本公開涉及熱致動冷卻系統(tǒng)、設(shè)備和制造方法。

背景技術(shù)：

1、光刻設(shè)備是將期望的圖案施加至襯底上（通常施加至襯底的目標部分上）的機器。光刻設(shè)備可以用于例如集成電路（ic）的制造中。在那種情況下，圖案形成裝置（其可以是掩?；蜓谀０妫┛梢杂靡援a(chǎn)生待形成在正在形成的ic的單層上的電路圖案。這種圖案可以轉(zhuǎn)印至襯底（例如，硅晶片）上的目標部分（例如，包括管芯的部分、一個管芯或若干管芯）上。圖案的轉(zhuǎn)印通常經(jīng)由成像至被設(shè)置在襯底上的輻射敏感材料（抗蝕劑）層上來進行。通常，單個襯底將包含被連續(xù)地圖案化的相鄰目標部分的網(wǎng)絡(luò)。傳統(tǒng)的光刻設(shè)備包括所謂的步進器，其中通過將整個圖案一次性曝光到目標位置來輻照每個目標位置，以及所謂的掃描器，其中通過在使輻射束以給定方向（“掃描”方向）掃描圖案的同時同步地掃描與所述掃描方向平行或反平行（例如，與掃描方向相反）的目標部分來輻照每個目標位置。還可以通過將圖案印制到襯底上來將圖案從圖案形成裝置轉(zhuǎn)印到襯底。

2、隨著半導(dǎo)體制造工藝的持續(xù)進步，電路元件的尺寸已持續(xù)不斷地減小，而每個器件的功能元件（諸如晶體管）的數(shù)量幾十年來一直在穩(wěn)步地增加，所遵循的趨勢通常被稱為“摩爾定律”。為了跟上摩爾定律，半導(dǎo)體行業(yè)一直在追求能夠創(chuàng)建越來越小特征的技術(shù)。為了在襯底上投影圖案，光刻設(shè)備可以使用電磁輻射。這種輻射的波長確定了在所述襯底上圖案化的特征的最小尺寸。目前使用的典型波長為365nm（i線）、248nm、193nm和13.5nm。

3、極紫外（euv）輻射，例如波長約為50納米（nm）或更?。ㄓ袝r也稱為軟x射線）且包括波長約為13.5nm的光的電磁輻射可以在光刻設(shè)備中或與光刻設(shè)備一起使用，以在襯底（例如硅晶片）中或所述襯底上產(chǎn)生極小的特征。與使用例如波長為193nm的輻射的光刻設(shè)備相比，使用波長在4nm至20nm范圍內(nèi)（例如，6.7nm或13.5nm）的euv輻射的光刻設(shè)備可以用于在襯底上形成更小的特征。

4、產(chǎn)生euv光的方法包括但不一定限于，將具有發(fā)射線在euv范圍內(nèi)的元素（例如氙（xe）、鋰（li）或錫（sn））的材料轉(zhuǎn)換為等離子體狀態(tài)。例如，在一種稱為激光產(chǎn)生等離子體（lpp）的方法中，等離子體可以通過用可稱為驅(qū)動激光的放大光束照射目標材料產(chǎn)生，所述目標材料在lpp源的上下文中可替換地稱為燃料，例如液滴、板、帶、流或簇形式的材料。對于該過程，等離子體通常在密封容器（例如真空室）中產(chǎn)生，并使用各種類型的量測裝備進行監(jiān)測。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本公開描述了用于在極紫外（euv）輻射源中制造和使用熱致動冷卻系統(tǒng)的系統(tǒng)、裝置和方法的各個方面。

2、在一些方面中，本公開描述了一種系統(tǒng)。該系統(tǒng)可以包括：冷卻構(gòu)件。所述冷卻構(gòu)件可以包括接觸板、翅片，所述翅片從所述接觸板沿第一方向延伸、以及突出部，所述突出部從所述接觸板沿第二方向延伸，并被配置為將所述接觸板聯(lián)接到euv輻射源的一部分。所述部分可以包括加熱元件。所述接觸板可以包括第一熱膨脹系數(shù)（cte），所述第一cte大于所述部分的第二cte。

3、在一些方面中，本公開描述了一種設(shè)備。該設(shè)備可以包括接觸板和突出部，所述突出部從所述接觸板延伸，并被配置為將所述接觸板聯(lián)接到euv輻射源的一部分。所述突出部被配置為與所述部分處于物理應(yīng)變關(guān)系，使得當所述部分被加熱時，所述接觸板的第一表面被配置為與所述部分的第二表面脫離；以及當所述部分未暴露于熱時，所述接觸板的所述第一表面被配置為接觸所述部分的所述第二表面。

4、在一些方面中，本公開描述了一種制造設(shè)備的方法。該方法可以包括提供冷卻構(gòu)件。所述冷卻構(gòu)件可以包括接觸板、翅片，所述翅片從所述接觸板沿第一方向延伸、和突出部，所述突出部從所述接觸板沿第二方向延伸。所述方法還可以包括將所述突出部安裝到euv輻射源的一部分。所述接觸板可以包括第一cte，所述第一cte大于所述部分的第二cte。在一些方面中，當所述部分暴露于熱時，所述接觸板的第一表面被配置為與所述部分的第二表面脫離。

5、下面參考附圖詳細描述各方面的其它特征以及結(jié)構(gòu)和操作。應(yīng)注意，本公開不限于本文描述的特定方面。在本文中呈現(xiàn)這些方面僅是出于說明性目的。基于本文中包含的教導(dǎo)，（多個）相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)人員將明白另外的方面。

技術(shù)特征：

1.一種系統(tǒng)，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述euv輻射源的所述部分包括加熱元件，并且其中所述突出部被配置為與所述部分處于物理應(yīng)變關(guān)系，使得：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述翅片包括桿。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述突出部包括螺紋桿。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述突出部還被配置為被環(huán)形構(gòu)件部分包圍，并設(shè)置在所述部分的容納部中。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其中所述容納部包括螺紋孔，所述突出部包括螺紋桿。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其中所述環(huán)形構(gòu)件包括不銹鋼插入件，所述接觸板包括鋁，且所述部分包括鉬。

9.一種設(shè)備，包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，還包括翅片，所述翅片從所述接觸板沿第一方向延伸，并且其中所述突出部沿相反的第二方向延伸。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中所述翅片包括桿，所述部分包括加熱元件。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中所述突出部包括螺紋桿，并被配置為容納在所述部分的容納部中。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中：

14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中所述突出部還被配置為被環(huán)形構(gòu)件部分包圍，并設(shè)置在所述部分的容納部中。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的設(shè)備，其中所述接觸板包括鋁，所述部分包括鉬，所述環(huán)形構(gòu)件包括不銹鋼。

16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中所述容納部包括螺紋孔。

17.一種方法，包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中當所述突出部被安裝到所述部分時，所述突出部與所述部分處于物理應(yīng)變關(guān)系，使得：

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述突出部是螺紋式的，并且所述方法還包括：

20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中：

21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中：將所述突出部安裝到所述部分包括：

技術(shù)總結(jié)
提供了用于制造熱致動冷卻設(shè)備的系統(tǒng)、設(shè)備以及方法。示例性方法可以包括提供冷卻構(gòu)件。該冷卻構(gòu)件可以包括接觸板、從接觸板沿第一方向延伸的翅片、以及從接觸板沿第二方向延伸的突出部。然后，示例性方法可以包括將突出部安裝到極紫外（EUV）輻射源的一部分。接觸板可以包括第一熱膨脹系數(shù)（CTE），所述第一CTE大于該部分的第二CTE。

技術(shù)研發(fā)人員：W·杜瓦爾,E·M·斯韋爾德努
受保護的技術(shù)使用者：ASML荷蘭有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19