物的揮發(fā)性降低而且稀釋劑組合物可能留在基板上因此污染 基板。進一步地，對光致抗蝕劑的溶解性降低，RRC性能可能被劣化，并且EBR性能也可能被 劣化。結(jié)果，光致抗蝕劑的再加工性能和適用性可能降低。如果上述化合物的含量超過 80wt. %，組合物的揮發(fā)度增加，并且由于稀釋劑組合物的揮發(fā)，基板被快速冷卻因此降低 光致抗蝕劑的適用性并劣化RRC性能。進一步地，稀釋劑組合物不會充分稀釋光致抗蝕劑、 BARC等從而劣化EBR性能。結(jié)果，與上述情況相似，光致抗蝕劑的再加工性能和適用性可能 降低。
[0036] C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯對光致抗蝕劑的具有高溶解性而且，當和丙二醇 C1-C10烷基醚一起使用這種化合物時，丙二醇C1-C10烷基醚的令人不快的氣味可以被減 少。
[0037] C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯的類型沒有特別限制，只要是包含具有1-10個碳 原子的烷基和具有1-10個碳原子的烷氧基。例如，可以使用甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸甲 酯、甲氧基丙酸乙酯和乙氧基丙酸乙酯等。在用于提高RRC和EBR性能的更優(yōu)異的效果方面， 優(yōu)選使用甲氧基丙酸甲酯。這些化合物可以單獨使用或以其兩種或更多種結(jié)合使用。
[0038] C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯的含量沒有特別限制但，例如，可以以組合物總 重量的15-50wt. %，優(yōu)選地，20-40wt. %，更優(yōu)選地，25-35wt. %的量被包括。如果C1-C10烷 基C1-C10烷氧基丙酸酯的含量少于15wt. %，提高溶解性和減少令人不快氣味的效果可能 不明顯。還有，由于稀釋劑組合物的揮發(fā)性被增加，基板快速被冷卻從而減少光致抗蝕劑的 適用性。進一步地，稀釋劑組合物不會充分稀釋光致抗蝕劑，BARC等從而劣化RRC性能。結(jié) 果，光致抗蝕劑的再加工性能和適用性可能降低。如果上述化合物的含量超過50wt. %，稀 釋劑組合物的揮發(fā)性降低，而且稀釋劑組合物可能留在基板上從而劣化對光致抗蝕劑， BARC等的RRC性能。結(jié)果，與上述情況相似，光致抗蝕劑的再加工性能和適用性可能減少。 [0039] C1-C10烷基乳酸酯對光致抗蝕劑具有顯著優(yōu)異的溶解性和高粘度，因此使稀釋劑 組合物能夠具有合適的粘度。
[0040] C1-C10烷基乳酸酯沒有特別限制，只要是包含具有1-10個碳原子的烷基。例如，可 以包括乳酸甲酯，乳酸乙酯，乳酸丙酯，乳酸丁酯等。優(yōu)選地，使用乳酸乙酯。這些化合物可 以單獨使用或以其兩種或更多種結(jié)合使用。
[0041 ] C1 - C10烷基乳酸酯的含量沒有特別限制但，例如，可以以組合物總重量的1 -20wt. %，優(yōu)選地，5-15wt. %，更優(yōu)選地，8-12wt. %的量被包括。如果C1-C10烷基乳酸酯的 含量少于Iwt. %，組合物的粘度減小且不會充分稀釋光致抗蝕劑，BARC等，RRC性能可能被 劣化并且EBR性能可能也被劣化。結(jié)果，光致抗蝕劑的再加工性能和適用性可能被降低。如 果上述化合物的含量超過20wt. %，粘度增加從而降低組合物的鋪展性，因此，RRC性能可能 被劣化并且EBR性能可能也被劣化。結(jié)果，與上述情況相似，光致抗蝕劑的再加工性能和適 用性可能被降低。
[0042] 如上所述，本發(fā)明將丙二醇C1-C10烷基醚與C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯一起 使用，因此使組合物能夠具有合適的揮發(fā)性和優(yōu)異的溶解性。因此，RRC和EBR性能可能被提 高，并且毒性和令人不快的氣味問題可能被減少。此外，由于還使用C1-C10烷基乳酸酯，通 過將粘度控制到適當水平，溶解性可以被提高更多并且RRC和EBR性能可以被顯著提高。進 一步地，光致抗蝕劑的再加工性能和適用性也可以被明顯提高。
[0043]本發(fā)明的稀釋劑組合物關(guān)于各種光致抗蝕劑膜和BARCs在硅晶片上表現(xiàn)出體現(xiàn)均 勻施加性能的優(yōu)異效果，同時，在優(yōu)秀的溶解性的基礎(chǔ)上可以顯示出優(yōu)異的RRC，EBR性能和 再加工性能。特別地，在用于i-線，KrF，ArF，ArF浸漬等的光致抗蝕劑情況中，光致抗蝕劑樹 脂具有不同的基本結(jié)構(gòu)。因此，為了加強所有這些組分的適用性和溶解性，控制有機溶劑的 組成含量是必要的。然而，本發(fā)明的稀釋劑組合物可能對所有這種不同抗蝕劑表現(xiàn)出優(yōu)異 的EBR和RRC性能。
[0044]此外，本發(fā)明可以提供使用根據(jù)本發(fā)明所述的稀釋劑組合物用于處理基板的方 法。
[0045]根據(jù)本發(fā)明的用于處理基板的方法可以包括用稀釋劑組合物處理基板和將光致 抗蝕劑施加到基板上。
[0046]用稀釋劑組合物處理基板之后，光致抗蝕劑被施加到其上。因此，基板可以僅使用 少量光致抗蝕劑涂覆，并因此增強工藝成本和生產(chǎn)率。
[0047] 進一步地，根據(jù)本發(fā)明處理基板的步驟，可以進一步包括使用稀釋劑組合物處理 之后施加光致抗蝕劑，然后在曝光之前再次用稀釋劑組合物處理基板。
[0048]由于在上述步驟中使用稀釋劑組合物處理基板，在曝光之前施加在基板外圍部分 和后面部分的不必要的光致抗蝕劑可以被快速和有效去除。
[0049] 根據(jù)本發(fā)明用于處理基板的方法可以適用于任何其中使用光致抗蝕劑制作產(chǎn)品 的方法，例如，用于制作沒有特別限制的電子設(shè)備的方法。例如，本發(fā)明方法可以用在制作 半導(dǎo)體設(shè)備或薄膜晶體管液晶顯示設(shè)備的方法中。
[0050] 在下文中，列出優(yōu)選實施方式以更具體地描述本發(fā)明。然而，以下實施例僅被給出 用于說明本發(fā)明，而且本領(lǐng)域技術(shù)人員將明顯理解在本發(fā)明的范圍和精神內(nèi)各種改變和修 改都是可能的。這種改變和修改當然包括在所附的權(quán)利要求中。
[0051] 實施例和比較例
[0052] 制備了具有在以下表1中規(guī)定的構(gòu)成組分和含量的稀釋劑組合物。
[0053] 表 1
[0054]
[0055] 實驗例1.對各種類型的光致抗蝕劑和BARC的減少光刻膠涂覆(RRC)性能評價 [0056]使用每個實施例和比較例中的稀釋劑組分，測試對四種類型光致抗蝕劑和BARC的 RRC性能。實施的RRC工藝包括:在表3中規(guī)定條件下將每個稀釋劑組合物施加到8英寸氧化 硅基板上；將五種類型光致抗蝕劑和BARC施加到其上;然后測量涂層分布和上述材料的使 用量。進一步地，在BARC的情況下，使用每個稀釋劑組合物無熱處理下實施RRC工藝。
[0057] 表4顯示通過將0.5cc的稀釋劑施加到8英寸的晶片上，然后分別將l.Occ施加于 PR1到4并將0.4cc施加于BARC的RRC性能評價結(jié)果。評價標準如下.
[0058] ◎:作為RRC的結(jié)果，當將0.5cc稀釋劑施加到8英寸的晶片上之后將光致抗蝕劑施 加到其上時晶片被涂覆99 %到100 %的光致抗蝕劑。
[0059] 〇：作為RRC的結(jié)果，當將0.5cc稀釋劑施加到8英寸的晶片上之后將光致抗蝕劑施 加到其上時晶片被涂覆97 %到98 %的光致抗蝕劑。
[0060] Λ:作為RRC的結(jié)果，當將0.5CC稀釋劑施加到8英寸的晶片上之后將光致抗蝕劑施 加到其上時晶片被涂覆85 %到90 %的光致抗蝕劑。
[0061 ] X:作為RRC的結(jié)果，當將0.5CC稀釋劑施加到8英寸的晶片上之后將光致抗蝕劑施 加到其上時晶片被涂覆少于85 %的光致抗蝕劑。
[0067]
[0068] 參考表4,在每個實施例中根據(jù)本發(fā)明的稀釋劑組合物對所有光敏膜表現(xiàn)出優(yōu)異 的RRC性能。進一步地，即使當改變RRC的旋轉(zhuǎn)速率條件(rpm)時，得到的結(jié)果基本上相同并 且優(yōu)異。
[0069] 參考圖1，在將實施例3中的稀釋劑組合物施加到晶片上之后，將光致抗蝕劑施加 到其上?？梢钥闯?9 %或更多的光致抗蝕劑被施加到晶片上。
[0070] 另一方面，在每個比較例中的稀釋劑組合物表現(xiàn)出不明顯的光致抗蝕劑或BARC的 施加性能的提尚效果。
[0071] 參考圖2,將比較例1中的稀釋劑組合物施加到晶片上之后，將光致抗蝕劑施加到 其上?？梢钥闯錾儆?5 %的光致抗蝕劑被施加到晶片上。
[0072] 實驗例2.用于針對光敏樹脂組合物的稀釋劑組合物去除不必要的光敏膜的測試 (邊緣珠去除(EBR)測試）
[0073] EBR實驗如下實施。將表2中規(guī)定的每個光敏樹脂組合物施加到8英寸氧化硅基板 上。此后，實施例和比較例中的稀釋劑組合物在表5規(guī)定的條件下被處理以去除在基板邊緣 部分的不必要的光敏膜。
[0074]實施例和比較例中的稀釋劑組合物從配有壓力表的加壓桶加入（lkgf)，而且來自 EBR噴嘴的稀釋劑組合物的流速被設(shè)置為10-30cc/min的范圍。進一步地，使用光學顯微鏡 評價去除不必要的光敏膜的性能。其結(jié)果在以下表6中顯示。評價標準如下。
[0075] ◎ :EBR之后，對光敏膜的EBR線均勻性非常優(yōu)異。
[0076]〇：EBR之后，對光敏膜的EBR線均勻性為75 %或更高，其相應(yīng)地，顯示良好的直線 狀態(tài)。
[0077] Λ: EBR之后，邊緣部分由于稀釋劑的溶解而變形。
[0078] X:EBR之后，膜在邊緣部分顯示拖尾現(xiàn)象。
[0084]參考表6，實施例中每個稀釋劑組合物對所有光敏膜顯示優(yōu)異的EBR性能。結(jié)果，可 以理解四種類型光致抗蝕劑和BARC的EBR性能都令人滿意。進一步地，即使當改變RRC的旋 轉(zhuǎn)速率條件(rpm)時，得到的結(jié)果基本上相同而且優(yōu)秀。
[0085]參考圖4,使用實施例3中的稀釋劑組合物的情況下，可以看出EBR線均勻性非常優(yōu) 秀。
[0086]另一方面，比較例中的稀釋劑組合物顯示大幅度減少的EBR性能。
[0087] 參考圖5,使用比較例1中的稀釋劑組合物的情況下，可以看出在基板邊緣部分的 膜上發(fā)生拖尾現(xiàn)象。
[0088] 實驗例3.根據(jù)各種類型的光致抗蝕劑涂覆均勻性的評價
[0089] 使用實施例和比較例中的稀釋劑組合物，檢查對表2中規(guī)定的四種光致抗蝕劑和 BARC的涂覆均勻性。
[0090] 根據(jù)表7中的條件，稀釋劑被施加到8英寸氧化硅基板上，隨后將光致抗蝕劑涂抹 在其上。然后，包括在晶片中心處的1個點和距離晶片中心1英寸，2英寸，3英寸和4英寸處的 16個點的總共17個點被標記為X形狀(見圖3)并經(jīng)測試以鑒定是否光致抗蝕劑被均勻施加。 其結(jié)果顯示在以下表8中。
[0091] 評價標準如下。
[0092] ◎:以涂覆膜的厚度的1 %或更少的標準偏差
[0093]〇：以涂覆膜的厚度的2%或更少的標準偏差
[0094] Λ:以涂覆膜的厚度的3%或更少的標準偏差
[0095] X:以涂覆膜的厚度的超過3%的標準偏差

[0100] 參考表8，施加每個實施例中的稀釋劑組合物，然后將光致抗蝕劑施加到其上的情 況下，以光致抗蝕劑的厚度的標準偏差非常小，從而證明均勻涂覆。
[0101] 然而，使用每個比較例中的稀釋劑組合物的情況下，為了具有均勻的厚度沒有施 加光致抗蝕劑。
[0102] 實驗例4.根據(jù)各種類型的光致抗蝕劑再加工性能的評價
[0103] 使用實施例和比較例中的稀釋劑組合物，檢查對表2中規(guī)定的四種類型的光致抗 蝕劑和BARCs的再加工性能。根據(jù)表9中規(guī)定的條件，將6種類型的光致抗蝕劑施加到8英寸 氧化硅基板上，然后對軟烘烤工序之后得到的晶片使用每個稀釋劑組合物實施再加工工 序。在BARC的情況下，涂覆工序之后使用每個稀釋劑組合物在無熱處理狀態(tài)下實施再加工 工序。
[0104] 再加工的氧化硅基板使用可從Topcon Co.獲得的表面掃描儀器(型號:WM-1500) 進行表面狀況的評價。其結(jié)果在表10中顯示。
[0105] 評價標準如下。
[0106] ◎:作為表面掃描的結(jié)果，再加工氧化硅基板表面顆粒數(shù)目少于1000。
[0107] 〇：作為表面掃描的結(jié)果，再加工氧化硅基板表面顆粒數(shù)目范圍從1000到少于 2000 〇
[0108] Λ :作為表面掃描的結(jié)果，再加工氧化硅基板表面顆粒數(shù)目范圍從2000到少于 3000 〇
[0109] X:作為表面掃描的結(jié)果，再加工氧化硅基板表面顆粒數(shù)目超過3000。
[0110] 表9
[0114] 參考表10，當使用根據(jù)實施例的稀釋劑組合物時，表面顆粒的數(shù)目非常少，從而證 明優(yōu)秀的再加工性能。
[0115] 然而，當使用根據(jù)比較例的稀釋劑組合物時，可以看出許多表面顆粒被保留。
【主權(quán)項】
1. 稀釋劑組合物，包括:丙二醇C1-C10烷基醚； C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯;和 C1-C10烷基乳酸酯。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的稀釋劑組合物，其中所述丙二醇C1-C10烷基醚為選自由丙二 醇甲醚、丙二醇乙醚、丙二醇丙醚和丙二醇丁醚所組成的組中的至少一種。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的稀釋劑組合物，其中所述C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯為 選自由甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸甲酯、甲氧基丙酸乙酯和乙氧基丙酸乙酯所組成的組 中的至少一種。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的稀釋劑組合物，其中所述C1-C10烷基乳酸酯為選自由乳酸甲 酯、乳酸乙酯、乳酸丙酯和乳酸丁酯所組成的組中的至少一種。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的稀釋劑組合物，其中所述丙二醇C1-C10烷基醚為40-80重 量％，所述C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯為15-50重量％，和所述C1-C10烷基乳酸酯為1- 20重量％。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的稀釋劑組合物，其中所述丙二醇C1-C10烷基醚為50-70重 量％，所述C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯為20-40重量％，和所述C1-C10烷基乳酸酯為5- 15重量％。7. 用于處理基板的方法，在將光致抗蝕劑施加于基板之前使用根據(jù)權(quán)利要求1-6任一 項所述的稀釋劑組合物。8. 用于處理基板的方法，在將光致抗蝕劑施加于基板之后且在其曝光之前使用根據(jù)權(quán) 利要求1-6任一項所述的稀釋劑組合物。
【文檔編號】G03F7/16GK105867070SQ201610081251
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年2月5日
【發(fā)明人】崔哲珉, 宋寅玨, 李京浩
【申請人】東友精細化工有限公司