一種掩膜裝置、曝光裝置及曝光方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種掩膜裝置、曝光裝置及曝光方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著液晶顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，液晶顯示裝置的應(yīng)用越來越廣泛。
[0003]目前，液晶顯示裝置的制作工藝主要包括涂布、曝光及顯影三個過程。如圖1所示，為現(xiàn)有的曝光裝置I的結(jié)構(gòu)示意圖。待曝光基板10承載在曝光臺11上，掩膜板(英文:mask) 12通過真空吸附在掩膜承載體13上。在使用現(xiàn)有的曝光裝置I曝光過程中，一般保持掩膜板12和位于掩膜承載體13正上方的曝光光源14固定不動，通過移動曝光臺11對待曝光基板10曝光。
[0004]然而，由于曝光間隙(掩膜板12的下表面與待曝光基板10的上表面之間的間隙)通常都非常小，且掩膜板12吸附在掩膜承載體13下部時由于受到重力會產(chǎn)生下垂，因此，若待曝光基板10表面存在異物，則在曝光過程中，該異物可能會劃傷掩膜板12，導(dǎo)致掩膜板12報廢，從而增加了液晶顯示裝置的生產(chǎn)成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種掩膜裝置、曝光裝置及曝光方法，能夠在曝光過程中大大降低掩膜板被劃傷的幾率，從而保護(hù)掩膜板，進(jìn)而降低液晶顯示裝置的生產(chǎn)成本。
[0006]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0007]—種掩膜裝置，所述掩膜裝置包括掩膜承載體，以及設(shè)置于所述掩膜承載體的下表面的掩膜板，所述掩膜裝置還包括:
[0008]設(shè)置于所述掩膜承載體上的至少一個保護(hù)單元，其中，在曝光過程中，所述保護(hù)單元的下端低于所述掩膜板的下表面。
[0009]可選的，每個所述保護(hù)單元包括升降體和用于控制所述升降體在垂直方向上升降的控制模塊。
[0010]可選的，所述控制模塊包括與所述升降體連接的馬達(dá)，
[0011]所述馬達(dá)，用于控制所述升降體在垂直方向上升降。
[0012]可選的，所述控制模塊還包括與所述升降體連接的光電感應(yīng)器，
[0013]所述光電感應(yīng)器，用于檢測所述光電感應(yīng)器與待曝光基板的上表面之間的間隙，所述光電感應(yīng)器與所述待曝光基板的上表面之間的間隙用于計算所述升降體的下端與所述待曝光基板的上表面之間的間隙，以使得所述升降體的下端低于所述掩膜板的下表面，所述升降體的下端為所述保護(hù)單元的下端。
[0014]可選的，所述掩膜承載體上設(shè)置有開口，所述保護(hù)單元設(shè)置于所述開口內(nèi)，所述馬達(dá)固定在所述開口的內(nèi)壁上。
[0015]可選的，所述控制模塊中的馬達(dá)的數(shù)量為兩個，兩個馬達(dá)分別設(shè)置于所述升降體的兩端。
[0016]可選的，所述升降體包括載體和設(shè)置于所述載體的下表面的凸起，
[0017]所述控制模塊中的光電感應(yīng)器的數(shù)量為兩個，兩個光電感應(yīng)器分別設(shè)置于所述載體的下表面，并且設(shè)置在所述凸起的兩端。
[0018]可選的，所述凸起在第一方向上的長度大于等于所述掩膜板在所述第一方向上的長度，其中，所述第一方向?yàn)樗鰞蓚€光電感應(yīng)器之間連線的方向。
[0019]可選的，所述凸起的形狀為楔形。
[0020]一種曝光裝置，包括具有以上特征的掩膜裝置和用于承載待曝光基板的曝光臺。
[0021]可選的，所述曝光裝置還包括控制系統(tǒng)、升降體，以及與所述控制系統(tǒng)和所述升降體均連接的馬達(dá)和光電感應(yīng)器，
[0022]所述控制系統(tǒng)，用于根據(jù)所述光電感應(yīng)器檢測到的所述光電感應(yīng)器與所述待曝光基板的上表面之間的間隙，和預(yù)設(shè)的所述光電感應(yīng)器與所述升降體的下端之間的間隙，計算所述升降體的下端與所述待曝光基板的上表面之間的間隙；且若所述升降體的下端與所述待曝光基板的上表面之間的間隙小于等于0，則驅(qū)動所述馬達(dá)在垂直方向上調(diào)節(jié)所述升降體，直至所述升降體的下端與所述待曝光基板的上表面之間的間隙大于O。
[0023]可選的，所述控制系統(tǒng)，還用于計算掩膜板的最大下垂量；并根據(jù)預(yù)設(shè)的曝光間隙和所述掩膜板的最大下垂量，計算所述掩膜板的下表面與所述待曝光基板的上表面之間的間隙；若所述升降體的下端與所述待曝光基板的上表面之間的間隙大于等于所述掩膜板的下表面與所述待曝光基板的上表面之間的間隙，則驅(qū)動所述馬達(dá)在垂直方向上調(diào)節(jié)所述升降體，直至所述升降體的下端與所述待曝光基板的上表面之間的間隙小于所述掩膜板的下表面與所述待曝光基板的上表面之間的間隙。
[0024]一種利用具有上述特征的曝光裝置進(jìn)行曝光的方法，包括:
[0025]在垂直方向上，移動曝光臺至與預(yù)設(shè)的曝光間隙對應(yīng)的位置，其中，保護(hù)單元的下端低于掩膜板的下表面；
[0026]依次在水平方向上，移動所述曝光臺，以使得所述曝光臺上承載的待曝光基板的多個待曝光區(qū)域依次被移動到所述掩膜板的下方曝光。
[0027]可選的，所述方法還包括:
[0028]檢測所述光電感應(yīng)器與所述待曝光基板的上表面之間的間隙；
[0029]根據(jù)所述光電感應(yīng)器與所述待曝光基板的上表面之間的間隙，和預(yù)設(shè)的所述光電感應(yīng)器與所述升降體的下端之間的間隙，計算所述升降體的下端與所述待曝光基板的上表面之間的間隙；
[0030]若所述升降體的下端與所述待曝光基板的上表面之間的間隙小于等于0，則驅(qū)動所述馬達(dá)在垂直方向上調(diào)節(jié)所述升降體，直至所述升降體的下端與所述待曝光基板的上表面之間的間隙大于O。
[0031]可選的，所述方法還包括:
[0032]計算所述掩膜板的最大下垂量；
[0033]根據(jù)所述曝光間隙和所述掩膜板的最大下垂量，計算所述掩膜板的下表面與所述待曝光基板的上表面之間的間隙；
[0034]若所述升降體的下端與所述待曝光基板的上表面之間的間隙大于等于所述掩膜板的下表面與所述待曝光基板的上表面之間的間隙，則驅(qū)動所述馬達(dá)在垂直方向上調(diào)節(jié)所述升降體，直至所述升降體的下端與所述待曝光基板的上表面之間的間隙小于所述掩膜板的下表面與所述待曝光基板的上表面之間的間隙。
[0035]本發(fā)明提供一種掩膜裝置、曝光裝置及曝光方法，該掩膜裝置包括掩膜承載體、設(shè)置于掩膜承載體的下表面的掩膜板，以及設(shè)置于掩膜承載體上的至少一個保護(hù)單元，其中，在曝光過程中，保護(hù)單元的下端低于掩膜板的下表面。通過該方案，由于在掩膜承載體上設(shè)置了保護(hù)單元，且保護(hù)單元的下端低于掩膜板的下表面，也即保護(hù)單元的下端比掩膜板的下表面的任一點(diǎn)都低，因此，在曝光過程中，若待曝光基板上有異物，那么該保護(hù)單元的下端可能會對該異物起到阻擋作用，使得該異物接觸不到掩膜板，從而在曝光過程中可以大大降低掩膜板被待曝光基板上的異物劃傷的幾率，進(jìn)而保護(hù)掩膜板，降低液晶顯示裝置的生產(chǎn)成本。
【附圖說明】
[0036]圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的曝光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的保護(hù)單元的剖視示意圖；
[0039]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的保護(hù)單元的另一剖視示意圖；
[0040]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的保護(hù)單元的設(shè)置結(jié)構(gòu)的局部放大示意圖；
[0041]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的保護(hù)單元的設(shè)置結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0042]圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜裝置的仰視示意圖；
[0043]圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的升降體的放大示意圖；
[0044]圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的曝光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0045]圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的曝光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖二 ；
[0046]圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜板設(shè)置的局部放大示意圖；
[0047]圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的曝光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖三；
[0048]圖13為本發(fā)明實(shí)施例提供的曝光方法的流程圖一；
[0049]圖14為現(xiàn)有技術(shù)曝光過程的示意圖與本發(fā)明實(shí)施例的曝光過程的示意圖的對比圖。
【具體實(shí)施方式】
[0050]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜裝置、曝光裝置及曝光方法進(jìn)行詳細(xì)地描述。
[0051]需要說明的是，為清楚地描述本發(fā)明所要保護(hù)的結(jié)構(gòu)，故與本發(fā)明不相關(guān)的結(jié)構(gòu)在各實(shí)施例及附圖中做簡化或省略處理，并且在各實(shí)施例及附圖中做簡化或省略處理的結(jié)構(gòu)都是本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動的前提下容易得到的，故在本實(shí)施例中不再贅述。
[0052]需要說明的是:本發(fā)明下述實(shí)施例中的“上”、“下”只是參考附圖對本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行說明，不作為限定用語。
[0053]進(jìn)一步地，本發(fā)明實(shí)施例中的“上”、“下”均是按照曝光方向，即曝光光源的光線照射方向定義的，曝光光源發(fā)出的光線，沿著光線的方向，先經(jīng)過的為“上”，后經(jīng)過的為“下”。例如，曝光光源發(fā)出的光線，進(jìn)入掩膜板的表面稱為掩膜板的上表面，光線從掩膜板射出的表面稱為掩膜板的下表面。
[0054]如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例提供一種掩膜裝置2，所述掩膜裝置2可以包括掩膜承載體20，以及設(shè)置于所述掩膜承載體20的下表面的掩膜板21，所述掩膜裝置2還可以包括設(shè)置于所述掩膜承載體20上的至少一個保護(hù)單元22，其中，在曝光過程中，所述保護(hù)單元22的下端223低于所述掩膜板21的下表面210。
[0055]本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜裝置，通過在掩膜承載體上設(shè)置保護(hù)單元，且保護(hù)單