保偏光纖的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及保偏光纖。
【背景技術(shù)】
[0002] 以往，保偏光纖用于光傳輸系統(tǒng)等中具有偏振依存性的光設(shè)備彼此的連接等。作 為這種保偏光纖，例如如專利文獻(xiàn)1那樣，在芯的兩側(cè)設(shè)置一對應(yīng)力施加部，利用包覆層將 上述芯以及一對應(yīng)力施加部包圍。
[0003] 然而，近年來，對于由上述光設(shè)備構(gòu)成的模塊等，小型化的要求正在提高，伴隨于 此，要求在模塊中使用的保偏光纖也較小地（以較小的曲率半徑）彎曲來使用。
[0004] 在上述現(xiàn)有的保偏光纖中，通過將芯與包覆層的相對折射率差設(shè)定為較大，能夠 增強光向芯的封閉。由此，即便較小地彎曲保偏光纖，也能夠抑制彎曲損耗變大。另外，在 上述現(xiàn)有的保偏光纖中，通過以接近芯的方式配置一對應(yīng)力施加部，從而即便較小地彎曲 保偏光纖，也能夠抑制偏振串?dāng)_（彎曲偏振串?dāng)_）變大。
[0005] 另外，以往，作為較小地彎曲也能夠抑制彎曲損耗、偏振串?dāng)_的增加的其他光纖， 也存在在芯區(qū)域的周圍形成有多個空孔的保偏型光子晶體光纖（參照非專利文獻(xiàn)1)。
[0006] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開2003-337238號公報
[0007] 非專利文獻(xiàn)1 :除竹永藤宏之外，還有"寬帶保偏光子晶體光纖"藤倉技術(shù)報告， 2005年4月第108號p6-9
[0008] 然而，在專利文獻(xiàn)1的保偏光纖中，存在若將芯與包覆層的相對折射率差設(shè)定為 較大則模場的直徑（模場直徑）變小這一問題。在該情況下，上述保偏光纖、和與其連接的 現(xiàn)有的光纖（單模光纖（SMF)、其他保偏光纖）的模場直徑之差變大，導(dǎo)致上述保偏光纖與 現(xiàn)有的光纖的連接損耗變大。另外，若保偏光纖的模場直徑變小，則該保偏光纖與光設(shè)備的 連接也變得困難。
[0009] 另一方面，若是非專利文獻(xiàn)1的保偏型光子晶體光纖，則能夠?qū)⒛鲋睆皆O(shè)定為 較大并且抑制較小彎曲時的彎曲損耗、偏振串?dāng)_的增加，但是保偏型光子晶體光纖制造困 難，并且也難以廉價地制造。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010] 本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供一種保偏光纖，即便較小彎曲 也能夠抑制彎曲損耗以及偏振串?dāng)_的增加，并且能夠?qū)⒛鲋睆皆O(shè)定為較大，并能夠容易 且廉價地制造。
[0011] 為了解決上述課題，本發(fā)明的保偏光纖具備：芯；空開間隔地配置在該芯的兩側(cè) 的一對應(yīng)力施加部；以及包圍上述芯以及上述一對應(yīng)力施加部的包覆層，上述保偏光纖的 特征在于，上述包覆層具備：配置在上述芯的外周上的第一包覆層；配置在該第一包覆層 的外周上的第二包覆層；以及配置在該第二包覆層的外周上的第三包覆層，上述芯的最大 折射率比上述第一包覆層、上述第二包覆層以及上述第三包覆層的各最大折射率都大，上 述第二包覆層的最大折射率比上述第一包覆層與上述第三包覆層的最大折射率都小，各上 述應(yīng)力施加部的熱膨脹率比上述包覆層的熱膨脹率大，各上述應(yīng)力施加部設(shè)置為在沿著周 向的位置斷開上述第二包覆層。例如，設(shè)置有將上述第二包覆層斷開成兩部分的應(yīng)力施加 部。應(yīng)力施加部配置于上述第三包覆層的一部分內(nèi)以及上述第一包覆層的一部分內(nèi)。
[0012] 在本發(fā)明的保偏光纖中，包覆層通過在第一、第三包覆層之間設(shè)置折射率比它們 小的第二包覆層而構(gòu)成，由此保偏光纖的關(guān)于徑向的折射率的曲線成為具有槽的曲線（溝 型曲線）。
[0013] 在該結(jié)構(gòu)中，能夠?qū)⒛龅闹睆剑鲋睆剑┰O(shè)定為較大。另外，在該結(jié)構(gòu)中，由 于將模場的外緣處的有效折射率與第二包覆層的折射率之差設(shè)定為較大，所以與具有沒有 槽的曲線（單峰型曲線）的光纖比較，能夠?qū)崿F(xiàn)較小彎曲時的彎曲損耗的減少。即，在本實 施方式的保偏光纖中，不用縮小模場直徑就能夠減少較小彎曲時的彎曲損耗。
[0014] 并且，在本發(fā)明的保偏光纖設(shè)置有對芯施加應(yīng)力從而引起雙折射的一對應(yīng)力施加 部。而且，通過以各應(yīng)力施加部至少斷開第二包覆層的程度較窄地設(shè)定一對應(yīng)力施加部的 間隔，能夠抑制較小彎曲時的偏振串?dāng)_（彎曲偏振串?dāng)_）的增加。
[0015] 而且，在上述保偏光纖中，也可以構(gòu)成為，即，上述應(yīng)力施加部也可以設(shè)置為相比 上述第一包覆層與上述第二包覆層的邊界向徑向內(nèi)側(cè)伸出。
[0016] 此時，能夠進一步抑制較小彎曲時的偏振串?dāng)_的增加。
[0017] 另外，在上述保偏光纖中也可以構(gòu)成為，即，當(dāng)將上述芯的半徑設(shè)為rl并且將上 述第一包覆層的外緣的半徑設(shè)為r2時，r2/rl的值為2. 5以上且4. 5以下，以上述第三包 覆層的最大折射率為基準(zhǔn)時的上述芯的相對折射率差為0. 20%以上且0. 70%以下，并且， 當(dāng)將以上述芯的中心為基準(zhǔn)的半徑設(shè)為r，將以上述第三包覆層的最大折射率為基準(zhǔn)的上 述半徑r處的相對折射率差設(shè)為△ n (r)，將上述第二包覆層的內(nèi)緣的半徑設(shè)為r3時，由下 述式（1)表示的上述第二包覆層的折射率體積V為25% ? ym2以上且110% ? ym2以下， 并且，各上述應(yīng)力施加部的直徑為30 y m以上且40 y m以下，上述一對應(yīng)力施加部的間隔為 20 y m以下。
[0018][式2]
[0020] 并且，在上述保偏光纖中，上述第二包覆層的折射率體積V為50% ? ym2以上。
[0021] 另外，也可以構(gòu)成為，即，以上述第三包覆層的最大折射率為基準(zhǔn)時的上述第一包 覆層的相對折射率差為_〇. 10%以上且_〇. 05%以下。
[0022] 也可以構(gòu)成為，即，以上述第三包覆層的最大折射率為基準(zhǔn)時的上述第二包覆層 的相對折射率差為_〇. 60%以上且-0. 20%以下。
[0023] 并且，在上述保偏光纖中，也可以構(gòu)成為，即，截止波長為1. 44 y m以下，在使用波 長1. 55 ym的模場直徑為7. 9 ym以上，以單模傳播至使用波長1. 65 ym為止的波長的光， 并且在直徑l〇mm的心軸卷繞10次并測定了彎曲損耗以及偏振串?dāng)_時獲得的上述述彎曲損 耗的測定值為〇. 〇5dB以下，上述偏振串?dāng)_的測定值為-30dB以下。
[0024] 另外，在上述保偏光纖中也可以構(gòu)成為，S卩，截止波長為1. 30ym以下，以單模傳 播使用波長1.31 ym的光，在使用波長1.31 ym的模場直徑為6.6 ym以上，并且在直徑 10mm的心軸卷繞10次并測定了彎曲損耗以及偏振串?dāng)_時獲得的上述述彎曲損耗的測定值 為0. 05dB以下，上述偏振串?dāng)_的測定值為-30dB以下。
[0025] 并且，在上述保偏光纖中也可以構(gòu)成為，即，截止波長為0.97 ym以下，以單模傳 播使用波長〇. 98 ym的光，在使用波長0. 98 ym的模場直徑為4. 7 ym以上，并且在直徑 10mm的心軸卷繞10次并測定了彎曲損耗以及偏振串?dāng)_時獲得的上述述彎曲損耗的測定值 為0. 05dB以下，上述偏振串?dāng)_的測定值為-30dB以下。
[0026] 另外，在上述保偏光纖中也可以構(gòu)成為，即，截止波長為0.84 ym以下，以單模傳 播使用波長〇. 85 ym的光，在使用波長0. 85 ym的模場直徑為3. 9 ym以上，并且在直徑 10mm的心軸卷繞10次并測定了彎曲損耗以及偏振串?dāng)_時獲得的上述述彎曲損耗的測定值 為0. 05dB以下，上述偏振串?dāng)_的測定值為-30dB以下。
[0027] 根據(jù)本發(fā)明，能夠提供即便較小彎曲也能夠抑制彎曲損耗以及偏振串?dāng)_的增加并 且能夠?qū)⒛鲋睆皆O(shè)定為較大的保偏光纖。
[0028] 另外，通過將模場直徑設(shè)定為較大，能夠?qū)⑴c現(xiàn)有的光纖的連接損耗抑制為較小。 并且，能夠提供相比保偏型光子晶體光纖能夠容易并且廉價地進行制造的保偏光纖。
【附圖說明】
[0029] 圖1是表示本發(fā)明的一個實施方式的保偏光纖的簡要剖視圖。