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米級大口徑偏振片全頻段面形加工方法

文檔序號:9431299閱讀:488來源:國知局
米級大口徑偏振片全頻段面形加工方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明屬于光學元件加工,特別是一種米級大口徑偏振片全頻段面形加工方法。技術背景
[0002]在高功率激光系統(tǒng)中,為獲得理想的光束聚焦質(zhì)量,精密光學元件面形誤差不僅需達到良好的低頻面形精度、表面質(zhì)量及超光滑的表面粗糙度指標,同時還需滿足極為嚴格的中頻波前誤差要求,即波前誤差要求是全頻段的。根據(jù)不同頻段誤差對光學性能的影響,NIF中的光學元件面形誤差被劃分為三個空間頻段:
[0003]低頻段(誤差空間周期長度L>33mm),
[0004]中頻段(33mm^ L ^ 0.12mm),
[0005]高頻段(誤差空間周期長度L〈0.12mm)分別達到相應的指標要求。
[0006]低頻誤差來源于系統(tǒng)裝調(diào)和鏡面因制造殘留的緩變誤差,一般描述為系統(tǒng)的波像差,低頻誤差會影響聚焦光斑的能量集中度和焦面光強分布,最終影響多路激光合成光斑的直徑;表面中頻誤差將導致光束的高頻調(diào)制以及系統(tǒng)非線性增長,從而造成元件絲狀破壞,降低系統(tǒng)光束的可聚焦功率。高頻誤差已對系統(tǒng)光束質(zhì)量沒有影響,主要因為實際制造過程中,這一頻段的誤差含量相對較小,并且不影響焦點處能量分布形式。但是,這一頻段誤差在表面覆膜后不會被掩蓋,強激光轟擊下,會降低薄膜的損傷閾值,同時增加光束的散射損耗。
[0007]偏振片元件配合電光開關在高功率激光驅(qū)動器系統(tǒng)中起光開關或光隔離,抑制寄生振蕩作用,是ICF激光驅(qū)動器中的關鍵元件之一。偏振片基板的加工難度來自于大尺寸、超長寬比,且同時具有反射和透射全頻段高精度的要求,可以說米級大口徑偏振片是ICF激光驅(qū)動器中口徑最大,加工難度最高的白玻璃平面光學元件。
[0008]針對米級大口徑偏振片元件的加工,由于環(huán)形連續(xù)拋光技術具有優(yōu)異的中高頻誤差控制以及可以實現(xiàn)多工位批量化的加工能力,環(huán)形拋光技術成為高精度大口徑平面元件加工的主要技術途徑之一。但國內(nèi)在環(huán)形拋光技術方面與國際先進水平的差距明顯,利用現(xiàn)有環(huán)形拋光技術還不能夠?qū)崿F(xiàn)高精度米級偏振片元件的高精度制造。這是由于一方面,同圓形元件相比,矩形元件的環(huán)形拋光加工具有明顯的邊緣效應,特別是該效應易在四個角的位置發(fā)生。另一方面,對于大口徑光學元件的環(huán)形拋光加工過程來說,即使拋光盤的轉(zhuǎn)速很小,由于工件本身的大尺寸和校正盤的自重,摩擦產(chǎn)生的熱量容易積聚,對面形的控制帶來十分嚴重的負面影響。此外,更為重要的是國內(nèi)能夠獲得的用于偏振片元件的UBK7材料均勾性最好才達到3ppm,而偏振片元件的厚度大于90mm,由于均勾性引起的透射波前誤差已大于λ/3 (λ = 632.8nm)要求,利用環(huán)形拋光加工技術理論上就不可能實現(xiàn)透射波前的加工要求。
[0009]以計算機控制為核心的小工具拋光技術如小磨頭拋光技術、磁流變拋光技術和離子束拋光技術等,由于具有局部面形修正的能力,可以很好的克服材料折射率非均勻性問題,實現(xiàn)高精度的低頻段的反射和透射面形加工,但是由于數(shù)控小工具拋光技術使用了比工件尺寸小的多的磨頭,在工件表面會產(chǎn)生小尺度的中頻波紋度問題,從而導致所加工的表面中頻段誤差難以達到要求。因此,單獨采用環(huán)形拋光或數(shù)控小工具的加工方式都無法實現(xiàn)米級大口徑偏振片全頻段指標滿足要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明提供一種米級大口徑偏振片全頻段面形加工方法,該方法將磁流變拋光技術與保形光順相結合,實現(xiàn)了對米級大口徑偏振片的全頻段面形高精度加工。
[0011]本發(fā)明的技術解決方案如下:
[0012]—種米級大口徑偏振片全頻段面形加工方法,其特點在于該方法包括下列步驟:
[0013]I)、反射面磁流變拋光:利用NUBULA-UPF-60磁流變拋光機床拋光大口徑偏振片反射面,利用300mm 口徑干涉儀檢測拋光后的反射面,當反射面面形精度達到0.3 λ -0.2 λ,GRMS達到λ /90/cm- λ/120/cm時,進入下一步反射面加工;
[0014]2)、反射面保形光順:利用陪拋片(相同尺寸的偏振片)對2.4m環(huán)拋機進行校正,通過溫度計控制環(huán)境溫度在20±2°C范圍,利用2.4m環(huán)拋機對陪拋片進行拋光,通過300mm口徑干涉儀檢測陪拋片的面形,當面形大于0.25 λ時,繼續(xù)拋光;當面形小于0.25λ時,即校正完畢。校正完畢后,立即取下陪拋片,將大口徑偏振片放至與取下的陪拋片相同的位置,對反射面進行拋光,當反射面中高頻誤差PSD1RMS彡1.8nm,PSD2RMS彡1.lnm,表面粗糙度彡Inm時,則反射面加工完畢,進入透射面加工;
[0015]3)、透射面磁流變拋光:利用NUBULA-UPF-60磁流變拋光機床拋光大口徑偏振片透射面,利用300mm 口徑干涉儀檢測拋光后的透射面,當透射面面形精度達到0.3 λ -0.2 λ,GRMS達到λ /90/cm- λ/120/cm時,進入下一步透射面加工;
[0016]4)、透射面保形光順:利用陪拋片(相同尺寸的偏振片)對2.4m環(huán)拋機進行校正,通過溫度計控制環(huán)境溫度在20±2°C范圍,利用2.4m環(huán)拋機對陪拋片進行拋光,通過300mm口徑干涉儀檢測陪拋片的面形,當面形大于0.25 λ時,繼續(xù)拋光;當面形小于0.25 λ時,即校正完畢,立即取下陪拋片,將大口徑偏振片放至與取下的陪拋片相同的位置,對透射面進行拋光,當透射面中高頻誤差PSD1RMS彡1.8nm,PSD2RMS彡1.lnm,表面粗糙度彡Inm時,則透射面加工完畢。
[0017]本發(fā)明的技術效果如下:
[0018]本發(fā)明結合磁流變拋光技術與保形光順技術,可以有效的控制米級大口徑偏振片的加工精度,制造出在高功率激光系統(tǒng)中透反兩面全頻段指標達標的米級大口徑偏振片元件:PV 彡 λ /3,GRMS 彡 7nm/cm,PSD1RMS 彡 1.8nm,PSD2RMS 彡 1.lnm,表面粗糙度彡 lnm。
【具體實施方式】
[0019]下面對本發(fā)明做詳細說明。
[0020]實施例1
[0021]—種米級大口徑偏振片全頻段面形加工方法,加工對象是一片810mmX430mmX 107mm的偏振片基板,初始反射面形精度為0.6 λ ( λ = 632.8nm),初始透射面形精度為1.3 λ ( λ = 632.8nm),該方法包括下列步驟:
[0022]I)、反射面磁流變拋光:利用NUBULA-UPF-60磁流變拋光機床拋光大口徑偏振片反射面,利用300_ 口徑干涉儀檢測拋光后的反射面,當反射面面形精度達到0.2 λ,GRMS為λ/120/cm時,進入下一步反射面加工;
[0023]2)、反射面保形光順:利用陪拋片(相同尺寸的偏振片)對2.4m環(huán)拋機進行校正,通過溫度計控制環(huán)境溫度在20±2°C范圍,利用2.4m環(huán)拋機對陪拋片進行拋光,通過300mm口徑干涉儀檢測陪拋片的面形,當面形大于0.25 λ時,繼續(xù)拋光;當面形小于0.25λ時,即校正完畢。校正完畢后,立即取下陪拋片,將大口徑偏振片放至與取下的陪拋片相同的位置,對反射面進行拋光,當反射面中高頻誤差PSD1RMS彡1.8nm,PSD2RMS彡1.lnm,表面粗糙度彡Inm時,則反射面加工完畢,進入透射面加工;
[0024]3)、透射面磁流變拋光:利用NUBULA-UPF-60磁流變拋光機床拋光大口徑偏振片透射面,利用300_ 口徑干涉儀檢測拋光后的透射面,當透射面面形精度達到0.2 λ,GRMS達到λ/120/cm時,進入下一步透射面加工;
[0025]4)、透射面保形光順:利用陪拋片(相同尺寸的偏振片)對2.4m環(huán)拋機進行校正,通過溫度計控制環(huán)境溫度在20±2°C范圍,利用2.4m環(huán)拋機對陪拋片進行拋光,通過300mm口徑干涉儀檢測陪拋片的面形,當面形大于0.25 λ時,繼續(xù)拋光;當面形小于0.25λ時,即校正完畢。校正完畢后,立即取下陪拋片,將大口徑偏振片放至與取下的陪拋片相同的位置,對透射面進行拋光,當透射面中高頻誤差PSD1RMS ( 1.8nm,PSD2RMS ( 1.lnm,表面粗糙度彡Inm時,則透射面加工完畢。
[0026]制造出的米級大口徑偏振片元件透射面PV為0.3 λ,反射面PV為0.19 λ,GRMS為6.8nm/cm,PSDlRMS為1.76nm,PSD2RMS為0.97nm,表面粗糙度為lnm,全頻段指標符合高功率激光系統(tǒng)要求。
【主權項】
1.一種米級大口徑偏振片全頻段面形加工方法,其特征在于該方法包括下列步驟: 1)、反射面磁流變拋光:利用NUBULA-UPF-60磁流變拋光機床拋光大口徑偏振片的反射面,利用300_ 口徑干涉儀檢測拋光后的反射面,當反射面面形精度達到0.3 λ-0.2 λ,GRMS達到λ/90/cm-λ/120/cm時,進入下一步反射面加工; 2)、反射面保形光順:利用陪拋片對2.4m環(huán)拋機進行校正,通過溫度計控制環(huán)境溫度在20±2°C范圍,利用2.4m環(huán)拋機對陪拋片進行拋光,通過300mm 口徑干涉儀檢測陪拋片的面形,當面形大于0.25 λ時,繼續(xù)拋光;當面形小于0.25 λ時,即校正完畢,立即取下陪拋片,將大口徑偏振片放至與取下的陪拋片相同的位置,對反射面進行拋光,當反射面中高頻誤差PSD1RMS彡1.8nm,PSD2RMS彡1.lnm,表面粗糙度彡Inm時,則反射面加工完畢; 3)、透射面磁流變拋光:利用NUBULA-UPF-60磁流變拋光機床拋光大口徑偏振片的透射面,利用300_ 口徑干涉儀檢測拋光后的透射面,當透射面面形精度達到0.3 λ-0.2 λ,GRMS達到λ/90/cm-λ/120/cm時,進入下一步透射面加工; 4)、透射面保形光順:利用陪拋片對2.4m環(huán)拋機進行校正,通過溫度計控制環(huán)境溫度在20±2°C范圍,利用2.4m環(huán)拋機對陪拋片進行拋光,通過300mm 口徑干涉儀檢測陪拋片的面形,當面形大于0.25 λ時,繼續(xù)拋光;當面形小于0.25 λ時,即校正完畢,立即取下陪拋片,將大口徑偏振片放至與取下的陪拋片相同的位置,對透射面進行拋光,當透射面中高頻誤差PSD1RMS彡1.8nm,PSD2RMS彡1.lnm,表面粗糙度彡Inm時,則透射面加工完畢; 5)結束。
【專利摘要】一種米級大口徑偏振片全頻段面形加工方法,本發(fā)明方法通過磁流變拋光與保形光順拋光結合,可以有效的控制米級大口徑偏振片的加工精度,制造出在高功率激光系統(tǒng)中全頻段指標達標的米級大口徑偏振片元件,透反兩面具體指標如下:PV≤λ/3,GRMS≤7nm/cm,PSD1RMS≤1.8nm,PSD2RMS≤1.1nm,表面粗糙度≤1nm。
【IPC分類】B24B1/00, G02B5/30
【公開號】CN105182459
【申請?zhí)枴緾N201510407906
【發(fā)明人】魏朝陽, 邵建達, 徐學科, 易葵, 顧昊金, 程鑫
【申請人】中國科學院上海光學精密機械研究所
【公開日】2015年12月23日
【申請日】2015年7月13日
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