專利名稱：具有寬視角的液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有寬視角的液晶顯示器，更具體地說，涉及一種通過在電極中形成小孔圖案的方法，實(shí)現(xiàn)擴(kuò)大視角的液晶顯示器。
典型地，液晶顯示器(LCDs)包含兩個基底，和插入兩個基底之間的液晶層。光線的透射率是由施加到液晶層上的電場強(qiáng)度所控制。
其中，在垂直排列(vertically aligned；VA)型的液晶顯示器中，液晶分子呈類回歸線取向，其中分子的長軸垂直于基底。這種結(jié)構(gòu)在沒有向液晶層施加電場的狀態(tài)下可完全遮斷光線的透過，幾乎完全處于“關(guān)”狀態(tài)。在正常黑模式(normally black mode)中，因?yàn)樵陉P(guān)閉(off)狀態(tài)時的明亮度相當(dāng)?shù)停耘c傳統(tǒng)的扭曲向列液晶顯示器相比，可獲得更高的反差比。但是，在“on”狀態(tài)，當(dāng)一定值以上的電場施加在電極之間時，因液晶分子的傾斜方向不規(guī)則，使上部或下部偏振膜的偏振方向與液晶分子的長軸方向相一致。這種現(xiàn)象發(fā)生時，液晶分子不能旋轉(zhuǎn)光的偏振方向。所以光線便被偏振膜全部遮斷掉。LCD的這些部分會顯出黑色，使得影像品質(zhì)降低。為了解決這種問題，已經(jīng)提出了許多使電極圖案化的方法。在美國專利5,136,407中，Clere提出，在基底的電極上形成線形開口的方法。在美國專利5,309,264中，Lien提出，在一側(cè)基底的透明電極上形成“X”字形開口的方法。
但是，為了維持像素的儲存電容，有時也利用存儲線或柵極線，當(dāng)利用柵極線時，因柵極線上施加有一定的電壓，所以在柵極上部的像素電極上形成的開口會在柵極線與公共電極之間形成電場，且通過移動液晶材料，會發(fā)生漏光的問題。因此，電極開口的設(shè)計(jì)會受到限制，從而很難設(shè)計(jì)出具有大的對齊邊(align margin)的電極圖案。另外，在環(huán)形柵極結(jié)構(gòu)中，因像素電極與數(shù)據(jù)線或柵極線發(fā)生短路，不僅會造成像素總是停留在白狀態(tài)的高像素缺陷(high pixel defect)，而且還很難修復(fù)。另外，在形成有柵極線的部分，因光線無法透過，所以開口率也低。
本發(fā)明為了解決上述諸問題而提出。
本發(fā)明的目的在于提供允許較大像素對準(zhǔn)的邊的電極圖案設(shè)計(jì)。
本發(fā)明的另一目的是提供一種可修復(fù)高像素缺陷的方法。
本發(fā)明的另一目的是增加開口率。
根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器包括第一柵極板，形成于下基底上；第一存儲線，形成于下基底上；數(shù)據(jù)線，形成于下基底上，并與第一柵極線以及第一存儲線上絕緣交叉；像素電極，形成于下基底上，與第一存儲線以絕緣交叉；公共電極，形成于上基底上，以一開口將像素電極分成若于段。
在此，像素電極的外邊緣凸凹不平，形成于公共電極的開口形狀取決于本發(fā)明。
存儲線可由存儲電極和/或覆蓋圖案以增加存儲電容。
覆蓋圖案可覆蓋相鄰的像素電極或數(shù)據(jù)線，或是僅在像素電極和數(shù)據(jù)線的周圍，在它們之間保持均勻的距離。
下面結(jié)合附圖描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。附圖中

圖1A是表示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的液晶顯示器下基底的部分平面圖；圖1B是表示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例，形成于液晶顯示器上基底的開口的部分平面圖；圖1C是表示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的液晶顯示器的部分平面圖；圖2至圖9是分別表示根據(jù)本發(fā)明第二至第九實(shí)施例的液晶顯示器的部分平面圖。
下面參照附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例做詳細(xì)說明。本發(fā)明可以有許多不同的形式，并不局限于這里提出的實(shí)施例。在圖中，對層的厚度和區(qū)域進(jìn)行放大以便更清淅。全文中類似數(shù)字表示類似的元件。應(yīng)該理解的是當(dāng)元件，如層，區(qū)域或基底指定是“在”另一元件上，可能是它直接在另一元件上，也可能存在居中的元件。不同的是，當(dāng)一個元件指定是“直接在”另一元件上，就沒有居中的元件了。
圖1A、1B、1C分別表示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的液晶顯示器下基底的部分平面圖、形成于液晶顯示器上基底的公共電極上的開口的示意圖和裝配狀態(tài)中的兩個基底的部分平面圖，假定出現(xiàn)在圖中的提供于基底的整個表面上，而不只是示于圖中的一個或兩個。
如圖1A所示，在下基底上具有單向延伸的柵極線11和存儲線12。存儲電極121垂直于柵極線11和存儲線12，存儲電極121是存儲線12的分支。存儲電極121具有突出部124，它們從存儲電極121沿與存儲電極121縱軸相反的方向向外形成。相鄰的突出124之間有均勻的距離。盡管存儲線12一般具有與形成于基底上的公共電極相同的電壓，但也可具有另一電壓。而且當(dāng)只用存儲線12也能確保充足的存儲電容時，也可以不形成存儲電極121。柵極線11，存儲線12及存儲電極121，最好是通過光刻技術(shù)在下基底上一次形成。
與柵極線11及存儲線12絕緣的數(shù)據(jù)線13，垂直柵極線11和存儲線12形成。在由相鄰的兩條柵極線11與數(shù)據(jù)線13所定義的像素區(qū)域內(nèi)，布置有與多個與存儲電極121絕緣的像素電極14，像素電極14基本上是帶圓角的方形。存儲電極121的縱軸穿過像素電極14的中央。存儲電極121的突出部124位于各方形像素電極14的中心。對于穿透型液晶顯示器，像素電極14可以用ITO(indium tin oxide)(氧化銦錫)形成，對于反射型液晶顯示器，像素電極14可以用鋁(Al)形成。
在數(shù)據(jù)線13之間的柵極線11上，形成有柵極線補(bǔ)助圖案18，柵極線補(bǔ)助圖案18在柵極線11斷開的情況下，用于修補(bǔ)柵極線11。如果一個柵極發(fā)生斷開時，可使用激光(laser)使斷開的兩端與柵極線補(bǔ)助圖案18進(jìn)行短路連接。也可以在把柵極線補(bǔ)助圖案18的兩端預(yù)連接到柵極線11后，將柵極線補(bǔ)助圖案18提供于LCD中。柵極線補(bǔ)助圖案18可以在相同層上形成，并且使用與數(shù)據(jù)線13或像素電極14相同的材料。
圖1B顯示形成于上基底的公共電極上的開口部圖案15。開口部圖案15具有連接交叉的十字形狀16，它們在孔15的兩側(cè)以與孔15的縱軸相反的方向向外延伸。形狀16延伸一預(yù)定的距離，越向形狀16的末端越窄，在末端處形成一點(diǎn)。以這種形狀形成開口部圖案15，是為了使開口部圖案15的周邊更平滑，因?yàn)檫@種平滑的周邊會使液晶分子的排列更均勻，從而使液晶分子的反應(yīng)更快。這也是像素電極14形成有圓邊的原因。所以，無論像素電極14與開口部圖案15采用什么樣的形狀，像素電極14與開口部圖案15的周邊最好是直線或帶有鈍角的曲線。
圖1C顯示裝配時的上基底及下基底。裝配時，存儲線12與開口部圖案15的一個形狀16的縱軸重疊。剩余的形狀16與存儲電極121的突出124重疊，使形狀16的中心與突出124的中心相對齊。因此，把方形的像素電極14分割成四個片段。此時，像素電極14的外邊緣和由開口部圖案15所分割的像素電極14的區(qū)域，最好是成封閉回路，從而在每個像素電極14中形成多個段。另外，由孔15的形狀16確定的像素電極14的一段中的液晶分子的長軸與像素電極14相鄰段的液晶分子的長軸成90°。如果像素電極14形成為完美的方形，且偏振膜垂直排列，從上看，像素電極14每段內(nèi)的液晶分子的長軸與偏振膜的光軸成45°。因此，可以得到較寬的視角。
如上所述，由于存儲電極121連接到存儲線12上，可向存儲電極121施加公共電壓。因此存儲電極121與公共電極之間不產(chǎn)生電場，所以即使在存儲電極121上部形成開口部，也不會發(fā)生漏光現(xiàn)象。
另外，因沒有柵極環(huán)，所以大幅降低對形成圖案的限制。因此，如上所述，有可能在上基底的公共電極上形成具有多個形狀16的孔15，而且可以形成多個相連接的具有圓邊的方形像素電極。所以，增加了形成開口部圖案15的光蝕刻工序的誤差限度。此外，形成為閉環(huán)的像素電極14的各段的周邊減少了不均勻的結(jié)構(gòu)(其中，液晶分子的排列不均勻)。另外，由于開口部圖案15可形成得足夠大，在完全將像素電極14分割成段后，還剩余一定長度，所以，雖然組裝下基底與上基底時發(fā)生不對齊的情形，但因像素電極14各分段邊緣仍然形成封閉回路，所以增加了排列誤差限度。
另外，沿著過去因形成的電場強(qiáng)度微弱，所以圖像顯示暗部分的開口部圖案15，形成了存儲電極121，從而最大限度地降低了為確保儲存電壓而減少開口率情況。
最后，可將明像素缺陷轉(zhuǎn)化成暗像素缺陷，利用激光融化工序?qū)l(fā)生缺陷的像素電極14與存儲線12短路。接著，用激光融化工序切斷與柵極11或數(shù)據(jù)線13短路的部分，使其轉(zhuǎn)變成比明像素缺陷的負(fù)作用小的暗像素缺陷(off pixel defect)。
圖2是表示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的LCD的平面圖。
在第二實(shí)施例中，增加了與存儲線12相連接的第一覆蓋圖案122及第二覆蓋圖案123。這些覆蓋圖案最好與柵極線和存儲線同時用相同的材料制成。第一覆蓋圖案122和第二覆蓋圖案123最好是以與數(shù)據(jù)線13相同方向覆蓋像素電極14和數(shù)據(jù)線13。第一覆蓋圖案122和第二覆蓋圖案123在與柵極線11接觸前結(jié)束。第一覆蓋圖案122和第二覆蓋圖案123與數(shù)據(jù)線13的一部分重疊，以增加形成于覆蓋圖案122和123和數(shù)據(jù)線13之間的電容。
第一覆蓋圖案122及第二覆蓋圖案123降低數(shù)據(jù)線13與公共電極之間的電場，從而防止液晶分子受到該電場的影響，同時，第一覆蓋圖案122和第二覆蓋圖案123扮演一種遮光膜(black matrix)作用，從而最大限度地減少漏光。另外，第一覆蓋圖案122及第二覆蓋圖案123會增加存儲電容。
圖3是表示根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的LCD的部分平面圖。
第三實(shí)施例與第二實(shí)施基本相同，只是除去了存儲電極121。
當(dāng)只以存儲線及第一覆蓋圖案122和第二覆蓋圖案123能夠確保充足的儲存電容時，可以不形成存儲電極121，從而可增加開口率。
圖4是表示根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的LCD的部分平面圖。
第四實(shí)施例與第二實(shí)施例基本相同，只是形成第一覆蓋圖案122及第二覆蓋圖案123時，沒有與像素電極14的任何部分重疊。
這是為了在形成第一覆蓋圖案122和第二覆蓋圖案123的照像(photoshot)及形成像素電極14的照像時，即使產(chǎn)生整列誤差，也使儲存電容不發(fā)生大幅度的變化，從而防止針(stitch)狀缺陷。
圖5是表示根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的LCD的上下基底的平視圖。
第五實(shí)施例與第四實(shí)施例基本相同，只是第一覆蓋圖案122和第二覆蓋圖案123的周邊是彎曲的，以響應(yīng)像素電極14的周邊的曲線。從而保持了第一覆蓋圖案122和第二覆蓋圖案123平共與像素電極14之間的均勻間距。
這使得第一覆蓋圖案122和第二覆蓋圖案123與像素電極14之間產(chǎn)生的電場均勻分布。從而使該均勻電場對由像素電極14與公共電極之間產(chǎn)生的電場產(chǎn)生影響，對稱地作用在每個由開口部圖15所確定的像素電極14的所有段上。
圖6是表示根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的LCD的部分平面圖。
第六實(shí)施例與第一實(shí)施例相比，進(jìn)一步包括一第二存儲線16，形成存儲電極121上，第二存儲線形成于一個突出124的位置中，與第一存儲線12平行。第二存儲線16與第一存儲線12形成于同一層上。存儲線12和16的數(shù)目，根據(jù)需要可進(jìn)一步增加。第二存儲線是作為故障保護(hù)提供的。
這樣，即使存儲線12、16中的一個斷開，這種結(jié)構(gòu)使LCD也能正常啟動。
圖7是表示依據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的LCD的部分平面圖。
第一柵極線71和第二柵極76形成于基底上，柵極線71，76通過連接器77連接。此時，為了防止開口率的減小，第二柵極線76最好是與形成于上基底的公共電極中的開口部圖案15重疊。存儲線72平行于柵極線71和76，且與開口部圖案15相重疊。其它LCD的元件與圖1C中的第一實(shí)施例中的相同。
其中，儲存電容是利用第二柵極線76得到的，而存儲線72是用以修復(fù)明像素缺陷的。
圖8是表示根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的LCD的部分平面圖。
在第八實(shí)施例中，有一像素電極84，它具有第一孔841。第一孔841形成連接交叉的十字形，排列成一條線，具越離開每個交叉的中心，寬度越窄。并且，側(cè)邊的中心處被切斷，離側(cè)邊中心越近其寬度變得越窄的方形環(huán)的第二開口部圖案85，形成于公共電極上。其它元件在結(jié)構(gòu)上與第一實(shí)施例所描述的相同，第一和第二覆蓋圖案122和123與第四實(shí)施例相同。
這樣，可在原來因第一開口部圖案841而顯示暗的區(qū)域中，形成存儲電極121。并形成存儲電容，從而最大限度地降低開口率的下降，同時，通過覆蓋圖案122和123降低數(shù)據(jù)線13與公共電極之間產(chǎn)生的電場，使液晶分子免受該電場的影響，覆蓋圖案122和123同時起到一種遮光膜的作用，從而使光泄漏最少。而且，覆蓋圖案122和123增加了存儲電容。
同時，通過存儲電極121與第一存儲線12相連接的第二存儲線(未圖示)與第一存儲線并行形成于同一層上。另外，第一及第二開口部圖案841，85可以形成其它形狀。
圖9是表示根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例的LCD的部分平面圖。
柵極線11，數(shù)據(jù)線13及柵極線補(bǔ)助圖案18與第一實(shí)施例具有相同的結(jié)構(gòu)。但是，像素電極94和公共電極的開口部圖案的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例不同，存儲線也與第一實(shí)施例的存儲線12不同。
穿過像素電極94，從像素電極94左邊界，以斜線方向?qū)⒔由斓狡溆疫吔绲牡谝患暗诙禄组_口部951，952，關(guān)于像素電極的中心對稱形成。第三下基底開口部96從右邊界水平延伸到像素電極94中一預(yù)定距離。第一及第二下基底開口部951，952，從左側(cè)邊越向右側(cè)邊，其間距越大。存儲線92形成于與柵極線11相同的層上，并與像素電極94相重疊。此時，存儲線92不是直的，而是有一定的角度，并具有分支921。
在公共電極上，形成有以斜線方向伸展，并上下對稱的第一和第二上基底開口部97，98，以及中間被折的第三上基底開口部99。第三開口部99與第一及第二開口部97，98以等距離相對。在第一及第二上基底開口部97，98上，分別有沿垂直方向(圖9)伸展的分支開口部971，981。在第三上基底開口部99上有從兩端部分別沿垂直方向伸展的兩個垂直分支開口部991，以及在中間沿水平方向突出的分支開口部992。此時，垂直開口部971，981，991，在像素電極94的周邊上。
在整列上下基底的狀態(tài)下，像素電極的開口部圖案951，952，96與公共電極的開口部圖案97，98，99，971，981，991，992相互交替排列。存儲線92與第三上基底開口部99相重疊，分支電極921也與第三上基底開口部99相重疊。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的LCD增加了上下基底的排列誤差限度及增加開口率。并且可修復(fù)明像素缺陷。另外，也可以防止因數(shù)據(jù)線電壓所引起的漏光現(xiàn)象。
在附圖和說明中，已披露了本發(fā)明的典型實(shí)施例。盡管包含了具體的項(xiàng)，它們僅用于描述而非限制性的，本發(fā)明的范疇由以下權(quán)利要求書提出。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器，其中，在沒有施加電場的狀態(tài)下，液晶分子的長軸與上述基底成垂直排列，該液晶顯示器包括一第一柵極線，其形成于一下基底上；一第一存儲線，其形成于上述下基底上；一數(shù)據(jù)線，形成于上述下基底上，與上述第一柵極線絕緣交叉；一像素電極，形成于上述下基底上，與上述第一存儲線絕緣交叉；和一公共電極，形成于一上基底上，并具有把上述像素電極分割成多個段的開口部圖案。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，上述像素電極的外邊緣部分為高低不平的。
3.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，其中，上述開口部圖案的外邊緣與上述像素電極的邊緣線被折或彎曲成鈍的。
4.如權(quán)利要求3所述的液晶顯示器，其中，被上述開口部圖案分割的上述像素電極的各段形成閉合回路。
5.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，其中，上述像素電極的高低不平的外邊緣為水平對稱，而且上述公共電極的開口部圖案對像素電極做對稱性分割。
6.如權(quán)利要求5所述的液晶顯示器，其中，進(jìn)一步包含一存儲電極，它連接到第一存儲線上，并與開口部圖案相重疊。
7.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示器，其中，上述開口部圖案還包括多個形狀，沿與開口部圖案相反的方向延伸，在其末端逐漸變窄成為一點(diǎn)，且沿開口部圖案的長度方向以均勻間隔放置。
8.如權(quán)利要求7所述的液晶顯示器，其中，上述存儲電極進(jìn)一步包括突出，它以與存儲電極縱軸相反的方向延伸，突出的中心對應(yīng)于孔圖案的形狀的中心。
9.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示器，其中，進(jìn)一步包含一第二柵極線，與第一柵極線平行形成于同一層上，并與存儲電極短路交叉。
10.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示器，其中，進(jìn)一步包含一柵極線補(bǔ)助圖案，其形成于上述相鄰兩數(shù)據(jù)線之間的第一柵極線的上部。
11.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，進(jìn)一步包含一柵極線補(bǔ)助圖案，其形成于上述相鄰兩數(shù)據(jù)線之間的第一柵極線的上部。
12.如權(quán)利要求11所述的液晶顯示器，其中，上述柵極線補(bǔ)助圖案形成于數(shù)據(jù)線所在的層上，并由與數(shù)據(jù)線相同的材料所構(gòu)成。
13.如權(quán)利要求11所述的液晶顯示器，其中，上述柵極線補(bǔ)助圖案形成于像素電極所在的薄層上，并由與像素電極相同的材料所構(gòu)成。
14.如權(quán)利要求11所述的液晶顯示器，其中，上述柵極線補(bǔ)助圖案的兩端，通過接觸口與第一柵極線連接。
15.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，進(jìn)一步包含一第一及第二覆蓋圖案，是第一存儲線的分支。
16.如權(quán)利要求15所述的液晶顯示器，其中，上述第一及第二覆蓋圖案局部地與像素電極和數(shù)據(jù)線相重疊。
17.如權(quán)利要求15所述的液晶顯示器，其中，上述第一及第二覆蓋圖案僅與數(shù)據(jù)線局部相重疊。
18.如權(quán)利要求15所述的液晶顯示器，其中，上述第一及第二覆蓋圖案的外周邊，沿著像素電極的外邊緣而形成凹凸?fàn)?，以在上述覆蓋圖案和像素電極和數(shù)據(jù)線之間保持均勻的間隔。
19.如權(quán)利要求15所述的液晶顯示器，其中，進(jìn)一步包含一柵極線補(bǔ)助圖案，其形成于上述相鄰兩數(shù)據(jù)線之間的第一柵極線的上部。
20.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，進(jìn)一步包括，與上述第一柵極線并排形成，且一部分與上述像素電極相重疊的第二柵極線，以及用以連接第一及第二柵極線的連接器。
21.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，上述像素電極是用ITO(氧化銦錫)形成。
22.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，在上述存儲線上，施加與上述公共電極相同的電壓。
23.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，上述第一存儲線與開口部圖案重疊。
24.如權(quán)利要求23所述的液晶顯示器，其中，進(jìn)一步包含一存儲電極，其為第一存儲線的分支，并與上述開口部圖案重疊。
25.一種液晶顯示器，當(dāng)不施加電場時，液晶分子的長軸設(shè)置成與一基底垂直，該液晶顯示器包括一第一柵極線，其形成于一下基底上；一第一存儲線，其形成于上述下基底上；一數(shù)據(jù)線，形成于上述下基底上，其與上述第一柵極線絕緣交叉；一像素電極，形成于上述下基底上，其與上述第一存儲線絕緣交叉，并具有一第一開口部圖案；及一公共電極，其形成于上基底上。
26.如權(quán)利要求25所述的液晶顯示器，其中，上述公共電極上形成有第二開口部圖案，上述第一開口部圖案與第二開口部圖案交替排列，并且上述第一開口部圖案的邊緣與第二開口部圖案邊緣相鄰接。
27.如權(quán)利要求26所述的液晶顯示器，其中，上述第二開口部圖案為方環(huán)狀，上述第一開口部圖案，在上述第二圖案相面對的兩邊之間，以離中心越遠(yuǎn)，其寬度越窄的多個十字形交叉以直線排列的形狀形成。
28.如權(quán)利要求25所述的液晶顯示器，其中，進(jìn)一步包含一存儲電極，其為上述第一存儲線的分支，并與上述第一開口部圖案相重疊。
29.如權(quán)利要求28所述的液晶顯示器，其中，上述存儲電極進(jìn)一步包括，具有與每個第一開口部圖案的十字形中心相重疊部分的中心的突出部。
30.如權(quán)利要求25所述的液晶顯示器，其中，進(jìn)一步包含一第二存儲線，其并排形成于上述第一存儲線所在的層上，并與上述存儲電極短路交叉。
31.如權(quán)利要求25所述的液晶顯示器，其中，進(jìn)一步包含一柵極線補(bǔ)助圖案，其形成于上述相鄰的兩個數(shù)據(jù)線之間的第一柵極線的上部。
32.如權(quán)利要求26所述的液晶顯示器，其中，上述第一存儲線與上述第一或第二開口部圖案部分重疊。
33.如權(quán)利要求26所述的液晶顯示器，其中，進(jìn)一步包含一存儲電極，其為上述第一存儲線的分支，并有一部分與第一或第二開口部圖案重疊。
34.如權(quán)利要求25所述的液晶顯示器，其中，上述第一開口部圖案包括一第一及第二下基底開口部，其從上述像素電極的第一邊向第二邊斜向伸展，并相互對稱，及一第三下部板基開口部，其從上述第二邊向上述第一邊伸展；其中，上述公共電極上形成有第二開口部圖案，該第二開口部圖案包括一以斜向伸展，且相互對稱的第一及第二上基底開口部和中間被折，并且與上述第一及第二上基底的開口部等距離相對的第三上基底開口部；其中，上述第一開口部圖案與上述第二開口部圖案為交替排列；和其中，上述第一存儲線與上述第二開口部圖案至少有一部分相重疊。
35.如權(quán)利要求34所述的液晶顯示器，其中進(jìn)一步包括，與上述第二開口部圖案相重疊的分支電極，并且上述分支電極與上述第一存儲線相連接。
36.如權(quán)利要求34所述的液晶顯示器，其中，上述第二開口部圖案包括，與上述像素電極的邊相重疊的分支開口部。
全文摘要
一種垂直排列型液晶顯示器。在下基底上并行形成了柵極線和存儲線,以及作為存儲線分支形成的存儲電極和覆蓋圖案。存儲電極與在上基底上的公共電極上形成的開口部圖案相重疊。覆蓋圖案位于像素電極與數(shù)據(jù)線之間,以防止漏光。這樣就可增加上基底和下基底的誤差限度及增加開口率,并且可修復(fù)明像素缺陷。另外,還可防止因數(shù)據(jù)線電壓所引起的漏光。
文檔編號G02F1/1333GK1252532SQ99121349
公開日2000年5月10日 申請日期1999年10月13日 優(yōu)先權(quán)日1998年10月13日
發(fā)明者金京賢, 李癸憲, 樸乘范, 宋長根 申請人:三星電子株式會社