用于輻射源的部件、關(guān)聯(lián)的輻射源和光刻設(shè)備的制造方法
【專利說(shuō)明】用于輻射源的部件、關(guān)聯(lián)的輻射源和光刻設(shè)備
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求于2013年8月2日遞交的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)61/861，663的權(quán)益，并且其全文通過(guò)引用并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明大體涉及光刻術(shù)，并且更具體地涉及一種用于諸如EUV (或者更短波長(zhǎng))輻射源的輻射源的部件。
【背景技術(shù)】
[0004]極紫外(EUV)輻射是具有在5-20nm范圍內(nèi)的波長(zhǎng)的電磁輻射，并且可以使用等離子體產(chǎn)生。用于產(chǎn)生EUV輻射的輻射系統(tǒng)可以包括用于激發(fā)燃料以提供等離子體的激光器和用于容納等離子體的源收集器設(shè)備。等離子體例如可通過(guò)引導(dǎo)激光束到達(dá)燃料而形成，燃料例如為合適材料(例如，錫)的顆?；蛘吆线m的氣體或蒸汽流，例如氙氣或鋰蒸汽。產(chǎn)生的等離子體發(fā)射輸出輻射，例如EUV輻射，使用輻射收集器收集該輻射。該輻射收集器可以為反射鏡式的(正入射或掠入射)輻射收集器，其接收輻射并且將輻射聚焦成光束。該源收集器設(shè)備可以包括設(shè)置為提供真空環(huán)境以支持等離子體的封閉結(jié)構(gòu)或腔室。通常，這種輻射系統(tǒng)被稱為激光產(chǎn)生等離子體(LPP)源。
[0005]EUV輻射源的一種應(yīng)用是用在光刻術(shù)中。光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。光刻設(shè)備可用于例如集成電路(1C)的制造過(guò)程中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成待形成在所述1C的單層上的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。通常，通過(guò)將圖案成像到設(shè)置在襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而實(shí)現(xiàn)圖案的轉(zhuǎn)移。通常，單一襯底將包括相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)，所述相鄰目標(biāo)部分被連續(xù)地圖案化。
[0006]為了減小最小的可印刷尺寸，可以使用具有短波長(zhǎng)的輻射進(jìn)行成像。因此，已經(jīng)提出了使用提供例如在13-14nm范圍內(nèi)的EUV輻射的EUV輻射源。還提出了可以使用具有小于10nm的波長(zhǎng)的EUV福射，例如在5_10nm(例如6.7nm或6.8nm)范圍內(nèi)的波長(zhǎng)。這種福射被稱為極紫外輻射或軟X射線輻射。
[0007]EUV輻射源內(nèi)的許多表面易受燃料碎肩污染。該燃料碎肩可能會(huì)聚集在這些表面上，并且經(jīng)過(guò)一段時(shí)間，可能流到或落到收集器上，最終導(dǎo)致源輸出效率和功率的損失。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]期望降低源內(nèi)被燃料污染的表面的污染物的量。
[0009]在第一方面中，本發(fā)明提供一種用于輻射源的部件，所述輻射源能夠操作以由燃料產(chǎn)生輻射，所述部件具有表面，所述表面包括對(duì)于所述燃料具有高潤(rùn)濕性的多個(gè)第一區(qū)域，所述多個(gè)第一區(qū)域由對(duì)于所述燃料具有低潤(rùn)濕性的第二區(qū)域隔開(kāi)。
[0010]所述第二材料可以為具有超過(guò)750攝氏度的熔點(diǎn)的金屬材料。
[0011]所述部件可以實(shí)現(xiàn)為屏蔽元件，所述屏蔽元件用于保護(hù)燃料液滴免受源內(nèi)的氣流影響，所述屏蔽元件包括所述至少一個(gè)表面，所述至少一個(gè)表面具有對(duì)于所述燃料具有高潤(rùn)濕性的多個(gè)第一區(qū)域，所述多個(gè)第一區(qū)域由對(duì)于所述燃料具有低潤(rùn)濕性的第二區(qū)域隔開(kāi)。所述屏蔽元件可以包括基本上彎曲的形狀。
[0012]高潤(rùn)濕性的區(qū)域可以被定義為燃料在材料表面上的接觸角小于45度的區(qū)域。低潤(rùn)濕性的區(qū)域可以被定義為燃料在材料表面上的接觸角大于90度的區(qū)域。低潤(rùn)濕性的區(qū)域可以被定義為燃料在材料表面上的接觸角大于135度的區(qū)域。
[0013]所述部件可以包括加熱元件，用于將所述部件加熱至足夠蒸發(fā)所述燃料的溫度。所述溫度可以超過(guò)750攝氏度。
[0014]每個(gè)第一區(qū)域可以具有在豎直方向上小于5_的尺寸，其中所述豎直方向?yàn)橹亓ψ饔迷谒霾考系姆较颉?br>[0015]每個(gè)第一區(qū)域可以具有在豎直方向上小于2_的尺寸，其中所述豎直方向?yàn)橹亓ψ饔迷谒霾考系姆较颉?br>[0016]每個(gè)第一區(qū)域可以具有在水平方向上小于20mm或者小于10nm的尺寸。
[0017]在第二方面中，本發(fā)明提供一種輻射源，包括:液滴生成器，用于向等離子體生成部位提供燃料液滴；輻射收集器，用于收集和聚焦由所述燃料液滴在所述等離子體生成部位的激發(fā)而形成的等離子體產(chǎn)生的輻射；和根據(jù)本發(fā)明的第一方面的部件。
[0018]下面參考隨附的附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的進(jìn)一步的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)以及本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)和操作。應(yīng)當(dāng)注意，本發(fā)明不限于本文所描述的具體實(shí)施例。本文所呈現(xiàn)的這些實(shí)施例僅用于說(shuō)明性的目的?；诒疚乃慕虒?dǎo)，附加的實(shí)施例對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的。
【附圖說(shuō)明】
[0019]結(jié)合于本文中并且形成說(shuō)明書(shū)的一部分的附圖圖示了本發(fā)明，并且與下面的說(shuō)明一起進(jìn)一步解釋了本發(fā)明的原理，并使相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)嵤┖褪褂帽景l(fā)明。參照隨附的附圖，僅以舉例的方式，描述本發(fā)明的實(shí)施例，其中:
[0020]圖1示意地示出了具有反射式投影光學(xué)裝置的光刻設(shè)備；
[0021]圖2為圖1的設(shè)備的更詳細(xì)視圖；
[0022]圖3示出了可用在圖2的設(shè)備中的可選的源布置；
[0023]圖4示出了說(shuō)明收集器上的燃料碎肩污染物的削減的方面的源布置；
[0024]圖5(a)、5(b)、5(c)和5 (d)圖示了使用圖4的源布置可能遭遇的收集器上的燃料碎肩污染物的可能原因；
[0025]圖6圖示了使用圖4的源布置可能遭遇的收集器上的燃料碎肩污染物的一種可能原因，其中在源布置中具有涂層表面；以及
[0026]圖7(a)和7(b)圖示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的屏蔽元件，其可用于代替圖4的源布置中圖示的護(hù)罩。
[0027]參考下面闡述的詳細(xì)說(shuō)明并結(jié)合附圖，本發(fā)明的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將更加明顯，其中同樣的參考符號(hào)自始至終標(biāo)識(shí)相應(yīng)的元件。在附圖中，相似的參考標(biāo)記通常表示相同的、功能相似的和/或結(jié)構(gòu)相似的元件。
【具體實(shí)施方式】
[0028]本說(shuō)明書(shū)公開(kāi)了包含本發(fā)明的特征的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例。所公開(kāi)的實(shí)施例(或多個(gè)實(shí)施例)僅僅例示本發(fā)明。本發(fā)明的范圍不限于所公開(kāi)的實(shí)施例(或多個(gè)實(shí)施例)。本發(fā)明由附于本文的權(quán)利要求書(shū)限定。
[0029]所描述的實(shí)施例(或多個(gè)實(shí)施例)以及說(shuō)明書(shū)中對(duì)“一個(gè)實(shí)施例”、“實(shí)施例”、“示例性實(shí)施例”等的引述表示所描述的實(shí)施例(或多個(gè)實(shí)施例)可以包括特定的特征、結(jié)構(gòu)或特點(diǎn)，但是每一個(gè)實(shí)施例可以不必包括該特定的特征、結(jié)構(gòu)或特點(diǎn)。而且，這些用語(yǔ)不必指相同的實(shí)施例。此外，當(dāng)關(guān)于一個(gè)實(shí)施例描述特定的特征、結(jié)構(gòu)或特點(diǎn)時(shí)，應(yīng)當(dāng)理解，無(wú)論明確描述與否，在本領(lǐng)域技術(shù)人員的知識(shí)范圍內(nèi)關(guān)于其它實(shí)施例可以產(chǎn)生該特征、結(jié)構(gòu)或特點(diǎn)。
[0030]圖1示意地示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的包括源模塊S0的光刻設(shè)備100。所述設(shè)備包括:
[0031]-照射系統(tǒng)(照射器)IL，其配置成調(diào)節(jié)輻射束B(niǎo)(例如EUV輻射)。
[0032]-支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT，其構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置(例如掩?；蜓谀０?MA，并與配置用于精確地定位圖案形成裝置的第一定位裝置PM相連；
[0033]-襯底臺(tái)(例如晶片臺(tái))WT，其構(gòu)造用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與配置用于精確地定位襯底的第二定位裝置PW相連；和
[0034]-投影系統(tǒng)(例如反射式投影系統(tǒng))PS，其配置成用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B(niǎo)的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C(例如包括一根或更多根管芯)上。
[0035]照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。
[0036]所述支撐結(jié)構(gòu)MT以依賴于圖案形成裝置的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置MA。所述支撐結(jié)構(gòu)可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)來(lái)保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或臺(tái)