本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種顯示面板及其制備方法，以及包含該顯示面板的顯示裝置。

背景技術(shù)：

顯示面板的主體結(jié)構(gòu)由陣列(thinfilmtransistor，tft)基板、彩膜(colorfilter，cf)基板和設(shè)置在兩基板之間的液晶(liquidcrystal，lc)層組成。目前，顯示面板制備過(guò)程中的取向方式主要有摩擦配向(rubbing)和光配向(opticalalignment，oa)兩種，與摩擦配向相比，光配向具有高對(duì)比度、高分辨率、適用于多規(guī)格玻璃(multi-modelglass，mmg)、改善色偏、改善摩擦痕跡(rubbingmura)、改善顯示亮點(diǎn)不良(zaraparticle)等優(yōu)點(diǎn)，因此近年來(lái)在顯示面板制備工藝上使用越來(lái)越多。

但在顯示面板量產(chǎn)中，采用光配向工藝制備的顯示面板存在信賴性框痕跡問(wèn)題，具體表現(xiàn)為，在信賴性試驗(yàn)中，長(zhǎng)時(shí)間高溫高濕點(diǎn)燈時(shí)面板出現(xiàn)周邊一圈發(fā)亮，暗態(tài)或灰階時(shí)更明顯，信賴性試驗(yàn)時(shí)間越長(zhǎng)，不良越明顯，影響了畫(huà)面品質(zhì)和顯示面板的良品率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例所要解決的技術(shù)問(wèn)題是，提供一種顯示面板及其制備方法和顯示裝置，解決現(xiàn)有產(chǎn)品存在的信賴性框痕跡問(wèn)題。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示面板，包括相對(duì)設(shè)置的陣列基板和彩膜基板，所述彩膜基板上設(shè)置有導(dǎo)電層，所述陣列基板上設(shè)置有供電電極，所述導(dǎo)電層與供電電極電連接。

可選地，所述供電電極位于所述陣列基板的非顯示區(qū)域，且與所述陣列基板的公共電極同層設(shè)置；所述供電電極與提供公共電壓的驅(qū)動(dòng)電路電連接。

可選地，所述彩膜基板包括：

設(shè)置在彩膜基底上的黑矩陣和彩膜層；覆蓋整個(gè)彩膜基底的導(dǎo)電層；設(shè)置在導(dǎo)電層上的平坦層和彩膜取向膜；或者，

設(shè)置在彩膜基底上的黑矩陣；覆蓋整個(gè)彩膜基底的導(dǎo)電層；設(shè)置在導(dǎo)電層上的彩膜層、平坦層和彩膜取向膜。

可選地，所述導(dǎo)電層和供電電極的材料包括銦錫氧化物、銦鋅氧化物或氧化鋁鋅，所述導(dǎo)電層的厚度為

可選地，所述導(dǎo)電層與供電電極之間通過(guò)導(dǎo)電膠或?qū)щ娭娺B接。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的顯示面板。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板的制備方法，包括：

分別制備包含導(dǎo)電層的彩膜基板和包含供電電極的陣列基板；

將彩膜基板和陣列基板對(duì)盒，彩膜基板上的導(dǎo)電層與陣列基板上的供電電極電連接。

可選地，所述制備包含供電電極的陣列基板，包括：

在陣列基底上形成包括公共電極和供電電極的陣列結(jié)構(gòu)層，所述供電電極位于非顯示區(qū)域，與所述公共電極同層且通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成。

可選地，所述制備包含導(dǎo)電層的彩膜基板，包括：

在彩膜基底上形成黑矩陣和彩膜層；形成覆蓋彩膜基底的導(dǎo)電層；在導(dǎo)電層上依次形成平坦層和彩膜取向膜；或者，

在彩膜基底上形成黑矩陣；形成覆蓋彩膜基底的導(dǎo)電層；在導(dǎo)電層上依次形成彩膜層、平坦層和彩膜取向膜。

可選地，所述導(dǎo)電層的材料包括銦錫氧化物、銦鋅氧化物或氧化鋁鋅，所述導(dǎo)電層的厚度為

可選地，所述彩膜基板上的導(dǎo)電層與陣列基板上的供電電極電連接，包括：通過(guò)導(dǎo)電膠電連接所述彩膜基板上的導(dǎo)電層與陣列基板上的供電電極。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示面板及其制備方法，通過(guò)在彩膜基板上設(shè)置導(dǎo)電層，導(dǎo)電層可以屏蔽黑矩陣產(chǎn)生感應(yīng)電場(chǎng)，避免了現(xiàn)有結(jié)構(gòu)黑矩陣所產(chǎn)生的不均勻感應(yīng)電場(chǎng)造成顯示區(qū)域的電場(chǎng)差異。同時(shí)，施加在導(dǎo)電層上的公共電壓可以消除顯示區(qū)域內(nèi)不同位置的電場(chǎng)差異性，且不會(huì)對(duì)陣列基板側(cè)的電場(chǎng)產(chǎn)生影響。本發(fā)明實(shí)施例有效解決了現(xiàn)有結(jié)構(gòu)存在的信賴性框痕跡問(wèn)題，且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，對(duì)現(xiàn)有制備工藝改動(dòng)很小，具有較好的應(yīng)用前景。

當(dāng)然，實(shí)施本發(fā)明的任一產(chǎn)品或方法并不一定需要同時(shí)達(dá)到以上所述的所有優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明書(shū)實(shí)施例中闡述，并且，部分地從說(shuō)明書(shū)實(shí)施例中變得顯而易見(jiàn)，或者通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明實(shí)施例的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)在說(shuō)明書(shū)、權(quán)利要求書(shū)以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。

附圖說(shuō)明

附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分，與本申請(qǐng)的實(shí)施例一起用于解釋本發(fā)明的技術(shù)方案，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案的限制。附圖中各部件的形狀和大小不反映真實(shí)比例，目的只是示意說(shuō)明本發(fā)明內(nèi)容。

圖1為現(xiàn)有顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明顯示面板第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例形成黑矩陣后的示意圖；

圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例形成彩膜層后的示意圖；

圖5為本發(fā)明第一實(shí)施例形成導(dǎo)電層后的示意圖；

圖6為本發(fā)明第一實(shí)施例形成平坦層和彩膜取向膜后的示意圖；

圖7為本發(fā)明顯示面板第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明第二實(shí)施例形成黑矩陣和導(dǎo)電層后的示意圖；

圖9為本發(fā)明第二實(shí)施例形成彩膜層、平坦層和彩膜取向膜后的示意圖；

圖10為本發(fā)明顯示面板第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明:

10—陣列基板；20—彩膜基板；30—液晶；

40—封框膠；50—導(dǎo)電層；60—供電電極；

70—導(dǎo)電膠；80—導(dǎo)電柱；11—陣列基底；

12—陣列結(jié)構(gòu)層；13—陣列取向膜；21—彩膜基底；

22—黑矩陣；23—彩膜層；24—平坦層；

25—彩膜取向膜。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明，但不用來(lái)限制本發(fā)明的范圍。需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互任意組合。

經(jīng)本申請(qǐng)發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有產(chǎn)品出現(xiàn)信賴性框痕跡的主要原因是，光配向的取向(polyimide，pi)膜配向力較弱，容易受黑矩陣(blackmatrix，bm)感應(yīng)電場(chǎng)影響，導(dǎo)致顯示區(qū)域邊緣的液晶發(fā)生偏轉(zhuǎn)。

圖1為現(xiàn)有顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，顯示面板的主體結(jié)構(gòu)包括：陣列基板10、彩膜基板20、設(shè)置在兩基板之間的液晶30和固定兩基板的封框膠40，陣列基板10包括設(shè)置在陣列基底11上的陣列結(jié)構(gòu)層12和陣列取向膜13，彩膜基板20包括設(shè)置在彩膜基底21上的黑矩陣22、彩膜層23、平坦層(overcoat，oc)24和彩膜取向膜25。在信賴性試驗(yàn)的高溫高濕點(diǎn)燈環(huán)境下，外部水汽100會(huì)通過(guò)封框膠(seal)40或平坦層24進(jìn)入顯示面板內(nèi)部，導(dǎo)致顯示面板內(nèi)部各介質(zhì)材料(如取向膜、平坦層、黑矩陣)因吸收水汽產(chǎn)生介電特性變化。通常，黑矩陣的電阻率約10⁸ωcm，平坦層的電阻率約10¹⁵ωcm，取向膜的電阻率約10¹³ωcm。由于黑矩陣的電阻率明顯小于平坦層或取向膜的電阻率，因此在吸收水汽后，同時(shí)受陣列基板上的信號(hào)影響，黑矩陣易產(chǎn)生感應(yīng)電場(chǎng)。由于黑矩陣的圖案化，因此黑矩陣產(chǎn)生的感應(yīng)電場(chǎng)是不均勻的。黑矩陣上不均勻的感應(yīng)電場(chǎng)進(jìn)而影響配向力較弱的取向膜，使不同區(qū)域的電場(chǎng)產(chǎn)生差異。如圖1所示，顯示區(qū)域中靠近封框膠的區(qū)域aa-b，受水汽影響大，電場(chǎng)變化大，液晶發(fā)生偏轉(zhuǎn)，預(yù)傾角(pre-tiltangle，tba)增大，該區(qū)域的像素顯亮。顯示區(qū)域中遠(yuǎn)離封框膠的區(qū)域aa-a，受水汽影響小，電場(chǎng)變化小或沒(méi)有變化，該區(qū)域的液晶偏轉(zhuǎn)小或不偏轉(zhuǎn)。進(jìn)一步研究表明，受水汽影響后，由于取向膜和平坦層的材料特性發(fā)生變化，區(qū)域aa-b的不良會(huì)向區(qū)域aa-a逐漸延伸，使得顯示面板的較大區(qū)域受到影響。

對(duì)于信賴性框痕跡問(wèn)題，雖然現(xiàn)有技術(shù)提出了采用高阻值黑矩陣(如電阻率10¹¹ωcm以上)來(lái)改善該不良，但高阻值黑矩陣材料中的碳結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，同時(shí)碳含量減少，導(dǎo)致黑矩陣遮光性能變差，容易發(fā)生漏光現(xiàn)象。

為了解決現(xiàn)有產(chǎn)品存在的信賴性框痕跡問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示面板，有效解決了現(xiàn)有結(jié)構(gòu)存在的信賴性框痕跡問(wèn)題，克服了顯示區(qū)域周邊發(fā)亮的缺陷，且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，對(duì)現(xiàn)有制備工藝改動(dòng)很小。

下面通過(guò)具體實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案。

第一實(shí)施例

圖2為本發(fā)明顯示面板第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，本實(shí)施例顯示面板的主體結(jié)構(gòu)包括：陣列基板10、彩膜基板20、設(shè)置在兩基板之間的液晶30和固定兩基板的封框膠40；其中，陣列基板10包括在陣列基底11上依次形成的陣列結(jié)構(gòu)層12和陣列取向膜13，陣列結(jié)構(gòu)層12包括設(shè)置在非顯示區(qū)域的供電電極60，彩膜基板20包括在彩膜基底21依次形成的黑矩陣22、彩膜層23、導(dǎo)電層50、平坦層24和彩膜取向膜25，導(dǎo)電層50與供電電極60通過(guò)導(dǎo)電膠70連接。本實(shí)施例中，導(dǎo)電層50一方面起到屏蔽作用，另一方面起到消除顯示區(qū)域電場(chǎng)差異作用。具體地，導(dǎo)電層可以屏蔽黑矩陣，使黑矩陣不能產(chǎn)生感應(yīng)電場(chǎng)，因而避免了現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中黑矩陣所產(chǎn)生不均勻感應(yīng)電場(chǎng)造成的顯示區(qū)域電場(chǎng)差異。同時(shí)，施加在導(dǎo)電層上的恒定電壓可以消除顯示區(qū)域內(nèi)不同位置的電場(chǎng)差異性，且不會(huì)對(duì)陣列基板側(cè)的電場(chǎng)產(chǎn)生影響。

本實(shí)施例中，導(dǎo)電層50采用透明導(dǎo)電材料，厚度為設(shè)置在黑矩陣22上并覆蓋整個(gè)彩膜基板20。同時(shí)，供電電極60與周邊驅(qū)動(dòng)電路連接，使得周邊驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)供電電極60向?qū)щ妼?0加載恒定的第一電壓。由于透明導(dǎo)電材料的導(dǎo)電層的導(dǎo)電性明顯優(yōu)于黑矩陣，且導(dǎo)電層覆蓋住黑矩陣，因此導(dǎo)電層可以屏蔽黑矩陣，使黑矩陣不能產(chǎn)生影響顯示區(qū)域電場(chǎng)的不均勻感應(yīng)電場(chǎng)。由于導(dǎo)電層覆蓋整個(gè)彩膜基板且被施加恒定的電壓，因此導(dǎo)電層所產(chǎn)生電場(chǎng)是均勻的，既可以消除顯示區(qū)域內(nèi)不同位置的電場(chǎng)差異性，又不會(huì)對(duì)陣列基板側(cè)的電場(chǎng)產(chǎn)生影響。在實(shí)際實(shí)施時(shí)，透明導(dǎo)電材料可以采用銦錫氧化物(ito)、銦鋅氧化物(izo)或氧化鋁鋅等，所形成的導(dǎo)電層透過(guò)率高，不影響產(chǎn)品的透過(guò)率。

本實(shí)施例中，周邊驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)供電電極可以向?qū)щ妼邮┘庸搽妷簐com，與陣列基板上施加的公共電壓相同。針對(duì)不同的顯示模式，供電電極的設(shè)置位置以及導(dǎo)電層與供電電極之間的連接方式可以根據(jù)實(shí)際需要設(shè)計(jì)。當(dāng)本實(shí)施例應(yīng)用于高開(kāi)口率高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換(highapertureadvancedsuperdimensionalswitching，hads)模式時(shí)，供電電極可以設(shè)置在陣列基板上，且與陣列基板的公共電極同層設(shè)置，導(dǎo)電層與供電電極之間通過(guò)導(dǎo)電膠連接，周邊驅(qū)動(dòng)電路在向陣列基板的公共電極施加公共電壓vcom時(shí)，同時(shí)通過(guò)供電電極和導(dǎo)電膠向?qū)щ妼邮┘酉嗤墓搽妷簐com。在實(shí)際實(shí)施時(shí)，供電電極可以采用銦錫氧化物(ito)、銦鋅氧化物(izo)或氧化鋁鋅，導(dǎo)電膠可以采用銀(ag)膠。

下面通過(guò)顯示面板的制備過(guò)程進(jìn)一步說(shuō)明本實(shí)施例的技術(shù)方案。

本實(shí)施例制備顯示面板的主體流程包括：先分別制備包含供電電極的陣列基板和包含導(dǎo)電層的彩膜基板，將彩膜基板和陣列基板經(jīng)滴注液晶和涂覆封框膠后對(duì)盒(cell)，隨后通過(guò)導(dǎo)電膠將彩膜基板上的導(dǎo)電層與陣列基板上的供電電極連接，完成本實(shí)施例顯示面板的制備。

圖3～圖6為本發(fā)明第一實(shí)施例制備彩膜基板的示意圖。

首先，在彩膜基底21涂覆黑矩陣薄膜，采用掩膜版對(duì)黑矩陣薄膜進(jìn)行曝光和顯影，在彩膜基底21上形成黑矩陣22圖案，在顯示區(qū)域，黑矩陣間隔設(shè)置，在非顯示區(qū)域，黑矩陣連續(xù)設(shè)置，如圖3所示。

隨后，在形成有黑矩陣22圖案的彩膜基底21上形成彩膜層23圖案，彩膜層23圖案包括紅色(r)光阻圖案、綠色(g)光阻圖案和藍(lán)色(b)光阻圖案，紅色、綠色和藍(lán)色光阻分別設(shè)置在黑矩陣22之間，并按照設(shè)定規(guī)律排列，僅形成在顯示區(qū)域，如圖4所示。

之后，在形成有黑矩陣22和彩膜層23圖案的彩膜基底21上沉積一層透明導(dǎo)電薄膜，厚度為透明導(dǎo)電薄膜覆蓋整個(gè)彩膜基底21，形成導(dǎo)電層50圖案，如圖5所示。實(shí)際實(shí)施時(shí)，透明導(dǎo)電薄膜可以采用銦錫氧化物(ito)、銦鋅氧化物(izo)或氧化鋁鋅，通過(guò)磁控濺射鍍方式沉積。

最后，在形成有導(dǎo)電層50圖案的彩膜基底21上依次涂覆平坦層24和噴涂彩膜取向膜25，在彩膜基底21的顯示區(qū)域形成彩膜取向膜25圖案，如圖6所示。彩膜取向?qū)涌梢圆捎糜∷⒒蛘邍娡糠绞?，通過(guò)加熱固化。

本實(shí)施例所制備的彩膜基板包含顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，顯示區(qū)域的結(jié)構(gòu)膜層包括黑矩陣22、彩膜層23、導(dǎo)電層50、平坦層24和彩膜取向膜25，非顯示區(qū)域的結(jié)構(gòu)膜層包括黑矩陣22、導(dǎo)電層50和平坦層24。實(shí)際實(shí)施時(shí)，彩膜基板還可以包含隔墊物ps或其它結(jié)構(gòu)，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠根據(jù)公知常識(shí)以及現(xiàn)有技術(shù)獲知，本實(shí)施例不做具體限定。

本實(shí)施例陣列基板的制作過(guò)程與現(xiàn)有技術(shù)基本上相同，所不同的是，在陣列基板的顯示區(qū)域形成公共電極時(shí)，在非顯示區(qū)域形成供電電極?，F(xiàn)有ads模式或hads模式中，公共電極通常形成在陣列基底上或形成在緩沖層上，因此圖2所示意的供電電極60形成在陣列基底11上，其上覆蓋絕緣層。在陣列基底構(gòu)圖工藝中，如形成具有過(guò)孔的鈍化層過(guò)程中，同時(shí)在供電電極60位置的絕緣層上形成過(guò)孔，暴露出供電電極60表面。在實(shí)際實(shí)施時(shí)，針對(duì)不同的顯示模式，本實(shí)施例陣列結(jié)構(gòu)層可以具有不同的膜層結(jié)構(gòu)，膜層結(jié)構(gòu)包括薄膜晶體管、柵線、數(shù)據(jù)線、像素電極和公共電極，可以是頂柵或底柵結(jié)構(gòu)，薄膜晶體管可以是非晶硅薄膜晶體管、低溫多晶硅薄膜晶體管或氧化物薄膜晶體管，本實(shí)施例不做具體的限定，只需供電電極與公共電極同層設(shè)置即可。

在制備完成陣列基板和彩膜基板后，先在一個(gè)基板的非顯示區(qū)域涂覆封框膠，在另一個(gè)基板的顯示區(qū)域滴設(shè)液晶，然后在真空條件下將兩基板相對(duì)貼近進(jìn)行對(duì)位和壓合，通過(guò)紫外固化和/或熱固化使封框膠固化。

陣列基板和彩膜基板對(duì)盒后，通過(guò)導(dǎo)電膠將彩膜基板上的導(dǎo)電層與陣列基板上的供電電極連接，形成本實(shí)施例顯示面板，如圖2所示。

實(shí)際實(shí)施時(shí)，彩膜基板的制備可以先于陣列基板，也可以在陣列基板制備之后，或兩者同時(shí)進(jìn)行。封框膠可以涂覆在彩膜基板上，也可以涂覆在陣列基板上。液晶可以滴涂在陣列基板上，也可以滴涂在彩膜基板上。保護(hù)框的位置和寬度可結(jié)合實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)計(jì)，在此不做具體的限定。

顯示面板工作時(shí)，周邊驅(qū)動(dòng)電路在向陣列基板的公共電極施加公共電壓vcom時(shí)，同時(shí)通過(guò)供電電極和導(dǎo)電膠向?qū)щ妼邮┘酉嗤墓搽妷簐com。由于導(dǎo)電層的導(dǎo)電性明顯優(yōu)于黑矩陣，因此導(dǎo)電層可以屏蔽黑矩陣，使黑矩陣不能產(chǎn)生影響顯示區(qū)域電場(chǎng)的不均勻感應(yīng)電場(chǎng)，克服了顯示區(qū)域周邊發(fā)亮的缺陷。由于導(dǎo)電層施加恒定的電壓，因此導(dǎo)電層所產(chǎn)生的電場(chǎng)是均勻的，既可以消除顯示區(qū)域內(nèi)不同位置的電場(chǎng)差異性，又不會(huì)對(duì)陣列基板側(cè)的電場(chǎng)產(chǎn)生影響。本實(shí)施例顯示面板結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，對(duì)現(xiàn)有制備工藝改動(dòng)很小，具有較好的應(yīng)用前景。

通常，ads顯示模式的彩膜基板背面設(shè)置有防靜電層(backito)，防靜電層通過(guò)導(dǎo)電膠與設(shè)置在陣列基板上的接地線連接，接地線連接至周邊驅(qū)動(dòng)電路的接地點(diǎn)(gnd)，從而達(dá)到防止靜電的效果。在實(shí)際實(shí)施時(shí)，本實(shí)施例的供電電極和導(dǎo)電膠可以與現(xiàn)有接地線和導(dǎo)電膠共用，只需由周邊驅(qū)動(dòng)電路施加公共電壓vcom即可，可以進(jìn)一步簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)和制備工藝。

第二實(shí)施例

圖7為本發(fā)明顯示面板第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖7所示，本實(shí)施例顯示面板的主體結(jié)構(gòu)與前述第一實(shí)施例相同，所不同的是，彩膜基板20包括在彩膜基底21依次形成的黑矩陣22、導(dǎo)電層50、彩膜層23、平坦層24和彩膜取向膜25，導(dǎo)電層50的作用與前述第一實(shí)施例相同。

下面通過(guò)顯示面板的制備過(guò)程進(jìn)一步說(shuō)明本實(shí)施例的技術(shù)方案。

本實(shí)施例制備顯示面板的主體流程包括：先分別制備包含供電電極的陣列基板和包含導(dǎo)電層的彩膜基板，將彩膜基板和陣列基板經(jīng)滴注液晶和涂覆封框膠后對(duì)盒，隨后通過(guò)導(dǎo)電膠將彩膜基板上的導(dǎo)電層與陣列基板上的供電電極連接，完成本實(shí)施例顯示面板的制備。

圖8～圖9為本發(fā)明第二實(shí)施例制備彩膜基板的示意圖。

首先，在彩膜基底21涂覆黑矩陣薄膜，采用掩膜版對(duì)黑矩陣薄膜進(jìn)行曝光和顯影，在彩膜基底21上形成黑矩陣22圖案，在顯示區(qū)域，黑矩陣間隔設(shè)置，在非顯示區(qū)域，黑矩陣連續(xù)設(shè)置。隨后，在形成有黑矩陣22圖案的彩膜基底21上沉積一層透明導(dǎo)電薄膜，厚度為透明導(dǎo)電薄膜覆蓋整個(gè)彩膜基底21，形成導(dǎo)電層50圖案，如圖8所示。

之后，在形成有黑矩陣22和導(dǎo)電層50圖案的彩膜基底21上形成彩膜層23圖案，彩膜層23圖案包括紅色(r)光阻圖案、綠色(g)光阻圖案和藍(lán)色(b)光阻圖案，紅色、綠色和藍(lán)色按照設(shè)定規(guī)律排列，僅形成在顯示區(qū)域。隨后，在彩膜基底21上依次涂覆平坦層24和噴涂彩膜取向膜25，在彩膜基底21的顯示區(qū)域形成彩膜取向膜25圖案，如圖9所示。彩膜取向?qū)涌梢圆捎糜∷⒒蛘邍娡糠绞剑ㄟ^(guò)加熱固化。

本實(shí)施例所制備的彩膜基板包含顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，顯示區(qū)域的結(jié)構(gòu)膜層包括黑矩陣22、導(dǎo)電層50、彩膜層23、平坦層24和彩膜取向膜25，非顯示區(qū)域的結(jié)構(gòu)膜層包括黑矩陣22、導(dǎo)電層50和平坦層24。實(shí)際實(shí)施時(shí)，彩膜基板還可以包含隔墊物ps或其它結(jié)構(gòu)，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠根據(jù)公知常識(shí)以及現(xiàn)有技術(shù)獲知，本實(shí)施例不做具體限定。

本實(shí)施例陣列基板的制作過(guò)程以及陣列基板和彩膜基板對(duì)盒過(guò)程與前述第一實(shí)施例相同，各膜層的材料、厚度及制備工藝與前述第一實(shí)施例相同，導(dǎo)電層的作用和效果與前述第一實(shí)施例相同，這里不再贅述。

在實(shí)際實(shí)施時(shí)，在沉積透明導(dǎo)電薄膜后，可以通過(guò)包括掩膜曝光、顯影、刻蝕和剝離工藝的構(gòu)圖工藝對(duì)透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行構(gòu)圖處理，使所形成的導(dǎo)電層具有不同的圖案，來(lái)滿足不同的設(shè)計(jì)需求，在此不做具體的限定。本實(shí)施例所示意的導(dǎo)電層是覆蓋彩膜基底的整面圖案，具有工藝簡(jiǎn)單，克服信賴性框痕跡缺陷效果明顯的特點(diǎn)。

第三實(shí)施例

圖10為本發(fā)明顯示面板第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例是基于前述第一、第二實(shí)施例技術(shù)方案的改進(jìn)。如圖10所示，本實(shí)施例彩膜基板和陣列基板的結(jié)構(gòu)與前述第一、第二實(shí)施例相同，與前述第一、第二實(shí)施例不同的是，本實(shí)施例中彩膜基板20上的導(dǎo)電層50與陣列基板10上的供電電極60通過(guò)導(dǎo)電柱80連接。其中，導(dǎo)電柱80是導(dǎo)電的柱體結(jié)構(gòu)，一端與彩膜基板20上的導(dǎo)電層50連接，另一端與陣列基板10上的供電電極60連接。本實(shí)施例中，導(dǎo)電柱80可以采用銦錫氧化物(ito)、銦鋅氧化物(izo)或氧化鋁鋅等制作，也可以采用其它金屬及金屬氧化物制作。

在實(shí)際實(shí)施時(shí)，為了不影響顯示效果，導(dǎo)電柱設(shè)置在非顯示區(qū)域。進(jìn)一步地，在非顯示區(qū)域，既可以將導(dǎo)電柱設(shè)置在封框膠以外的區(qū)域，也可以將導(dǎo)電柱設(shè)置在封框膠與顯示區(qū)域之間的區(qū)域，即導(dǎo)電柱的設(shè)置位置可以根據(jù)實(shí)際需要調(diào)整。此外，導(dǎo)電柱80還可以采用柱體隔墊物形式，同時(shí)充當(dāng)隔墊物使用，其高度與隔墊物一致，材料與隔墊物相同，采用表面鍍?cè)O(shè)導(dǎo)電材料或其中添加導(dǎo)電粒子等方式實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電。

第四實(shí)施例

基于前述第一、第二實(shí)施例的技術(shù)構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板的制備方法。本實(shí)施例顯示面板的制備方法包括：

s1、分別制備包含導(dǎo)電層的彩膜基板和包含供電電極的陣列基板；

s2、將彩膜基板和陣列基板對(duì)盒，彩膜基板上的導(dǎo)電層與陣列基板上的供電電極電連接。

本實(shí)施例所提出的顯示面板的制備方法，通過(guò)在彩膜基板上設(shè)置導(dǎo)電層，導(dǎo)電層可以屏蔽黑矩陣產(chǎn)生感應(yīng)電場(chǎng)，避免了現(xiàn)有結(jié)構(gòu)黑矩陣所產(chǎn)生的不均勻感應(yīng)電場(chǎng)造成顯示區(qū)域的電場(chǎng)差異，同時(shí)，施加在導(dǎo)電層上的恒定電壓可以消除顯示區(qū)域內(nèi)不同位置的電場(chǎng)差異性，且不會(huì)對(duì)陣列基板側(cè)的電場(chǎng)產(chǎn)生影響。本實(shí)施例有效解決了現(xiàn)有結(jié)構(gòu)存在的信賴性框痕跡問(wèn)題，且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，對(duì)現(xiàn)有制備工藝改動(dòng)很小，具有較好的應(yīng)用前景。

其中，步驟s1中制備包含供電電極的陣列基板包括：

s101、在陣列基底上形成包括公共電極和供電電極的陣列結(jié)構(gòu)層，所述供電電極位于非顯示區(qū)域，與所述公共電極同層且通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成；

s102、形成陣列取向膜。

其中，在一個(gè)實(shí)施例中，步驟s1中制備包含導(dǎo)電層的彩膜基板包括：

s111、在彩膜基底上形成黑矩陣和彩膜層；

s112、在形成有黑矩陣和彩膜層的彩膜基底上形成覆蓋彩膜基底的導(dǎo)電層；

s113、在導(dǎo)電層上依次形成平坦層和彩膜取向膜。

其中，在另一個(gè)實(shí)施例中，步驟s1中制備包含導(dǎo)電層的彩膜基板包括：

s121、在彩膜基底上形成黑矩陣；

s122、在形成有黑矩陣的彩膜基底上形成覆蓋彩膜基底的導(dǎo)電層；

s123、在導(dǎo)電層上依次形成彩膜層、平坦層和彩膜取向膜。

其中，在一個(gè)實(shí)施例中，步驟s2包括：

s201、將彩膜基板和陣列基板對(duì)盒；

s202、通過(guò)導(dǎo)電膠電連接彩膜基板上的導(dǎo)電層與陣列基板上的供電電極。

其中，導(dǎo)電層和供電電極的材料可以采用銦錫氧化物(ito)、銦鋅氧化物(izo)或氧化鋁鋅，厚度為導(dǎo)電膠可以采用銀(ag)膠。

第五實(shí)施例

基于前述實(shí)施例的技術(shù)構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，顯示裝置包括前述實(shí)施例任意一種顯示面板。顯示裝置可以為：液晶面板、電子紙、有機(jī)發(fā)光二極管(organiclightemittingdiode，oled)面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

在本發(fā)明實(shí)施例的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

在本發(fā)明實(shí)施例的描述中，需要說(shuō)明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本發(fā)明中的具體含義。

雖然本發(fā)明所揭露的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容僅為便于理解本發(fā)明而采用的實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所揭露的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式及細(xì)節(jié)上進(jìn)行任何的修改與變化，但本發(fā)明的專(zhuān)利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書(shū)所界定的范圍為準(zhǔn)。