一種彩膜陣列基板及其制造方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種彩膜陣列基板及其制造方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著人們對(duì)液晶顯示產(chǎn)品高、精、細(xì)品質(zhì)的要求越來(lái)越高，產(chǎn)線對(duì)液晶顯示屏的陣列基板和彩膜基板的對(duì)位壓盒精度要求也越來(lái)越高。傳統(tǒng)的對(duì)盒工藝已經(jīng)無(wú)法滿足高精度要求，而通過(guò)在陣列基板上制作彩色濾光膜來(lái)提高對(duì)位精度和提升開(kāi)口率的彩膜陣列基板技術(shù)逐漸開(kāi)展起來(lái)。
[0003]彩膜陣列基板技術(shù)直接在陣列基板上制備彩色濾光膜和黑矩陣，使其與像素電極的對(duì)位精度要求大幅度減少，從而使得像素單元的開(kāi)口率大幅度提高，實(shí)現(xiàn)增大光透過(guò)率和對(duì)比度的目的。現(xiàn)有技術(shù)中彩膜陣列基板的彩色濾光膜鋪滿整個(gè)像素單元即鋪滿像素單元的透光區(qū)域和非透光區(qū)域(或布線區(qū)域)，在與薄膜晶體管、掃描線、數(shù)據(jù)線等對(duì)應(yīng)的位置再鋪設(shè)黑矩陣以防止非透光區(qū)域的漏光，但是薄膜晶體管的漏極需要與黑矩陣和彩色濾光膜上的像素電極實(shí)現(xiàn)電連接，通常是將黑矩陣和彩色濾光膜對(duì)應(yīng)漏極連接的位置進(jìn)行挖孔形成通孔，通過(guò)該通孔與像素電極電連接，但是由于黑矩陣材料的光密度較小，需要涂布很厚的黑矩陣材料才能有效避免漏光的問(wèn)題，而且黑矩陣材料具有一定的流動(dòng)性，常常會(huì)有一部分流入通孔中，或其他地勢(shì)較低的區(qū)域，如從彩膜陣列基板的帶有彩色濾光膜的顯示區(qū)域流到不含有彩色濾光膜的位于彩膜陣列基板邊沿的非顯示區(qū)域，進(jìn)而使得非透光區(qū)域的彩色濾光膜上的黑矩陣變薄，進(jìn)而引起漏光問(wèn)題，以最終影響顯示品質(zhì)。
[0004]綜上，現(xiàn)有技術(shù)在像素單元的非透光區(qū)域存在黑矩陣變薄而引起漏光的問(wèn)題，對(duì)后續(xù)顯不品質(zhì)有不良影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種彩膜陣列基板及其制造方法、顯示裝置，能夠在像素單元的非透光區(qū)域形成較厚的黑矩陣圖案，以避免漏光問(wèn)題。
[0006]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種彩膜陣列基板，該彩膜陣列基板包括基板、形成在基板上的多個(gè)陣列式排布的像素單元，像素單元包括透光區(qū)域及位于透光區(qū)域外圍的非透光區(qū)域，像素單元進(jìn)一步包括彩色濾光圖案和黑矩陣圖案，其中彩色濾光圖案覆蓋透光區(qū)域，黑矩陣圖案在下方不設(shè)置彩色濾光圖案的情況下直接覆蓋非透光區(qū)域。
[0007]其中，黑矩陣圖案是有機(jī)光阻材料。
[0008]其中，像素單元進(jìn)一步包括薄膜晶體管、掃描線圖案、數(shù)據(jù)線圖案、第一鈍化層和像素電極圖案，薄膜晶體管的柵極圖案和源極圖案分別與掃描線圖案和數(shù)據(jù)線圖案連接，像素電極圖案位于第一鈍化層上部，第一鈍化層上設(shè)有第一通孔，薄膜晶體管的漏極圖案通過(guò)第一通孔與像素電極圖案連接，黑矩陣圖案與薄膜晶體管、掃描線圖案和數(shù)據(jù)線圖案對(duì)應(yīng)設(shè)置，且直接接觸第一鈍化層。
[0009]其中，黑矩陣圖案設(shè)置在第一鈍化層上。
[0010]可選的，黑矩陣圖案設(shè)置在第一鈍化層與基板之間。
[0011]其中，黑矩陣圖案在第一通孔的位置也設(shè)有第二通孔，用于薄膜晶體管的漏極圖案通過(guò)第一通孔、第二通孔與像素電極圖案連接。
[0012]其中，像素單元進(jìn)一步包括第二鈍化層，第二鈍化層位于黑矩陣圖案和像素電極圖案之間，第二鈍化層上設(shè)有第三通孔，用于薄膜晶體管的漏極圖案通過(guò)第一通孔、第二通孔和第三通孔與像素電極圖案連接。
[0013]可選的，黑矩陣圖案設(shè)置在第一鈍化層與基板之間。
[0014]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的彩膜陣列基板。
[0015]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的又一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種彩膜陣列基板的制造方法，該方法包括以下步驟:提供一基板；在基板上依次形成薄膜晶體管的柵極圖案和掃描線圖案、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層圖案、薄膜晶體管的源極圖案和漏極圖案及數(shù)據(jù)線圖案；
[0016]在薄膜晶體管的源極圖案和漏極圖案及數(shù)據(jù)線圖案上形成第一鈍化層；
[0017]在第一鈍化層上形成彩色濾光圖案，使得彩色濾光圖案覆蓋彩膜陣列基板的透光區(qū)域；
[0018]在第一鈍化層上形成與彩色濾光圖案間隔設(shè)置的黑矩陣圖案，使得黑矩陣圖案覆蓋彩膜陣列基板的非透光區(qū)域。
[0019]其中，該制造方法進(jìn)一步包括:在彩色濾光圖案和黑矩陣圖案上形成第二鈍化層；
[0020]在第二鈍化層、黑矩陣圖案和第一鈍化層的對(duì)應(yīng)漏極圖案的位置形成通孔；
[0021]在第二鈍化層上形成像素電極圖案，使得像素電極圖案通過(guò)通孔與漏極圖案電連接。
[0022]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明通過(guò)在彩膜陣列基板的基板上形成多個(gè)陣列式排布的像素單元，且每個(gè)像素單元包括透光區(qū)域及位于透光區(qū)域外圍的非透光區(qū)域，像素單元進(jìn)一步包括彩色濾光圖案和黑矩陣圖案，其中彩色濾光圖案覆蓋透光區(qū)域，黑矩陣圖案在下方不設(shè)置彩色濾光圖案的情況下直接覆蓋非透光區(qū)域。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明能夠在像素單元的非透光區(qū)域形成較厚的黑矩陣圖案，以避免漏光問(wèn)題，進(jìn)而改善后續(xù)顯示品質(zhì)。
【附圖說(shuō)明】
[0023]圖1是本發(fā)明提供的一種彩膜陣列基板一實(shí)施方式的俯視示意圖；
[0024]圖2是圖1中沿A-A的截面示意圖；
[0025]圖3是圖1中沿B-B的截面示意圖；
[0026]圖4是本發(fā)明提供的一種顯示裝置一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖5是本發(fā)明提供的一種彩膜陣列基板的制造方法一實(shí)施方式的流程示意圖；
[0028]圖6是圖5中每個(gè)步驟對(duì)應(yīng)的制程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]請(qǐng)參閱圖1和圖2，圖1是本發(fā)明提供的一種彩膜陣列基板一實(shí)施方式的俯視示意圖。圖2是圖1中沿A-A的截面示意圖。結(jié)合圖1和圖2所示，該彩膜陣列基板10包括基板11，形成在基板11上的多個(gè)陣列式排布的像素單元12，像素單元12包括透光區(qū)域I及位于透光區(qū)域I外圍的非透光區(qū)域II，像素單元12進(jìn)一步包括彩色濾光圖案121和黑矩陣圖案122，其中彩色濾光圖案121覆蓋透光區(qū)域I，黑矩陣圖案122在下方不設(shè)置彩色濾光圖案121的情況下直接覆蓋非透光區(qū)域II。
[0030]其中，透光區(qū)域I為像素單元12的像素開(kāi)口區(qū)域，用于顯示彩色圖像，非透光區(qū)域
II為設(shè)置驅(qū)動(dòng)透光區(qū)域I的電子元器件的區(qū)域。
[0031]其中，圖1中彩膜陣列基板10在虛線內(nèi)的區(qū)域?yàn)槠滹@示區(qū)域，設(shè)有多個(gè)陣列式排布的像素單元12，在顯示區(qū)域外圍的區(qū)域?yàn)榉秋@示區(qū)域，用于設(shè)置彩膜陣列基板10的驅(qū)動(dòng)電路或與外接驅(qū)動(dòng)電路的布線結(jié)構(gòu)。
[0032]其中，在彩膜陣列基板10中黑矩陣圖案122使用的是有機(jī)光阻材料。
[0033]請(qǐng)繼續(xù)參閱圖1和圖2所示，像素單元12進(jìn)一步包括薄膜晶體管、掃描線圖案123(圖2中未示出)、數(shù)據(jù)線圖案124(圖2中未示出)、第一鈍化層125(圖1中未示出)和像素電極圖案126(圖1中未示出)，薄膜晶體管包括依次設(shè)置在基板11上的柵極圖案127，柵極絕緣層128、半導(dǎo)體圖案129，源極圖案130和漏極圖案131，具體的，第一鈍化層125設(shè)于源極圖案130和漏極圖案131上，柵極圖案127和源極圖案130分別與掃描線圖案123和數(shù)據(jù)線圖案124連接，像素電極圖案126位于第一鈍化層125上部，第一鈍化層125上設(shè)有第一通孔132，薄膜晶體管的漏極圖案131通過(guò)第一通孔132與像素電極圖案126連接，黑矩陣圖案122與薄膜晶體管、掃描線123和數(shù)據(jù)線124對(duì)應(yīng)設(shè)置，且直接接觸第一鈍化層125。
[0034]其中，黑矩陣圖案122與薄膜晶體管、掃描線圖案123和數(shù)據(jù)線圖案124對(duì)應(yīng)設(shè)置是指黑矩陣圖案122能夠鋪滿非透光區(qū)域II，而薄膜晶體管、掃描線圖案123和數(shù)據(jù)線圖案124設(shè)于非透光區(qū)域II中，黑矩陣圖案122能夠遮蓋該區(qū)域使之不能透光。
[0035]可以理解的是，雖然圖2中示例為黑矩陣圖案122設(shè)置在第一鈍化層125上，可選的，黑矩陣圖案22也可設(shè)置在第一鈍化層125與基板11之間。如圖2所示，進(jìn)一步的，像素電極圖案126位于黑矩陣圖案122之上，黑矩陣圖案122在第一通孔132的位置也設(shè)有第二通孔133，用于薄膜晶體管的漏極圖案131通過(guò)第一通孔131、第二通孔132與像素電極圖案126連接。同樣可以理解的是，圖1中掃描線圖案123和數(shù)據(jù)線圖案124可選位于黑矩陣圖案122的上方或下方，但其尺寸小于或等于黑矩陣圖案122。在其他實(shí)施方式中，像素單元12可選還包括公共電極圖案133，該公共電極圖案133與掃描線圖案123和數(shù)據(jù)線圖案124絕緣設(shè)置，用于形成像素單元12中的存儲(chǔ)電容(圖1和圖2中未示出)。
[0036]請(qǐng)繼續(xù)參閱圖2，像素單元12進(jìn)一步包括第二鈍化層134，第二鈍化層134位于黑矩陣圖案122和像素電極圖案126之間，第二鈍化層134上設(shè)有第三通孔135，用于薄膜晶體管的漏極圖案131通過(guò)第一通孔131、所第二通孔132和第三通孔135與像素電極圖案126連接。
[0037]其中，第一鈍化層125、柵極絕緣層128和第二鈍化層134為整面結(jié)構(gòu)，不需要通過(guò)光罩工序進(jìn)行圖案化。
[0038]其中，為了連接像素電極圖案126的需要，可選第一通孔131、第二通孔132和第三通孔135區(qū)域沒(méi)有覆蓋黑矩陣材料。即黑矩陣圖案122在第一通孔131、第二通孔132和第三通孔135區(qū)域無(wú)黑矩陣材料。
[0039]請(qǐng)參閱圖3，圖3是圖1中沿B-B的截面示意圖。結(jié)合圖3和圖1、圖2所示，彩色濾光圖案121在顯示區(qū)域I的第一鈍化層125上，可以理解的是，第一鈍化層125的下方依次是柵極絕緣層128和基板11，第一鈍化層125的上方也設(shè)有像素電極圖案126，進(jìn)一步的，在像素電極圖案126下方與彩色濾光圖案和黑矩陣圖案122之間還設(shè)有第二鈍化層134，彩色濾光圖案121與黑矩陣圖案122間隔設(shè)置(彩色濾光圖案121與黑矩陣圖案122以互補(bǔ)或近似互補(bǔ)的形狀設(shè)置)。在像素單元12的非顯示區(qū)域II內(nèi)，不設(shè)置與顯示區(qū)域I內(nèi)連續(xù)的彩色濾光圖案121，黑矩陣圖案122直接覆蓋整個(gè)非顯示區(qū)域II，在第一通孔131、第二通孔132和第三通孔135區(qū)域(圖3中未示出該三個(gè)通孔區(qū)域下方的漏極圖案131等相關(guān)元件，請(qǐng)參閱圖2所示)等通孔位置處可選不設(shè)置黑矩陣材料，由于在非