本實用新型涉及觸摸顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、顯示面板以及顯示裝置。

背景技術(shù)：

液晶顯示裝置中，為了讓用戶在觀看畫面的同時能進行相關(guān)的操作而采用具有觸摸功能的面板?，F(xiàn)有技術(shù)中，通過在顯示面板的基礎(chǔ)上外加一層觸控電極層或者將觸控電極層集成在顯示面板的內(nèi)部來實現(xiàn)觸摸功能。

將觸控電極層集成在顯示面板的內(nèi)部的方式中，不但要在顯示面板的內(nèi)部增加觸控電極層，還要增加絕緣層，使得觸控電極層與其他導(dǎo)電層可以絕緣。

液晶顯示裝置中的穿透率受到陣列基板穿透率、彩膜基板穿透率等的影響，由于增加了絕緣層，且受到絕緣層材料折射率的限制，造成降低液晶顯示裝置整體的穿透率的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型實施例提供一種陣列基板、顯示面板以及顯示裝置，實現(xiàn)了提高液晶顯示裝置的穿透率的效果。

本實用新型實施例提供一種陣列基板，包括：

襯底基板；

第一絕緣層；

觸控信號線，所述觸控信號線位于所述第一絕緣層背離所述襯底基板的一側(cè)；

第二絕緣層，所述第二絕緣層包覆于所述觸控信號線背離所述襯底基板的一側(cè)；

公共電極層，所述公共電極包括多個公共電極單元，且所述公共電極單元在觸控階段復(fù)用為觸控電極；其中，

所述公共電極層位于所述第一絕緣層背離所述襯底基板的一側(cè)，且覆蓋于所述第二絕緣層背離所述襯底基板的一側(cè)，每個所述公共電極單元與至少一條觸控信號線通過設(shè)置于所述第二絕緣層上的過孔連接。

如上所述的方面和任一可能的實現(xiàn)方式，進一步提供一種實現(xiàn)方式，所述陣列基板還包括像素電極，所述像素電極位于所述公共電極層背離所述襯底基板的一側(cè)，且與所述公共電極層之間通過絕緣層相互絕緣。

如上所述的方面和任一可能的實現(xiàn)方式，進一步提供一種實現(xiàn)方式，所述陣列基板還包括集成電路，所述多個公共電極單元為呈陣列排布的公共電極塊，所述公共電極單元通過所述觸控信號線與所述集成電路連接；

在顯示階段，所述集成電路為所述公共電極單元提供公共電壓信號；

在觸控階段，所述集成電路為所述公共電極單元提供觸控驅(qū)動信號，并接收所述公共電極單元上收集的觸控感應(yīng)信號。

如上所述的方面和任一可能的實現(xiàn)方式，進一步提供一種實現(xiàn)方式，所述陣列基板包括數(shù)據(jù)線和掃描線，所述觸控信號線平行于所述數(shù)據(jù)線的延伸方向，且一所述觸控信號線與一所述數(shù)據(jù)線在垂直于所述襯底基板的方向上相互交疊。

如上所述的方面和任一可能的實現(xiàn)方式，進一步提供一種實現(xiàn)方式，一所述公共電極單元包括多個刻縫區(qū)域，在所述刻縫區(qū)域，所述第二絕緣層和所述觸控信號線在所述襯底基板上的正投影與所述公共電極單元的所述襯底基板上的正投影無交疊。

如上所述的方面和任一可能的實現(xiàn)方式，進一步提供一種實現(xiàn)方式，所述第二絕緣層由氮化硅材料制成。

如上所述的方面和任一可能的實現(xiàn)方式，進一步提供一種實現(xiàn)方式，所述第二絕緣層的厚度為50nm-200nm。

如上所述的方面和任一可能的實現(xiàn)方式，進一步提供一種實現(xiàn)方式，所述觸控信號線由Mo、Al或Ti制成。

本實用新型實施例還提供一種陣列基板的制造方法，用于上述任意一種所述的陣列基板，所述方法包括：

在形成有第一絕緣層的襯底基板上沉積一層金屬層，并對所述金屬層執(zhí)行一次圖案化處理，形成觸控信號線；

在形成有所述觸控信號線的襯底基板上沉積第二絕緣層，并對所述第二絕緣層進行一次圖案化處理，形成過孔；

在第二絕緣層上沉積一層第一透明電極層，對所述第二透明導(dǎo)電層進行一次圖案化處理，形成公共電極層，所述公共電極層通過所述過孔與所述觸控信號線連接。

本實用新型實施例還提供一種陣列基板的制造方法，包括：

如上述任意一種陣列基板；

彩膜基板；

位于所述彩膜基板與所述陣列基板之間的液晶。

本實用新型實施例還提供一種顯示裝置，包括：如上述的顯示面板。

本實用新型實施例提供的陣列基板、顯示面板以及顯示裝置，具體體現(xiàn)制作陣列基板時，先在襯底基板的一側(cè)制作第一絕緣層，接著在第一絕緣層背離襯底基板的一側(cè)制作觸控信號線，然后在觸控信號線背離襯底基板的一側(cè)包覆第二絕緣層，并在第二絕緣層上設(shè)置有過孔，最后制作公共電極層，使得公共電極層即位于第一絕緣層背離襯底基板的一側(cè)的同時也覆蓋在第二絕緣層背離襯底基板的一側(cè)，且使得公共電極層中的每個公共電極單元(公共電極單元復(fù)用為觸控電極)均與至少一條觸控信號線通過第二絕緣層上的過孔連接，由此，實現(xiàn)了對現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板的膜層結(jié)構(gòu)進行調(diào)整，減少了絕緣層的數(shù)量，從而實現(xiàn)了提高穿透率的效果，解決了現(xiàn)有技術(shù)中，將觸控電極層集成在陣列基板的過程中，由于增加了絕緣層，造成降低液晶顯示裝置整體的穿透率的問題。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實用新型實施例提供的陣列基板的第一俯視圖；

圖2為圖1中沿AA’方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為圖1中沿BB’位置的一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為圖1中沿CC’位置的一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為圖1中沿BB’位置的另一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為圖1中沿CC’位置的另一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本實用新型實施例提供的陣列基板的第二俯視圖；

圖8為本實用新型實施例提供的陣列基板的制造方法的流程示意圖；

圖9為本實用新型實施例提供的陣列基板的第一結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為本實用新型實施例提供的陣列基板的第二結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11為本實用新型實施例提供的陣列基板的第三結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12為本實用新型實施例提供的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13為本實用新型實施例提供的顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為使本實用新型實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

在本實用新型實施例中使用的術(shù)語是僅僅出于描述特定實施例的目的，而非旨在限制本實用新型。在本實用新型實施例和所附權(quán)利要求書中所使用的單數(shù)形式的“一種”、“所述”和“該”也旨在包括多數(shù)形式，除非上下文清楚地表示其他含義。

實施例

圖1為本實用新型實施例提供的陣列基板的第一俯視圖，圖2為圖1中沿AA’方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，圖3為圖1中沿BB’位置的一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖，圖4為圖1中沿CC’位置的一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1、圖2、圖3和圖4所示，本實用新型實施例提供的陣列基板中，包括襯底基板11、第一絕緣層12、觸控信號線13、第二絕緣層14、公共電極層15。

在襯底基板11與公共電極層15之間設(shè)置有緩沖層21，在緩沖層21遠離襯底基板11的一側(cè)設(shè)置有柵極絕緣層22，在柵極絕緣層22遠離襯底基板11的一側(cè)設(shè)置數(shù)據(jù)線絕緣層23，在數(shù)據(jù)線絕緣層23遠離襯底基板11的一側(cè)設(shè)置有數(shù)據(jù)線16，數(shù)據(jù)線16遠離襯底基板11的一側(cè)設(shè)置有第一絕緣層12。觸控信號線13位于第一絕緣層12背離襯底基板11的一側(cè)，為了減小厚度，增加穿透率，觸控信號線13上沉積一層第二絕緣層14后，對第二絕緣層14進行刻蝕，使得第二絕緣層14包覆于觸控信號線13背離襯底基板11的一側(cè)并在第二絕緣層14上設(shè)置過孔a。公共電極層15位于第一絕緣層12背離襯底基板11的一側(cè)，以及覆蓋于第二絕緣層14背離襯底基板11的一側(cè)。

如圖1所示，公共電極層15包括多個公共電極單元151，且公共電極單元151在觸控階段復(fù)用為觸控電極。為了可以給每個公共電極單元151提供一個電壓信號，每個公共電極單元151與至少一條觸控信號線13通過過孔a連接，使得集成電路能夠為公共電極單元提供公共電壓信號或者觸控驅(qū)動信號。

如圖1所示，在本實用新型實施例中，一公共電極單元151包括多個刻縫區(qū)域，通過圖3和圖4的對比可知在刻縫區(qū)域，第二絕緣層14和觸控信號線13在襯底基板11上的正投影與公共電極單元151的襯底基板11上的正投影無交疊。

在一個具體的實現(xiàn)過程中，多個公共電極單元151為呈陣列排布的公共電極塊，該陣列可以是p×q的陣列，其中p和q均為大于1的整數(shù)。

將多個公共電極單元151排布成陣列的形式，可以在提高穿透率的同時，節(jié)省原材料，但是，由于相鄰的兩塊公共電極單元151之間會有縫隙，相應(yīng)的電場的大小會不同，使得公共電極單元151對縫隙區(qū)域的信號檢測相較于沒有縫隙的區(qū)域的信號檢測是有區(qū)別的，呈現(xiàn)強弱對比。因此，在每個公共電極單元151上均設(shè)置刻縫區(qū)域，一定程度上將每個公共電極單元151劃分為更細小的分區(qū)，使得公共電極單元151上的各個區(qū)域都趨于一致，進而平衡電場，避免各個部分出現(xiàn)較大的差異。

圖5為圖1中沿BB’位置的另一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖，圖6為圖1中沿CC’位置的另一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖5和圖6所示，其為本實用新型實施例中的陣列基板的另一種實現(xiàn)方式。相對比與圖3和圖4，增加第三絕緣層19，可可以起到更好的絕緣效果。

圖7為本實用新型實施例提供的陣列基板的第二俯視圖，如圖4所示，本實用新型實施例提供的陣列基板中還包括：集成電路18。集成電18用于輸出控制信號，因此，公共電極單元151通過觸控信號線13與集成電路18連接，在顯示階段，集成電路18為公共電極單元151提供公共電壓信號，在觸控階段，集成電路18為公共電極單元151提供觸控驅(qū)動信號，并接收公共電極單元151上收集的觸控感應(yīng)信號。

可以理解的是，在顯示階段中，集成電路18為公共電極單元121提供公共電壓信號，使得所有的公共電極單元121具有相同的公共電極電壓，從而每個公共電極單元121與像素電極14之間產(chǎn)生電壓差，控制液晶的偏轉(zhuǎn)，以提供顯示功能。在觸控階段，集成電路18為公共電極單元121提供觸控驅(qū)動信號，公共電極單元121復(fù)用為觸控電極，當(dāng)用戶點擊顯示裝置時，產(chǎn)生觸控感應(yīng)信號，從而根據(jù)每個公共電極單元12收集到的觸控感應(yīng)信號確定用戶點擊的位置。

如圖2所示，本實用新型實施例提供的陣列基板還包括像素電極17，像素電極17位于公共電極層15背離襯底基板11的一側(cè)，且與公共電極層15之間通過絕緣層18相互絕緣。

本實用新型實施例中的陣列基板還包括數(shù)據(jù)線16和掃描線，觸控信號線13平行于數(shù)據(jù)線16的延伸方向，且一觸控信號線13與一數(shù)據(jù)線16在垂直于襯底基板11的方向上相互交疊。可以理解的是，由于觸控信號線13與數(shù)據(jù)線16多為金屬材料制成，為不透光的，因此將觸控信號線13與數(shù)據(jù)線16在垂直于襯底基板11的方向上相互交疊的方式，可以減少對穿透率的影響。

在一個具體的實現(xiàn)過程中，第二絕緣層14由氮化硅材料制成。由于氮化硅材料的介電常數(shù)比較大，置于公共電極層15與觸控信號線13之間，可以增大存儲電容，進而減小第二絕緣層14的厚度。

在一個具體的實現(xiàn)過程中，第二絕緣層14的厚度為50nm-200nm。采用該厚度，可以起到提升穿透率的效果。

本實用新型實施例中的觸控信號線13由Mo、Al或Ti制成。采用上述材料導(dǎo)電率高，成本低。

本實用新型實施例提供的陣列基板，具體體現(xiàn)制作陣列基板時，先在襯底基板11的一側(cè)制作第一絕緣層12，接著在第一絕緣層12背離襯底基板11的一側(cè)制作觸控信號線13，然后在觸控信號線13背離襯底基板11的一側(cè)包覆第二絕緣層14，并在第二絕緣層14上設(shè)置有過孔a，最后制作公共電極層15，使得公共電極層15即位于第一絕緣層12背離襯底基板11的一側(cè)的同時也覆蓋在第二絕緣層14背離襯底基板11的一側(cè)，且使得公共電極層15中的每個公共電極單元151(公共電極單元復(fù)用為觸控電極)均與至少一條觸控信號線13通過第二絕緣層14上的過孔a連接，由此，實現(xiàn)了對現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板的膜層結(jié)構(gòu)進行調(diào)整，減少了絕緣層的數(shù)量，從而實現(xiàn)了提高穿透率的效果，解決了現(xiàn)有技術(shù)中，將觸控電極層集成在陣列基板的過程中，由于增加了絕緣層，造成降低液晶顯示裝置整體的穿透率的問題。

本實用新型實施例還給出一種陣列基板的制造方法，圖8為本實用新型實施例提供的陣列基板的制造方法的流程示意圖，如圖8所示，該方法包括以下步驟：

501、在形成有第一絕緣層的襯底基板上沉積一層金屬層，并對金屬層執(zhí)行一次圖案化處理，形成觸控信號線。

圖9為本實用新型實施例提供的陣列基板的第一結(jié)構(gòu)示意圖，如圖9所示，具體地，首先在陣列基板中的襯底基板的第一側(cè)沉積一層緩沖層，然后在沉積緩沖層上沉積一層?xùn)艠O絕緣層，接著在柵極絕緣層中沉積一層金屬層，對金屬層進行一次圖案化處理形成柵線，在柵線上沉積一層絕緣層，使得柵線與接下來要制作的數(shù)據(jù)線絕緣。然后在絕緣層上沉積一層金屬層，對金屬層進行一次圖案化處理形成數(shù)據(jù)線。在數(shù)據(jù)線上沉積一層第一絕緣層，然后，在形成有第一絕緣層的襯底基板上沉積一層金屬層，在一種可行的實現(xiàn)方案中，圖案化處理的過程可以包括：首先，在沉積的金屬層上涂覆光刻膠，然后，使用掩膜版對涂覆的光刻膠進行曝光，接著，通過噴灑顯影液使光刻膠形成圖案，其中，掩膜版圖案中需要包括觸控信號線的圖案，形成圖案后，對形成圖案的金屬層進行刻蝕，最后剝離光刻膠，形成觸控信號線。

502、在形成有觸控信號線的襯底基板上沉積第二絕緣層，并對第二絕緣層進行一次圖案化處理，形成過孔。

圖10為本實用新型實施例提供的陣列基板的第二結(jié)構(gòu)示意圖，如圖10所示，具體地，在形成有觸控信號線的襯底基板上沉積一層第二絕緣層，在一種可行的實現(xiàn)方案中，圖案化處理的過程可以包括：首先，在沉積的第二絕緣層上涂覆光刻膠，然后，使用掩膜版對涂覆的光刻膠進行曝光，接著，通過噴灑顯影液使光刻膠形成圖案，其中，掩膜版圖案中需要包括過孔的圖案，形成圖案后，對形成圖案的第二絕緣層進行刻蝕，最后剝離光刻膠，形成過孔。

503、在第二絕緣層上沉積一層第一透明電極層，對第二透明導(dǎo)電層進行一次圖案化處理，形成公共電極層，公共電極層通過過孔與觸控信號線連接。

圖11為本實用新型實施例提供的陣列基板的第三結(jié)構(gòu)示意圖，如圖11所示，具體地，在形成有第二絕緣層的襯底基板上沉積一層第一透明電極層，在一種可行的實現(xiàn)方案中，圖案化處理的過程可以包括：首先，在沉積的第一透明電極層上涂覆光刻膠，然后，使用掩膜版對涂覆的光刻膠進行曝光，接著，通過噴灑顯影液使光刻膠形成圖案，其中，掩膜版圖案中需要包括公共電極層的圖案，形成圖案后，對形成圖案的第一透明電極層進行刻蝕，最后剝離光刻膠，形成公共電極層?？梢岳斫獾氖?，在第二絕緣層上沉積一層第一透明電極層時，第一透明電極層會流入過孔，與觸控信號線連接。

需要說明的是，公共電極包括多個公共電極單元，且公共電極單元在觸控階段復(fù)用為觸控電極。

本實用新型實施例提供的陣列基板的制造方法，具體體現(xiàn)制作陣列基板時，先在襯底基板的一側(cè)制作第一絕緣層，接著在第一絕緣層背離襯底基板的一側(cè)制作觸控信號線，然后在觸控信號線背離襯底基板的一側(cè)包覆第二絕緣層，并在第二絕緣層上設(shè)置有過孔，最后制作公共電極層，使得公共電極層即位于第一絕緣層背離襯底基板的一側(cè)的同時也覆蓋在第二絕緣層背離襯底基板的一側(cè)，且使得公共電極層中的每個公共電極單元(公共電極單元復(fù)用為觸控電極)均與至少一條觸控信號線通過第二絕緣層上的過孔連接，由此，實現(xiàn)了對現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板的膜層結(jié)構(gòu)進行調(diào)整，減少了絕緣層的數(shù)量，從而實現(xiàn)了提高穿透率的效果，解決了現(xiàn)有技術(shù)中，將觸控電極層集成在陣列基板的過程中，由于增加了絕緣層，造成降低液晶顯示裝置整體的穿透率的問題。

圖12為本實用新型實施例提供的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖12所示，本實用新型實施例還提供一種顯示面板，包括彩膜基板2和前述任意一種陣列基板1，以及位于彩膜基板2與陣列基板1之間的液晶3。

圖13為本實用新型實施例提供的顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖13所示，本實用新型實施例還提供一種顯示裝置，包括前述的顯示面板100。該顯示裝置可以包括但不限于個人計算機(Personal Computer，PC)、個人數(shù)字助理(Personal Digital Assistant，PDA)、無線手持設(shè)備、平板電腦(Tablet Computer)、手機、MP4播放器或電視機等任何具有顯示功能的電子設(shè)備。

最后應(yīng)說明的是：以上各實施例僅用以說明本實用新型的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本實用新型進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實用新型各實施例技術(shù)方案的范圍。