此提出的解決方案并不通過(guò)添加（其它）阻擋層來(lái)修改多層涂層的周期厚度， 而是引入堆疊的周期性布置形式的新元件，其補(bǔ)償原始涂層的周期長(zhǎng)度或周期厚度的改 變。如此處提出的多層涂層的設(shè)計(jì)可因此在相同熱負(fù)載下產(chǎn)生比常規(guī)多層涂層高的反射 比，或替代地對(duì)于相同反射比產(chǎn)生較高的熱穩(wěn)定性。不言可喻，第二層系統(tǒng)應(yīng)在最大可能溫 度范圍和最長(zhǎng)可能持續(xù)時(shí)間中補(bǔ)償?shù)谝粚酉到y(tǒng)的周期厚度的改變。
[0021] 亦不言可喻，兩個(gè)或更多個(gè)第一和/或第二層系統(tǒng)還可存在于多層涂層中，其中 在該情況下，還可確保所有層系統(tǒng)的周期厚度的組合改變?cè)诙鄬渝兡さ臒嶝?fù)載時(shí)不會(huì)導(dǎo)致 "平均"周期厚度改變。原則上，多層涂層中的層系統(tǒng)的堆疊的布置為任意的。當(dāng)在多層涂 層中分布層系統(tǒng)的堆疊時(shí)，應(yīng)注意確保多層涂層的光學(xué)性能不會(huì)急劇惡化。因此，這應(yīng)涉及 避免將對(duì)于所用輻射具有較大吸收的層系統(tǒng)的所有或?qū)嶋H上所有堆疊布置在多層涂層相 對(duì)于周?chē)h(huán)境的界面頂側(cè)或與該界面相鄰處。將第二、膨脹層系統(tǒng)的所有或?qū)嶋H上所有堆 疊鄰近基板布置已證實(shí)對(duì)于多層涂層的光學(xué)性質(zhì)是不利的。
[0022] 在一個(gè)實(shí)施例中，第二層系統(tǒng)的堆疊的至少一個(gè)層含有硼。原則上，對(duì)多層涂層 的光學(xué)性質(zhì)沒(méi)有嚴(yán)重有害效應(yīng)（如，過(guò)強(qiáng)吸收）的所有材料均可用作第二層系統(tǒng)的堆疊的 層。為了在第二層系統(tǒng)的層的熱負(fù)載時(shí)產(chǎn)生膨脹，硼或硼化合物已證實(shí)是有利的。硼僅具 有三價(jià)電子，所以在含硼層例如鄰近含金屬材料的層布置的情況下，形成硼-金屬化合物 或硼-金屬?gòu)?fù)合物。該等化合物或復(fù)合物的密度通常比原始組分的密度低，因而造成堆疊 或各層膨脹。
[0023] 在一個(gè)發(fā)展例中，至少一個(gè)層由B4C形成。在由該材料構(gòu)成的層布置成與由金屬材 料構(gòu)成的層相鄰的情況下，可在熱負(fù)載時(shí)偵測(cè)到膨脹。然而，不言可喻，其它硼化合物或硼 本身（尤其是，如果它們布置成與由金屬材料構(gòu)成的層相鄰）還可導(dǎo)致得到的層堆疊膨脹。
[0024] 特別地，由B4C構(gòu)成的層可具有2nm或更多（若適當(dāng)，3nm或更多）的厚度。如序言 中引用的論文"Interlayer growth…"所描述的，厚度2nm或更多的B4C層結(jié)合由Mo構(gòu)成 的相鄰布置層導(dǎo)致得到的堆疊膨脹，而在厚度小于I. 5nm的情況下觀察到層堆疊的緊縮。
[0025] 在另一實(shí)施例中，第二層系統(tǒng)的堆疊中的至少一個(gè)層含有金屬（尤其是過(guò)渡金 屬）、或由金屬（尤其是過(guò)渡金屬）組成。如上文另外說(shuō)明的，尤其是在諸層之間界面處形 成的金屬硼化物通常具有比個(gè)別組分較低的密度，也就是說(shuō)，金屬硼化物的形成對(duì)目前用 途是有利的，即，用于使第二層系統(tǒng)的堆疊產(chǎn)生膨脹。
[0026] 在一個(gè)發(fā)展例中，金屬?gòu)陌琈o和La的群組中選擇。在Mo的情況下，在上文引 用的論文"Interlayer growth…"中證明了由此/134(：構(gòu)成的對(duì)應(yīng)堆疊的膨脹。特定金屬， 尤其是過(guò)渡金屬，諸如La，在熱負(fù)載時(shí)在適合條件（形成化學(xué)化合物的適合層厚度及適合 層材料）下還呈現(xiàn)膨脹。除了組合Mo/B4C和/或La/B4C之外，由Mo/B構(gòu)成和/或由La/B 構(gòu)成的層堆疊也可用于第二層系統(tǒng)。
[0027] 在另一實(shí)施例中，第二層系統(tǒng)的堆疊的層含有硼和金屬二者，其中存在相對(duì)于金 屬過(guò)多的硼。金屬硼化物的結(jié)構(gòu)及因此密度取決于金屬部分和硼部分之間的比率。金屬或 金屬硼化物用硼增濃一般導(dǎo)致形成具有較低密度的化合物，使得有利地，在第二層系統(tǒng)的 堆疊的層中存在過(guò)多的硼。應(yīng)理解的是，過(guò)多的硼意味著堆疊中硼體積大于金屬、或硼層的 總厚度大于金屬層。
[0028] 在另一實(shí)施例中，第一層系統(tǒng)的堆疊中的至少一個(gè)層由Mo或Si形成。第一層系 統(tǒng)例如可以是這樣的層系統(tǒng)，其用于反射EUV輻射（通常在13. 5nm下），并通常具有與由硅 構(gòu)成的層交替的由鉬構(gòu)成的層。不言可喻，第一層系統(tǒng)可替代地還具有由其它層材料構(gòu)成 的交替層，其中通常具有折射率的較高實(shí)部的材料與具有折射率的較低實(shí)部的材料交替， 以對(duì)預(yù)定波長(zhǎng)的輻射獲得最大可能反射比。
[0029] 在一個(gè)實(shí)施例中，第一層系統(tǒng)的堆疊中的至少一個(gè)層由B4C形成。在該示例中， B4C用作由Si和Mo構(gòu)成的層之間的阻擋層，也就是說(shuō)，以最大可能程度防止兩個(gè)層材料在 熱負(fù)載時(shí)擴(kuò)散。第一層系統(tǒng)的堆疊尤其可在該情況下構(gòu)造成Si/B4C/M〇/B4C，其中即使化合 物（SixBy)(其周期厚度在經(jīng)受熱應(yīng)力時(shí)增加）可在Si和B4C之間的界面處形成，堆疊整體 仍在熱負(fù)載時(shí)經(jīng)歷緊縮，例如在S. L. Nyabero等人的論文"Thermally induced interface chemistry in Mo/B4C/Si/B4C multilayered films"（J.Appl.Phys. 112,054317(2012)) 中所說(shuō)明的。不言可喻，還可使用其它材料取代B4C作為第一層系統(tǒng)的阻擋層。
[0030] 在另一實(shí)施例中，第一層系統(tǒng)的堆疊數(shù)目與第二層系統(tǒng)的堆疊數(shù)目的比率為4:2。 各自層系統(tǒng)的堆疊數(shù)目的該比率已證實(shí)特別有利的是，第一層系統(tǒng)具有由Si/B4C/M〇/B 4C 組成的堆疊，第二層系統(tǒng)具有由Mo/B4C組成的堆疊，因?yàn)樵谠摫嚷氏?，在熱?fù)載時(shí)由于加熱 至如大約250°C的溫度，第二層系統(tǒng)的堆疊的膨脹精確地補(bǔ)償多層涂層的第一層系統(tǒng)的堆 疊的收縮。不言可喻，取決于材料類(lèi)型和/或要補(bǔ)償?shù)南鄳?yīng)熱負(fù)載和/或光學(xué)元件的操作 溫度，還可在堆疊數(shù)目之間設(shè)定其它比率，其中當(dāng)然應(yīng)注意確保涂層的光學(xué)性質(zhì)不會(huì)因該 選擇而惡化。
[0031] 在另一實(shí)施例中，多層涂層設(shè)計(jì)用于反射EUV輻射。如上文另外說(shuō)明的，這種多層 涂層通常包括由具有高低折射率的材料構(gòu)成的交替層。對(duì)于13. 5nm的最大波長(zhǎng)，具有折射 率的較高實(shí)部的層通常是硅層，具有較低折射率的層為由鉬構(gòu)成的層。取決于所要最大波 長(zhǎng)，其它材料組合，諸如鉬和鈹、釕和鈹、或鑭和B4C同樣可行。
[0032] 本發(fā)明的另一方面涉及一種光學(xué)裝置，尤其是微光刻設(shè)備，其包含：如上文說(shuō)明的 至少一個(gè)光學(xué)元件。該光學(xué)裝置例如可以是用于曝光晶片的EUV微光刻設(shè)備、或使用（EUV) 輻射的一些其它光學(xué)裝置，例如用于測(cè)量EUV微光刻中所用掩模的系統(tǒng)。在其它波長(zhǎng)（如， VIS或UV波長(zhǎng)范圍）下操作的光學(xué)裝置還可具有如上文說(shuō)明所實(shí)現(xiàn)的一個(gè)或多個(gè)光學(xué)元 件。可利用如上文說(shuō)明所實(shí)現(xiàn)的多層涂層達(dá)成的是，在預(yù)定波長(zhǎng)下具有尤其高反射比或 在抗反射涂層形式的多層涂層的情況中具有尤其低反射比的光學(xué)元件即使在永久熱負(fù)載 (如，因加熱至大約l〇〇°C或更大的溫度）時(shí)也不會(huì)改變、或僅稍微改變其光學(xué)性質(zhì)。
[0033] 在一個(gè)實(shí)施例中，在光學(xué)元件處反射的EUV輻射的質(zhì)心波長(zhǎng)在光學(xué)元件被EUV輻 射照射而熱負(fù)載時(shí)仍為恒定或仍然保持恒定。這可憑借以下事實(shí)達(dá)成：第一層系統(tǒng)的周期 厚度的收縮被第二層系統(tǒng)的周期厚度的對(duì)應(yīng)膨脹精確地補(bǔ)償，使得多層涂層的周期厚度維 持恒定（平均而言）。在該情況下，光學(xué)元件的熱負(fù)載對(duì)應(yīng)于光學(xué)裝置中的光學(xué)元件的操作 溫度，該操作溫度例如通過(guò)用EUV輻射進(jìn)行加熱而產(chǎn)生，并且（若適當(dāng)）通過(guò)額外的溫度調(diào) 節(jié)裝置（尤其是加熱裝置）而產(chǎn)生。
[0034] 在該情況下，在將光學(xué)元件引入光學(xué)裝置中之前，或（若適當(dāng)）在光學(xué)裝置開(kāi)始操 作（如，在光刻設(shè)備的情況下，曝光操作）之前，若適當(dāng)利用熱處理、或利用如借