本公開涉及制造半導(dǎo)體器件的方法，具體地，涉及使用光學(xué)鄰近校正(opc)方法來制造半導(dǎo)體器件的方法。

背景技術(shù)：

1、由于半導(dǎo)體器件的體積小、多功能和/或低成本的特性，半導(dǎo)體器件被視為電子工業(yè)中的重要元件。半導(dǎo)體器件分為用于存儲數(shù)據(jù)的存儲器件、用于處理數(shù)據(jù)的邏輯器件、以及包括存儲元件和邏輯元件兩者的混合器件。隨著電子工業(yè)的高度發(fā)展，對具有改進(jìn)特性的半導(dǎo)體器件的需求不斷增加。例如，對具有高可靠性、高性能和/或多功能的半導(dǎo)體器件的需求不斷增加。為了滿足這些技術(shù)需求，半導(dǎo)體器件的復(fù)雜度和/或集成密度正在增加。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例可以提供能夠保持opc工藝的一致性的opc方法。

2、本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例可以提供制造高度集成且高度可靠的半導(dǎo)體器件的方法。

3、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例，制造半導(dǎo)體器件的方法可以包括：對布局的設(shè)計(jì)圖案執(zhí)行光學(xué)鄰近校正(opc)；以及使用基于校正后的布局制造的光掩模在襯底上形成光刻膠圖案。執(zhí)行opc包括：分析單元層級以選擇布局中的代表性單元；將代表性單元中的設(shè)計(jì)圖案劃分為包括第一片段的多個(gè)片段；從多個(gè)片段中選擇代表第一片段的第一獨(dú)特片段；生成第一獨(dú)特片段的第一校正偏置；將第一校正偏置應(yīng)用于所有的第一片段以生成校正圖案；以及將代表性單元的校正結(jié)果應(yīng)用于包括在布局中并且與代表性單元具有相同類型的其他單元。

4、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例，制造半導(dǎo)體器件的方法可以包括：對存儲器件的布局執(zhí)行光學(xué)鄰近校正(opc)；以及使用基于校正后的布局制造的光掩模在襯底上形成光刻膠圖案。執(zhí)行opc可以包括：從布局中的多個(gè)單元中選擇代表性單元；將代表性單元中的設(shè)計(jì)圖案劃分為多個(gè)片段；從多個(gè)片段中選擇獨(dú)特片段；以及生成獨(dú)特片段的校正偏置。

5、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例，制造半導(dǎo)體器件的方法可以包括：對布局的設(shè)計(jì)圖案執(zhí)行光學(xué)鄰近校正(opc)；基于校正后的布局制造光掩模；在襯底上形成蝕刻目標(biāo)層和光刻膠層；使用光掩模對光刻膠層執(zhí)行光刻工藝以形成光刻膠圖案；以及使用光刻膠圖案將蝕刻目標(biāo)層圖案化。執(zhí)行opc可以包括：分析單元層級以選擇布局中的代表性單元；將代表性單元中的設(shè)計(jì)圖案劃分為包括第一片段和第二片段的多個(gè)片段；從多個(gè)片段中選擇代表第一片段的第一獨(dú)特片段；從多個(gè)片段中選擇代表第二片段的第二獨(dú)特片段；生成第一獨(dú)特片段的第一校正偏置；生成第二獨(dú)特片段的第二校正偏置；將第一校正偏置應(yīng)用于所有的第一片段；以及將第二校正偏置應(yīng)用于所有的第二片段。

技術(shù)特征：

1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，選擇所述第一獨(dú)特片段包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，生成所述散列值包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，基于與所述目標(biāo)片段有關(guān)的第一信息和與所述多個(gè)片段中的所述目標(biāo)片段周圍的其他片段有關(guān)的第二信息，生成所述散列值。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述多個(gè)片段還包括第二片段，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所有的所述第一片段都具有第一散列值，

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述代表性單元包括第一片、第二片、以及所述第一片與第二片之間的片邊界。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述布局是存儲器件的布局。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，執(zhí)行所述opc還包括：對所述校正圖案執(zhí)行掩模規(guī)則檢查。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

11.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，選擇所述獨(dú)特片段包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，生成所述散列值包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括：將所述代表性單元的校正結(jié)果應(yīng)用于所述布局中的所述多個(gè)單元中的其他單元。

16.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，選擇所述第一獨(dú)特片段和所述第二獨(dú)特片段包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述第一校正偏置和所述第二校正偏置彼此不同。

19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，執(zhí)行所述opc還包括：將所述代表性單元的校正結(jié)果應(yīng)用于包括在所述布局中并且與所述代表性單元具有相同類型的其他單元。

20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述布局是存儲器件的布局。

技術(shù)總結(jié)
公開了一種制造半導(dǎo)體器件的方法。該方法包括：對布局的設(shè)計(jì)圖案執(zhí)行光學(xué)鄰近校正(OPC)；以及使用基于校正后的布局制造的光掩模在襯底上形成光刻膠圖案。執(zhí)行OPC包括：分析單元層級以選擇布局中的代表性單元；將代表性單元中的設(shè)計(jì)圖案劃分為包括第一片段的多個(gè)片段；從多個(gè)片段中選擇代表第一片段的第一獨(dú)特片段；生成第一獨(dú)特片段的第一校正偏置；將第一校正偏置應(yīng)用于所有的第一片段以生成校正圖案；以及將代表性單元的校正結(jié)果應(yīng)用于包括在布局中并且與代表性單元具有相同類型的其他單元。

技術(shù)研發(fā)人員：吳興錫,金尚昱,李熙俊,鄭芝銀,曹宇鏞
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19