[0070] 在層系統(tǒng)的該實(shí)施方式中，將上述的光吸收層（吸收層）間接地或直接地施加在 金屬層上，并由此將其相對(duì)于面向吸收層的觀察者而遮蓋。吸收層例如施加在電子構(gòu)件和 導(dǎo)線上，從而將其覆蓋并使其相對(duì)于觀察者變得不可見。吸收層自身可W相對(duì)于空氣或其 它的光密但透明的介質(zhì)（例如玻璃或塑料）而作用。
[0071] 金屬層優(yōu)選地包含一種或多種金屬，所述金屬選擇自群組：Al、Mo、化、Ti。
[0072] 該金屬層充當(dāng)導(dǎo)體電路，從而得到良好的導(dǎo)電性能。不過其它特性，特別是蝕刻性 能也很重要。金屬層由純金屬、所述金屬相互的合金或基于所述金屬中的一種的合金組成。
[0073] 與前述的由吸收層和抗反射層組成的層系統(tǒng)相比，在該實(shí)施方式中對(duì)于吸收層的 光吸收作用提出較少的要求。因?yàn)榻饘賹佑兄诠馕詹⑶矣山饘賹雍臀諏咏M成的該整 體層疊僅需要為整體上高吸收的。對(duì)于吸收層而言在運(yùn)種情況下足夠并且甚至為有利的 是，使該吸收層僅起部分吸收作用并由此也部分地起抗反射作用。
[0074] 相反地，該吸收層的層厚度可W變得更小，運(yùn)會(huì)促成更低的生產(chǎn)成本。鑒于此而 證實(shí)有利的是，在光吸收層系統(tǒng)的該實(shí)施方式中，使金屬層和吸收層的組合在380至780nm 的波長范圍內(nèi)具有小于8%、優(yōu)選小于4%的可見光透射率Tv和小于15%的可見光反射率 Rv,W及具有小于90nm的、優(yōu)選小于60nm的總厚度。
[0075] 另一方面，甚至可W期望，使吸收層有助于電傳導(dǎo)。在此方面，層系統(tǒng)的突出特征 在于，小于100歐姆/平方的層間電阻。
[0076] 根據(jù)金屬層的金屬的不同種類，不同的尺寸證實(shí)為適合的。
[0077] 在層系統(tǒng)的一種實(shí)施方式中，在該層系統(tǒng)中金屬層由侶或侶基合金組成，該金屬 層優(yōu)選具有17至21nm范圍內(nèi)的厚度，其中吸收層的厚度在30至50nm范圍內(nèi)并且優(yōu)選最 大為40nm。
[0078] 在光吸收層系統(tǒng)的另一種實(shí)施方式中，在該層系統(tǒng)中金屬層由鋼或由鋼基合金組 成，該金屬層優(yōu)選具有15至50nm范圍內(nèi)、特別優(yōu)選在25至35nm范圍內(nèi)的厚度，其中吸收 層的厚度在35至50皿的范圍內(nèi)并且優(yōu)選最大為40皿。
[0079] 在光吸收層系統(tǒng)的另一種有利的實(shí)施方式中，金屬層由銅或銅基合金組成并且具 有40至50nm范圍內(nèi)的厚度，其中該吸收層的厚度在28至50nm范圍內(nèi)并優(yōu)選最大為40nm。
[0080] 報(bào)據(jù)本發(fā)巧的漉銀靴
[0081] 在特別用于制造光吸收層或光吸收層系統(tǒng)的瓣鍛祀方面，上述目的根據(jù)本發(fā)明由 此達(dá)到，即，使該瓣鍛祀由祀材料組成，該祀材料基于
[0082] -具有氧化基質(zhì)，所述氧化基質(zhì)基于基礎(chǔ)成分KlW及附加成分K3,其中基礎(chǔ)成分 從氧化鋒、氧化錫和/或氧化銅組成的群組中選擇，而附加成分W0至75重量％間的份額 "y"替代基礎(chǔ)成分Kl并從由氧化妮、氧化給、氧化鐵、氧化粗、氧化饑、氧化錠、氧化錯(cuò)、氧化 侶及其混合物組成的群組中選擇，
[0083] -其中，黑化成分K2分布在基質(zhì)中，該黑化成分從由鋼、鶴及其混合物W及其合金 組成的群組中選擇，其中黑化成分K2或作為金屬和/或作為金屬的亞化學(xué)計(jì)量氧化的化合 物或作為金屬的亞化學(xué)計(jì)量氮氧化的化合物而存在，并且就此具有通過最多為化學(xué)計(jì)量的 最大氧含量的65%所限定的還原度，并且其中黑化成分K2的含量"X"(由其金屬份額的重 量與祀材料重量的比得出）在20至50重量％之間的范圍內(nèi)。
[0084] 根據(jù)本發(fā)明的瓣鍛祀的祀基礎(chǔ)材料與吸收層的基礎(chǔ)材料不同。該祀基礎(chǔ)材料通常 含有W金屬形態(tài)或氧化形態(tài)的晶相并由完全或大部分氧化的相（該相由基礎(chǔ)成分Kl的一 種或多種氧化物形成）W及黑化成分K2的極度亞化學(xué)計(jì)量的或金屬的相（例如亞化學(xué)計(jì) 量的氧化鋼和/或鋼金屬）組成。
[00化]W氧化和/或金屬形式的黑化成分K2的份額從僅由于成分K2的元素金屬而產(chǎn)生 的重量中算出，其中該金屬重量與祀材料整體的重量相關(guān)。運(yùn)樣算得的黑化成分K2的重量 份額在20至50重量％的范圍內(nèi)，然而，該重量份額優(yōu)選為至少25重量％，并且理想地在 30至45重量％的范圍內(nèi)。
[0086] 該祀基礎(chǔ)材料的組成基本上與根據(jù)本發(fā)明的光吸收層的基礎(chǔ)材料相應(yīng)，特別是就 氧含量和/或氮含量而言。運(yùn)帶來的好處在于，通過瓣鍛祀的使用而能夠在不添加或少量 添加反應(yīng)氣體的條件下制造光吸收層。因此與完全金屬的祀材的瓣鍛相反，也能夠在MF瓣 鍛或DC瓣鍛中實(shí)現(xiàn)更高的工序穩(wěn)定性W及更簡單的工序控制。因?yàn)椴蝗坏脑?，反?yīng)瓣射特 別在大面積的覆層的情況下會(huì)很容易遭遇到技術(shù)可行性的極限。
[0087] 如果通過對(duì)運(yùn)類瓣鍛祀的MF瓣鍛或DC瓣鍛而制造出光吸收層，那么就能夠滿足 鑒于光吸收層的特性和制造方面的邊界條件。該瓣鍛祀具有氧缺陷，或者通過黑化成分K2 的亞化學(xué)計(jì)量并因此導(dǎo)電的金屬氧化物的還原氧化或氮氧化相，或者通過黑化成分與基礎(chǔ) 成分Kl的氧化物的金屬混合物來調(diào)整該氧缺陷。通常優(yōu)選后一種實(shí)施方式，因?yàn)閺?qiáng)亞化學(xué) 計(jì)量的氧化物難W實(shí)現(xiàn)。 陽08引基于黑化成分Mo和/或W的合金含有^〔45族1￥6、￥6和￥扣的元素?zé)?、￥、化、Zr、佩、Hf、Ta)形式的添加物，運(yùn)些合金顯示出與純金屬W和Mo或其混合物相似的光學(xué)特 性。
[0089] 作為基礎(chǔ)材料的實(shí)施例而提出化0+Mo〇2 >^(0 <W《2)，其中Mo〇2代表了鋼的亞 化學(xué)計(jì)量的氧化物或氮氧化物或金屬鋼（當(dāng)W=2)。就此祀基礎(chǔ)材料由基于氧化鋒的第一 相組成，在該第一相中嵌入由具有亞化學(xué)計(jì)量的氧含量的氧化鋼組成的、或由具有亞化學(xué) 計(jì)量的氧含量的氧化鋼W及金屬鋼組成的、或僅由金屬鋼組成的第二相。
[0090] 由基礎(chǔ)祀材料制成的瓣鍛層的蝕刻行為首先取決于基礎(chǔ)成分Kl和黑化成分K2的 份額，也就是取決于運(yùn)些相對(duì)容易蝕刻的成分。因此基礎(chǔ)材料的蝕刻速率大體上可W在與 組成成分W及第一成分Kl的份額相關(guān)的界限值內(nèi)變化并證實(shí)為通常過快。
[0091] 此外，可W通過由氮來部分替代氧而降低基礎(chǔ)祀材料的蝕刻速率。由此達(dá)到的對(duì) 于蝕刻速率的降低卻是有限制的，W至于祀基礎(chǔ)材料不能滿足對(duì)于蝕刻速率變化性的特別 高的要求。
[0092] 選擇性地，瓣鍛祀的基礎(chǔ)材料含有附加成分K3,從而使由此制成的層的蝕刻行為 可W在較大的范圍內(nèi)改變。就此，基礎(chǔ)成分Kl的一部分通過額外的附加成分K3來替代。附 加成分K3作為金屬元素的氧化物而存在并從由氧化妮、氧化給、氧化鐵、氧化粗、氧化饑和 /或氧化侶組成的群組中選擇。通過附加成分K3可W使祀材料的蝕刻速率在極限范圍內(nèi)得 W調(diào)整，與沒有附加成分K3相比運(yùn)些極限值的范圍更寬。通過附加成分K3的類型、組成和 份額量可W由此改變并精確調(diào)準(zhǔn)祀材料的蝕刻行為。
[0093] 附加成分K3包括來自上述群組的一種或多種氧化物，與氧化的基礎(chǔ)成分Kl相 比，該氧化物更難或更慢蝕刻。為了調(diào)整基礎(chǔ)材料的蝕刻速率而用附加成分K3(大概例如 佩2〇5)來替代基礎(chǔ)成分（例如化0)的一部分，但是最多為其75重量％。附加成分K3的份 額就此作為來自于附加成分的氧化物在祀材料總重量中的重量份額而算出。
[0094] 根據(jù)待制成的層材料的預(yù)設(shè)的單位蝕刻速率的不同，附加成分K3的份額在0和 < 15重量％之間，在15至< 30重量％之間，在30至< 45重量％之間或在45至60重量％ 之間。鑒于待制造的層材料的光學(xué)特性方面，特別鑒于盡可能高的kappa值方面，卻證實(shí)為 特別有利的是，由附加成分K3來替代最多=分之一的基礎(chǔ)成分。
[00巧]成分K2優(yōu)選地W金屬形態(tài)而存在。
[0096] 與強(qiáng)度亞化學(xué)計(jì)量的形態(tài)相比，可W更技術(shù)簡單地并更好再復(fù)制地提供該成分的 金屬形態(tài)。祀材料的延性相引起更高的密度，減小了機(jī)械應(yīng)力并對(duì)更高的強(qiáng)度做出貢獻(xiàn)。在 此已證實(shí)為有利的是，使金屬的黑化成分至少50%、優(yōu)選至少70%貢獻(xiàn)于瓣鍛祀的亞化學(xué) 計(jì)量的調(diào)整。
[0097] 與此相比，附加成分K3有利地作為氧化物而存在。
[0098] 瓣鍛祀的金屬部分或亞化學(xué)計(jì)量的氧化物構(gòu)成了導(dǎo)電相，從而能夠借助于DC瓣 鍛或MF瓣鍛來對(duì)其加工。為此目的，該瓣鍛祀的電阻率優(yōu)選小于100hm*cm并特別優(yōu)選小 于IOhm*cm。
[0099] 通過使瓣鍛祀的氧缺陷值基本相應(yīng)于或者略微高出相應(yīng)待瓣鍛的層的氧缺陷值， 由此，在根據(jù)本發(fā)明的瓣鍛祀中，基本已經(jīng)設(shè)定出根據(jù)本發(fā)明的光吸收層或?qū)酉到y(tǒng)的氧缺 陷值。對(duì)于層化學(xué)計(jì)量的精確調(diào)準(zhǔn)可W通過少量添加反應(yīng)氣體（特別是氧氣）而實(shí)現(xiàn)，從 而使已提到的在高反應(yīng)氛圍條件下金屬祀材的瓣鍛中的技術(shù)困難得W避免。除了氧氣W外 其它反應(yīng)氣體（例如氮?dú)猓┑奶砑右彩沁m合的。
[0100] 瓣鍛祀的氧缺陷優(yōu)選通過還原度而確定，其中氧含量是化學(xué)計(jì)量的氧含量的30 至65%之間，優(yōu)選40至60%之間。 陽101] 在瓣鍛中，在沉積的層中調(diào)整預(yù)設(shè)的氧缺陷。黑化成分K2在祀材料中的份額運(yùn)樣 確定，即，使該份額構(gòu)成該缺陷值的50%或更多。 陽102] 已證實(shí)為有利地是，使沿著瓣鍛祀的厚度的還原度盡可能地始終保持不變。因此 該亞化學(xué)計(jì)量的瓣鍛祀優(yōu)選具有運(yùn)樣的還原度，即，在沿著瓣鍛祀的厚度的至少五個(gè)位置 上測得的還原度與平均值相較偏差都不大于+-5% (相對(duì)地）。
[0103] 通過從祀層的不同的厚度區(qū)域取得至少五個(gè)重量為Ig的樣本，當(dāng)祀材料在惰性 氣體下粉碎（顆粒大小< 10ym)并且該粉末在純氧條件下在IOOCTC下退火一小時(shí)，由此會(huì) 產(chǎn)生樣本的重量增加，對(duì)運(yùn)些樣本的重量增加進(jìn)行計(jì)算，由此W最簡單的情況下確定還原 度。如下地由重量增加而確定該還原度R[%]:
[0104] R[% ]=IOOX重量增加/退火樣本的氧的總重量。
[01化]作為對(duì)此的補(bǔ)充，運(yùn)樣對(duì)還原度進(jìn)行驗(yàn)證，即，從祀層的不同厚度區(qū)域取得具有Ig重量的至少五個(gè)樣本，并且在運(yùn)些樣本上，氧含量通過轉(zhuǎn)化為COW及載氣萃取法而得W確 定。均一的還原度有助于瓣鍛工序中的高的工序穩(wěn)定性W及制造具有可再復(fù)制的特性的瓣 鍛層。
[0106] 對(duì)此也證實(shí)為有用的是，使作為混合物的可能的金屬的黑化成分限定金屬含量， 在沿著瓣鍛祀的厚度的至少五個(gè)位置測得的該金屬含量與平均值相比都不多于+-5% (相 對(duì)地）。 陽107] 鑒于瓣鍛祀的均勻瓣鍛方面，祀材料優(yōu)選具有理論密度的95%W上的密度并具有 小于500重量ppm的雜質(zhì)含量。 陽10引雜質(zhì)就此可W解釋為所有元素，運(yùn)些元素并非有意地作為滲雜物或添加物而加入 到祀材料中。
[0109] 祀材料的還原度優(yōu)選通過理論最大可能氧含量的30 %至65%，優(yōu)選40 %至50% 的氧含量而限定。
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