本公開(kāi)屬于顯示，具體涉及一種像素結(jié)構(gòu)及顯示面板。

背景技術(shù)：

1、像素結(jié)構(gòu)中的條狀電極在陣列功能層表面間隔分布，從而在相鄰條狀電極之間形成縫隙，液晶層設(shè)于條狀電極與彩膜基板之間，當(dāng)顯示面板在顯示狀態(tài)下，由于條狀電極間的縫隙處與條狀電極遠(yuǎn)離陣列功能層的一面之間存在地勢(shì)差，在條狀電極形成的地勢(shì)差的影響下，液晶層受到位于高地勢(shì)處的條狀電極的擠壓，從而導(dǎo)致液晶層中的液晶分子發(fā)生不同角度的傾斜，影響光線的出射，繼而導(dǎo)致顯示面板的對(duì)比度下降。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)的目的在于提供一種像素結(jié)構(gòu)及顯示面板，能夠減少像素電極層遠(yuǎn)離陣列功能層的一面形成地勢(shì)差，減少對(duì)液晶分子的偏轉(zhuǎn)角度造成影響，提升顯示面板的顯示對(duì)比度。

2、本公開(kāi)提供了一種像素結(jié)構(gòu)，包括：

3、陣列功能層；

4、像素電極層，設(shè)置于所述陣列功能層的表面，所述像素電極層包括多個(gè)條狀電極和多個(gè)填平部，所述條狀電極之間間隔排布，各所述條狀電極遠(yuǎn)離所述陣列功能層的一面平齊，所述填平部至少設(shè)置于相鄰的兩所述條狀電極之間，所述填平部遠(yuǎn)離所述陣列功能層的一面與所述條狀電極遠(yuǎn)離所述陣列功能層的一面平齊。

5、在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，定義所述填平部的厚度為h1，所述條狀電極的厚度為h2，則滿足：h2≤h1。

6、在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，定義所述填平部的厚度為h1，則滿足：50nm≤h1≤1000nm。

7、在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，定義所述填平部的寬度為w，則滿足：1um≤w≤5um。

8、在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述填平部的材料為氮化硅或者氧化硅。

9、在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述像素結(jié)構(gòu)包括配向?qū)?，所述配向?qū)游挥谒鱿袼仉姌O層遠(yuǎn)離所述陣列功能層的一面，所述配向?qū)痈采w所述像素電極層。

10、在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述陣列功能層包括：

11、襯底；

12、薄膜晶體管，所述薄膜晶體管位于所述襯底和所述像素電極層之間，所述薄膜晶體管用于連接所述像素電極層，并向所述像素電極層供電。

13、在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述薄膜晶體管包括：

14、柵極，位于所述襯底面向所述像素電極層的一側(cè)；

15、絕緣層，位于所述柵極背離所述襯底的一側(cè)，所述絕緣層覆蓋所述柵極；

16、半導(dǎo)體層，位于所述絕緣層背離所述襯底的一側(cè)；

17、源漏極，位于所述半導(dǎo)體層背離所述襯底的一側(cè)，且所述源漏極與所述條狀電極對(duì)應(yīng)設(shè)置，并與所述條狀電極連接。

18、本公開(kāi)提供了一種顯示面板，包括彩膜基板、液晶層和如上述中任一項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)，所述液晶層位于所述彩膜基板與所述像素結(jié)構(gòu)之間，所述彩膜基板包括公共電極，所述公共電極與所述條狀電極之間對(duì)應(yīng)設(shè)置。

19、在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述顯示面板具有多個(gè)子像素區(qū)，各所述子像素區(qū)包括開(kāi)口區(qū)和環(huán)繞所述開(kāi)口區(qū)設(shè)置的非開(kāi)口區(qū)，所述條狀電極位于所述開(kāi)口區(qū)。

20、本申請(qǐng)方案具有以下有益效果：

21、本公開(kāi)通過(guò)在相鄰兩條狀電極之間設(shè)置填平部，填平部背離陣列功能層的一面與條狀電極背離陣列功能層的一面平齊，從而減小了像素電極層在相鄰兩條狀電極間的縫隙處與條狀電極處存在地勢(shì)差，以減小像素電極層在高地勢(shì)處的條狀電極對(duì)液晶層造成擠壓，從而可減小像素電極層面向液晶層的一面的地勢(shì)差對(duì)液晶層中的液晶的傾斜角度造成影響，使得黑態(tài)顯示時(shí)的液晶對(duì)背光光線形成遮擋，減小背光光線或者像素結(jié)構(gòu)中的金屬層等結(jié)構(gòu)層產(chǎn)生的光線透過(guò)液晶層進(jìn)入大視角，并造成顯示面板漏光的情況發(fā)生，同時(shí)，在白態(tài)顯示時(shí)，可減小液晶層中的液晶的傾斜角度在像素電極層的高地勢(shì)處的擠壓下受到限制，繼而液晶可在電場(chǎng)的作用下發(fā)生一定角度的傾斜，以使更多的背光光線透過(guò)液晶進(jìn)入到大視野，以提升白態(tài)顯示時(shí)的顯示亮度，進(jìn)而可提升顯示面板的顯示對(duì)比度。

22、本申請(qǐng)的其他特性和優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)下面的詳細(xì)描述變得顯然，或部分地通過(guò)本申請(qǐng)的實(shí)踐而習(xí)得。

23、應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本申請(qǐng)。

技術(shù)特征：

1.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，定義所述填平部的厚度為h1，所述條狀電極的厚度為h2，則滿足：h2≤h1。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，定義所述填平部的厚度為h1，則滿足：50nm≤h1≤1000nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，定義所述填平部的寬度為w，則滿足：1um≤w≤5um。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述填平部的材料為氮化硅或者氧化硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)包括配向?qū)樱雠湎驅(qū)游挥谒鱿袼仉姌O層遠(yuǎn)離所述陣列功能層的一面，所述配向?qū)痈采w所述像素電極層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述陣列功能層包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述薄膜晶體管包括：

9.一種顯示面板，其特征在于，包括彩膜基板、液晶層和如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)，所述液晶層位于所述彩膜基板與所述像素結(jié)構(gòu)之間，所述彩膜基板包括公共電極，所述公共電極與所述條狀電極之間對(duì)應(yīng)設(shè)置。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板具有多個(gè)子像素區(qū)，各所述子像素區(qū)包括開(kāi)口區(qū)和環(huán)繞所述開(kāi)口區(qū)設(shè)置的非開(kāi)口區(qū)，所述條狀電極位于所述開(kāi)口區(qū)。

技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種像素結(jié)構(gòu)及顯示面板。像素結(jié)構(gòu)包括陣列功能層和像素電極層，像素電極層設(shè)置于陣列功能層的表面，像素電極層包括多個(gè)條狀電極和多個(gè)填平部，條狀電極之間間隔排布，各條狀電極遠(yuǎn)離陣列功能層的一面平齊，填平部至少設(shè)置于相鄰的兩條狀電極之間，填平部遠(yuǎn)離陣列功能層的一面與條狀電極遠(yuǎn)離陣列功能層的一面平齊。本公開(kāi)通過(guò)在相鄰兩條狀電極之間設(shè)置填平部，并使填平部背離陣列功能層的一面與條狀電極背離陣列功能層的一面平齊，以減小像素電極層背離陣列功能層的一面的地勢(shì)差，并減小因地勢(shì)差對(duì)液晶的傾斜角度造成影響，從而可提高顯示面板的顯示對(duì)比度。

技術(shù)研發(fā)人員：梁玉姣
受保護(hù)的技術(shù)使用者：長(zhǎng)沙惠科光電有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240229
技術(shù)公布日：2024/12/19