本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，具體而言涉及一種光刻膠層的制備方法。

背景技術(shù)：

1、光刻技術(shù)是半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中非常重要的一個環(huán)節(jié)，隨著工藝節(jié)點越來越小，關(guān)鍵尺寸也相應(yīng)越來越小，光刻難度也在增加，從而相應(yīng)地增加了光刻膠線條在晶圓表面發(fā)生彎曲、折斷或與襯底失去粘連以及倒塌的風險，影響產(chǎn)品的質(zhì)量。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、在
技術(shù)實現(xiàn)要素：
部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術(shù)方案的保護范圍。

2、針對目前存在的問題，本發(fā)明實施例提供一種光刻膠層的制備方法，包括：

3、提供襯底；

4、在所述襯底上形成第一光刻膠層；

5、對所述第一光刻膠層進行處理，以形成含有接枝共聚物的第二光刻膠層。

6、示例性地，所述對所述第一光刻膠層進行處理，以形成含有接枝共聚物的第二光刻膠層，包括：

7、對所述第一光刻膠層進行等離子處理，以在所述第一光刻膠層中形成自由基；

8、在等離子處理后的所述第一光刻膠層上涂覆固化溶液，以使所述第一光刻膠層與所述固化溶液進行共聚合反應(yīng)，形成含有接枝共聚物的第二光刻膠層。

9、示例性地，所述制備方法還包括：

10、重復(fù)依次執(zhí)行以下步驟：在所述襯底上形成第一光刻膠層；對所述第一光刻膠層進行處理，以形成含有接枝共聚物的第二光刻膠層，直到所述第二光刻膠層的厚度達到預(yù)定厚度。

11、示例性地，所述等離子處理采用以下處理方式中的至少一種：電暈放電等離子處理、輝光放電等離子處理、火花放電等離子處理、介質(zhì)阻擋放電等離子處理、滑動弧光放電等離子處理、微波等離子處理以及射頻等離子處理。

12、示例性地，所述等離子處理的電子溫度范圍為0k-104k。

13、示例性地，當所述等離子處理采用輝光放電等離子處理和/或采用射頻等離子處理時，所述輝光放電等離子處理的氣體溫度范圍為0k-500k，所述射頻等離子處理的氣體溫度范圍為0k-500k。

14、示例性地，當所述等離子處理采用電暈放電等離子處理和/或微波等離子處理時，所述電暈放電等離子處理的氣體溫度范圍為0k-300k，所述微波等離子處理的氣體溫度范圍為0k-800k。

15、示例性地，所述固化溶液包括溶劑和添加劑。

16、示例性地，所述溶劑包括-x、-oh、-cho、-no2、-so3h、-nh2、rco-中的至少一種官能團。

17、示例性地，所述制備方法還包括：

18、在所述第二光刻膠層上覆蓋掩模版；

19、通過所述掩模版對所述第二光刻膠層進行曝光；

20、對所述第二光刻膠層進行顯影，以形成圖案化的光刻膠層。

21、本發(fā)明提供的光刻膠層的制備方法，通過在形成第一光刻膠層后對第一光刻膠層進行處理，從而形成含有接枝共聚物的第二光刻膠層，由于第二光刻膠層中含有接枝共聚物，因此提高了第二光刻膠層的粘附性及光刻膠層界面強度，從而降低了第二光刻膠層倒塌的風險，提高了器件質(zhì)量的可靠性。

技術(shù)特征：

1.一種光刻膠層的制備方法，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：

3.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述等離子處理采用以下處理方式中的至少一種：電暈放電等離子處理、輝光放電等離子處理、火花放電等離子處理、介質(zhì)阻擋放電等離子處理、滑動弧光放電等離子處理、微波等離子處理以及射頻等離子處理。

4.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述等離子處理的電子溫度范圍為0k-104k。

5.如權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，當所述等離子處理采用輝光放電等離子處理和/或采用射頻等離子處理時，所述輝光放電等離子處理的氣體溫度范圍為0k-500k，所述射頻等離子處理的氣體溫度范圍為0k-500k。

6.如權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，當所述等離子處理采用電暈放電等離子處理和/或微波等離子處理時，所述電暈放電等離子處理的氣體溫度范圍為0k-300k，所述微波等離子處理的氣體溫度范圍為0k-800k。

7.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述固化溶液包括溶劑和添加劑。

8.如權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述溶劑包括-x、-oh、-cho、-no2、-so3h、-nh2、rco-中的至少一種官能團。

技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種光刻膠層的制備方法，該制備方法包括：提供襯底；在所述襯底上形成第一光刻膠層；對所述第一光刻膠層進行處理，以形成含有接枝共聚物的第二光刻膠層。通過在形成第一光刻膠層后對第一光刻膠層進行處理，從而形成含有接枝共聚物的第二光刻膠層，由于第二光刻膠層中含有接枝共聚物，因此提高了第二光刻膠層的粘附性及光刻膠層界面強度，從而降低了第二光刻膠層倒塌的風險，提高了器件質(zhì)量的可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：郝名天,高博,朱浩,眭利民,司偉
受保護的技術(shù)使用者：榮芯半導(dǎo)體（寧波）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19