專利名稱：有源矩陣型液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有源矩陣型液晶顯示器，具體來說，涉及一種比常規(guī)的液晶顯示器消耗更少電能的有源矩陣型液晶顯示器。
在有源矩陣型液晶顯示器中，象素排列在矩陣結(jié)構(gòu)中的每個(gè)交叉點(diǎn)處。每個(gè)象素配有一個(gè)開關(guān)裝置。象素的信息通過接通或斷開開關(guān)裝置來顯示。在這樣的一種顯示裝置中將液晶用作顯示介質(zhì)。本發(fā)明中，將具有三個(gè)電極即柵極、源極、漏極的薄膜晶體管(TFTs)用作開關(guān)裝置。
在本文的詳細(xì)描述中，矩陣結(jié)構(gòu)的行表示掃描線(門線)，該掃描線與行平行伸展并在該行內(nèi)與TFT的門極相連。矩陣結(jié)構(gòu)的列表示信號(hào)線(源線)，該信號(hào)線與列平行延伸并在該列內(nèi)與TFT的源(或漏)極相連。用來驅(qū)動(dòng)掃描線的電路稱作掃描線驅(qū)動(dòng)電路。用來驅(qū)動(dòng)信號(hào)線的電路稱作信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路。
圖2表示一個(gè)常規(guī)的有源矩陣型液晶顯示器。信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路21安裝在上部、掃描線驅(qū)動(dòng)電路22安裝在左側(cè)分別驅(qū)動(dòng)信號(hào)線23和掃描線24。掃描線驅(qū)動(dòng)電路22和信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路21接收信號(hào)發(fā)生電路(如時(shí)鐘發(fā)生器)產(chǎn)生的信號(hào)(如時(shí)鐘脈沖)。
通常采用如圖3(a)所示使用移位寄存器的掃描線驅(qū)動(dòng)電路22。每當(dāng)輸入一個(gè)時(shí)鐘脈沖(CL1，CL2)時(shí)，輸出脈沖就移一位。輸出脈沖經(jīng)過NAND門33和緩沖電路34輸送到掃描線32。這樣，連續(xù)驅(qū)動(dòng)掃描線32。
圖3(b)表示掃描線驅(qū)動(dòng)電路22的時(shí)間圖。
在視頻圖像陣列(VGA)的情況下，對(duì)每個(gè)掃描線掃描約31μs。
圖4表示信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路21的一個(gè)例子。用與掃描線驅(qū)動(dòng)電路22相同的方法，信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路21通常使用移位寄存器41。然而，與掃描線驅(qū)動(dòng)電路22不同的是，信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路21不直接驅(qū)動(dòng)信號(hào)線44。移位寄存器41的輸出信號(hào)經(jīng)過緩沖電路42驅(qū)動(dòng)采樣模擬開關(guān)43。模擬視頻信號(hào)45被采樣并被輸送到信號(hào)線44。
在VGA情況下，理想的采樣時(shí)間是約為40nsec。如果信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路21由TFTs組成的話，考慮到TFT的特性，將采樣時(shí)間設(shè)定為320nsec或640nsec。在此情況下，采用彼此移相40nsec的4-相或8-相時(shí)鐘脈沖。
另一種常規(guī)的有源矩陣型液晶顯示器在日本專利公開號(hào)186281/1992中有所描述并用圖5表示。在此結(jié)構(gòu)中，信號(hào)線50被分成多組。從顯示裝置的兩端驅(qū)動(dòng)信號(hào)線50。由于信號(hào)的負(fù)載電容和負(fù)載電阻減半，很容易驅(qū)動(dòng)信號(hào)線50。
使用有源矩陣型液晶顯示器的商品例子包括筆記本計(jì)算機(jī)和便攜式靈活終端設(shè)備。這些商品需要用電池驅(qū)動(dòng)。然而，現(xiàn)有的有源矩陣型液晶顯示器的運(yùn)行時(shí)間受顯示器消耗電能總量的限制。因此，要獲得更長(zhǎng)的運(yùn)行時(shí)間減少有源矩陣型液晶顯示器消耗的電能是十分重要的。
當(dāng)今的世界趨勢(shì)是節(jié)約資源。被看成有良好遠(yuǎn)景的下一代顯示裝置有源矩陣型液晶顯示器必須達(dá)到較低的能源消耗。
減少電能消耗的一種可能方法是降低作用電壓或操作頻率。然而，這種方法會(huì)損壞操作性能。因此，人們一直在尋找一種減少電能消耗而又保持操作性能的方法。
已同圖5一起所描述的常規(guī)方法中，信號(hào)線電容被減半，當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)線時(shí)，P2表示所消耗的電能。當(dāng)用上述同圖2一起所描述的結(jié)構(gòu)驅(qū)動(dòng)信號(hào)線時(shí)，P1作為所消耗的電能。有下列關(guān)系式成立P2＝C1/2×V2×f＝P1/2其中C1是信號(hào)線的電容，V2是信號(hào)的振幅，f是操作頻率。
由此可見，同圖2所示的結(jié)構(gòu)消耗的電能相比圖5所示結(jié)構(gòu)消耗的電能能被減少一半。然而，需要兩個(gè)驅(qū)動(dòng)電路分別配置在顯示設(shè)備的相對(duì)端。因此，同圖2所示驅(qū)動(dòng)電路消耗的電能相比，驅(qū)動(dòng)電路消耗的總電能增加一倍。因此，消耗的電能相應(yīng)地增加。就驅(qū)動(dòng)電路來說，負(fù)載減半。然而，每個(gè)驅(qū)動(dòng)電路一定有同圖2所示結(jié)構(gòu)中驅(qū)動(dòng)電路相同級(jí)數(shù)的移位寄存器。因此，用來驅(qū)動(dòng)移位寄存器的電能增加一倍。進(jìn)一步，用于將時(shí)鐘脈沖作用到移位寄存器、驅(qū)動(dòng)公共時(shí)鐘端所需的電能增加一倍。此外，需要驅(qū)動(dòng)視頻信號(hào)輸入端的電能也增加一倍。這些電能等于或大于驅(qū)動(dòng)信號(hào)線的電能。
最初研制上述引用的日本專利公開號(hào)186281/1992中所描述的方法是用來驅(qū)動(dòng)大面積顯示器的。因此，這種方法在減少電能消耗中是不利的。
本發(fā)明的目的是提供一種具有信號(hào)線的有源矩陣型液晶顯示器，這些信號(hào)線在觀看屏上產(chǎn)生圖象畫面并以如圖5所示慣用的構(gòu)成相同的方式將信號(hào)線分成上、下兩組以降低信號(hào)線負(fù)載電容消耗的電能。
我們已注意到當(dāng)從上到下連續(xù)掃描觀看屏?xí)r，例如，當(dāng)掃描上半屏幕時(shí)，不需要驅(qū)動(dòng)下半屏幕的驅(qū)動(dòng)電路。因此，本發(fā)明提供一個(gè)裝置用于暫停下部信號(hào)線的驅(qū)動(dòng)電路或讓該驅(qū)動(dòng)電路作備用。很顯然，當(dāng)掃描顯示屏的下半部時(shí)，上部信號(hào)線的驅(qū)動(dòng)電路暫?；蜃鳛閭溆谩?br>
本發(fā)明的其它目的和特征在以下的描述過程中將會(huì)清楚。
圖1是按本發(fā)明的有源矩陣型液晶顯示器方框圖；圖2是已知的有源矩陣型液晶顯示器方框圖；圖3是一般的掃描線驅(qū)動(dòng)器電路圖；圖4是一般的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器電路圖；圖5是另一個(gè)已知的有源矩陣型液晶顯示器方框圖；圖6是按本發(fā)明用于交替暫停兩個(gè)信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路狀態(tài)開關(guān)電路的電路圖；圖7是按本發(fā)明用于交替使兩個(gè)信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路失去作用的另一個(gè)狀態(tài)開關(guān)電路的電路圖；圖8是按本發(fā)明采用譯碼電路的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；圖9是按本發(fā)明用于交替停止對(duì)兩個(gè)信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路提供地址信號(hào)的又一個(gè)狀態(tài)開關(guān)電路的電路圖；圖10(A)-10(D)是一種有源矩陣型液晶顯示器的截面圖，用圖解說明用于制造顯示器的低溫多晶硅的一些工序步驟；圖11(A)和11(B)說明低溫多晶硅后面的工序步驟的截面圖；圖12(A)-12(D)說明在圖11(A)和11(B)說明的步驟之后所執(zhí)行的高溫多晶硅工序步驟的截面圖；以及圖13(A)和13(B)說明高溫多晶硅后面的工序步驟截面圖。
參考圖1，表示了一個(gè)體現(xiàn)本發(fā)明思想的有源矩陣型液晶顯示器。該液晶顯示器具有信號(hào)線10，信號(hào)線10在液晶顯示器觀看屏顯示圖象畫面中心線的相對(duì)側(cè)驅(qū)動(dòng)上部象素矩陣結(jié)構(gòu)11a以及下部象素矩陣結(jié)構(gòu)11b。用上部信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路12a驅(qū)動(dòng)上部象素矩陣11a的信號(hào)線10a。用下部信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路12b驅(qū)動(dòng)下部象素矩陣11b的信號(hào)線10b。該液晶顯示器進(jìn)一步包括掃描線驅(qū)動(dòng)電路13和用于交替暫停兩個(gè)信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路12a、12b的狀態(tài)開關(guān)電路14。
圖6表示按本發(fā)明狀態(tài)開關(guān)電路的一個(gè)例子。該例中，將作用到掃描線驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)鐘脈沖60首先作用到狀態(tài)開關(guān)電路。該狀態(tài)開關(guān)電路包括分頻電路61、與分頻電路61輸出相連的上部與門62a以及與分頻電路61輸出相連的反相器63。在VGA(視頻圖象陣列)情況下，分頻電路是一個(gè)1∶240的分頻電路。上部與門62a的輸出與上部信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路12a的時(shí)鐘輸入端64a相連。類似地，下部與門62b的輸出與下部信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路12b的時(shí)鐘輸入端64b相連。開關(guān)電路14控制作用到信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路12的時(shí)鐘脈沖65。
如圖6(b)的時(shí)間圖所示，當(dāng)掃描上半部圖象時(shí)，禁止時(shí)鐘脈沖65輸入到下部信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器電路12b。當(dāng)掃描下半部圖象畫面時(shí)，禁止時(shí)鐘脈沖65輸入到上部信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路12a。通過增加開關(guān)電路14，能夠消除一個(gè)信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路12無用的電能消耗。
圖7表示按本發(fā)明的狀態(tài)開關(guān)電路14的又一個(gè)例子。作用到兩個(gè)信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路70a、70b的電源在掃描觀看屏上半部圖象畫面和掃描下半部圖象畫面之間接通或斷開。正如結(jié)合圖6已描述的方法相同的方式，用于在圖象畫面的上半部和下半部之間接通或斷開的信號(hào)用來交替使移位寄存器失去作用。
圖8表示將譯碼電路用在信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路中的一個(gè)例子。
圖9表示按本發(fā)明的狀態(tài)開關(guān)電路14的又一個(gè)例子。通過對(duì)譯碼電路停止提供地址信號(hào)能夠停止目前設(shè)有使用的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的操作。
下面描述按本發(fā)明使用有源矩陣電路制造液晶顯示器TFT襯底的一種方法。
圖10(A)-10(D)和11(A)-11(B)說明了用于制造該例中單片有源矩陣電路的低溫多晶硅的工序。制造形成外圍邏輯電路TFT的工序表示在圖10(A)-10(D)的左側(cè)。制造有源矩陣電路的工序表示在右側(cè)。首先，在玻璃襯底1001上形成厚度為1000到3000的氧化硅膜1002作為緩沖氧化膜1002。這層氧化硅膜可以在氧氣環(huán)境中通過濺鍍或等離子體化學(xué)汽相淀積(CVD)形成。
然后，通過等離子體CVD或LPCVD形成厚度為300-1500最好為500-1000的非晶硅膜。非晶硅膜在高于500℃最好為500-600℃的溫度下熱退火以結(jié)晶非晶硅膜或增加結(jié)晶度。結(jié)晶之后，利用激光進(jìn)行光退火可以進(jìn)一步增加結(jié)晶度。此外，在利用熱退火結(jié)晶期間，正如日本專利公開號(hào)244103/1994和244104/1994中所述，可以加入一種元素(如鎳)(或一種催化元素)以加速硅結(jié)晶。
然后，對(duì)硅膜進(jìn)行刻蝕形成成為驅(qū)動(dòng)電路P-溝道TFT的有源層1003小島、N溝道TFT的有源層1004小島、以及成為矩陣電路的象素TFT的有源層1005小島。此外，通過在氧氣環(huán)境中濺鍍形成厚度為500-2000A的氧化硅柵絕緣膜1006。也可以通過等離子體CVD形成柵絕緣膜。在用等離子體CVD形成氧化硅膜之處，使用一氧化氮(N2O)作為氣體原料是令人滿意的。另外，也可以采用氧氣(O2)和單硅烷(SiH4)。
接著，在整個(gè)疊層表面上通過濺鍍形成厚度為2000-6000的鋁層。鋁可以含有硅、鈧、鈀或其它物質(zhì)以避免在以后的熱處理步驟中產(chǎn)生異常析出。對(duì)柵絕緣膜1006進(jìn)行刻蝕形成柵極1007、1008和1009(圖10(A))。
然后，對(duì)鋁層進(jìn)行陽極氧化在鋁層的表面形成氧化鋁1010、1011和1012。這些鋁區(qū)充當(dāng)絕緣體(圖10(B))。
接著，形成覆蓋P溝道TFTs有源層的感光性樹脂掩膜1013。當(dāng)使用磷化氫作為摻雜氣體時(shí)通過離子摻雜摻入磷離子。劑量是1×1012到5×1013個(gè)原子/厘米2。這樣形成高摻雜N-型區(qū)、或源極1014以及漏極1015。
此后，形成覆蓋N溝道TFT有源層以及象素TFT有源層的感光性樹脂掩膜1016。使用乙硼烷(B2H6)作摻雜氣體通過離子摻雜又摻入硼離子。劑量是5×1014到8×1015個(gè)原子/厘米2。因此形成P-型區(qū)1017。由于至此所描述的摻雜步驟，已形成了高摻雜N-型區(qū)(源極和漏極1014和1015)和高摻雜P-型區(qū)(源極和漏極1017)(圖10(D))。
然后，該疊層板在450-850℃的溫度下熱退火0.5至3個(gè)小時(shí)來補(bǔ)償摻雜所產(chǎn)生的損耗。這樣，激活了摻雜物，同時(shí)，恢復(fù)了硅的結(jié)晶度。此后，如圖11(A)所示，通過等離子體CVD形成厚度為3000至6000的氧化硅膜作為整個(gè)表面的介電中間膜1018。該膜可以是氮化硅膜或氧化硅層和氮化硅層的多層膜。用濕式刻蝕處理或干式刻蝕處理來侵蝕介電中間膜1018以在源極/漏極區(qū)形成接觸孔。
然后，通過濺鍍技術(shù)形成厚度為2000-6000的鋁膜或鈦和鋁的多層膜。對(duì)該層膜進(jìn)行刻蝕以便產(chǎn)生外圍電路的電極/互連1019、1020和1021以及象素TFT的象素/互連1022和1023(圖11(A))。
接著，通過等離子體CVD形成厚度為1000～3000的氮化硅膜1024作為一層鈍化膜。對(duì)該層氮化硅膜進(jìn)行刻蝕產(chǎn)生延伸到象素TFT電極1023的接觸孔。通過濺鍍形成厚度為500-1500的ITO(氧化銦錫)膜。最后，對(duì)氧化銦錫膜進(jìn)行刻蝕形成象素電極1025。這樣，整體地形成了外圍驅(qū)動(dòng)電路和有源矩陣電路(圖11(B))。
參考圖12(A)-12(D)作為用于制造硅柵電極多晶硅TFT的高溫工序的一個(gè)例子，對(duì)該例工序加以描述。
用于制造形成外圍邏輯電路TFT的工序表示在圖12(A)-12(D)的左側(cè)。制造有源矩陣電路的工序表示在右側(cè)。首先，在石英襯底1101上形成厚度為1000-3000的氧化硅膜作為緩沖氧化膜1102。該層氧化硅膜可以通過濺鍍或等離子體CVD在氧氣環(huán)境中形成。
然后，通過等離子體CVD或LPCVD形成厚度為300-1500最好為500-100的非晶或多晶硅膜。將硅膜在高于500℃最好為800-950℃的溫度下進(jìn)行熱退火使硅膜結(jié)晶或增加結(jié)晶度。結(jié)晶之后，可以通過進(jìn)行光退火進(jìn)一步增加結(jié)晶度。另外，在利用熱退火結(jié)晶期間，正如日本專利公開號(hào)244103/1994和244104/1994中所述，可以加入一種元素如鎳(或一種催化元素)以加速硅的結(jié)晶。
然后，對(duì)硅膜進(jìn)行刻蝕形成成為驅(qū)動(dòng)電路P溝道TFT的有源層1103小島、N溝道TFT的有源層1104小島以及成為矩陣電路象素TFT的有源層1105小島。另外，在氧氣環(huán)境下通過濺鍍形成厚度為500-2000的氧化硅柵絕緣膜1106。柵絕緣膜也可以通過等離子體CVD形成。氧化硅膜通過等離子體CVD形成之處，使用一氧化氮(N2O)作為氣體原料是令人滿意的。另外，也可以采用氧氣(O2)和單硅烷(SiH4)。
接著，在整個(gè)疊層表面上通過LPCVD形成厚度為2000-5μm最好為2000-6000的多晶硅膜。為了增加導(dǎo)電性，給多晶硅膜增加微量的磷。對(duì)該層多晶硅膜進(jìn)行侵蝕形成柵極1107、1108和1109(圖12(A))。
然后，使用磷化氫作摻雜氣體通過自對(duì)準(zhǔn)離子注入技術(shù)將磷離子摻入到有源層整個(gè)小島。同時(shí)，將柵極用作掩膜。劑量是1×1012-5×1013個(gè)原子/厘米2。結(jié)果，形成低摻雜N-型區(qū)1110、1111和1112(圖12(B))。
然后，形成覆蓋P-通道TFT有源層的感光性樹脂掩膜1113。形成另一覆蓋象素TFT有源層的感光性樹脂掩膜1114，該掩膜一直延伸到距離柵極邊界3μm的區(qū)域。使用磷化氫(PH3)作摻雜氣體通過離子摻雜再摻入磷離子。劑量是1×1012到5×1013原子/厘米2。這樣，形成高摻雜N-型區(qū)或源極和漏極1115和1116。同時(shí)，對(duì)被覆以掩膜的象素TFT有源層的低摻雜N-型區(qū)不注入磷離子，這樣這些區(qū)保持低摻雜N-型(圖12(C))。
然后，形成覆蓋N-通道TFT有源層的感光性樹脂掩膜1117。使用乙硼烷(B2H6)作摻雜氣體通過離子摻雜再摻入硼離子。劑量是5×1014到8×1015原子/厘米2。結(jié)果，硼的劑量超過磷的劑量。前面所形成的低摻雜N-型區(qū)變成高摻雜P-型區(qū)1118。這些摻雜步驟的結(jié)果是形成高摻雜區(qū)(源極和漏極1115和1116)、高摻雜P-型區(qū)(源極和漏極1118)以及低摻雜N-型區(qū)1112(圖12(D))。
然后，在450-850℃溫度下對(duì)該疊層板進(jìn)行熱退火0.5至3個(gè)小時(shí)以補(bǔ)償摻雜產(chǎn)生的損傷。這樣，摻雜物被激活。同時(shí)，恢復(fù)了硅的結(jié)晶度。此后，如圖13(A)所示，在整個(gè)表面上通過等離子體CVD形成厚度為3000-6000的氧化硅膜作為介電中間層1119。該膜可以是氮化硅膜或氧化硅層和氮化硅層的多層膜。通過濕式刻蝕處理或干式刻蝕處理對(duì)介電中間層1119進(jìn)行刻蝕在源/漏極區(qū)形成接觸孔。
然后，通過濺鍍形成厚度為2000-6000的鋁膜或鈦和鋁的多層膜。對(duì)該層膜進(jìn)行侵蝕以便產(chǎn)生外圍電路的電極/互連1120、1121和1122以及象素TFT的電極/互連1123和1124(圖13(A))。
接著，通過等離子體CVD形成厚度為1000-3000的氮化硅膜1125作為鈍化膜。對(duì)該層氮化硅膜進(jìn)行刻蝕產(chǎn)生延伸到象素TFT電極1124的接觸孔。通過濺鍍形成厚度為500-1500的170(氧化銦錫)膜。最后，對(duì)ITO膜進(jìn)行刻蝕形成象素電極1126。這樣，整體形成了外圍驅(qū)動(dòng)電路和有源矩陣電路(圖13(B))。
至此所描述的例子中，能夠整體形成驅(qū)動(dòng)電路和象素矩陣電路。因此，如果提供兩個(gè)獨(dú)立的分別驅(qū)動(dòng)兩套信號(hào)線的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路，該兩套信號(hào)線分別指定給觀看屏顯示圖象畫面的上半部和下半部，就不需要大的面積。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)尺寸縮小的液晶顯示器。另外，由于信號(hào)線垂直分成兩組，信號(hào)線的負(fù)載電容和負(fù)載電阻被減半。因此，能夠在短時(shí)間內(nèi)用較小的驅(qū)動(dòng)能力來驅(qū)動(dòng)顯示設(shè)備。能夠用一次一點(diǎn)掃描系統(tǒng)制成驅(qū)動(dòng)電路。這樣省去了在一次一行掃描方法中通常必須采用的模擬緩沖器和大的采樣-保持電容。因此，能夠減小驅(qū)動(dòng)電路本身所占的面積。這是實(shí)現(xiàn)小型化的又一有利條件。
上述例子中，驅(qū)動(dòng)電路是單片結(jié)構(gòu)。也能夠?qū)⒈景l(fā)明同連接在玻璃襯底外部上的外部驅(qū)動(dòng)電路一起應(yīng)用于包括由非晶TFT組成的有源矩陣電路的顯示設(shè)備。
至此所述，在本發(fā)明中，將信號(hào)線分成兩套，它們與顯示圖象畫面的上半部和下半部對(duì)應(yīng)。分別用兩個(gè)信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)兩套信號(hào)線。當(dāng)其中的一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路在運(yùn)行時(shí)，另一個(gè)停止運(yùn)行。因此，能夠大幅度減少電能消耗。
權(quán)利要求
1.一種有源矩陣型液晶顯示器包括多象素區(qū)，每個(gè)象素區(qū)具有呈矩陣形式的象素；用于分別驅(qū)動(dòng)所說象素區(qū)的多個(gè)驅(qū)動(dòng)電路；用于根據(jù)顯示器的掃描至少暫停其中一個(gè)所說驅(qū)動(dòng)電路的裝置。
2.一種有源矩陣型液晶顯示器包括多象素區(qū)，每個(gè)象素區(qū)具有呈矩陣形式的象素；用于分別驅(qū)動(dòng)所說象素區(qū)的多個(gè)驅(qū)動(dòng)電路；用于根據(jù)顯示器的掃描至少使其中一個(gè)所說驅(qū)動(dòng)電路備用的裝置。
3.一種有源矩陣型液晶顯示器包括具有呈矩陣形式的第一象素的第一象素區(qū)；用于驅(qū)動(dòng)所說第一象素區(qū)的第一驅(qū)動(dòng)電路；具有呈矩陣形式第二象素的第二象素區(qū)；用于驅(qū)動(dòng)所說第二象素區(qū)的第二驅(qū)動(dòng)電路；用于根據(jù)顯示器的掃描暫停所說第一和第二驅(qū)動(dòng)電路之一的裝置。
4.一種有源矩陣型液晶顯示器包括具有呈矩陣形式第一象素的第一象素區(qū)；用于驅(qū)動(dòng)所說第一象素區(qū)的第一驅(qū)動(dòng)電路；具有呈矩陣形式第二象素的第二象素區(qū)；用于驅(qū)動(dòng)所說第二象素區(qū)的第二驅(qū)動(dòng)電路；用于根據(jù)顯示器的掃描使所說第一和第二驅(qū)動(dòng)電路之一備用的裝置。
5.一種有源矩陣型液晶顯示器包括具有呈矩陣形式第一象素的第一象素區(qū)；用于對(duì)所說第一象素提供圖象信號(hào)的第一信號(hào)線；用于驅(qū)動(dòng)所說第一信號(hào)線的第一信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路；具有呈矩陣形式第二象素的第二象素區(qū)；用于將圖象信號(hào)提供給所說第二象素的第二信號(hào)線；用于驅(qū)動(dòng)所說第二信號(hào)線的第二信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路；根據(jù)掃描信號(hào)與所說第一和第二象素區(qū)相連接的掃描線驅(qū)動(dòng)電路；用于交替接通或斷開所說第一和第二信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的裝置。
6.權(quán)利要求5的顯示器，其中所說開關(guān)裝置包括用于控制對(duì)第一和第二信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路提供時(shí)鐘信號(hào)的第一控制裝置。
7.權(quán)利要求6的顯示器，其中所說第一控制裝置包括用于將作用到所說掃描線驅(qū)動(dòng)電路的第一時(shí)鐘脈沖進(jìn)行分頻的分頻電路；第一與門，將所說分頻電路的輸出和第二時(shí)鐘脈沖輸入到該與門，并將該與門的輸出信號(hào)作為所說時(shí)鐘脈沖輸入到所說第一信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路；第二與門，將所說分頻電路的反相輸出和第二時(shí)鐘脈沖輸入到該與門，并將該與門的輸出信號(hào)作為所說時(shí)鐘脈沖輸入到所說第二信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路。
8.權(quán)利要求5的顯示器，其中所說開關(guān)裝置包括用于控制所說第一和第二信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路電源的第二控制電路。
9.權(quán)利要求8的顯示器，其中所說第二控制裝置包括用于將作用到所說掃描線驅(qū)動(dòng)電路的第一時(shí)鐘脈沖進(jìn)行分頻的分頻電路；用于根據(jù)所說分頻電路的輸出控制所說第一信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路電源的第一開關(guān)電路；用于根據(jù)所說分頻電路的輸出控制所說第二信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路電源的第二開關(guān)電路；其中當(dāng)所說第二開關(guān)電路在關(guān)斷狀態(tài)時(shí)所說第一開關(guān)電路是導(dǎo)通狀態(tài)，而當(dāng)所說第二開關(guān)電路在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)所說第一開關(guān)電路是關(guān)斷狀態(tài)。
10.權(quán)利要求5的顯示器，其中所說開關(guān)裝置包括用于控制給所說第一和第二信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路提供地址信號(hào)的第三控制裝置。
11.權(quán)利要求10的顯示器，其中所說第一和第二信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路分別包括譯碼電路；所說地址信號(hào)輸入到所說譯碼電路；以及與處于非操作狀態(tài)的所說信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路相對(duì)應(yīng)，所說第三控制裝置中止給所說譯碼電路提供所說地址信號(hào)。
12.一種有源矩陣型液晶顯示器包括(a)第一象素矩陣區(qū)，它包括以矩陣形式排列的第一象素；與所說第一象素相連的第一薄膜晶體管；用于根據(jù)所說第一晶體管給所說第一象素提供圖象信號(hào)的第一信號(hào)線，所說第一信號(hào)線排成列；用于將掃描信號(hào)輸入到所說第一晶體管的第一掃描線，所說第一掃描線排成行；(b)用于驅(qū)動(dòng)所說第一信號(hào)線的第一信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路；(c)第二象素矩陣區(qū)，包括排列呈矩陣形式的第二象素；與所說第二象素相連的第二薄膜晶體管；根據(jù)所說第二晶體管給所說第二象素提供圖象信號(hào)的第二信號(hào)線，所說第二信號(hào)線排成列；用于將掃描信號(hào)輸入到所說第二晶體管的第二掃描線，所說第二掃描線排成行；(d)用于驅(qū)動(dòng)所說第二信號(hào)線的第二信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路；(e)用于驅(qū)動(dòng)所說第一和第二掃描線的掃描線驅(qū)動(dòng)電路；(f)用于交替接通或斷開所說第一和第二信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路操作的裝置。
13.權(quán)利要求12的顯示器，所說開關(guān)裝置包括用于根據(jù)顯示器的掃描暫停所說第一和第二信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路之一操作的裝置。
14.權(quán)利要求12的顯示器，所說開關(guān)裝置包括用于根據(jù)顯示器的掃描使所說第一和第二信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路之一備用的裝置。
15.權(quán)利要求12的顯示器，其中所說第一和第二晶體管在同一襯底上整體形成。
16.一種有源矩陣型液晶顯示器包括與所顯示圖象上部相對(duì)應(yīng)的上部象素區(qū)；用于驅(qū)動(dòng)所說上部象素區(qū)的上部驅(qū)動(dòng)電路；與圖象下部相對(duì)應(yīng)的下部象素區(qū)；用于驅(qū)動(dòng)所說下部象素區(qū)的下部驅(qū)動(dòng)電路；用于根據(jù)掃描所說上部圖象和下部圖象控制為所說上部和下部驅(qū)動(dòng)電路提供時(shí)鐘脈沖的裝置。
17.權(quán)利要求16的顯示器，在掃描所說下部象素區(qū)期間其中所說控制裝置暫停為所說上部驅(qū)動(dòng)電路提供所說時(shí)鐘脈沖。
18.權(quán)利要求16的顯示器在掃描所說上部象素區(qū)期間其中所說控制裝置暫停為所說下部驅(qū)動(dòng)電路提供所說時(shí)鐘脈沖。
全文摘要
一種只消耗少量電能的有源矩陣型液晶顯示器。該液晶顯示器有兩個(gè)驅(qū)動(dòng)電路分別驅(qū)動(dòng)兩套信號(hào)線。一套信號(hào)線產(chǎn)生觀看屏顯示圖象的上半個(gè)畫面，而另一套信號(hào)線產(chǎn)生下半個(gè)圖象畫面。將產(chǎn)生圖象畫面的圖象信號(hào)交替作用到兩個(gè)驅(qū)動(dòng)電路以便當(dāng)一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路工作時(shí)，另一個(gè)暫?；騻溆?。
文檔編號(hào)G02F1/133GK1163444SQ96107308
公開日1997年10月29日 申請(qǐng)日期1996年3月16日 優(yōu)先權(quán)日1995年3月17日
發(fā)明者山根康邦, 小山潤, 千村秀彥 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所, 夏普公司