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圖像形成裝置以及曝光頭的制作方法

文檔序號(hào):40402356發(fā)布日期:2024-12-20 12:26閱讀:6來(lái)源:國(guó)知局
圖像形成裝置以及曝光頭的制作方法

本發(fā)明涉及使用曝光頭的電子照相圖像形成裝置以及用于電子照相圖像形成裝置的曝光頭。


背景技術(shù):

1、一般已知電子照相打印機(jī)通過(guò)使用利用發(fā)光二極管(led)或有機(jī)電致發(fā)光(el)器件的曝光頭來(lái)曝光感光鼓,以在感光鼓的表面上形成潛像。美國(guó)專(zhuān)利no.8,345,074公開(kāi)了一種光學(xué)打印頭,該光學(xué)打印頭在長(zhǎng)板的前表面上包括提供有發(fā)光點(diǎn)的多個(gè)發(fā)光芯片。在美國(guó)專(zhuān)利no.8,345,074中討論的曝光頭的制造處理中,異物可能落在發(fā)光芯片的發(fā)光表面上。需要通過(guò)使清潔構(gòu)件與發(fā)光表面接觸來(lái)去除掉落的異物。然而,如果在板的前表面上除了發(fā)光芯片之外還部署了電子組件,則可能無(wú)法充分去除發(fā)光芯片的發(fā)光表面上的異物。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明旨在提供一種包括安裝在板的表面上的發(fā)光芯片和電子組件的曝光頭,從而允許發(fā)光芯片的發(fā)光表面上的異物的有效去除,以及提供一種包括該曝光頭的圖像形成裝置。

2、根據(jù)本發(fā)明的方面,一種曝光頭,包括:至少一個(gè)發(fā)光芯片,所述至少一個(gè)發(fā)光芯片包括多個(gè)發(fā)光部,所述多個(gè)發(fā)光部用于從發(fā)光表面發(fā)射用于曝光感光構(gòu)件的光,其中所述至少一個(gè)發(fā)光芯片被配置為經(jīng)由電源線從電源被供應(yīng)電力;以及板,連接到所述電源線和地的至少一個(gè)旁路電容器以及所述至少一個(gè)發(fā)光芯片被安裝在所述板的一個(gè)表面上,其中,在與所述板的所述一個(gè)表面垂直的豎直方向上,第一高度比第二高度高,所述第一高度作為從所述板的所述一個(gè)表面到所述發(fā)光表面的高度,所述第二高度作為從所述板的所述一個(gè)表面到所述至少一個(gè)旁路電容器的距所述板的所述一個(gè)表面最遠(yuǎn)的端部的高度。

3、本發(fā)明的更多特征將從參考附圖對(duì)示例性實(shí)施例的以下描述中變得清楚。



技術(shù)特征:

1.一種曝光頭,包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光頭,

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光頭,其中所述至少一個(gè)旁路電容器的至少一部分在所述板的縱向方向上與所述至少一個(gè)發(fā)光芯片重疊。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的曝光頭,

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的曝光頭,

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的曝光頭,其中所述多個(gè)旁路電容器中的每個(gè)旁路電容器在所述縱向方向上以之字形圖案部署。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光頭,

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光頭,

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光頭,

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的曝光頭,其中所述焊盤(pán)在所述板的縱向方向上不與所述至少一個(gè)發(fā)光芯片重疊。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光頭,其中所述第一高度與所述第二高度之間的差小于0.4毫米。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光頭,其中所述多個(gè)發(fā)光部中的每個(gè)發(fā)光部是有機(jī)電致發(fā)光器件。

13.一種圖像形成裝置,包括:

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的圖像形成裝置,其中所述多個(gè)發(fā)光部中的每個(gè)發(fā)光部是有機(jī)電致發(fā)光器件。


技術(shù)總結(jié)
公開(kāi)了圖像形成裝置以及曝光頭。一種曝光頭,包括:至少一個(gè)發(fā)光芯片和板。所述至少一個(gè)發(fā)光芯片包括多個(gè)發(fā)光部,所述多個(gè)發(fā)光部用于從發(fā)光表面發(fā)射用于曝光感光構(gòu)件的光。所述至少一個(gè)發(fā)光芯片經(jīng)由電源線從電源被供應(yīng)電力。連接到電源線和地的至少一個(gè)旁路電容器以及所述至少一個(gè)發(fā)光芯片被安裝在板的一個(gè)表面上。在與板的一個(gè)表面垂直的豎直方向上,第一高度比第二高度高,所述第一高度作為從板的一個(gè)表面到發(fā)光表面的高度,所述第二高度作為從板的一個(gè)表面到所述至少一個(gè)旁路電容器的距板的一個(gè)表面最遠(yuǎn)的端部的高度。

技術(shù)研發(fā)人員:植村直記
受保護(hù)的技術(shù)使用者:佳能株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2024/12/19
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