專利名稱:顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包括像素電極的半導(dǎo)體器件，特別涉及顯示器件。更具體地，本發(fā)明涉及包括反射區(qū)和透射區(qū)的半透射型液晶顯示器件。
背景技術(shù)：
顯示器件分為自發(fā)光顯示器件和不發(fā)光顯示器件。液晶顯示器件是最典型的不發(fā)光顯示器件。通常，液晶顯示器件由于不發(fā)光因此通過來自背光的光的照射而執(zhí)行顯示。
在使用來自背光的光的透射型液晶顯示器件中，盡管在普通房間內(nèi)容易看到顯示圖像，但是具有在陽光下難以看到顯示圖像的問題。具體說來，經(jīng)常在戶外使用的電子設(shè)備如照相機(jī)、便攜式信息終端以及移動電話在很大程度上受這一問題的影響。
已開發(fā)了半透射型液晶顯示器件，以在室內(nèi)和室外都顯示令人滿意的圖像。半透射型液晶顯示器件在一個像素中包括反射區(qū)和透射區(qū)。透射區(qū)包括透明電極，并且透射光以便起透射型液晶顯示器件的作用。另一方面，反射區(qū)包括反射性電極，并且反射光以便起反射型液晶顯示器件的作用。以這種方式，在室內(nèi)和室外都可以顯示清晰的圖像。
作為這樣的液晶顯示器件，存在無源矩陣型和有源矩陣型。通常，當(dāng)制造有源矩陣型顯示器件時，形成與薄膜晶體管(TFT)的半導(dǎo)體層相連接的布線，并在該布線上形成用作像素電極的導(dǎo)電膜。
作為像素電極，在反射區(qū)有反射性電極，在透射區(qū)有透明電極。每個電極具有不同的形狀。所以需要用于形成反射性電極的抗蝕劑掩模和用于形成透明電極的抗蝕劑掩模(例如參見專利文獻(xiàn)1至5)。
日本已公開專利申請No.2002-229016
日本已公開專利申請No.2004-46223[專利文獻(xiàn)3]日本已公開專利申請No.2005-338829[專利文獻(xiàn)4]日本已公開專利申請No.2004-334205[專利文獻(xiàn)5]日本已公開專利申請No.2004-109797
發(fā)明內(nèi)容
在傳統(tǒng)半透射型液晶顯示器件中，當(dāng)形成反射性電極和透明電極時，對于每層都需要抗蝕劑掩模。也就是說，需要用于形成反射性電極的抗蝕劑掩模和用于蝕刻透明電極和層疊膜的抗蝕劑掩模，為此，制造步驟的數(shù)量增加。所以，諸如顯示器件的半導(dǎo)體器件的制造成本高，并且用于形成電極圖案的制造時間必然很長。
所以，本發(fā)明的一個目的是減少所用抗蝕劑掩模的數(shù)量并減少制造步驟。
本發(fā)明的一個特征是提供一種顯示器件，包括晶體管；電連接到晶體管的透明電極；電連接到透明電極的反射性電極；以及電連接到晶體管的存儲電容器。存儲電容器的至少一部分在反射性電極的下面形成。反射性電極的整個下表面與透明電極的頂表面相接觸。
本發(fā)明的另一個特征是提供一種顯示器件，包括晶體管；電連接到晶體管的透明電極；以及電連接到透明電極的反射性電極。透明電極和反射性電極中的至少一個具有狹縫。反射性電極的整個下表面與透明電極的頂表面相接觸。
本發(fā)明的另一個特征是提供一種顯示器件，包括晶體管；電連接到晶體管的透明電極；電連接到透明電極的反射性電極；以及電連接到晶體管的存儲電容器。透明電極和反射性電極中的至少一個具有狹縫。存儲電容器的至少一部分在反射性電極的下面形成。反射性電極的整個下表面與透明電極的頂表面相接觸。
本發(fā)明的另一個特征是提供一種顯示器件，包括晶體管；電連接到晶體管的透明電極；電連接到透明電極的反射性電極；以及電連接到晶體管的存儲電容器。存儲電容器的至少一部分在反射性電極的下面形成。晶體管的至少一部分在反射性電極的下面形成。反射性電極的整個下表面與透明電極的頂表面相接觸。
本發(fā)明的另一個特征是提供一種顯示器件，包括晶體管；以及電連接到晶體管的像素電極。像素電極包括透明電極和反射性電極。反射性電極的整個下表面與透明電極的頂表面相接觸。透明電極中與反射性電極相接觸的區(qū)域的膜厚度比透明電極中不與反射性電極相接觸的區(qū)域的膜厚度厚。
在本發(fā)明的上述結(jié)構(gòu)中，顯示器件具有反射性電極和相對電極之間的液晶層。
本發(fā)明的另一個特征是提供一種顯示器件制造方法。在襯底上形成晶體管。在晶體管上形成絕緣膜。在絕緣膜上形成透明導(dǎo)電膜。在透明導(dǎo)電膜上形成反射性導(dǎo)電膜。通過使用包括半透射部分的曝光掩模，在反射性導(dǎo)電膜上形成抗蝕劑圖案，其中抗蝕劑圖案包括具有厚膜厚度的區(qū)域、和膜厚度比前述區(qū)域薄的區(qū)域。通過使用抗蝕劑圖案，形成由透明導(dǎo)電膜形成的透明電極、和由反射性導(dǎo)電膜形成的反射性電極。
本發(fā)明的另一個特征是提供一種顯示器件制造方法。在襯底上形成晶體管。在晶體管上形成絕緣膜。在絕緣膜上形成透明導(dǎo)電膜。在透明導(dǎo)電膜上形成反射性導(dǎo)電膜。通過使用包括半透射部分的曝光掩模，在反射性導(dǎo)電膜上形成抗蝕劑圖案，其中抗蝕劑圖案包括具有厚膜厚度的區(qū)域、和膜厚度比前述區(qū)域薄的區(qū)域。通過使用抗蝕劑圖案，蝕刻反射性導(dǎo)電膜和透明導(dǎo)電膜。去除一部分抗蝕劑圖案。通過使用已有一部分被去除的抗蝕劑圖案，蝕刻反射性導(dǎo)電膜。
如上所述，可以通過使用一個抗蝕劑掩模形成透明電極和與透明電極的一部分相接觸的反射性電極。由于可以使用一個抗蝕劑圖案形成透明電極和反射性電極的兩個圖案，所以可以減少制造步驟，并且可以實(shí)現(xiàn)低成本的顯示器件。
注意，在本發(fā)明中，可以應(yīng)用各種晶體管，而不限于特定的晶體管。使用以非晶硅或多晶硅為代表的非單晶半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管(TFT)、使用半導(dǎo)體襯底或SOI襯底形成的晶體管、MOS晶體管、結(jié)型晶體管、雙極晶體管、使用諸如ZnO或a-InGaZnO的化合物半導(dǎo)體的晶體管、使用有機(jī)半導(dǎo)體或碳納米管的晶體管、或者其它晶體管都可以使用。另外，設(shè)置晶體管的襯底的種類也沒有限制，可以采用單晶襯底、SOI襯底、玻璃襯底、塑料襯底等。
注意，晶體管的結(jié)構(gòu)不限于特定的結(jié)構(gòu)。例如，可以采用柵極數(shù)為兩個或更多個的多柵極結(jié)構(gòu)?？梢栽跍系郎厦婧拖旅嬖O(shè)置多個柵電極?？梢栽跍系郎厦婊蛳旅嬖O(shè)置柵電極?？梢圆捎们跋蚪诲e結(jié)構(gòu)或反向交錯結(jié)構(gòu)。溝道區(qū)可以劃分為多個區(qū)，或者并聯(lián)或串聯(lián)。源電極或漏電極可以與溝道(或其一部分)重疊?？梢栽O(shè)置低濃度雜質(zhì)區(qū)(LDD區(qū))。
注意，在本發(fā)明中，“連接”與“電連接”同義。所以，除了預(yù)定連接關(guān)系之外，可以在本發(fā)明公開的結(jié)構(gòu)中設(shè)置允許電連接的其它元件(例如，開關(guān)、晶體管、電容器、電阻器元件、二極管等)。
注意，本發(fā)明所示的開關(guān)不限于特定的開關(guān)。可以應(yīng)用電氣開關(guān)或機(jī)械開關(guān)?？梢圆捎萌魏慰梢钥刂齐娏鞯脑？梢圆捎镁w管、二極管(PN二極管、PIN二極管、肖特基二極管、二極管式連接的晶體管等)、或與其結(jié)合的邏輯電路。當(dāng)使用晶體管作為開關(guān)時，因?yàn)榫w管只是用作開關(guān)，所以對其極性(導(dǎo)電類型)沒有具體限制。然而，在截止(OFF)電流優(yōu)選為小的情況下，優(yōu)選使用具有具有較小OFF電流的極性的晶體管。作為具有小OFF電流的晶體管，可以使用具有LDD區(qū)的晶體管、具有多柵極結(jié)構(gòu)的晶體管等。另外，當(dāng)在用作開關(guān)的晶體管的源極端的電位接近低電位側(cè)電源(Vss、GND、0V等)的狀態(tài)下工作時，優(yōu)選使用n-溝道晶體管；而當(dāng)在晶體管的源極端的電位接近高電位側(cè)電源(Vdd等)的狀態(tài)下工作時，優(yōu)選使用p-溝道晶體管。這是因?yàn)橛捎诳梢允咕w管的柵極-源極電壓的絕對值變大，晶體管可以容易地用作開關(guān)。注意，通過既使用n-溝道晶體管又使用p-溝道晶體管，也可以應(yīng)用CMOS型開關(guān)。
注意，在像素中設(shè)置的元件不限于特定的顯示元件。例如，像素中設(shè)置的顯示元件是通過電磁效應(yīng)改變對比度的顯示介質(zhì)，例如EL元件(有機(jī)EL元件、無機(jī)EL元件、或含有機(jī)化合物和無機(jī)化合物的EL元件)、電子發(fā)射元件、液晶元件、電子墨水、光柵光閥(GLV，gratinglight valve)、等離子體顯示器(PDP)、數(shù)字微鏡器件(DMD)、壓電陶瓷顯示器、或碳納米管。注意，使用EL元件的顯示器件包括EL顯示器；使用電子發(fā)射元件的顯示器件包括場致發(fā)射顯示器(FED)、SED型平板顯示器(表面導(dǎo)電電子發(fā)射體顯示器)等；使用液晶元件的顯示器件包括液晶顯示器；而使用電子墨水的顯示器件包括電子紙張。
注意，在本發(fā)明中，一個像素對應(yīng)于一個顏色單元。所以，在由紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)的顏色單元形成的全色顯示器件中，最小的圖像單元由三個像素R像素、G像素和B像素形成。注意，顏色單元的數(shù)量不限于三種顏色，可以形成多于三種顏色的顏色單元，例如RGBW(W為白色)。注意，在將像素稱為“一個像素”(三種顏色)的情況下，將RGB三個像素視為一個像素。
注意，在本發(fā)明中，在用三種顏色單元(例如RGB)執(zhí)行全色顯示的情況下，按矩陣排列像素的情況對應(yīng)于按所謂德耳塔圖案排列三種顏色單元的點(diǎn)的情況、以及按所謂條紋圖案排列像素的情況。注意，顏色單元不限于三種顏色，可以有多于三種顏色。例如RGBW。此外，顏色單元的每個點(diǎn)的區(qū)域可以具有不同的尺寸。
注意，晶體管是具有至少三個端子(包括柵電極、漏極區(qū)(或漏電極)和源極區(qū)(或源電極))的元件，并且在漏極區(qū)和源極區(qū)之間包括溝道形成區(qū)。這里，很難精確地限定源極區(qū)和漏極區(qū)，因?yàn)樗鼈円蕾囉诰w管的結(jié)構(gòu)、工作條件等。所以，在本說明書中，將用作源極區(qū)或漏極區(qū)的區(qū)域稱為“第一端子”或“第二端子”。
注意，在本發(fā)明中，半導(dǎo)體器件對應(yīng)于具有包括半導(dǎo)體元件(晶體管、二極管等)的電路的器件。此外，半導(dǎo)體器件可以是可通過使用半導(dǎo)體特性而工作的一般器件。顯示器件可以是在襯底上形成多個像素的顯示面板的主體，其中，所述像素包括諸如液晶元件或EL元件的顯示元件和用于驅(qū)動該像素的外圍驅(qū)動電路；也可以是具有柔性印刷電路(FPC)或印刷布線板(PWB)的顯示面板的主體。發(fā)光器件是具體使用EL元件、電子發(fā)射元件等所用的自發(fā)光顯示元件的顯示器件。
根據(jù)本發(fā)明，相對于傳統(tǒng)技術(shù)可以減少制造步驟，并且可以降低半導(dǎo)體器件和顯示器件的制造成本。
圖1A至1C是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造步驟的橫截面視圖。
圖2A至2C是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造步驟的橫截面視圖。
圖3A和3B是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造步驟的橫截面視圖。
圖4是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖。
圖5是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖。
圖6是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖。
圖7A和7B是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造步驟的橫截面視圖。
圖8A和8B是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造步驟的橫截面視圖。
圖9是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖。
圖10是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖。
圖11是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖。
圖12是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖。
圖13是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖。
圖14是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖。
圖15是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖。
圖16是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖。
圖17是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖。
圖18是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖。
圖19是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖。
圖20A至20C是示出曝光掩模的頂平面視圖，圖20D是示出光強(qiáng)分布的曲線圖。
圖21是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖。
圖22是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖。
圖23是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖。
圖24是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖。
圖25是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖。
圖26是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖。
圖27是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖。
圖28是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的頂平面視圖。
圖29是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的頂平面視圖。
圖30是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的頂平面視圖。
圖31是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的頂平面視圖。
圖32是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的頂平面視圖。
圖33是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的頂平面視圖。
圖34是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的頂平面視圖。
圖35是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的頂平面視圖。
圖36是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的頂平面視圖。
圖37是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的頂平面視圖。
圖38是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的頂平面視圖。
圖39是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的頂平面視圖。
圖40是圖解適用本發(fā)明的電子設(shè)備的一種模式的視圖。
圖41A和41B是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的視圖。
圖42是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的視圖。
圖43是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的圖。
圖44A至44H是圖解適用本發(fā)明的電子設(shè)備的一種模式的視圖。
圖45是本發(fā)明的液晶顯示器件的電路圖。
圖46是本發(fā)明的液晶顯示器件的電路配置的方框圖。
圖47是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖。
圖48是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖。
圖49是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖。
圖50是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖。
圖51是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖。
圖52是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的橫截面視圖。
具體實(shí)施方式下文中，將描述本發(fā)明的實(shí)施例模式。注意，本發(fā)明可以以允許實(shí)現(xiàn)的范圍內(nèi)的各種實(shí)施例實(shí)現(xiàn)，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解，可以以各種方式對這里描述的模式和細(xì)節(jié)進(jìn)行修改而不脫離本發(fā)明的目的和范圍。所以，應(yīng)當(dāng)注意，對實(shí)施例模式的描述不應(yīng)當(dāng)解釋為限制本發(fā)明。此外，下面給出的任何實(shí)施例模式可以適當(dāng)?shù)亟Y(jié)合。
下面參考圖1A至1C和2A至2C描述用于形成反射性電極和透明電極的制造方法。
首先，通過濺射方法、印刷方法、CVD方法、噴墨方法等在絕緣膜107上形成導(dǎo)電膜106。導(dǎo)電膜106可以是透明導(dǎo)電膜或具有反射屬性。在透明導(dǎo)電膜的情況下，可以使用例如在氧化銦中混合了氧化錫的氧化銦錫(ITO)膜、在氧化銦錫(ITO)中混合了氧化硅的氧化銦錫硅(ITSO)膜、在氧化銦中混合了氧化鋅的氧化銦鋅(IZO)膜、氧化鋅膜、氧化錫膜、含磷或硼的硅(Si)。注意，IZO是通過使用在ITO中混合了2至20重量％的氧化鋅(ZnO)的靶進(jìn)行濺射而形成的透明導(dǎo)電材料；然而，成分比等不限于此。
導(dǎo)電膜106形成于絕緣膜107之上，而導(dǎo)電膜105形成于導(dǎo)電膜106之上。可以通過濺射連續(xù)形成導(dǎo)電膜106和導(dǎo)電膜105，這可以減少步驟數(shù)量。
導(dǎo)電膜105優(yōu)選用具有低電阻率的材料或具有高反射率的材料形成。例如，可以使用Ti、Mo、Ta、Cr、W、Al、Nd、Cu、Ag、Au、Pt、Nb、Si、Zn、Fe、Ba、Ge等或其合金?？梢圆捎脤盈B了上述材料的雙層結(jié)構(gòu)。在這種情況下，可以采用包括使用諸如Ti、Mo、Ta、Cr或W和Al(或包括Al作為主要成分的合金)的金屬的兩層的疊層結(jié)構(gòu)?；蛘咭部梢圆捎萌龑拥寞B層結(jié)構(gòu)。在這種情況下，可以采用在諸如Ti、Mo、Ta、Cr和W的金屬之間夾有Al(或包括Al作為主要成分的合金)的三層結(jié)構(gòu)。如上所述，通過將諸如Ti、Mo、Ta、Cr或W的金屬布置為與Al(或包括Al作為主要成分的合金)相鄰，在連接另一電極或另一布線時可以減少缺陷。例如，如果ITO膜等連接到Al(或包括Al作為主要成分的合金)，則可能發(fā)生諸如電腐蝕的缺陷。進(jìn)一步說，如果Si膜等與Al(或包括Al作為主要成分的合金)接觸，則Al和Si膜可能彼此反應(yīng)。這些問題可以通過多層結(jié)構(gòu)而減少。
注意，當(dāng)使用ITO膜作為導(dǎo)電膜時，需要通過熱處理使ITO膜結(jié)晶化的步驟。在這種情況下，優(yōu)選通過濺射形成ITO膜，并且在烘焙之后形成導(dǎo)電膜105。當(dāng)使用ITSO膜時，由于不需要結(jié)晶化的步驟，所以可以減少步驟數(shù)量。
在導(dǎo)電膜105的整個表面上形成(涂敷)抗蝕劑膜104之后，使用圖1A所示的曝光掩模執(zhí)行曝光。
在圖1A中，曝光掩模包括屏蔽曝光光線的光屏蔽部分101a和(允許)部分通過曝光光線的半透射部分101b。半透射部分101b具有減小曝光光線強(qiáng)度的半透射膜102。形成光屏蔽部分101a以在半透射膜102上疊加金屬膜103。光屏蔽部分101a的寬度稱為t1，而半透射部分101b的寬度稱為t2。這里，盡管給出了在半透射部分使用半透射膜的例子，但是本發(fā)明不限于此。只要可以減小曝光光線的強(qiáng)度，任何半透射部分都是可接受的。另外，可以使用衍射光柵圖案作半透射部分。
也就是說，可以使用半色調(diào)掩?；蚧叶壬{(diào)掩模作半透射部分。
當(dāng)使用圖1A所示的曝光掩模對抗蝕劑膜曝光時，形成未曝光區(qū)和已曝光區(qū)。當(dāng)執(zhí)行曝光時，光線經(jīng)過光屏蔽部分101a周圍或通過半透射部分101b；因此，形成曝光區(qū)。
當(dāng)執(zhí)行顯影時，去除曝光區(qū)，可以在導(dǎo)電膜105上獲得具有兩個主要膜厚度的抗蝕劑圖案104a，如圖1B所示。抗蝕劑圖案104a包括具有較厚的膜厚度的區(qū)域、和具有比前述區(qū)域薄的膜厚度的區(qū)域。具有較薄的膜厚度的區(qū)域的膜厚度可以通過調(diào)節(jié)半透射膜102的透射率或曝光能量來調(diào)節(jié)。
接下來，通過干法蝕刻來蝕刻導(dǎo)電膜105和導(dǎo)電膜106。干法蝕刻是由干法蝕刻設(shè)備使用諸如電子回旋加速器共振(ECR)或感應(yīng)耦合等離子體(ICP)的高密度等離子體源執(zhí)行的。
因此，形成導(dǎo)電膜105a和導(dǎo)電膜106a，如圖1C所示。
這里，盡管示出了使用ICP蝕刻設(shè)備的例子，但是本發(fā)明不限于此，例如還可以采用平行板型蝕刻設(shè)備、磁控管蝕刻設(shè)備、ECR蝕刻設(shè)備或螺旋型(helicon-type)蝕刻設(shè)備。
注意，可以通過濕法蝕刻來蝕刻導(dǎo)電膜105和導(dǎo)電膜106。然而，對于微細(xì)加工，干法蝕刻是合適的；所以優(yōu)選采用干法蝕刻。導(dǎo)電膜105和導(dǎo)電膜106的材料與絕緣膜107的材料極不相同；所以，即使執(zhí)行干法蝕刻，也可以獲得絕緣膜107相對于導(dǎo)電膜105和導(dǎo)電膜106的高蝕刻選擇性。至少絕緣膜107的頂層可以由氮化硅膜形成，以便使其蝕刻選擇性更高。
以這種方式，在絕緣膜107之上形成通過層疊導(dǎo)電膜106a和導(dǎo)電膜105a而形成的圖案，如圖1C所示。
接下來，對(一部分)抗蝕劑圖案104a執(zhí)行灰化或蝕刻(圖2A)。根據(jù)這一步驟，抗蝕劑圖案104a中具有較薄膜厚度的區(qū)域被蝕刻掉，而整個抗蝕劑圖案104a的膜厚度減小一個具有較薄膜厚度的區(qū)域的膜厚度的量。于是形成抗蝕劑圖案104b?？刮g劑圖案104a在寬度方向以及膜厚度方向上都被蝕刻；所以抗蝕劑圖案104b的寬度比導(dǎo)電膜105a和導(dǎo)電膜106a的寬度窄。所以，抗蝕劑圖案104b的側(cè)面與下層中的導(dǎo)電膜的側(cè)面并不對齊，抗蝕劑圖案104b的側(cè)面凹了進(jìn)去。在圖2B中，抗蝕劑圖案104b是左右對稱的。
接下來，使用抗蝕劑圖案104b蝕刻導(dǎo)電膜105a，以便形成導(dǎo)電膜105b(圖2B)。導(dǎo)電膜105a的材料優(yōu)選相對于導(dǎo)電膜106a具有高蝕刻選擇性，以使導(dǎo)電膜106a不會在此時被不必要地蝕刻。例如，優(yōu)選使用Ti、Mo、Cr、Al、Nd等或其合金作導(dǎo)電膜105a，可以采用前述材料的疊層結(jié)構(gòu)。于是，形成圖案小于導(dǎo)電膜106a的導(dǎo)電膜105b。
盡管用于形成圖2A和2B所示的導(dǎo)電膜105b的蝕刻可以通過干法蝕刻或濕法蝕刻執(zhí)行，圖2A和2B示出了干法蝕刻的情況。導(dǎo)電膜105b的側(cè)面形成為與抗蝕劑圖案104b的側(cè)面基本對齊。導(dǎo)電膜105b的一個側(cè)面與抗蝕劑圖案104b的一個側(cè)面在相同的平面上，而導(dǎo)電膜105b的另一個側(cè)面對應(yīng)于抗蝕劑圖案104b的另一個側(cè)面。
可以通過執(zhí)行干法蝕刻來實(shí)現(xiàn)微細(xì)加工。然而，當(dāng)形成導(dǎo)電膜105b時，也可以局部蝕刻導(dǎo)電膜106a。
另一方面，當(dāng)通過濕法蝕刻形成導(dǎo)電膜105b時，各向同性地進(jìn)行蝕刻，并形成小于抗蝕劑圖案104b的導(dǎo)電膜105b。抗蝕劑圖案104b的側(cè)面和導(dǎo)電膜105b的側(cè)面并不彼此對應(yīng)。所以，即使使用相同的抗蝕劑圖案104b作為掩模，通過濕法蝕刻形成的導(dǎo)電膜105b也比通過干法蝕刻形成的小。
通過執(zhí)行濕法蝕刻，可以獲得足夠高的蝕刻選擇性。
當(dāng)通過干法蝕刻形成導(dǎo)電膜106a時，其側(cè)面相對于襯底表面的角度θ1幾乎垂直或接近90°。另一方面，當(dāng)通過濕法蝕刻形成導(dǎo)電膜105b時，由于各向同性的蝕刻，其側(cè)面相對于襯底表面為銳角θ2。所以，當(dāng)導(dǎo)電膜106a的側(cè)面的角度θ1和導(dǎo)電膜105b的側(cè)面的角度θ2彼此比較時，滿足θ1＞θ2。注意，角度θ1是導(dǎo)電膜106a相對于襯底(或絕緣膜107)表面的傾斜角，而角度θ2是導(dǎo)電膜105b側(cè)面相對于襯底(或絕緣膜107)表面的傾斜角。角度θ1和θ2的范圍都是0到90°。
在導(dǎo)電膜105b和導(dǎo)電膜106a具有疊層結(jié)構(gòu)的情況下，在一些情況下每層中的蝕刻速率不同。相應(yīng)地，在一些情況下，這些層的側(cè)面相對于襯底表面形成的角度彼此不同。所以，在這種情況下，最底層中的膜的側(cè)面相對于襯底表面形成的角度表示為θ2。
注意，在一些情況下，導(dǎo)電膜105b和導(dǎo)電膜106a的側(cè)面并不平滑，而是不平坦的。在這種情況下，可以適當(dāng)?shù)卮_定角度θ1和角度θ2。例如，可以使用相對于不平坦的側(cè)面繪制的粗略直線或曲線確定角度θ1和角度θ2。進(jìn)一步說，可以基于不平坦的側(cè)面計算多個角度θ1和角度θ2，取其平均值為角度θ1和角度θ2?？梢圆捎米詈侠淼姆椒?。
如上所述，通過干法蝕刻方法或濕法蝕刻方法形成導(dǎo)電膜105b?？梢酝ㄟ^任意一種蝕刻方法形成側(cè)面相對于導(dǎo)電膜106a的側(cè)面凹進(jìn)去的導(dǎo)電膜105b。一個因素是作為用于形成導(dǎo)電膜106a的掩模的抗蝕劑圖案104a的尺寸和作為用于形成導(dǎo)電膜105b的掩模的抗蝕劑圖案104b的尺寸彼此不同，并且抗蝕劑圖案104b小于抗蝕劑圖案104a。
隨后，去除抗蝕劑圖案104b(圖2C)。于是，形成由導(dǎo)電膜105b和導(dǎo)電膜106a構(gòu)成的電極。導(dǎo)電膜106a和導(dǎo)電膜105b起像素電極的作用。然而，本發(fā)明不限于此。
更優(yōu)選地，導(dǎo)電膜105b由反射性導(dǎo)電膜形成，以便用作反射性電極；而導(dǎo)電膜106a由透明導(dǎo)電膜形成，以便用作透明電極。另外，需要將導(dǎo)電膜106a設(shè)置在導(dǎo)電膜105b之下，并且導(dǎo)電膜105b的整個下表面與導(dǎo)電膜106a的頂表面相接觸反射部分108a設(shè)置有反射性電極，而透射部分108b設(shè)置有透明電極。所以，可以以較小的步驟數(shù)制造反射性電極和透明電極，可以容易地制造半透射型顯示器件。對于反射性電極和透明電極不需要微細(xì)加工。因此，在反射性電極和透明電極彼此稍不對準(zhǔn)的情況下不會有大問題。例如，在反射性電極略小而透明電極略大的情況下也不會顯著影響顯示。所以，即使在執(zhí)行這樣的制造方法時，制造成品率不大可能降低，而且可以獲得成本降低、制造天數(shù)減少等有益效果。
在使用本發(fā)明包括具有不同膜厚度的區(qū)域的抗蝕劑圖案104a形成導(dǎo)電膜105b和導(dǎo)電膜106a的疊層的情況下，當(dāng)形成導(dǎo)電膜105b時，也就是使用抗蝕劑圖案104b作為掩模執(zhí)行蝕刻時，導(dǎo)電膜106a表面的一部分在一定程度上被蝕刻。具體說來，當(dāng)通過干法蝕刻形成導(dǎo)電膜105b時，難以獲得導(dǎo)電膜105b和下層的導(dǎo)電膜106a之間的選擇性；所以，容易蝕刻導(dǎo)電膜106a表面的一部分。因此，當(dāng)彼此比較圖2c中的導(dǎo)電膜106a的膜厚度a(導(dǎo)電膜106a中頂表面與導(dǎo)電膜105b不接觸的部分的膜厚度)與膜厚度b(導(dǎo)電膜106a中頂表面與導(dǎo)電膜105b相接觸的部分的膜厚度)時，滿足膜厚度a＜膜厚度b。注意，膜厚度a是指導(dǎo)電膜106a中與導(dǎo)電膜105b不重疊的部分的平均膜厚度，而膜厚度b是指導(dǎo)電膜106a中與導(dǎo)電膜105b重疊的部分的平均膜厚度。
在這個實(shí)施例模式中形成的導(dǎo)電膜105b的側(cè)面在一些情況下是傾斜的。所以，在該導(dǎo)電膜用于液晶顯示器件的情況下，當(dāng)從導(dǎo)電膜105b的傾斜側(cè)面執(zhí)行摩擦?xí)r，可以對導(dǎo)電膜105b的側(cè)面平滑地執(zhí)行摩擦。當(dāng)從導(dǎo)電膜105b的側(cè)面垂直的方向執(zhí)行摩擦?xí)r，因?yàn)榇怪眰?cè)面部分中的摩擦布(rubbing cloth)上的應(yīng)力，摩擦是不完全的，并且在一些情況下取向也是不完全的。所以，優(yōu)選從導(dǎo)電膜105b的側(cè)面傾斜的一側(cè)執(zhí)行摩擦。
另外，在通過濕法蝕刻形成兩個側(cè)面都傾斜的導(dǎo)電膜105b的情況下，可以在兩個方向上都平滑地執(zhí)行摩擦，這是更加有效的。
注意，如圖1A和1B所示，在光線照射的部分溶解的抗蝕劑稱為“正型抗蝕劑”。然而，不限于正型抗蝕劑，可以使用負(fù)型抗蝕劑。負(fù)型抗蝕劑是未被照射光線的部分溶解的抗蝕劑。
圖3A和3B示出了使用負(fù)型抗蝕劑的情況的視圖。圖1A對應(yīng)于圖3A，圖1B對應(yīng)于圖3B。除此之外，正型和負(fù)型之間的差異很少。如圖3A所示，透射部分101c設(shè)置在抗蝕劑304中期望保留的部分上方。光屏蔽部分101a設(shè)置在抗蝕劑304中期望被去除的部分上方。半透射部分101b設(shè)置在抗蝕劑304中期望保留其一小部分的部分上方。結(jié)果如圖3B所示，形成抗蝕劑304a。
在這個實(shí)施例模式中參考各個附圖進(jìn)行了描述。一個附圖包括各種組分。所以可以通過結(jié)合每個附圖中的各組分來制成另一種結(jié)構(gòu)。
在實(shí)施例模式1中，描述了在絕緣膜107之上形成像素電極的情況。然而，實(shí)際上像素電極連接到另一個布線、晶體管、存儲電容器等。所以，如果需要，絕緣膜107具有接觸孔，以便將像素電極連接到布線等。
因此，圖4示出了這種情況下的橫截面視圖。絕緣膜107a設(shè)有接觸孔402。在接觸孔402下形成布線401。布線401在許多情況下連接到晶體管的源極或漏極之一?；蛘?，在許多情況下，布線401本身是晶體管的源極或漏極之一、或存儲電容器的電極。
在這種情況下，由于使用實(shí)施例模式1中描述的制造方法，需要在導(dǎo)電膜105b下面形成導(dǎo)電膜106a。所以，還在形成為覆蓋接觸孔402的導(dǎo)電膜106a之上形成導(dǎo)電膜105b。
在導(dǎo)電膜105b下面形成晶體管、布線、和存儲電容器。在導(dǎo)電膜105b是反射性電極而導(dǎo)電膜106a是透明電極的情況下，優(yōu)選使透射區(qū)盡可能大，因?yàn)槠涫峭干涔庖詧?zhí)行顯示的區(qū)域。另一方面，在反射區(qū)中，即使某元件設(shè)置在反射性電極下面也不會影響顯示。所以，在導(dǎo)電膜105b下面形成晶體管、布線和存儲電容器，從而可以有效地設(shè)計布局。
注意，盡管晶體管和存儲電容器的整個區(qū)域優(yōu)選形成在反射性電極下面，但是本發(fā)明不限于此。晶體管和存儲電容器的一部分可以形成于反射性電極之外(反射區(qū)之外)。
接下來，描述反射性電極的不平坦部分。提供反射性電極是為了反射外來光以執(zhí)行顯示。外來光優(yōu)選被反射性電極漫反射，以有效利用進(jìn)入反射性電極的外來光，并提高顯示亮度。
這里，如圖5所示，絕緣膜107b可以具有不平坦部分501，使得可以使反射性電極不平坦。注意，絕緣膜107b可以具有疊層結(jié)構(gòu)。此外，如圖6所示，接觸孔501可以用于形成不平坦部分。在這種情況下，接觸孔501a還起連接布線401和導(dǎo)電膜106a的作用。
接下來，示出絕緣膜和反射性電極的不平坦部分的形成方法的例子。在圖1A至1C以及圖3A和3B中，描述通過使用包括屏蔽曝光光線的光屏蔽部分101a和允許部分通過曝光光線的半透射部分101b的曝光掩模來形成抗蝕劑的方法。這一制造方法可以適用于以少量的步驟形成絕緣膜和反射性電極的不平坦部分、以及絕緣膜中的接觸孔的方法。所以，可以進(jìn)一步減少步驟數(shù)量。
另外，因?yàn)檫@一制造方法用于形成透明電極和反射性電極，所以制造設(shè)備已經(jīng)可得。所以對于使用這一制造方法以形成透明電極和反射性電極的不平坦部分而言，沒有特殊的要求。因此，通過這一制造方法形成透明電極和反射性電極及其不平坦部分是非常有利的。
如果不平坦部分稍不重合(對準(zhǔn))也沒有大問題。對于不平坦部分不需要微細(xì)加工。所以，可以在不降低制造成品率的情況下制造不平坦部分。
在圖7中，曝光掩模包括屏蔽曝光光線的光屏蔽部分701a、(允許)部分通過曝光光線的半透射部分701b和曝光光線通過的透射部分701c。半透射部分701b具有減小曝光光線強(qiáng)度的半透射膜702。光屏蔽部分701a是通過在半透射膜702上疊加金屬膜703而形成的。這里，盡管描述了用半透射膜作半透射部分的例子，但是本發(fā)明不限于此。只要半透射部分減小曝光光線的強(qiáng)度，該半透射部分就可接受。此外，可以使用衍射光柵圖案作半透射部分。
在絕緣膜707之上設(shè)置有電極705。其上設(shè)置有對敏感的膜704(例如光敏的丙稀)。當(dāng)通過使用圖7A所示的曝光掩模將膜704曝露在光線下時，形成未曝光區(qū)、已曝光區(qū)、半曝光區(qū)。膜704上被光線照射的部分被去除，從而形成如圖7B所示的膜704a，并且接觸孔706a和不平坦部分706同時形成。
注意，盡管在圖7A和7B中形成了除接觸孔之外的不平坦部分，但是本發(fā)明不限于此?？梢孕纬芍T如接觸孔的多個孔，以形成不平坦部分。在這種情況下，不要求在孔下設(shè)置布線，因?yàn)椴⒉槐厝灰箅娺B接。在沒有電的問題的情況下，可以設(shè)置布線。
注意，盡管在圖7A和7B中，膜704上被光線照射的部分被去除，但是本發(fā)明不限于此。相反地，可以去除膜704上未被光線照射的部分。
注意，盡管在圖7A和7B中沒有使用抗蝕劑，但是本發(fā)明不限于此?？梢酝ㄟ^在形成膜后使用抗蝕劑進(jìn)行干法蝕刻或濕法蝕刻來形成不平坦部分和接觸孔。
注意，在一些情況下，透射區(qū)中的液晶的厚度(單元縫隙，或稱“盒縫隙”)被制為比反射區(qū)中的液晶的厚度厚。這是因?yàn)樵诜瓷鋮^(qū)光線通過兩次，而在透射區(qū)光線僅通過一次?？梢酝ㄟ^調(diào)節(jié)單元縫隙來使透射區(qū)中的單元縫隙更厚。圖8A和8B示出了這種情況。膜704被去除，以形成膜704b；所以，可以形成透射區(qū)中的下陷部分801以及接觸孔。下陷部分801中的單元縫隙較厚。所以，可以使用這一部分作為透射區(qū)。
在這種情況下，不需要額外的步驟來加厚單元縫隙；所以可以降低成本。
注意，本實(shí)施例模式示出了對實(shí)施例模式1中的描述的部分進(jìn)行了變形的情況的例子。所以，實(shí)施例模式1中的描述可以適用于本實(shí)施例模式，或者與本實(shí)施例模式相結(jié)合。
另外，在本實(shí)施例模式中參考各個附圖進(jìn)行了描述。一個附圖包括各種組分。所以可以通過結(jié)合每個附圖中的各組分來制成另一種結(jié)構(gòu)。
接下來，詳細(xì)描述設(shè)置晶體管的具體例子。注意，晶體管并不是必然要求的，可以適用所謂的無源矩陣類型。
首先，參考圖9描述用于在襯底901(之)上形成頂柵型TFT的方法。襯底901是具有透光屬性的襯底，如石英襯底、玻璃襯底或塑料襯底。注意，襯底901可以是具有屏蔽光的屬性的襯底，并且可以使用半導(dǎo)體襯底或絕緣體上硅(SOI)襯底。
在襯底9011(之)上形成絕緣膜902作為基膜。作為絕緣膜902，使用單層絕緣膜如氧化硅膜、氮化硅膜、或氮氧化硅膜(SiOxNy)；或使用至少兩層上述膜的疊層。
注意，優(yōu)選使用氧化硅作為與半導(dǎo)體接觸的部分。作為結(jié)果，可以抑制基膜中的電子陷阱或晶體管特性中的滯后現(xiàn)象。此外，優(yōu)選提供至少一個包含大量氮的膜作為基膜；所以，可以減少來自玻璃的雜質(zhì)。
接下來，在絕緣膜902上形成島形半導(dǎo)體膜903。
通過用濺射方法、LPCVD方法、等離子體CVD方法等在絕緣膜902的整個表面上形成半導(dǎo)體膜，隨后使用通過光刻法等形成的掩模處理半導(dǎo)體膜的形狀，來形成島形半導(dǎo)體膜903。當(dāng)島形半導(dǎo)體膜903由結(jié)晶半導(dǎo)體膜形成時，有一種方法在襯底901上直接形成結(jié)晶半導(dǎo)體膜；還有一種方法在襯底上901上形成非晶半導(dǎo)體膜，然后通過熱處理將其結(jié)晶化，以形成結(jié)晶半導(dǎo)體膜。至于后一種方法在結(jié)晶化過程中所用的熱處理，采用加熱爐、激光照射、用除了激光之外的來自燈的光線照射(下文中稱為“燈退火”)或其結(jié)合。
可以通過熱結(jié)晶方法形成結(jié)晶半導(dǎo)體膜，其中將鎳等添加到非晶半導(dǎo)體膜中，隨后執(zhí)行上述熱處理。注意，當(dāng)通過使用鎳的熱結(jié)晶方法執(zhí)行結(jié)晶來獲得結(jié)晶半導(dǎo)體膜時，優(yōu)選在結(jié)晶之后執(zhí)行去除鎳的吸雜處理。
當(dāng)通過激光照射執(zhí)行結(jié)晶來形成結(jié)晶半導(dǎo)體膜時，可以使用連續(xù)波(CW)激光束或脈沖激光束(脈沖激光束)。作為可用的激光束，可以使用從下列激光器中的一種或多種激光器發(fā)射的光束諸如Ar激光器、Kr激光器、或準(zhǔn)分子激光器的氣體激光器；或者使用單晶YAG、YVO4、鎂橄欖石(Mg2SiO4)、YAlO3或GdVO4、或多晶(陶瓷)YAG、Y2O3、YVO4、YAlO3或GdVO4作為介質(zhì)，摻有Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm、以及Ta中的一種或多種作為摻雜劑的激光器；玻璃激光器；紅寶石激光器；翠綠寶石激光器；Ti藍(lán)寶石激光器；銅蒸氣激光器；以及金蒸氣激光器。通過照射具有這種激光束的基波及其二次至四次諧波的激光束可以獲得具有大顆粒尺寸的晶體。例如，可以使用Nd:YVO4激光器(基波為1064nm)的二次諧波(532nm)或三次諧波(355nm)。這種激光可以通過CW或脈沖振蕩發(fā)射。當(dāng)由CW激光器發(fā)射時，需要激光器的功率密度為大約0.01至100MW/cm2(優(yōu)選為0.1至10MW/cm2)。在大約10至2000cm/秒的掃描速度下執(zhí)行照射。
注意，使用單晶YAG、YVO4、鎂橄欖石(Mg2SiO4)、YAlO3或GdVO4、或多晶(陶瓷)YAG、Y2O3、YVO4、YAlO3或GdVO4作為介質(zhì)，摻有Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm、以及Ta中的一種或多種作為摻雜劑的激光器；Ar離子激光器；或Ti藍(lán)寶石激光器可以連續(xù)振蕩。此外，通過執(zhí)行Q開關(guān)操作或鎖模，可以在大于或等于10MHz的重復(fù)頻率下執(zhí)行其脈沖振蕩。當(dāng)在大于或等于10MHz的重復(fù)頻率下振蕩激光束時，在半導(dǎo)體膜被激光束熔化并固化的同時，該半導(dǎo)體膜被下一個脈沖照射。因此，與使用具有低重復(fù)頻率的脈沖激光器的情況不同，固液界面可以在半導(dǎo)體膜中連續(xù)地移動；所以，可以獲得在掃描方向上連續(xù)生長的晶粒。
當(dāng)使用陶瓷(多晶)作為介質(zhì)時，可以在短時間內(nèi)以低成本形成具有自由形狀的介質(zhì)。當(dāng)使用單晶時，通常使用直徑幾毫米、長幾十毫米的柱形介質(zhì)。在使用陶瓷的情況下，可以使介質(zhì)大很多。
介質(zhì)中對發(fā)光有直接貢獻(xiàn)的雜質(zhì)如Nd或Yb的濃度在單晶和多晶中都不能有很大的改變；所以，在一定程度上對通過增加濃度來提高激光器的輸出有限制。然而，在陶瓷的情況下，與單晶相比，可以使介質(zhì)的尺寸非常大；所以，可以實(shí)現(xiàn)激光器輸出的急劇提高。
此外，在陶瓷的情況下，可以容易地形成平行六面體形或長方體形的介質(zhì)。當(dāng)使用具有這種形狀的介質(zhì)時，可以使振蕩光在介質(zhì)內(nèi)呈Z字形傳播，可以使振蕩光的路徑變長。所以，增加了振幅，并且可以在高輸出下振蕩激光束。此外，從具有這種形狀的介質(zhì)發(fā)射的激光束的橫截面為四邊形；所以，與圓形激光束相比，橫截面為四邊形的激光束在形成為線性光束方面有優(yōu)勢。通過使用光學(xué)系統(tǒng)對以上述方式發(fā)射的激光束進(jìn)行整形，可以容易地獲得在較短一側(cè)長為1mm或更小、而在較長一側(cè)長為幾毫米到幾米的線性光束。另外，用激發(fā)的光均勻地照射介質(zhì)，使得在長側(cè)方向上以均勻的能量分布發(fā)射線性光束。
通過用這樣的線性光束照射半導(dǎo)體膜，可以更均勻地對半導(dǎo)體膜的整個表面進(jìn)行退火。在需要從線性光束的一端到另一端均勻地退火的情況下，需要諸如線性光束兩端的狹縫布置的巧妙設(shè)計，從而遮蔽能量衰減部分使其避開光線。
當(dāng)使用以上述方式獲得的具有均勻強(qiáng)度的激光束對半導(dǎo)體膜進(jìn)行退火，并使用這種半導(dǎo)體膜制造電子設(shè)備時，該電子設(shè)備的特性是令人滿意的，并且是均勻的。
接下來，如果需要，向半導(dǎo)體膜摻入非常小量的雜質(zhì)元素(硼或磷)，以控制TFT的閾值。這里，使用離子摻雜方法，其中在不需要乙硼烷(B2H6)的質(zhì)量分離的情況下執(zhí)行等離子體激發(fā)。然而，可以執(zhí)行質(zhì)量分離以精確地控制摻雜劑的量。所以，可以精確地控制閾值電壓。
島形半導(dǎo)體膜903形成為具有25至80nm(優(yōu)選為30至70nm)的厚度。盡管用于半導(dǎo)體膜的材料沒有限制，但是半導(dǎo)體膜優(yōu)選由硅、硅鍺(SiGe)合金等形成。
接下來，形成柵極絕緣膜904以覆蓋島形半導(dǎo)體膜903。作為柵極絕緣膜904，可以使用熱氧化物膜、氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜等的單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)。優(yōu)選使用氧化硅膜作與島形半導(dǎo)體膜903相接觸的柵極絕緣膜。這是因?yàn)榭梢越档蜄艠O絕緣膜和島形半導(dǎo)體膜之間的界面處的陷阱水平(trap level)。此外，當(dāng)用Mo形成柵電極時，優(yōu)選使用氮化硅膜作為與柵電極相接觸的柵極絕緣膜。這是因?yàn)镸o不會被氮化硅膜氧化。
這里，作為柵極絕緣膜904，通過等離子體CVD方法形成厚度為115nm的氮氧化硅膜(成分比Si＝32％，O＝59％，N＝7％，而H＝2％)。
接下來，在柵極絕緣膜904上形成導(dǎo)電層，并且使用通過光刻法等形成的掩模處理導(dǎo)電層的形狀，以形成柵電極908和柵極布線。也可以形成用于存儲電容器的布線和電極。作為這些導(dǎo)電層的材料，使用Ti、Mo、Ta、Cr、W、Al、Nd、Cu、Ag、Au、Pt、Nb、Si、Zn、Fe、Ba、Ge等或這些元素的合金等。或者，可以使用上述元素或其合金的疊層結(jié)構(gòu)。這里，柵電極由Mo形成。優(yōu)選用Mo是因?yàn)榭梢匀菀椎貙ζ溥M(jìn)行蝕刻，并且其耐熱。接下來，使用柵電極908或抗蝕劑作為掩模向島形半導(dǎo)體膜903摻入雜質(zhì)元素，以形成溝道形成區(qū)和用作源極區(qū)和漏極區(qū)的雜質(zhì)區(qū)。
此時，可以形成LDD區(qū)。
接下來，使用具有透光屬性的無機(jī)材料(氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等)、具有低介電常數(shù)的有機(jī)化合物材料(光敏或非光敏有機(jī)樹脂材料)、或其疊層形成絕緣膜917?；蛘?，可以使用含硅氧烷的材料形成絕緣膜917(或其部分)。硅氧烷是包括由硅(Si)-氧(O)鍵形成的骨架的材料，并且包括至少含氫的有機(jī)基(如烷基或芳香烴)作為取代基?；蛘撸梢允褂梅鳛槿〈?。又或者，可以使用氟基或至少含氫的有機(jī)基作為取代基。絕緣膜917可以具有疊層結(jié)構(gòu)。
接下來，通過使用光掩模用抗蝕劑形成掩模。使用該掩模選擇性地蝕刻絕緣膜917和柵極絕緣膜904，以形成接觸孔。然后，去除用抗蝕劑制成的掩模。
通過濺射方法、印刷方法、CVD方法或噴墨方法在絕緣膜917上形成導(dǎo)電膜。使用通過光刻法等形成的掩模處理導(dǎo)電膜的形狀，以形成漏電極909、源電極、以及源極布線。作為其材料，使用Ti、Mo、Ta、Cr、W、Al、Nd、Cu、Ag、Au、Pt、Nb、Si、Zn、Fe、Ba、Ge等或這些元素的合金等?；蛘?，漏電極909等可以具有上述元素或其合金的疊層結(jié)構(gòu)。這里，漏電極和源極布線形成為具有三層結(jié)構(gòu)，其中Al層插在Mo層之間。
漏電極909對應(yīng)于圖4和6中的布線401和圖7A、7B、8A和8B中的電極705。
在其上形成絕緣膜907。通常使用有機(jī)材料形成絕緣膜907，這是因?yàn)槠渚哂懈咂矫娑群土己玫母采w率。注意，絕緣層907可以具有多層結(jié)構(gòu)，其中在無機(jī)材料(氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等)上形成有機(jī)材料。絕緣膜907對應(yīng)于圖1A至1C、2A至2C、3A和3B中的絕緣膜107。
在絕緣膜907中形成接觸孔之后，通過濺射方法、印刷方法、CVD方法或噴墨方法在其上形成導(dǎo)電膜。
圖9中的導(dǎo)電膜906對應(yīng)于圖2C和圖4至6中的導(dǎo)電膜106a。圖9中的導(dǎo)電膜905對應(yīng)于圖4至6中的導(dǎo)電膜105b。
導(dǎo)電膜906是像素電極的一部分，并且是透射光的透明電極。導(dǎo)電膜905是像素電極的一部分，并且是反射光的反射性電極。反射性電極的整個下表面與透明電極的頂表面相接觸。
就透明電極而言，可以使用例如在氧化銦中混合了氧化錫的氧化銦錫(ITO)膜、在氧化銦錫(ITO)中混合了氧化硅的氧化銦錫硅(ITSO)膜、在氧化銦中混合了氧化鋅的氧化銦鋅(IZO)膜、氧化鋅膜、氧化錫膜等。注意，IZO是使用在ITO中混合了2至20重量％的氧化鋅(ZnO)的靶通過濺射方法形成的透明導(dǎo)電材料。然而，本發(fā)明不限于此。
就反射性電極而言，可以使用例如Ti、Mo、Ta、Cr、W、Al、Nd、Cu、Ag、Au、Pt、Nb、Si、Zn、Fe、Ba、Ge等或其合金等。可以采用將Al與Ti、Mo、Ta、Cr或W層疊的雙層結(jié)構(gòu)；或者在諸如Ti、Mo、Ta、Cr或W的金屬層之間夾有Al層的三層結(jié)構(gòu)。
導(dǎo)電膜905和導(dǎo)電膜906通過在實(shí)施例模式1和2中描述的方法形成。
盡管圖中沒有示出，但是經(jīng)常在導(dǎo)電膜905和導(dǎo)電膜906上形成對齊(alignment)膜。
在相對襯底911上形成濾色片916、黑色矩陣(black matrix)915、平面化膜912、相對電極914等。在相對襯底911和襯底901之間設(shè)置液晶層910。
在反射光以執(zhí)行顯示的部分(反射部分)920中，光兩次經(jīng)過液晶層910。也就是說，外來光從相對襯底側(cè)進(jìn)入液晶層910，被導(dǎo)電膜905反射，再次經(jīng)過液晶層910，并從相對襯底側(cè)出去；所以光兩次經(jīng)過液晶層910。
另一方面，在透射光以執(zhí)行顯示的部分(透射部分)921中，光通過導(dǎo)電膜906進(jìn)入液晶層910，并從相對襯底出去。也就是說，光經(jīng)過液晶層910一次。
由于液晶層910具有折射率各向異性，所以光的偏振根據(jù)光在液晶層中傳播的距離而改變，從而在顯示圖像時，未適當(dāng)?shù)貓?zhí)行顯示。所以，需要調(diào)整光的偏振。作為調(diào)整光的偏振的方法，使反射光以執(zhí)行顯示的部分(反射部分)920中的液晶層910的厚度(所謂“單元縫隙”，即盒縫隙)較薄；所以，光兩次經(jīng)過液晶層910的距離不能太長。
可以設(shè)置用于調(diào)整厚度的膜(用于調(diào)整單元縫隙的膜，也稱為“厚度調(diào)整膜”、“單元縫隙調(diào)整膜”等)，以使液晶層910的厚度(所謂“單元縫隙”)變薄。該膜對應(yīng)于圖9中的絕緣膜913。也就是說，提供絕緣膜913是為了調(diào)整反射光以執(zhí)行顯示的部分(反射部分)920中的液晶層的厚度。通過設(shè)置絕緣膜913，可以使反射部分920中的液晶層的厚度比透射部分921中的液晶層的厚度薄。
注意，反射部分920中的液晶層910的厚度優(yōu)選為透射部分921中的液晶層910的厚度的一半。這里“一半”可以包括人類的眼睛不能識別的差異。
光線并不只從垂直于襯底的方向即法線方向進(jìn)入。光線經(jīng)常傾斜進(jìn)入。通過將這些情況合在一起，使光線在反射部分920中傳播的距離與光線在透射部分921中傳播的距離基本上大致相同。所以，反射部分中的液晶層910的厚度優(yōu)選大于或等于透射部分921中的液晶層910的厚度的三分之一、并小于或等于透射部分921中的液晶層910的厚度的三分之二。
如上所述，通過設(shè)置在相對襯底911一側(cè)，容易形成用于調(diào)整厚度的膜。優(yōu)選使用有機(jī)材料如丙烯酸或聚酰亞胺來形成用于調(diào)整厚度的膜。
注意，可以在用于調(diào)整厚度的膜中混入光散射顆粒。所以，光被散射，并且可以提高亮度。光散射顆粒由折射率與單元縫隙調(diào)整膜的折射率不同的材料形成，并且由具有光透射屬性的樹脂材料形成。用于調(diào)整單元縫隙的膜可以形成為包含這樣的光散射顆粒。
注意，優(yōu)選在絕緣膜913(靠近液晶層910的一側(cè))上形成相對電極914。所以，可以向液晶層910施加足夠高的電場。
然而，本發(fā)明不限于此。如圖10所示，可以在電極1014(靠近液晶層910)的一側(cè))上形成絕緣膜1013。因?yàn)榻^緣膜1013非常厚，所以可以避免電極1014斷開。
注意，盡管在圖9中沒有在反射部分920為反射性電極設(shè)置不平坦部分，但是可以如圖5和6所示形成不平坦部分。圖10示出了這種情況?？梢酝ㄟ^圖7A和7B中描述的方法形成不平坦部分。光線可以被不平坦部分1001和接觸孔1001a漫射。
注意，盡管在圖9和10中在相對襯底側(cè)上設(shè)置厚度調(diào)整膜，但是本發(fā)明不限于此。厚度調(diào)整膜可以設(shè)置在形成晶體管的一側(cè)上。圖11示出了這種情況。絕緣膜907a的一部分被去除，以形成厚度調(diào)整膜。注意，圖10可以與圖11相結(jié)合。圖12示出了這種情況的例子。下陷部分1101對應(yīng)于圖8B中的下陷部分801。如上所述，下陷部分1101設(shè)置在透射部分921中；所以，可以使透射部分921中的單元縫隙大于反射部分920中的單元縫隙。
注意，可以既提供下陷部分又提供厚度調(diào)整膜。兩者都用于控制厚度；所以每一個的厚度都不需要做得非常大，這使得容易制造。
注意，盡管在圖11中去除了絕緣膜907a的一部分以形成下陷部分1101，但是本發(fā)明不限于此。可以去除其它絕緣膜。例如，圖50示出了去除絕緣膜917a以及絕緣膜907a的一部分的情況。所以，可以容易地產(chǎn)生反射部分920和透射部分921之間單元縫隙差異。與僅去除絕緣膜907a的情況相比，可以使絕緣膜907a的厚度更薄，從而可以減少諸如襯底彎曲的缺陷。
圖51示出了進(jìn)一步局部去除絕緣膜902e、柵極絕緣膜904e、襯底901e等的情況。在一些情況下，絕緣膜902e、柵極絕緣膜904e、襯底901e等由具有相似成分的膜形成；所以可以更深地形成下陷部分1101c。
注意，可以使用接觸孔形成不平坦部分。圖13示出了這種情況。使用在導(dǎo)電膜906不與漏電極909連接的部分中設(shè)置的接觸孔1301來形成不平坦部分。形成了多個接觸孔1301以使布線和電極的表面不平坦，但不是為了連接布線。注意，在接觸孔1301中，與在接觸孔1001a中類似，導(dǎo)電膜906可以接觸漏電極909。
圖14示出了在圖13的情況下設(shè)置下陷部分1101的情況。
如上所述，對于不平坦部分的存在、不平坦部分的形成方法、以及單元縫隙的調(diào)整方法(在相對襯底側(cè)或TFT襯底側(cè)執(zhí)行厚度調(diào)整)中的每一種，都有多種方法。所以，可以選擇和結(jié)合其中任何方法。
注意，在導(dǎo)電膜905是反射性電極的情況下，優(yōu)選在導(dǎo)電膜905的下面形成晶體管、布線以及存儲電容器。在導(dǎo)電膜905是反射性電極而導(dǎo)電膜906是透明電極的情況下，優(yōu)選將透射區(qū)設(shè)置為盡可能長。這是因?yàn)楣馔高^透射區(qū)以執(zhí)行顯示。另一方面，在反射區(qū)，即使在反射性電極下設(shè)置一些元件也不會影響顯示。所以，在導(dǎo)電膜905下面設(shè)置晶體管、布線以及存儲電容器，從而可以有效地設(shè)計布局。
注意，盡管優(yōu)選將晶體管和存儲電容器的整個區(qū)域設(shè)置在反射性電極的下面，但是本發(fā)明不限于此。晶體管或存儲電容器的一部分可以設(shè)置在反射性電極之外(反射部分之外)。
圖47和48示出了在反射性電極下面設(shè)置晶體管和存儲電容器的情況下的橫截面視圖。在圖47中，使用用作晶體管4702的有源層的半導(dǎo)體層的一部分來形成存儲電容器4701的一個電極。在圖47中，在島形半導(dǎo)體膜903和存儲電容器布線908e之間使用柵極絕緣膜904作為絕緣體、并在漏電極909的一部分和存儲電容器布線908e之間使用絕緣膜917作為絕緣體，形成存儲電容器4701。在圖48中，在存儲電容器布線908f和半導(dǎo)體層903f(而不是用作晶體管4702有源層的半導(dǎo)體層)之間使用柵極絕緣膜904作為絕緣體形成存儲電容器4801。半導(dǎo)體層903f通過接觸孔與漏電極909連接。
注意，盡管在圖9至14、47和48中在漏電極上面設(shè)置了絕緣膜，但是本發(fā)明不限于此。透明電極906a可以設(shè)置在用作反射性電極的漏電極905a下面，并且像素電極可以設(shè)置在形成于柵電極上面的絕緣膜1517上。圖15示出了這種情況。注意，在圖15的情況下，可以使反射性電極的表面不平坦，或者可以形成厚度調(diào)整膜和下陷部分以調(diào)整單元縫隙。作為例子，圖16示出了使用接觸孔1601和1601a形成反射性電極的不平坦部分的情況。
注意，盡管圖9至16、47和48中的每個都示出了柵電極設(shè)置在溝道之上的情況，即所謂頂柵型晶體管的情況，但是本發(fā)明不限于此。本發(fā)明還可以適用于柵電極設(shè)置在溝道下面的情況，即所謂底柵型晶體管的情況。
圖17示出了底柵型晶體管的情況。在柵電極1708之上形成柵極絕緣膜1704。在其上面形成島形半導(dǎo)體膜1703。在其上面形成絕緣膜1717。形成接觸孔，在接觸孔上面形成漏電極1709和源信號線。漏電極1709和源信號線上面的結(jié)構(gòu)與頂柵結(jié)構(gòu)的情況類似。所以，在底柵型晶體管的情況下，可以使反射性電極的表面不平坦，或者可以形成厚度調(diào)整膜和下陷部分以調(diào)整單元縫隙?？梢允褂媒佑|孔形成反射性電極的不平坦部分。
注意，本實(shí)施例模式示出了具體實(shí)現(xiàn)實(shí)施例模式1和2中描述的內(nèi)容的情況下的例子。所以，實(shí)施例模式1和2中描述的內(nèi)容也可以適用于本實(shí)施例模式，或者與本實(shí)施例模式相結(jié)合。
另外，在本實(shí)施例模式中參考各個附圖進(jìn)行了描述。一個附圖包括各種組分。所以可以通過結(jié)合每個附圖中的各組分來制成另一種結(jié)構(gòu)。
可以用任何模式的液晶分子設(shè)置液晶層910。
以扭曲向列(TN，Twisted Nematic)液晶為例。當(dāng)使用TN液晶時，不需要對像素電極設(shè)置狹縫。也就是說，像素電極可以設(shè)置為遍布一個像素?？梢栽谒邢袼厣闲纬晌挥谙鄬σr底上的公用電極。所以，可以使用實(shí)施例模式1至3中描述的像素電極(透明電極和反射性電極)。
作為除了TN液晶之外的液晶，有多疇垂直對齊(MVA，Multi-Domain Vertical Alignment)模式和液晶分子沿垂直方向排列的構(gòu)圖垂直對齊(PVA，Patterned Vertical Alignment)模式。在MVA模式或PVA模式的情況下，為了控制液晶分子的傾斜，對像素電極設(shè)置狹縫或?qū)⑾袼仉姌O分開以相隔一定間隔布置，或者設(shè)置凸起部分。
圖18是對像素電極設(shè)置狹縫的情況下的橫截面視圖。如圖18所示，對相對電極也設(shè)置了狹縫等的結(jié)構(gòu)是PVA模式。如圖19所示，對相對電極設(shè)置了凸起部分1901和1902的結(jié)構(gòu)是MVA模式。
當(dāng)使用本發(fā)明的制造方法時，導(dǎo)電層906b的側(cè)面和導(dǎo)電膜905b的側(cè)面彼此并不對齊。導(dǎo)電膜905b的側(cè)面相對于導(dǎo)電膜906b的側(cè)面凹了進(jìn)去。反射性電極的整個下表面與透明電極的頂表面相接觸。這是本發(fā)明的制造方法(例如當(dāng)蝕刻每一導(dǎo)電層時使用的抗蝕劑的形狀)帶來的。
通過使用MVA模式或PVA模式改善了視角特性。所以，改善了可視性，并且可以顯示即使在從任何角度觀看時也具有較低(小)色彩不均勻的圖像。此外，由于可以使用正常的黑色模式，所以可以使黑色狀態(tài)下的亮度極低。所以，可以改善對比度。
注意，本實(shí)施例模式示出了具體實(shí)現(xiàn)實(shí)施例模式1至3中描述的內(nèi)容的情況下的例子。所以，實(shí)施例模式1至3中描述的內(nèi)容也可以適用于本實(shí)施例模式，或者與本實(shí)施例模式相結(jié)合。
另外，在本實(shí)施例模式中參考各個附圖進(jìn)行了描述。一個附圖包括各種組分。所以可以通過結(jié)合每個附圖中的各組分來制成另一種結(jié)構(gòu)。
接下來，描述使用非晶硅的晶體管的情況。注意，對于本實(shí)施例模式中描述的TFT，就襯底類型、形成方法、每個層的材料等而言，可以參考實(shí)施例模式1至4。
在使用非晶硅的情況下，同樣可以實(shí)現(xiàn)底柵型(反向交錯型)晶體管、頂柵型(交錯型)晶體管等。這里描述使用反向交錯型晶體管的情況。
圖21是橫截面視圖。在襯底2101上形成絕緣膜作為基膜。注意，并非必須設(shè)置基膜。接下來，在絕緣膜或襯底2101上形成導(dǎo)電膜，使用通過光刻法等形成的掩模處理其形狀，以形成柵電極2108和柵極布線。也可以形成存儲電容器布線和電極。
形成柵極絕緣膜2104以覆蓋柵電極2108。使用氮化硅膜、氧化硅膜、其疊層結(jié)構(gòu)等來形成該柵極絕緣膜2104。在柵極絕緣膜2104之上形成非晶半導(dǎo)體膜。盡管非晶半導(dǎo)體膜的材料沒有限制，但是優(yōu)選用硅、硅鍺(SiGe)合金等形成非晶半導(dǎo)體膜。接下來，在非晶半導(dǎo)體膜之上形成導(dǎo)電層。作為導(dǎo)電層，例如可以使用含磷的非晶硅膜。使用通過光刻法形成的掩模處理非晶半導(dǎo)體膜和導(dǎo)電層的形狀，以形成島形非晶半導(dǎo)體膜和島形非晶導(dǎo)電層。這些總體上是以硅為主要成分的半導(dǎo)體層2103。
形成導(dǎo)電層以層疊在半導(dǎo)體層2103上，使用通過光刻法等形成的掩模處理其形狀，以形成漏電極2109。
使用漏電極2019等作為掩模來蝕刻半導(dǎo)體參2103的導(dǎo)電層，從而將源極和漏極分開。這樣的結(jié)構(gòu)一般稱為“溝道蝕刻型”。
漏電極2109對應(yīng)于圖4和6中的布線401和圖7A、7B、8A和8B中的電極705。
在其上形成絕緣膜2102。優(yōu)選用氮化硅膜形成絕緣膜2102，因?yàn)榈枘た梢苑乐垢鞣N雜質(zhì)進(jìn)入晶體管。注意，可以使用氧化硅膜或包括氧化硅膜的疊層膜。
接下來，形成絕緣膜2107以吸收布線等的不平坦性以使其平坦。使用諸如丙烯酸或聚酰亞胺的有機(jī)膜來制成該絕緣膜2107。也可以使用光敏材料。
絕緣膜2107和絕緣膜2102對應(yīng)于圖1A至1C、2A至2C、3A和3B中的絕緣膜107。
接下來，在絕緣膜2102和絕緣膜2107中形成接觸孔。在其上形成導(dǎo)電膜。
圖21中的電極2106對應(yīng)于圖2C、4至6中的導(dǎo)電膜106a。圖21中的電極2105對應(yīng)于圖2C、4至6中的導(dǎo)電膜105b。
電極2106是像素電極的一部分，并且是透射光的透明電極。電極2105是像素電極的一部分，并且是反射光的反射性電極。反射性電極的整個下表面與透明電極的頂表面相接觸。
就透明電極而言，可以使用例如在氧化銦中混合了氧化錫的氧化銦錫(ITO)膜、在氧化銦錫(ITO)中混合了氧化硅的氧化銦錫硅(ITSO)膜、在氧化銦中混合了氧化鋅的氧化銦鋅(IZO)膜、氧化鋅膜、氧化錫膜等。注意，IZO是使用在ITO中混合了2至20重量％的氧化鋅(ZnO)的靶通過濺射方法形成的透明導(dǎo)電材料。然而，本發(fā)明不限于此。
就反射性電極而言，可以使用例如Ti、Mo、Ta、Cr、W、Al、Nd、Cu、Ag、Au、Pt、Nb、Si、Zn、Fe、Ba、Ge等或其合金等。可以采用將Al與Ti、Mo、Ta、Cr或W層疊的雙層結(jié)構(gòu)；或者在諸如Ti、Mo、Ta、Cr或W的金屬層之間夾有Al層的三層結(jié)構(gòu)。
導(dǎo)電膜2105和導(dǎo)電膜2106通過在實(shí)施例模式1和2中描述的方法形成。
盡管圖中沒有示出，但是經(jīng)常在導(dǎo)電膜2105和導(dǎo)電膜2106上形成對齊膜。
關(guān)于相對電極2114、絕緣膜2113、平面化膜2112、黑色矩陣2115、濾色片2116、相對襯底2111和液晶層2110，盡管它們與實(shí)施例模式1至4中所描述的那些相類似，但是下面作為例子進(jìn)行說明。
注意，盡管圖21中在反射部分920中反射性電極沒有不平坦部分，但是可以如圖5和6所示形成不平坦部分。圖22示出了這種情況?？梢酝ㄟ^圖7A和7B中描述的方法形成不平坦部分。光可以被不平坦部分2201和接觸孔2201a漫射。
注意，可以在用于調(diào)整厚度的膜2113和2213中混入光散射顆粒。所以，光被散射，并且可以提高亮度。光散射顆粒由折射率與單元縫隙調(diào)整膜的折射率不同的材料形成，并且由具有光透射屬性的樹脂材料形成。用于調(diào)整單元縫隙的膜可以形成為包含這樣的光散射顆粒。
注意，盡管在圖21和22中在相對襯底側(cè)上設(shè)置厚度調(diào)整膜，但是本發(fā)明不限于此。厚度調(diào)整膜可以設(shè)置在形成晶體管的一側(cè)上。圖23示出了這種情況。注意，圖21可以與圖22相結(jié)合。圖24示出了這種情況的例子。下陷部分2301對應(yīng)于圖8中的下陷部分801。如上所述，下陷部分2301設(shè)置在透射部分921中；所以，可以使透射部分921中的單元縫隙大于反射部分920中的單元縫隙。
注意，盡管在圖23中去除了絕緣膜2107a的一部分以形成下陷部分2301，但是本發(fā)明不限于此。可以去除其它絕緣膜。例如，可以去除絕緣膜2102以及絕緣膜2107a的一部分。圖52示出了還去除了柵極絕緣膜2104e和襯底2101e的一部分的情況。所以，可以容易地產(chǎn)生反射部分920和透射部分921之間單元縫隙差異。絕緣膜2102e、柵極絕緣膜2104e、襯底2101e等由具有相似成分的膜形成；所以可以更深地形成下陷部分2301c。
注意，盡管在圖24中既形成了下陷部分又形成了厚度調(diào)整部分，但是本發(fā)明不限于此。可以形成其中之一。當(dāng)這兩者都設(shè)置時，可以通過這兩者來控制厚度；所以每一個的厚度都不需要做得非常大，這使得容易制造。
注意，可以使用接觸孔形成不平坦部分。圖25示出了這種情況。使用在電極2106不與漏電極2109連接的部分中設(shè)置的接觸孔2501來形成不平坦部分。形成了多個接觸孔2501以使布線和電極的表面不平坦，但不是為了連接布線。注意，在接觸孔2501中，與在接觸孔2201a中類似，電極2106可以接觸漏電極2109。
注意，可以在圖25的情況下設(shè)置下陷部分2301。
注意，盡管圖21至25示出了溝道蝕刻型晶體管，但是本發(fā)明不限于此。可以使用溝道保護(hù)型晶體管。作為例子，圖26示出了在圖21的情況下使用溝道保護(hù)型晶體管時的橫截面視圖。在形成了溝道的半導(dǎo)體層2603a上形成溝道保護(hù)膜2601。在其上形成含磷的半導(dǎo)體層和導(dǎo)電層(漏電極、源信號線等)2603b。溝道保護(hù)型晶體管可以適用于圖22至25和49的情況。
包括溝道保護(hù)膜2601的TFT具有以下效果。因?yàn)椴挥脫?dān)心半導(dǎo)體層被蝕刻，所以可以形成薄的半導(dǎo)體層2603a，并且可以改善TFT的特性。因此，可以向TFT提供大電流，并縮短信號寫入時間，而這是更可取的。
注意，盡管在圖21至26和49中在絕緣膜2102上形成了絕緣膜2107，但是本發(fā)明不限于此?？梢詫?shí)現(xiàn)不需要平面化的情況。圖27示出了這種情況的橫截面視圖。通過不形成絕緣膜2107，可以減少步驟數(shù)量，并降低成本。注意，在圖27的情況下，反射性電極的表面可以不平坦，可以提供厚度調(diào)整膜或下陷部分以調(diào)整單元縫隙，或者可以使用接觸孔來形成反射性電極的不平坦部分。
如上所述，對于不平坦部分的存在、不平坦部分的形成方法、以及單元縫隙的調(diào)整方法(在相對襯底側(cè)或TFT襯底側(cè)執(zhí)行厚度調(diào)整)中的每一種，都有多種方法。所以，可以選擇和結(jié)合其中任何方法。
注意，本實(shí)施例模式示出了具體實(shí)現(xiàn)實(shí)施例模式1至4中描述的內(nèi)容的情況下的例子，并且詳細(xì)描述了其中一部分。所以，實(shí)施例模式1至4中描述的內(nèi)容也可以適用于本實(shí)施例模式，或者與本實(shí)施例模式相結(jié)合。
另外，在本實(shí)施例模式中參考各個附圖進(jìn)行了描述。一個附圖包括各種組分。所以可以通過結(jié)合每個附圖中的各組分來制成另一種結(jié)構(gòu)。
至此，已主要參考橫截面視圖進(jìn)行了描述。在本實(shí)施例模式中，將描述頂平面視圖。
圖28是可以適用于圖9和47的情況的頂平面視圖。圖28示出了一個像素(一個顏色單元)。形成半導(dǎo)體層2803a，在其上形成柵極布線2808a和電容器線2808b。由柵電極形成晶體管，所述柵電極是在半導(dǎo)體層2803a上與柵極布線2808a連續(xù)地形成的膜。半導(dǎo)體層2803a設(shè)置在電容器線2808b的下面。由電容器線2808b和半導(dǎo)體層2803a形成存儲電容器。由其間插入了柵極絕緣膜的上下電極形成電容。在這種情況下，可以向半導(dǎo)體層2803a中用作電容器電極的區(qū)域添加或者不添加磷或硼。當(dāng)不添加磷或硼時，向電容器線2808b施加高電壓。當(dāng)添加磷或硼時，電容器線2808b經(jīng)常電連接到相對電極。所以，可以減少布線數(shù)量。
在其上形成源信號線2809a和漏電極2809b，并通過接觸孔將源信號線2809a和漏電極2809b連接到半導(dǎo)體層2803a。
注意，漏電極2809b可以較大地提供，以使與電容器線2808b重疊的區(qū)域較大；所以，可以增加存儲電容器的電容值。
在其上形成透明電極2806，并且通過接觸孔將透明電極2806連接到漏電極2809b。在其上形成反射性電極2803b。
在晶體管和存儲電容器上形成反射性電極2803b。所以，可以增加透射部分的孔徑比，并且可以有效地設(shè)計布局。
注意，盡管設(shè)置了電容器線2808b，但是本發(fā)明不限于此。取代電容器線2808b，可以使用前一行的選通信號線。也就是說，前一行的選通信號線的電位恒定地處于未被選擇狀態(tài)，從而用作存儲電容器線。
在圖29中存儲電容器設(shè)置在像素電極的中心部分，而在圖28中存儲電容器設(shè)置在晶體管的附近。所以，可以在一個像素中設(shè)置多個透射區(qū)。因此，可以存在液晶分子的對齊狀態(tài)彼此不同的多個區(qū)，可以容易地實(shí)現(xiàn)多疇結(jié)構(gòu)。通過具有多疇結(jié)構(gòu)，可以獲得寬視角。
圖30相對于圖27的情況示出了反射性電極具有不平坦部分3001的情況。這對應(yīng)于圖10和13。反射性電極具有不平坦部分，使得光被散射，并且可以提高亮度。
類似地，圖31相對于圖29的情況示出了反射性電極具有不平坦部分3001的情況，其中存儲電容器設(shè)置在像素電極的中心部分。反射性電極具有不平坦部分，使得光被散射，并且可以提高亮度。此外，可以存在液晶分子的對齊狀態(tài)彼此不同的多個區(qū)，可以容易地實(shí)現(xiàn)多疇結(jié)構(gòu)。通過具有多疇結(jié)構(gòu)，可以避免在從特定角度觀看時降低透光率，并且可以獲得寬視角。
接下來，圖32示出了如圖11所示形成下陷部分3201的情況。通過形成下陷部分3201，可以容易地使反射部分的單元縫隙和透射部分的單元縫隙之間存在差異；所以，可以改善可視性，并且可以以適當(dāng)?shù)幕叶鹊燃夛@示具有較低(小)色彩不均勻的圖像。此外，可以在襯底上設(shè)置晶體管、電容器、布線等的一側(cè)同時實(shí)現(xiàn)單元縫隙調(diào)整；所以，可以以較少的步驟數(shù)量和低成本實(shí)現(xiàn)單元縫隙調(diào)整。
類似地，圖33相對于圖29的情況示出了形成不平坦部分3201a和不平坦部分3201b的情況，其中存儲電容器設(shè)置在像素電極的中心部分。
在圖28至33中，描述了遍布每個像素設(shè)置像素電極的情況。這主要對應(yīng)于用作TN液晶的情況。
如圖18和19所示，像素電極可以具有狹縫，或?qū)⑾袼仉姌O分開以相隔一定間隔布置。
圖34是通過對像素電極設(shè)置狹縫、或通過將像素電極分開以相隔一定間隔布置而對應(yīng)于MVA模式、PVA模式等的頂平面視圖。在透射區(qū)和反射區(qū)都形成了狹縫3401a、3401b、3401c、3401d等，從而可以確定液晶分子的傾斜方向。
在反射部分下面設(shè)置存儲電容器部分；所以，可以增加透射部分的孔徑比，并有效地設(shè)計布局。
反射部分和存儲電容器設(shè)置在像素電極的中心部分，而透射部分設(shè)置在其附近；所以，可以在一個像素上設(shè)置多個透射部分。因此，可以存在液晶分子的對齊狀態(tài)彼此不同的多個區(qū)，可以容易地實(shí)現(xiàn)多疇結(jié)構(gòu)。通過具有多疇結(jié)構(gòu)，可以避免在從特定角度觀看時降低透光率，并且可以獲得寬視角。
圖35示出了在透射部分形成不平坦部分3001的情況。反射性電極具有不平坦部分，使得光被散射，并且可以提高亮度。
如上所述，像素電極具有狹縫或?qū)⑾袼仉姌O分開以相隔一定間隔布置的結(jié)構(gòu)也可以適用于圖28至33。
注意，形成狹縫的方法不限于圖34和35，可以采用各種布置方式。
盡管圖28至35示出了使用具有頂柵結(jié)構(gòu)的晶體管的情況的例子，但是本發(fā)明不限于此，可以采用與此不同的結(jié)構(gòu)。接下來，示出使用具有反向交錯結(jié)構(gòu)的晶體管的例子。
圖36對應(yīng)于圖21。形成了柵極布線3608a和電容器線3608b。在其上形成半導(dǎo)體層3603。由柵電極形成晶體管，所述柵電極是在半導(dǎo)體層3603下面與柵極布線3608a連續(xù)地形成的膜。在其上形成源信號線3609a和漏電極3619b。在電容器線3608b上面形成漏電極3619b，在那里形成存儲電容器。由其間插入了柵極絕緣膜的上下電極形成電容器。在其上形成透明電極3606，并通過接觸孔將透明電極3606連接到漏電極3619b。在其上形成反射性電極3605。
反射性電極3605形成于晶體管和存儲電容器上面。所以，可以提高透射部分的孔徑比，并且可以有效地設(shè)計布局。
盡管在圖36中存儲電容器設(shè)置在晶體管附近，但是存儲電容器可以設(shè)置在像素電極的中心部分。所以，可以在一個像素中設(shè)置多個透射部分。因此，可以存在液晶分子的對齊狀態(tài)彼此不同的多個區(qū)，可以容易地實(shí)現(xiàn)多疇結(jié)構(gòu)。通過具有多疇結(jié)構(gòu)，可以避免在從特定角度觀看時降低透光率，并且可以獲得寬視角。
圖37相對于圖36示出了反射性電極具有不平坦部分3701的情況。通過在反射性電極上形成不平坦部分，光被散射，并且可以提高亮度。
圖38示出了如圖23所示形成下陷部分3801的情況。通過形成下陷部分3801，可以容易地使反射部分的單元縫隙和透射部分的單元縫隙之間存在差異；所以，可以改善可視性，并且可以以適當(dāng)?shù)幕叶鹊燃夛@示具有較低色彩不均勻的圖像。
在圖36至38中，描述了遍布每個像素設(shè)置像素電極的情況。這主要對應(yīng)于用作TN液晶的情況。
如圖18和19所示，像素電極可以具有狹縫，或?qū)⑾袼仉姌O分開以相隔一定間隔布置。
圖39是通過對像素電極設(shè)置狹縫、或通過將像素電極分開以相隔一定間隔布置而對應(yīng)于MVA模式、PVA模式等的頂平面視圖。在透射區(qū)和反射區(qū)都形成了狹縫3901a、3901b、3901c、3901d等，從而可以確定液晶分子的傾斜方向。
在反射部分下面設(shè)置存儲電容器部分；所以，可以增加透射部分的孔徑比，并有效地設(shè)計布局。
反射部分和存儲電容器設(shè)置在像素電極的中心部分，而透射部分設(shè)置在其附近；所以，可以容易地實(shí)現(xiàn)多疇結(jié)構(gòu)。通過具有多疇結(jié)構(gòu)，可以避免在從特定角度觀看時降低透光率，并且可以獲得寬視角。
注意，可以在反射部分(反射性電極3605a上面)形成不平坦部分。
注意，圖39中的狹縫是波浪形的，從而可以更容易地控制液晶分子。
如上所述，像素電極具有狹縫或被分開以相隔一定間隔布置的結(jié)構(gòu)也可以適用于其它頂平面視圖。
注意，形成狹縫的方法不限于圖39，可以采用各種布置方式。
注意，本實(shí)施例模式示出了具體實(shí)現(xiàn)實(shí)施例模式1至5中描述的內(nèi)容的情況下的例子，并且詳細(xì)描述了其中一部分。所以，實(shí)施例模式1至5中描述的內(nèi)容也可以適用于本實(shí)施例模式，或者與本實(shí)施例模式相結(jié)合。
另外，在本實(shí)施例模式中參考各個附圖進(jìn)行了描述。一個附圖包括各種組分。所以可以通過結(jié)合每個附圖中的各組分來制成另一種結(jié)構(gòu)。
在該實(shí)施例模式中，參考圖20A至20D描述實(shí)施例模式1至6中使用的曝光掩模。圖20A至20D是圖1A至1C、3A、3B、7A、7B、以及8A和8B中所示曝光掩模的光屏蔽部分101a和半透射部分101b的頂平面視圖。曝光掩模的光屏蔽部分101a的寬度表示為t1，半透射部分101b的寬度表示為t2。
半透射部分101b可以具有衍射光射圖案。圖20A和20B分別示出了包括狹縫部分的衍射光柵圖案，所述狹縫部分由多個小于或等于曝光設(shè)備的分辨極限的狹縫形成。衍射光柵圖案是布置了至少一個諸如狹縫或點(diǎn)的圖案。當(dāng)布置多個諸如狹縫或點(diǎn)的圖案時，可以周期性地或非周期性地布置圖案。通過使用小于或等于分辨極限的微小圖案，可以改變實(shí)質(zhì)曝光量，并且可以調(diào)整顯影后被曝露在光線下時的抗蝕劑的厚度。
狹縫部分的狹縫可以沿平行于光屏蔽部分303的一側(cè)的方向延伸，如狹縫部分301；或者沿垂直于光屏蔽部分303的一側(cè)的方向延伸，如狹縫部分302。狹縫部分的狹縫可以沿相對于光屏蔽部分303的一側(cè)傾斜的方向延伸。注意，用于這一光刻步驟的抗蝕劑優(yōu)選為正型抗蝕劑。
作為半透射部分的另一個例子，圖20C示出了設(shè)置具有降低曝光光線的強(qiáng)度的功能的半透射膜2004。作為半透射膜，可以使用MoSi、MoSiO、MoSiON、CrSi等以及MoSiN。使用包括半透射部分的曝光掩模的曝光方法稱為“半色調(diào)曝光方法”。
當(dāng)用曝光光線照射圖20A至20C所示的曝光掩模時，光強(qiáng)在光屏蔽部分303為零，而光強(qiáng)在透光部分305為100％。另一方面，可以在10至70％的范圍內(nèi)調(diào)整通過由狹縫部分301或302或者半透射膜2004形成的具有光強(qiáng)減小功能的半透射部分的光強(qiáng)。圖20D示出了光強(qiáng)分布的典型例子。當(dāng)半透射部分是衍射光柵圖案時，可以通過調(diào)整狹縫部分301和302的節(jié)距和狹縫寬度來實(shí)現(xiàn)對通過半透射部分的光強(qiáng)的調(diào)整。
本實(shí)施例模式可以與實(shí)施例模式1至6自由地結(jié)合。
下面描述本發(fā)明的像素電路。在圖45中，像素50001布置在像素陣列50000的矩陣中。像素50001連接到向其(即向像素)輸入視頻信號的源信號線50002，和向其輸入選通信號的選通信號線50003。通過使用這些信號來控制晶體管5004，以便將視頻信號輸入液晶CLC和存儲電容器CS。存儲電容器CS連接到存儲電容器線5005。液晶CLC的透光率根據(jù)視頻信號而改變；從而顯示圖像。
如圖46所示，至少像素陣列50000設(shè)置在玻璃襯底60000上。在一些情況下，可以設(shè)置用于驅(qū)動選通信號線的選通信號線驅(qū)動器電路60001和用于向源信號線提供視頻信號的源信號線驅(qū)動器電路60002。在一些情況下，可以兩者都設(shè)置；而在另一些情況下，可以設(shè)置其中之一。
源信號線驅(qū)動器電路60002包括移位寄存器、取樣開關(guān)、鎖存電路、D/A轉(zhuǎn)換器電路等；然而，本發(fā)明不限于此。在一些情況下，可以只設(shè)置取樣開關(guān)而不設(shè)置移位寄存器等。
注意，本實(shí)施例模式示出了具體實(shí)現(xiàn)實(shí)施例模式1至7中描述的內(nèi)容的情況下的例子，并且詳細(xì)描述了其中一部分。所以，實(shí)施例模式1至7中描述的內(nèi)容也可以適用于本實(shí)施例模式，或者與本實(shí)施例模式相結(jié)合。
另外，在本實(shí)施例模式中參考各個附圖進(jìn)行了描述。一個附圖包括各種組分。所以可以通過結(jié)合每個附圖中的各組分來制成另一種結(jié)構(gòu)。
參考圖40描述在顯示部分包括了本發(fā)明的顯示器件的移動電話的結(jié)構(gòu)示例。
顯示面板5410可拆卸地裝入外殼5400中。外殼5400的形狀和尺寸可以根據(jù)顯示面板5410的尺寸而適當(dāng)改變。將固定了顯示面板5410的外殼5400安裝到印刷電路板5401中，并組裝成模塊。
顯示面板5410通過FPC 5411連接到印刷電路板5401。在印刷電路板5401上形成揚(yáng)聲器5402、麥克風(fēng)5403、發(fā)送/接收電路5404、以及包括CPU、控制器等的信號處理電路5405。將這樣的模塊與輸入單元5406和電池5407結(jié)合，并且裝入機(jī)殼5409和5412。顯示面板5410的像素部分設(shè)置為可從機(jī)殼5412的開窗口看見。
可以以這樣的方式形成顯示面板5410，其中，通過使用TFT，在同一個襯底上形成像素部分和一部分外圍驅(qū)動器電路(多個驅(qū)動器電路中具有低工作頻率的驅(qū)動器電路)，而在IC芯片上形成另一部分外圍驅(qū)動器電路(上述多個驅(qū)動器電路中具有高工作頻率的驅(qū)動器電路)，所述IC芯片可以通過玻璃上芯片工藝(COG，Chip On Glass)安裝到顯示面板5410上。或者，IC芯片可以通過帶式自動粘接(TAB，Tape Automated Bonding)或通過使用印刷電路板連接到玻璃襯底。注意，圖41A示出了顯示面板的結(jié)構(gòu)的例子，其中一部分外圍驅(qū)動器電路和像素部分形成于襯底之上，同時通過COG等在襯底上安裝形成了另一部分外圍驅(qū)動器電路的IC芯片。根據(jù)這一結(jié)構(gòu)，可以降低顯示器件的功耗，并且可以延長每次充電后移動電話的工作時間。另外，可以實(shí)現(xiàn)移動電話的成本降低。
另外，通過用緩沖器轉(zhuǎn)換設(shè)定到掃描線或信號線的信號的阻抗，可以縮短向一行中的像素寫入信號的時間。所以，可以提供高清晰度的顯示器件。
為了進(jìn)一步降低功耗，可以通過使用TFT在襯底之上形成像素部分，并在IC芯片之上形成所有外圍電路，該IC芯片可以通過玻璃上芯片工藝(COG，Chip On Glass)等安裝到顯示面板上。
通過使用本發(fā)明的顯示器件，可以獲得高對比度的圖像。
注意，本實(shí)施例模式所示的結(jié)構(gòu)是移動電話的例子；所以，本發(fā)明的顯示器件不限于具有前述結(jié)構(gòu)的移動電話，并且可以適用于具有各種結(jié)構(gòu)的移動電話。
注意，本實(shí)施例模式中描述的內(nèi)容可以與實(shí)施例模式1至8自由地結(jié)合。
另外，在本實(shí)施例模式中參考各個附圖進(jìn)行了描述。一個附圖包括各種組分。所以可以通過結(jié)合每個附圖中的各組分來制成另一種結(jié)構(gòu)。
圖42示出了與顯示面板5701和電路襯底5702相結(jié)合的液晶模塊。顯示面板5701包括像素部分5703、掃描線驅(qū)動器電路5704、以及信號線驅(qū)動器電路5705。例如，在電路襯底5702之上形成控制電路5706、信號分割電路5707等。通過連接布線5708連接顯示面板5701和電路襯底5702?？梢允褂肍PC等作為連接布線。
可以以這樣的方式形成顯示面板5701，其中，通過使用TFT，在同一個襯底上形成像素部分和一部分外圍驅(qū)動器電路(多個驅(qū)動器電路中具有低工作頻率的驅(qū)動器電路)，而在IC芯片上形成另一部分外圍驅(qū)動器電路(該多個驅(qū)動器電路中具有高工作頻率的驅(qū)動器電路)，所述IC芯片可以通過玻璃上芯片工藝(COG，Chip On Glass)等安裝到顯示面板5701上。或者，IC芯片可以通過帶式自動粘接(TAB，Tape Automated Bonding)或通過使用印刷電路板安裝到顯示面板5701上。注意，圖41A示出了這樣的結(jié)構(gòu)的例子，其中一部分外圍驅(qū)動器電路和像素部分形成于襯底上面，同時通過COG等在襯底上安裝形成了另一部分外圍驅(qū)動器電路的IC芯片。通過使用這一結(jié)構(gòu)，可以降低顯示器件的功耗，并且可以延長每次充電后移動電話的工作時間。另外，可以實(shí)現(xiàn)移動電話的成本降低。
另外，通過用緩沖器轉(zhuǎn)換設(shè)定到掃描線或信號線的信號的阻抗，可以縮短向一行中的像素寫入信號的時間。所以，可以提供高清晰度的顯示器件。
為了進(jìn)一步降低功耗，可以用TFT在玻璃襯底上形成像素部分，并在IC芯片上形成所有信號線驅(qū)動器電路，該IC芯片可以通過玻璃上芯片工藝(COG，Chip On Glass)安裝到顯示面板上。
注意，優(yōu)選通過使用TFT在襯底上形成像素部分，并在IC芯片上形成所有外圍電路，該IC芯片可以通過玻璃上芯片工藝(COG，ChipOn Glass)安裝到顯示面板上。圖41B示出了這樣的結(jié)構(gòu)的例子，其中像素部分形成于襯底上面，同時通過COG等在襯底上安裝形成了信號線驅(qū)動器電路的IC芯片。
可以用這一液晶模塊完成液晶電視接收機(jī)。圖43是示出液晶電視接收機(jī)的主要結(jié)構(gòu)的方框圖。調(diào)諧器5801接收視頻信號和音頻信號。視頻信號被視頻信號放大器電路5802、視頻信號處理電路5803和控制電路5706處理，其中，視頻信號處理電路5803將從視頻信號放大器電路5802輸出的信號轉(zhuǎn)換為對應(yīng)于紅、綠和藍(lán)申的每種顏色的顏色信號，而控制電路5706將視頻信號轉(zhuǎn)換成驅(qū)動器電路的輸入規(guī)格?？刂齐娐?706將信號輸出到掃描線側(cè)和信號線側(cè)中的每一個。當(dāng)執(zhí)行數(shù)字驅(qū)動時，可以在信號線側(cè)設(shè)置信號分割電路5707，以便將輸入的數(shù)字信號分為m個將要提供的信號。
在調(diào)諧器5801接收的信號中，音頻信號被傳送到音頻信號放大器電路5804，并通過音頻信號處理電路5805將其輸出提供給揚(yáng)聲器5806?？刂齐娐?807接收有關(guān)接收站的控制數(shù)據(jù)(接收頻率)和來自輸入部分5808的音量(volume)，并將該信號傳送到調(diào)諧器5801和音頻信號處理電路5805。
可以通過將液晶模塊裝入外殼來完成電視接收機(jī)。由液晶模塊形成顯示部分。另外，可以適當(dāng)?shù)奶峁P(yáng)聲器、視頻輸入端等。
不用說，本發(fā)明不限于電視接收機(jī)，并且可以適用于各種用途，如個人計算機(jī)的監(jiān)視器、火車站或飛機(jī)場的信息顯示板、以及街道上的廣告顯示板，特別是大面積顯示介質(zhì)。
如上所述，可以通過使用本發(fā)明的顯示器件獲得高對比度的圖像。
注意，本實(shí)施例模式中描述的內(nèi)容可以與實(shí)施例模式1至9自由地結(jié)合。
另外，在本實(shí)施例模式中參考各個附圖進(jìn)行了描述。一個附圖包括各種組分。所以可以通過結(jié)合每個附圖中的各組分來制成另一種結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明可適用于各種電子設(shè)備。具體說來，本發(fā)明可以適用于電子設(shè)備的顯示部分。作為這樣的電子設(shè)備，可以以諸如視頻攝像機(jī)和數(shù)字?jǐn)z像機(jī)的攝像機(jī)、眼鏡式顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、音頻再現(xiàn)設(shè)備(汽車音響、音頻分量立體聲等)、計算機(jī)、游戲機(jī)、便攜式信息終端(移動計算機(jī)、移動電話、便攜式游戲機(jī)、電子書等)、具有記錄介質(zhì)的圖像再現(xiàn)設(shè)備(具體說來，再現(xiàn)諸如數(shù)字多用盤(DVD)的記錄介質(zhì)、并具有用于顯示所再現(xiàn)的圖像的顯示器件的設(shè)備)等為例。
圖44A示出了顯示器件，其包括機(jī)殼35001、支撐基座35002、顯示部分35003、揚(yáng)聲器部分35004、視頻輸入端35005等。本發(fā)明的顯示器件可以適用于顯示部分35003。注意，顯示器件包括所有信息顯示器件，例如用于個人計算機(jī)、TV廣播接收、以及廣告顯示的信息顯示器件。使用本發(fā)明的顯示器件作顯示部分35003的顯示器件可以提供高對比度的圖像。
圖44B示出了攝像機(jī)，其包括主體35101、顯示部分35102、圖像接收部分35103、操作鍵35104、外部連接端口35105、快門35106等。
將本發(fā)明應(yīng)用于顯示部分35102的數(shù)字?jǐn)z像機(jī)可以提供高對比度的圖像。
圖44C示出了計算機(jī)，其包括主體35201、機(jī)殼35202、顯示部分35203、鍵盤35204、外部連接端口35205、定點(diǎn)設(shè)備35206等。將本發(fā)明應(yīng)用于顯示部分35203的計算機(jī)可以提供高對比度的圖像。
圖44D示出了移動計算機(jī)，其包括主體35301、顯示部分35302、開關(guān)35303、操作鍵35304、紅外端口35305等。將本發(fā)明應(yīng)用于顯示部分35302的移動計算機(jī)可以提供高對比度的圖像。
圖44E示出了具有記錄介質(zhì)的便攜式圖像再現(xiàn)設(shè)備(具體說來，DVD播放器)，其包括主體35401、機(jī)殼35402、顯示部分A 35403、顯示部分B 35404、記錄介質(zhì)(例如DVD)讀取部分35405、操作鍵35406、揚(yáng)聲器部分35407等。顯示部分A 35403主要顯示圖象數(shù)據(jù)，而顯示部分B 35404主要顯示文本數(shù)據(jù)。將本發(fā)明應(yīng)用于顯示部分A35403和顯示部分B 35404的圖像再現(xiàn)設(shè)備可以提供高對比度的圖像。
圖44F示出了眼鏡式(頭佩式)顯示器，其包括主體35501、顯示部分35502、臂部分35503等。將本發(fā)明應(yīng)用于顯示部分35502的眼鏡式顯示器可以提供高對比度的圖像。
圖44G示出了視頻攝像機(jī)，其包括主體35601、顯示部分35602、機(jī)殼35603、外部連接端口35604、遙控器接收部分35605、圖像接收部分35606、電池35607、音頻輸入部分35608、操作鍵35609、目鏡部分35610等。將本發(fā)明應(yīng)用于顯示部分35602的視頻攝像機(jī)可以提供高對比度的圖像。
圖44H示出了移動電話，其包括主體35701、機(jī)殼35702、顯示部分35703、音頻輸入部分35704、音頻輸出部分35705、操作鍵35706、外部連接端口35707、天線35708等。將本發(fā)明應(yīng)用于顯示部分35703的移動電話可以提供高對比度的圖像。
如上所述，本發(fā)明的適用范圍非常寬，以至于本發(fā)明可以適用于各種領(lǐng)域的電子設(shè)備。另外，本實(shí)施例模式的電子設(shè)備可以使用具有實(shí)施例模式1至13中描述的任何結(jié)構(gòu)的顯示器件。
本申請基于2005年12月28日向日本專利局提交的日本專利申請第2005-378778，通過引用將其全部內(nèi)容合并與此。
權(quán)利要求
1.一種顯示器件，包括晶體管；電連接到所述晶體管的透明電極；電連接到所述透明電極的反射性電極；以及電連接到所述晶體管的存儲電容器，其中，所述存儲電容器的至少一部分形成在所述反射性電極的下面；并且其中，所述反射性電極的整個下表面與所述透明電極的頂表面相接觸。
2.一種顯示器件，包括晶體管；電連接到所述晶體管的透明電極；以及電連接到所述透明電極的反射性電極，其中，所述透明電極和所述反射性電極中的至少一個包括狹縫；并且其中，所述反射性電極的整個下表面與所述透明電極的頂表面相接觸。
3.一種顯示器件，包括晶體管；電連接到所述晶體管的透明電極；電連接到所述透明電極的反射性電極；以及電連接到所述晶體管的存儲電容器，其中，所述透明電極和所述反射性電極中的至少一個包括狹縫；其中，所述存儲電容器的至少一部分形成在所述反射性電極的下面；并且其中，所述反射性電極的整個下表面與所述透明電極的頂表面相接觸。
4.一種顯示器件，包括晶體管；電連接到所述晶體管的透明電極；電連接到所述透明電極的反射性電極；以及電連接到所述晶體管的存儲電容器，其中，所述存儲電容器的至少一部分形成在所述反射性電極的下面；其中，所述晶體管的至少一部分形成在所述反射性電極的下面；并且其中，所述反射性電極的整個下表面與所述透明電極的頂表面相接觸。
5.一種顯示器件，包括晶體管；以及電連接到所述晶體管的像素電極，其中，所述像素電極包括透明電極和反射性電極；其中，所述反射性電極的整個下表面與所述透明電極的頂表面相接觸；并且其中，所述透明電極中與所述反射性電極相接觸的區(qū)域的膜厚度比所述透明電極中不與所述反射性電極相接觸的區(qū)域的膜厚度厚。
6.根據(jù)權(quán)利要求
1的顯示器件，其中在所述反射性電極和相對電極之間設(shè)置液晶層。
7.根據(jù)權(quán)利要求
2的顯示器件，其中在所述反射性電極和相對電極之間設(shè)置液晶層。
8.根據(jù)權(quán)利要求
3的顯示器件，其中在所述反射性電極和相對電極之間設(shè)置液晶層。
9.根據(jù)權(quán)利要求
4的顯示器件，其中在所述反射性電極和相對電極之間設(shè)置液晶層。
10.根據(jù)權(quán)利要求
5的顯示器件，其中在所述反射性電極和相對電極之間設(shè)置液晶層。
11.一種電子設(shè)備，包括根據(jù)權(quán)利要求
1的顯示器件。
12.一種電子設(shè)備，包括根據(jù)權(quán)利要求
2的顯示器件。
13.一種電子設(shè)備，包括根據(jù)權(quán)利要求
3的顯示器件。
14.一種電子設(shè)備，包括根據(jù)權(quán)利要求
4的顯示器件。
15.一種電子設(shè)備，包括根據(jù)權(quán)利要求
5的顯示器件。
16.一種顯示器件制造方法，包括以下步驟在襯底上形成晶體管；在所述晶體管上形成絕緣膜；在所述絕緣膜上形成透明導(dǎo)電膜；在所述透明導(dǎo)電膜上形成反射性導(dǎo)電膜；通過使用包括半透射部分的曝光掩模，在所述反射性導(dǎo)電膜上形成抗蝕劑圖案，其中所述抗蝕劑圖案包括具有厚膜厚度的區(qū)域、和膜厚度比所述具有厚膜厚度的區(qū)域薄的區(qū)域；以及通過使用所述抗蝕劑圖案，形成由所述透明導(dǎo)電膜形成的透明電極、和由所述反射性導(dǎo)電膜形成的反射性電極。
17.一種顯示器件制造方法，包括以下步驟在襯底上形成晶體管；在所述晶體管上形成絕緣膜；在所述絕緣膜上形成透明導(dǎo)電膜；在所述透明導(dǎo)電膜上形成反射性導(dǎo)電膜；通過使用包括半透射部分的曝光掩模，在所述反射性導(dǎo)電膜上形成抗蝕劑圖案，其中所述抗蝕劑圖案包括具有厚膜厚度的區(qū)域、和膜厚度比所述具有厚膜厚度的區(qū)域薄的區(qū)域；以及通過使用所述抗蝕劑圖案，蝕刻所述反射性導(dǎo)電膜和所述透明導(dǎo)電膜；去除一部分所述抗蝕劑圖案；以及通過使用已有一部分被去除的所述抗蝕劑圖案，蝕刻所述反射性導(dǎo)電膜。
專利摘要
在半透射液晶顯示器件中，需要兩個抗蝕劑掩模來形成反射性電極和透明電極；因此成本很高。將用作像素電極的透明電極和反射性電極層疊起來。通過使用包括半透射部分的曝光掩模，在反射性電極上形成抗蝕劑圖案，其中所述抗蝕劑圖案包括具有厚膜厚度的區(qū)域、和膜厚度比所述具有厚膜厚度的區(qū)域薄的區(qū)域。通過使用該抗蝕劑圖案，蝕刻反射性導(dǎo)電膜和透明導(dǎo)電膜。因此可以通過使用一個抗蝕劑掩模形成反射性電極和透明電極。
文檔編號G02F1/133GK1991545SQ200610156731
公開日2007年7月4日 申請日期2006年12月28日
發(fā)明者木村肇 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan