本發(fā)明的示例實施方式涉及顯示設備，更具體地，涉及有效減少短路部分中的反射光并且防止在修復過中出現黑點的液晶顯示(lcd)設備及制造該lcd設備的方法。

背景技術：

液晶顯示(lcd)設備是平板顯示(fpd)設備最廣泛使用的類型中的一種。lcd設備通常包括兩個基板，兩個基板包括分別形成在其上的兩個電極以及插置其間的液晶層。在分別向兩個電極施加電壓時，液晶層的液晶分子被重新排列，從而控制在lcd設備中透射的光的量。

技術實現要素：

本發(fā)明的示例實施方式涉及液晶顯示(lcd)設備以及制造lcd設備的方法，該lcd設備有效地減少短路部分中的反射光并且防止在修復過程中黑點的產生。

根據本發(fā)明的一示例實施方式，一種lcd設備包括彼此間隔開的第一基板和第二基板、在第一基板和第二基板之間的液晶層、在第一基板上的公共線、在第二基板上的公共電極、以及在公共線和公共電極之間的短路部分。短路部分包括在公共線上的突起部分以及在突起部分和公共線上的短路電極，并且突起部分的至少一部分包括暗區(qū)域。

在一示例實施方式中，突起部分可以包括在公共線和短路電極之間的多個突起圖案，并且多個突起圖案的至少一個的至少一部分可以包括暗區(qū)域。

在一示例實施方式中，lcd設備還可以包括在第一基板上的濾色器。包括暗區(qū)域的突起圖案的至少一個可以包括與濾色器中包括的材料相同的材料。

在一示例實施方式中，濾色器可以包括具有彼此不同的顏色的至少兩個單位濾色器，包括暗區(qū)域的突起圖案的至少一個可以包括與至少兩個單位濾色器的在垂直方向上具有最大厚度的一個中包括的材料相同的材料。

在一示例實施方式中，濾色器可以包括具有彼此不同的顏色的至少兩個單位濾色器，并且包括暗區(qū)域的至少兩個突起圖案可以分別包括不同單位濾色器的材料。

在一示例實施方式中，lcd設備還可以包括在第一基板上的柵絕緣層。包括暗區(qū)域的突起圖案的至少一個可以包括與柵絕緣層中包括的材料相同的材料。

在一示例實施方式中，lcd設備還可以包括在第一基板上的鈍化層。包括暗區(qū)域的突起圖案的至少一個可以包括與鈍化層中包括的材料相同的材料。

在一示例實施方式中，lcd設備還可以包括在第一基板上的絕緣中間層。包括暗區(qū)域的突起圖案的至少一個可以包括與絕緣中間層中包括的材料相同的材料。

在一示例實施方式中，lcd設備還可以包括密封部分，密封部分圍繞液晶層且被設置在第一基板的非顯示區(qū)域和第二基板的非顯示區(qū)域之間。

在一示例實施方式中，lcd設備還可以包括在第一基板上的光阻擋部分，光阻擋部分限定有第一孔和第二孔，第一孔限定其中短路部分被設置的短路區(qū)域，第二孔限定第一基板的像素區(qū)域。

在一示例實施方式中，lcd設備還可以包括在第一基板上的濾色器。暗區(qū)域可以具有比濾色器的透射率更低且比光阻擋部分的透射率更高的透射率。

在一示例實施方式中，lcd設備還可以包括：在第一基板上的柵線、數據線和像素電極；連接到柵線的柵電極、連接到數據線的源電極和連接到像素電極的漏電極；以及濾色器，其被設置在第一基板上并且不重疊源電極的第一部分和漏電極的第二部分中的至少一個，源電極的第一部分不重疊柵電極，漏電極的第二部分不重疊柵電極。

在一示例實施方式中，濾色器可以重疊開關元件的除第一部分和第二部分之外的另外的部分。

在一示例實施方式中，濾色器可以包括重疊像素電極的第一重疊部分和重疊開關元件的另外的部分的第二重疊部分。

在一示例實施方式中，lcd設備還可以包括在第二重疊部分上的柱狀間隔物。

在一示例實施方式中，第一重疊部分和第二重疊部分可以為整體的。

在一示例實施方式中，第一重疊部分和第二重疊部分可以彼此分開。

在一示例實施方式中，lcd設備還可以包括：在第一基板上的柵線、存儲電極、數據線、第一子像素電極和第二子像素電極；第一開關元件，其包括連接到柵線的第一柵電極、連接到數據線的第一源電極和連接到第一子像素電極的第一漏電極；第二開關元件，其包括連接到柵線的第二柵電極、連接到第一源電極的第二源電極和連接到第二子像素電極的第二漏電極；第三開關元件，其包括連接到柵線的第三柵電極、連接到第二漏電極的第三源電極和連接到存儲電極的第三漏電極；以及濾色器，其被設置在第一基板上并且不重疊第一源電極的第一部分、第一漏電極的第二部分、第二漏電極的第三部分以及第三源電極的第四部分中的至少一個，第一源電極的第一部分不重疊第一柵電極，第一漏電極的第二部分不重疊第一柵電極和存儲電極，第二漏電極的第三部分不重疊第二柵電極和存儲電極，第三源電極的第四部分不重疊第三柵電極和存儲電極。

在一示例實施方式中，濾色器可以包括重疊第一子像素電極的第一重疊部分、重疊第二子像素電極的第二重疊部分、以及重疊第一開關元件、第二開關元件和第三開關元件的除第一部分、第二部分、第三部分和第四部分之外的另外的部分的第三重疊部分。

在一示例實施方式中，lcd設備還可以包括在第三重疊部分上的柱狀間隔物。

在一示例實施方式中，第一重疊部分和第二重疊部分的至少一個可以與第三重疊部分為整體的。

在一示例實施方式中，第一重疊部分、第二重疊部分和第三重疊部分可以彼此分開。

根據本發(fā)明的一示例實施方式，一種lcd設備包括彼此間隔開的第一基板和第二基板、在第一基板和第二基板之間的液晶層、在第一基板上的公共線、在第二基板上的公共電極、設置在第一基板上且限定短路區(qū)域的光阻擋部分、以及在短路區(qū)域中的公共線和公共電極之間的多個短路部分。短路部分的每個包括在公共線上的突起部分以及在突起部分和公共線上的短路電極，并且突起部分的至少一部分包括暗區(qū)域。

在一示例實施方式中，突起部分可以包括在公共線和短路電極之間的多個突起圖案，并且多個突起圖案的至少一個的至少一部分可以包括暗區(qū)域。

在一示例實施方式中，lcd設備還可以包括在第一基板上的濾色器。包括暗區(qū)域的突起圖案的至少一個可以包括與濾色器中包括的材料相同的材料。

在一示例實施方式中，濾色器可以包括具有彼此不同的顏色的至少兩個單位濾色器，并且包括暗區(qū)域的突起圖案的至少一個可以包括與至少兩個單位濾色器中的具有最大高度的一個中包括的材料相同的材料。

在一示例實施方式中，濾色器可以包括具有彼此不同的顏色的至少兩個單位濾色器，并且包括暗區(qū)域的至少兩個突起圖案可以分別包括不同單位濾色器的材料。

在一示例實施方式中，lcd設備還可以包括在第一基板上的柵絕緣層。包括暗區(qū)域的突起圖案的至少一個可以包括與柵絕緣層中包括的材料相同的材料。

在一示例實施方式中，lcd設備還可以包括在第一基板上的鈍化層。包括暗區(qū)域的突起圖案的至少一個可以包括與鈍化層中包括的材料相同的材料。

在一示例實施方式中，lcd設備還可以包括在第一基板上的絕緣中間層。包括暗區(qū)域的突起圖案的至少一個可以包括與絕緣中間層中包括的材料相同的材料。

在一示例實施方式中，突起部分可以具有正方形形狀、矩形形狀、圓形形狀和橢圓形形狀中的一種。

在一示例實施方式中，突起部分的每側可以具有大于或等于約20微米(μm)的長度。

在一示例實施方式中，突起部分的相鄰突起部分之間的長度可以在為至少約10μm的范圍內。

在一示例實施方式中，短路部分的各自短路電極可以彼此連接。

在一示例實施方式中，短路部分的各自突起部分可以被設置在公共線的不同部分上。

根據本發(fā)明的一示例實施方式，一種制造lcd設備的方法包括：提供具有顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域的基板；在基板的非顯示區(qū)域中形成公共線；在顯示區(qū)域中形成濾色器且在非顯示區(qū)域中的公共線上形成短路部分的突起部分；在突起部分的至少一部分中形成暗區(qū)域；以及在顯示區(qū)域中形成像素電極。

在一示例實施方式中，突起部分可以包括多個突起圖案，并且多個突起圖案的至少一個的至少一部分可以包括暗區(qū)域。

在一示例實施方式中，多個突起圖案的至少一個可以同時配備有濾色器，并且可以包括與濾色器中包括的材料相同的材料。

在一示例實施方式中，包括暗區(qū)域的突起圖案可以包括與濾色器中具有最大高度的一個中包括的材料相同的材料。

在一示例實施方式中，在突起部分的至少一部分中暗區(qū)域的形成可以包括碳化突起部分。

在一示例實施方式中，突起部分的碳化可以包括將強光輻射到突起部分。

前面所述僅為說明性的并且不打算成為以任何方式的限制。除說明性的示例實施方式和以上描述的特征之外，另外的示例實施方式和特征通過參考圖和以下詳細描述將變得明顯。

附圖說明

由結合附圖的以下詳細描述，本發(fā)明的以上及其它特征及示例實施方式將被更清楚地理解，附圖中：

圖1是示出液晶顯示(lcd)設備中的第一面板和連接到第一面板的外圍電路的一示例實施方式的視圖；

圖2是沿圖1的線i-i'截取的剖視圖；

圖3a是示出圖2的顯示面板中包括的像素的俯視圖，并且圖3b是圖3a的像素的一部分的放大圖；

圖4是示出圖2的光阻擋部分的俯視圖；

圖5是示出圖4的光阻擋部分的第一孔中的短路部分和在短路部分下面的公共線的一示例實施方式的視圖；

圖6是示出對應于圖5的單個像素區(qū)域的像素的一示例實施方式的俯視圖；

圖7是沿圖5的線i-i'和圖6的線ii-ii'截取的剖視圖；

圖8a、8b、8c、8d和8e是示出制造lcd設備的一示例實施方式的過程的剖視圖；

圖9是示出沿圖5的線i-i'截取的一示例實施方式的剖視圖；

圖10是示出沿圖5的線i-i'截取的一替換示例實施方式的剖視圖；

圖11是示出圖4的光阻擋部分的第一孔中的短路部分和在短路部分下面的公共線的一替換示例實施方式的視圖；

圖12是沿圖11的線i-i'截取的剖視圖；

圖13是示出在圖4的單個短路區(qū)域中的多個突起部分的一示例實施方式的視圖；

圖14是示出在圖4的單個短路區(qū)域中的多個突起部分的一替換示例實施方式的視圖；

圖15是示出對應于圖5的單個像素區(qū)域的像素的一替換示例實施方式的俯視圖；

圖16是沿圖15的線i-i'截取的剖視圖；

圖17是單獨示出圖15的濾色器的視圖；

圖18是示出對應于圖5的單個像素區(qū)域的像素的另一替換示例實施方式的俯視圖；

圖19是沿圖18的線i-i'截取的剖視圖；

圖20是沿圖18的線ii-ii'截取的剖視圖；

圖21是單獨地示出圖18的濾色器的視圖；以及

圖22a、22b、22c、22d、22e、22f和22g是示出可以被包括在圖18的像素中的濾色器的替換示例實施方式的視圖。

具體實施方式

通過以下參考附圖詳細描述的示例實施方式，本發(fā)明的優(yōu)點和特征以及實現它們的方法將變得清楚。然而，本發(fā)明可以以不同的形式被實現，而不應被解釋為限于這里闡述的示例實施方式。更確切地，這些示例實施方式被提供使得本公開將透徹和完整，并且將向本領域技術人員完全傳遞本發(fā)明的范圍。本發(fā)明僅由權利要求的范圍限定。因此，公知的構成元件、操作和技術在示例實施方式中不被詳細描述以防止本發(fā)明被模糊地解釋。相同的附圖標記貫穿本說明書指代相同的元件。

在圖中，某些元件或形狀可以以放大的方式或以簡化的方式被示出以更好地示出本發(fā)明，并且實際產品中存在的其它元件也可以被省略。因此，圖旨在有助于本發(fā)明的理解。

當一層、區(qū)域或板被稱為在另一層、區(qū)域或板“上”時，它可以直接在所述另一層、區(qū)域或板上，或者在其之間可以存在居間層、區(qū)域或板。相反，當一層、區(qū)域或板被稱為“直接在”另一層、區(qū)域或板“上”時，在其之間可以沒有居間層、區(qū)域或板。此外，當一層、區(qū)域或板被稱為在另一層、區(qū)域或板“下面”時，它可以直接在所述另一層、區(qū)域或板下面，或者在其之間可以存在居間層、區(qū)域或板。相反，當一層、區(qū)域或板被稱為“直接在”另一層、區(qū)域或板“下面”時，在其之間可以沒有居間層、區(qū)域或板。

為了描述的容易，空間關系術語“在……下面”、“在……之下”、“下部”、“在……之上”、“上部”等可以在此被用于描述如圖中示出的一個元件或部件與另一元件或部件之間的關系。將理解，除圖中描繪的取向之外，空間關系術語旨在涵蓋設備在使用或在操作中的不同取向。例如，在圖中所示的設備被翻轉的情況下，置于另一設備“下面”或“之下”的設備可以被置于所述另一設備“之上”。因此，說明性術語“在……下面”可以包括上下兩位置。設備也可以在其它方向上取向，并且因此空間關系術語可以根據該取向被不同地解釋。

貫穿本說明書，當一元件被稱為“連接”到另一元件時，該元件“直接連接”到所述另一元件，或者“電連接”到所述另一元件并且在其之間插置一個或更多居間元件。還將理解，術語“包含”和/或“包括”，當在本說明書中使用時，指明所陳述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一個或更多其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組合的存在或添加。

將理解，雖然術語“第一”、“第二”、“第三”等可以在此處被用來描述各種元件，但是這些元件不應受這些術語限制。這些術語僅用于將一個元件與另一元件區(qū)分開。因此，以下討論的“第一元件”能被稱作“第二元件”或“第三元件”，并且“第二元件”和“第三元件”能被相同地命名而不背離此處的教導。

此處使用的術語僅為了描述具體實施方式，且不打算成為限制。當在此處使用時，單數形式“一”和“該”也打算包括復數形式，包括“至少一個”，除非上下文清楚地另行指示?！盎蛘摺币馑际恰昂?或”。當在此處使用時，術語“和/或”包括相關所列項目的一個或更多的任意及所有組合。還將理解，當在此說明書中使用時，術語“包含”和/或“包括”指明所陳述的特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個或更多其它特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組合的存在或添加。

當在此處使用時，“大約”或“近似”包括所陳述的值在內，并且意為在由本領域普通技術人員考慮到正被討論的測量和與詳細量的測量相關的誤差(即，測量系統(tǒng)的限制)確定的具體值的偏差的可接受范圍內。例如，“大約”能意為在一個或更多個標準偏差內，或在所陳述值的±30％、±20％、±10％、±5％內。

除非另有定義，此處使用的所有術語(包括技術術語和科學術語)具有與本發(fā)明所屬領域的技術人員通常理解的相同的含義。還將被理解，諸如通用詞典中定義的術語的術語應被解釋為具有與它們的在相關領域的背景下的含義一致的含義，并且將不在理想化或過度形式化的意義上被解釋，除非本說明書中清楚地定義。

在下文中，液晶顯示(lcd)設備的一示例實施方式和制造lcd設備的方法將參考圖1至22g被更詳細地描述。

圖1是示出lcd設備中的第一面板和連接到第一面板的外圍電路的一示例實施方式的視圖，圖2是沿圖1的線i-i'截取的剖視圖，圖3a是示出圖2的顯示面板中包括的像素的俯視圖，并且圖3b是圖3a的像素的一部分的放大圖。

如圖1和2所示，lcd設備的一示例實施方式包括顯示面板100(參考圖2)、柵極驅動器236和數據驅動器136。

如圖2所示，顯示面板100包括第一面板101、第二面板102、液晶層333和密封部分155。顯示面板100被分成顯示區(qū)域ar1和非顯示區(qū)域ar2。

顯示面板100的顯示區(qū)域ar1對應于第一面板101的顯示區(qū)域ar1和第二面板102的顯示區(qū)域ar1。顯示面板100的非顯示區(qū)域ar2對應于第一面板101的非顯示區(qū)域ar2和第二面板102的非顯示區(qū)域ar2。

密封部分155被設置在第一面板101和第二面板102之間。詳細地，如圖2所示，密封部分155被設置在第一面板101的非顯示區(qū)域ar2和第二面板102的非顯示區(qū)域ar2之間。在一示例實施方式中，例如，如圖1所示，密封部分155在俯視圖中可以具有圍繞顯示區(qū)域ar1的閉環(huán)形狀。

液晶層333被設置在由第一面板101、第二面板102和密封部分155限定的空間中。在一示例實施方式中，例如，液晶層333可以包括具有負介電各向異性的垂直配向液晶分子。在一替換示例實施方式中，例如，液晶層333可以包括光聚合材料，并且在該替換示例實施方式中，例如，光聚合材料可以為活性單體或活性液晶元。

如圖2所示，第一面板101具有比第二面板102的平面面積更大的平面面積。第一面板101和第二面板102彼此面對并且液晶層333在其之間。

如圖1和2所示，第一面板101包括第一基板301、多個柵線gl1至gli、多個數據線dl1至dlj以及公共線166。柵線gl1至gli、數據線dl1至dlj和公共線166被設置在第一基板301上。

數據線dl1至dlj交叉柵線gl1至gli。柵線gl1至gli延伸到非顯示區(qū)域ar2以被連接到柵極驅動器236，并且數據線dl1至dlj延伸到非顯示區(qū)域ar2以被連接到數據驅動器136。

柵線在非顯示區(qū)域ar2中的部分可以被稱為柵極連接線。柵線gl1至gli的各自柵極連接線glk1至glki交叉密封部分155。數據線的在非顯示區(qū)域ar2中的部分可以被稱為數據連接線。數據線dl1至dlj的各自數據連接線dlk1至dlkj交叉密封部分155。

柵極驅動器236包括多個柵極驅動集成電路247。柵極驅動集成電路247產生柵信號，并且將柵信號順序提供到第一至第i柵線gl1至gli。

柵極驅動集成電路247的每個被設置(例如被安裝)在柵極載體246上。柵極載體246被電連接到第一面板101。在一示例實施方式中，例如，柵極載體246的每個可以被電連接到第一基板301的非顯示區(qū)域ar2。在一示例實施方式中，例如，柵極載體246可以為柵極帶載封裝(tcp)。然而，本發(fā)明不限于此，柵極載體246可以包括各種其它類型，諸如玻璃上芯片(cog)。

數據驅動器136包括多個數據驅動集成電路147。數據驅動集成電路147從定時控制器接收數字圖像數據信號和數據控制信號。數據驅動集成電路147根據數據控制信號采樣數字圖像數據信號，在每個水平周期內鎖存對應于一條水平線的采樣圖像數據信號，并且將鎖存的圖像數據信號施加到數據線dl1至dlj。也就是，數據驅動集成電路147使用從電源(未示出)輸入的伽瑪電壓來將從定時控制器施加的數字圖像數據信號轉換成模擬圖像信號，并且將轉換的模擬圖像信號施加到數據線dl1至dlj。

數據驅動集成電路147的每個被設置(例如被安裝)在數據載體146上。數據載體146被連接在電路板168和第一面板101之間。在一示例實施方式中，例如，數據載體146的每個可以被電連接在電路板168和第一基板301的非顯示區(qū)域ar2之間。在一示例實施方式中，例如，數據載體146可以為數據tcp。然而，本發(fā)明不限于此，而是數據載體146可以包括各種其它類型，諸如cog。

前述定時控制器和電源可以被設置在電路板168上，并且數據載體146包括輸入配線和輸出配線，輸入配線將從定時控制器和電源施加的各種信號傳輸到數據驅動集成電路147，輸出配線將從數據驅動集成電路147輸出的圖像數據信號傳輸到數據線中的相應數據線。在一示例實施方式中，至少一個數據載體146還可以包括輔助配線，其可以將從定時控制器和電源施加的各種信號傳輸到柵極驅動器236，并且輔助配線被連接到第一面板101上的面板配線。面板配線將輔助配線和柵極驅動器236彼此連接。面板配線可以以玻璃上導線的方式被設置在第一基板301的非顯示區(qū)域ar2中。

公共線166被設置在密封部分155和第一基板301之間。公共線166沿密封部分155被設置。然而，如圖1所示，公共線166在密封部分155和柵極連接線glk1至glki中的交叉部分中是不存在的。在一示例實施方式中，如圖1所示，公共線166在密封部分155和數據連接線dlk1至dlkj中的交叉部分中是不存在的。在一替換示例實施方式中，因為數據連接線dlk1至dlkj和公共線166被設置在不同的層上，所以公共線166可以被設置在密封部分155和數據連接線dlk1至dlkj中的交叉部分處。然而，在該示例實施方式中，電容器可以被設置在公共線166和數據連接線dlk1至dlkj中，并且電容器可以影響數據線dl1至dlj的圖像數據信號。因此，期望公共線166不應被設置在密封部分155和數據連接線dlk1至dlkj中的交叉部分處。

公共線166從前述電源接收公共電壓。為此，公共線166可以通過柵極載體246上的信號傳輸線和數據載體146上的信號傳輸線的至少一個被連接到電源。

第二面板102包括第二基板302和在第二基板302上的公共電極330。

第二面板102的公共電極330通過短路部分600連接到第一面板101的公共線166。公共電極330通過短路部分600從公共線166接收公共電壓。

如圖3a和3b所示，顯示面板100包括多個像素r、g和b。如圖3a和3b所示，像素r、g和b被設置在顯示面板100的顯示區(qū)域ar1中。

在一示例實施方式中，例如，像素r、g和b被布置成矩陣。然而，本發(fā)明不限于此，像素可以不被布置成矩陣。在該示例實施方式中，例如，像素r、g和b包括顯示紅色圖像的紅色像素r、顯示綠色圖像的綠色像素g和顯示藍色圖像的藍色像素b。在該示例實施方式中，在水平方向上相鄰設置的紅色像素r、綠色像素g和藍色像素b可以限定用于顯示單位圖像的單位像素。然而，本發(fā)明不限于此，像素可以包括各種其它的濾色器。

有“j”數量的像素沿著第n(n是選自1至i的一個)水平線布置(在下文中，第n水平線像素)，其被分別連接到第一至第j數據線dl1至dlj。此外，第n水平線像素被共同地連接到第n柵線。因此，第n水平線像素的每個接收第n柵信號。也就是，設置在相同水平線中的“j”數量的像素接收相同的柵信號，而設置在不同水平線中的像素分別接收不同的柵信號。在一示例實施方式中，例如，第一水平線hl1中的紅色像素r、綠色像素g和藍色像素b的每個接收第一柵信號，而第二水平線hl2中的紅色像素r、綠色像素g和藍色像素b的每個接收第二柵信號，第二柵信號具有與第一柵信號的定時不同的定時。

如圖3b所示，像素r、g和b的每個包括開關元件tft、液晶電容器clc和存儲電容器cst。在一示例實施方式中，例如，開關元件tft可以為薄膜晶體管。

開關元件tft根據從柵線gli施加的柵信號導通。導通的開關元件tft將從數據線dlj施加的模擬圖像數據信號施加到液晶電容器clc和存儲電容器cst。

液晶電容器clc包括彼此對立的像素電極pe(參考圖6)和公共電極330。

存儲電容器cst包括彼此對立的像素電極pe和對立電極。這里，對立電極可以為先前的柵線gli-1或傳輸公共電壓的傳輸線(未示出)。

在一示例實施方式中，如圖2所示，第一面板101還可以包括光阻擋部分376。在下文中，光阻擋部分376將參考圖2和4被詳細地描述。

圖4是示出圖2的光阻擋部分376的俯視圖。

如圖2所示，光阻擋部分376被設置在第一基板301上。光阻擋部分376的一部分由密封部分155圍繞。在一示例實施方式中，例如，光阻擋部分376在顯示區(qū)域ar1中的一部分和光阻擋部分376在無效空間區(qū)域ds中的一部分由密封部分155圍繞。

如圖4所示，第一孔36a和第二孔36b被限定在光阻擋部分376中。

第一孔36a被限定在光阻擋部分376的邊緣部分處。換言之，第一孔36a限定在光阻擋部分376的對應于短路部分600的邊緣部分處。光阻擋部分376的邊緣部分對應于非顯示區(qū)域ar2。第一孔36a限定短路區(qū)域，并且短路部分600被設置在短路區(qū)域中。作為示例，彼此分開的五個第一孔36a在圖4中被示出。本發(fā)明不限于此，并且第一孔36a的數量可以小于或大于五。五個第一孔36a分別限定五個短路區(qū)域。

第二孔36b限定在光阻擋部分376的中央部分處。光阻擋部分376的第二孔36b限定像素區(qū)域。換言之，第二孔36b被限定為對應于每個像素的像素電極pe。光阻擋部分376阻擋在除第二孔36b之外的部分處的光。在一示例實施方式中，例如，光阻擋部分376被設置在開關元件tft、柵線gl1至gli和數據線dl1至dlj上，并且防止通過開關元件tft、柵線gl1至gli和數據線dl1至dlj透射的光向外發(fā)射。

如圖2所示，柱狀間隔物472可以被設置在光阻擋部分376上。柱狀間隔物472具有朝第二面板102突出至預定高度的形狀。柱狀間隔物472保持第一面板101和第二面板102之間的單元間隙均勻。在一示例實施方式中，柱狀間隔物472和光阻擋部分376可以為整體的。在該示例實施方式中，柱狀間隔物472和光阻擋部分376可以使用相同的材料同時提供。

圖5是示出圖4的光阻擋部分376的第一孔36a中的短路部分600以及在短路部分600下面的公共線166的一示例實施方式的視圖，圖6是示出對應于圖5的單個像素區(qū)域的像素的一示例實施方式的俯視圖，并且圖7是沿圖5的線i-i'和圖6的線ii-ii'截取的剖視圖。

如圖5、6和7所示，第一面板101包括第一基板301、柵線gl、數據線dl、公共線166、開關元件tft、柵絕緣層311、鈍化層320、濾色器354、絕緣中間層391、像素電極pe、光阻擋部分376和短路部分600。

開關元件tft包括柵電極ge、半導體層313、歐姆接觸層315、源電極se和漏電極de。

柵線gl、柵電極ge和公共線166被設置在第一基板301上。盡管圖中未示出，但是柵線gl的端部可以被連接到另一層或外部驅動電路，為此，柵線gl的端部可以具有比其另一部分的平面面積更大的平面面積。

在一示例實施方式中，例如，柵線gl、柵電極ge和公共線166的至少一個可以包括鋁(al)或其合金、銀(ag)或其合金、銅(cu)或其合金和/或鉬(mo)或其合金，或者可以由鋁(al)或其合金、銀(ag)或其合金、銅(cu)或其合金和/或鉬(mo)或其合金組成。在一替換示例實施方式中，例如，柵線gl、柵電極ge和公共線166的至少一個可以包括鉻(cr)、鉭(ta)和鈦(ti)中的一種，或者可以由鉻(cr)、鉭(ta)和鈦(ti)中的一種組成。在一替換示例實施方式中，例如，柵線gl、柵電極ge和公共線166的至少一個可以具有多層結構，該多層結構包括具有彼此不同的物理性質的至少兩個導電層。盡管在示出的示例實施方式中柵電極ge與柵線gl是整體的，但是本發(fā)明不限于此，柵電極ge和柵線gl可以被分開提供，然后被彼此連接。

在一示例實施方式中，柵絕緣層311被設置在柵線gl、柵電極ge和公共線166上。在該示例實施方式中，柵絕緣層311可以被設置在第一基板301的整個表面上方，在第一基板301的整個表面上柵線gl、柵電極ge和公共線166被設置。如圖7所示，孔被限定在對應于公共接觸孔35的柵絕緣層311中。公共線166通過公共接觸孔35被暴露。

在一示例實施方式中，例如，柵絕緣層311可以包括硅氮化物(sinx)或硅氧化物(siox)，或者可以由硅氮化物(sinx)或硅氧化物(siox)組成。柵絕緣層311可以具有多層結構，該多層結構包括具有不同物理性質的至少兩個絕緣層。

半導體層313被設置在柵絕緣層311上。半導體層313重疊柵電極ge、源電極se和漏電極de。半導體層313可以包括非晶硅、多晶硅等。

歐姆接觸層315被設置在半導體層313上。在一示例實施方式中，歐姆接觸層315可以包括硅化物或由例如磷的處于高濃度的n型雜質摻雜的n+氫化非晶硅。歐姆接觸層315可以成對地設置在半導體層313上。

源電極se被設置在歐姆接觸層315的一部分上，歐姆接觸層315的該部分接觸半導體層313的一部分。源電極se從數據線dl延伸。在一示例實施方式中，如圖6所示，例如，源電極se具有從數據線dl朝柵電極ge突出的形狀。盡管在示出的示例實施方式中源電極se與數據線dl為整體的，但是本發(fā)明不限于此，源電極se和數據線dl可以被分開提供，然后被彼此連接。源電極se重疊半導體層313和柵電極ge。

在一示例實施方式中，源電極se可以包括難熔金屬或可以由難熔金屬組成，該難熔金屬為諸如鉬、鉻、鉭和鈦或其合金，并且源電極se可以具有包括難熔金屬層和低電阻導電層的多層結構。多層結構的示例可以包括包含鉻或鉬(合金)下層和鋁(合金)上層的雙層結構，以及包含鉬(合金)下層、鋁(合金)中間層和鉬(合金)上層的三層結構。在一替換示例實施方式中，源電極se可以包括任意合適的金屬或導體，或者可以由任意合適的金屬或導體組成，而不是上述材料。

漏電極de被設置在歐姆接觸層315的一部分上，歐姆接觸層315的該部分接觸半導體層313的另一部分。漏電極de重疊柵電極ge和半導體層313。漏電極de被連接到像素電極pe。漏電極de可以包括與源電極se的材料相同的材料，并且可以具有與源電極se的結構相同的結構(例如多層結構)。換言之，漏電極de和源電極se可以在相同工藝中被同時提供。

開關元件tft的溝道區(qū)域被設置在半導體層313的在源電極se和漏電極de之間的一部分中。在一示例實施方式中，半導體層313的對應于溝道區(qū)域的部分在圖8a的垂直方向上具有比其另外的部分的厚度更小的厚度。

數據線dl被設置在柵絕緣層311上。在一示例實施方式中，盡管未示出，但是數據線dl的端部可以被連接到另一層或外部驅動電路，為此，數據線dl的端部可以具有比其另外的部分的平面面積更大的平面面積。

數據線dl交叉柵線gl。在一示例實施方式中，例如，盡管未示出，但是數據線dl的交叉柵線gl的一部分在圖6中的水平方向上可以具有比數據線dl的另外的部分的線寬度更小的線寬度。因此，數據線dl和柵線gl之間的寄生電容可以被減小。數據線dl可以包括與源電極se的材料相同的材料，并且可以具有與源電極se的結構相同的結構(例如多層結構)。換言之，數據線dl和源電極se可以在相同的工藝中被同時提供。

在一示例實施方式中，半導體層313還可以被設置在柵絕緣層311和源電極se之間。此外，半導體層313還可以被設置在柵絕緣層311和漏電極de之間。這里，半導體層313的在柵絕緣層311和源電極se之間的一部分被稱為第一附加半導體層，并且半導體層313的在柵絕緣層311和漏電極de之間的一部分被稱為第二附加半導體層。在該示例實施方式中，前述歐姆接觸層315還可以被設置在第一附加半導體層和源電極se之間，并且前述歐姆接觸層315還可以被設置在第二附加半導體層和漏電極de之間。

在一示例實施方式中，盡管未示出，但是半導體層313還可以被設置在柵絕緣層311和數據線dl之間。在一示例實施方式中，例如，半導體層313還可以被設置在柵絕緣層311和數據線dl之間。這里，半導體層313的在柵絕緣層311和數據線dl之間的一部分被稱為第三附加半導體層。在該示例實施方式中，前述歐姆接觸層315還可以被設置在第三附加半導體層和數據線dl之間。

在一示例實施方式中，鈍化層320被設置在數據線dl、源電極se、漏電極de和柵絕緣層311上。在該示例實施方式中，鈍化層320可以被設置在第一基板301的整個表面上方，在第一基板301的整個表面上數據線dl、源電極se、漏電極de和柵絕緣層311被設置。如圖7所示，孔被限定在對應于漏極接觸孔32和公共接觸孔35的鈍化層320中。漏電極de通過漏極接觸孔32暴露。

在一示例實施方式中，鈍化層320可以包括無機絕緣材料，諸如硅氮化物(sinx)或硅氧化物(siox)，并且在該示例實施方式中，例如，具有光敏性且具有約4.0的介電常數的無機絕緣材料可以被使用。在一替換示例實施方式中，鈍化層320可以具有包括下無機層和上有機層的雙層結構，這被發(fā)現賦予優(yōu)良的絕緣特性并且不損壞半導體層313的暴露部分。在一示例實施方式中，鈍化層320可以具有大于或等于約的厚度，例如在約至約的范圍內。

濾色器354被設置在像素區(qū)域中的鈍化層320上。在一示例實施方式中，濾色器354被設置為對應于光阻擋部分376的第二孔36b，并且在該示例實施方式中，濾色器354的邊緣部分可以被設置在柵線gl、開關元件tft和數據線dl上。濾色器354中的一個的邊緣部分可以重疊濾色器354中的與其相鄰的另一個的邊緣部分。孔被限定在對應于漏電極de的濾色器354中。在一示例實施方式中，例如，濾色器354可以包括光敏有機材料，或可以由光敏有機材料組成。

在一示例實施方式中，絕緣中間層391被設置在濾色器354和鈍化層320上。在該示例實施方式中，絕緣中間層391可以被設置在第一基板301的整個表面上方，在第一基板301的整個表面上濾色器354和鈍化層320被設置。如圖7所示，孔可以被限定在分別對應于漏極接觸孔32和公共接觸孔35的絕緣中間層391中。絕緣中間層391可以包括有機材料，或者可以由有機材料組成。

像素電極pe通過漏極接觸孔32被連接到漏電極de。像素電極pe被設置在絕緣中間層391上。像素電極pe被設置為對應于光阻擋部分376的第二孔36b，并且像素電極pe的一部分可以重疊限定第二孔36b的光阻擋部分376。在一示例實施方式中，像素電極pe可以包括透明導電材料或可以由透明導電材料組成，透明導電材料是諸如銦錫氧化物(ito)或銦鋅氧化物(izo)。在該示例實施方式中，例如，ito可以為多晶材料或單晶材料，并且izo可以為多晶材料或單晶材料。

光阻擋部分376被設置在像素電極pe和絕緣中間層391上。如上所述，光阻擋部分376包括第一孔36a和第二孔36b。

短路部分600包括突起部分601和短路電極602。突起部分601被設置在公共線166上，并且短路電極602被設置在公共線166和突起部分601上。

突起部分601可以包括分別設置在不同層上的多個突起圖案。在一示例實施方式中，如圖7所示，例如，突起部分601可以包括垂直堆疊的第一突起圖案611a、第二突起圖案611b、第三突起圖案611c和第四突起圖案611d。

在一示例實施方式中，例如，突起部分601中包括的第一突起圖案611a、第二突起圖案611b、第三突起圖案611c和第四突起圖案611d可以包括彼此不同的材料。

第一突起圖案611a被設置在公共線166上。第一突起圖案611a可以被設置在與柵絕緣層311被設置其上的層相同的層上。第一突起圖案611a和柵絕緣層311可以使用相同的材料被同時提供。

第二突起圖案611b被設置在第一突起圖案611a上。第二突起圖案611b可以被設置在與鈍化層320被設置其上的層相同的層上。第二突起圖案611b和鈍化層320可以使用相同的材料被同時提供。

第三突起圖案611c被設置在第二突起圖案611b上。第三突起圖案611c可以被設置在與濾色器354被設置其上的層相同的層上。第三突起圖案611c和濾色器354可以使用相同的材料被同時提供。

在一示例實施方式中，第三突起圖案611c可以包括與紅色濾色器、綠色濾色器和藍色濾色器中的一個中包括的材料相同的材料。在該示例實施方式中，第三突起圖案611c可以包括與具有最低透光率的濾色器中包括的材料相同的材料。在一示例實施方式中，例如，第三突起圖案611c可以包括與藍色濾色器中包括的材料相同的材料。在一示例實施方式中，第三突起圖案611c可以包括與在圖7中的垂直方向上具有最大厚度的濾色器中包括的材料相同的材料。在一示例實施方式中，例如，在藍色濾色器具有最大厚度的情況下，第三突起圖案611c可以包括與藍色濾色器中包括的材料相同的材料。

第四突起圖案611d被設置在第二突起圖案611b和第三突起圖案611c上。第四突起圖案611d可以被設置在與絕緣中間層391被設置其上的層相同的層上。第四突起圖案611d和絕緣中間層391可以使用相同的材料被同時提供。在一示例實施方式中，第四突起圖案611d可以不被設置在第二突起圖案611b中。在一替換示例實施方式中，第四突起圖案611d可以被省略。

在一示例實施方式中，短路電極602被設置在公共線166和第四突起圖案611d上。在該示例實施方式中，短路電極602通過公共接觸孔35被連接到公共線166。短路電極602通過密封部分155中包括的導電球700被連接到公共電極330。短路電極602可以包括與像素電極pe中包括的材料相同的材料。

具有這樣配置的短路部分600的至少一部分包括暗區(qū)域(或碳化區(qū)域)。換言之，短路部分600的第一突起圖案611a、第二突起圖案611b、第三突起圖案611c和第四突起圖案611d的至少一個可以包括暗區(qū)域。在一示例實施方式中，例如，如圖7所示，短路部分600的第三突起圖案611c可以包括暗區(qū)域。在一示例實施方式中，盡管未示出，但是第一突起圖案611a、第二突起圖案611b和第四突起圖案611d的至少一個可以包括暗區(qū)域。

暗區(qū)域的透光率低于濾色器354的透光率且高于光阻擋部分376的透光率。

在第一突起圖案611a包括暗區(qū)域的情況下，第一突起圖案611a還可以包括與柵絕緣層311中包括的材料相同的材料。

在第二突起圖案611b包括暗區(qū)域的情況下，第二突起圖案611b還可以包括與鈍化層320中包括的材料相同的材料。

在第三突起圖案611c包括暗區(qū)域的情況下，第三突起圖案611c可以包括與濾色器354中包括的材料相同的材料。在一示例實施方式中，例如，包括暗區(qū)域的第三突起圖案611c還可以包括與紅色濾色器、綠色濾色器和藍色濾色器中的一個中包括的材料相同的材料。

在第四突起圖案611d包括暗區(qū)域的情況下，第四突起圖案611d還可以包括與絕緣中間層391中包括的材料相同的材料。

因此，在突起部分601的至少一部分包括暗區(qū)域的情況下，反射光在短路部分600中可以被有效地減少。也就是，包括金屬材料的公共線166被設置在短路部分600和第一基板301之間，外部入射到公共線166的光可以由公共線166向外反射。短路部分600可以由反射光識別。在一示例實施方式中，在短路部分600的第三突起圖案611c包括與藍色濾色器中包括的材料相同的材料的情況下，例如，藍光在非顯示區(qū)域中被產生從而圖像質量可以被降低。然而，突起部分601的暗區(qū)域在短路部分600中顯著減少反射光使得短路部分600可以被顯著較小地識別。

圖8a、8b、8c、8d和8e是示出制造lcd設備的一示例實施方式的過程的剖視圖。

如圖8a所示，公共線166、柵線gl和柵電極ge被設置在第一基板301上。隨后，柵絕緣層311被設置在第一基板301的整個表面上方，在第一基板301的整個表面上公共線166、柵線gl和柵電極ge被設置。隨后，重疊柵電極ge的半導體層313和歐姆接觸層315被設置在柵絕緣層311上。隨后，源電極se和漏電極de被設置在歐姆接觸層315和柵絕緣層311上。隨后，在源電極se和漏電極de被用作掩模的狀態(tài)下，歐姆接觸層315被去除從而限定開關元件tft的溝道區(qū)域。隨后，鈍化層320被設置在第一基板301的整個表面上方。隨后，第三突起圖案611c和濾色器354被設置在鈍化層320上。第三突起圖案611c重疊公共線166。

隨后，如圖8b所示，強光888(例如激光束)從光發(fā)射裝置808(例如激光束發(fā)射裝置)輻射到第三突起圖案611c。第三突起圖案611c由強光888碳化，并且因此暗區(qū)域被提供在第三突起圖案611c上。因此，第三突起圖案611c包括暗區(qū)域。

隨后，如圖8c所示，絕緣中間層391和第四突起圖案611d被設置在鈍化層320、第三突起圖案611c和濾色器354上，在絕緣中間層391和第四突起圖案611d中孔被限定為對應于漏電極de和公共線166。隨后，在絕緣中間層391和第四突起圖案611d被用作掩模的狀態(tài)下，鈍化層320和柵絕緣層311被去除從而限定公共接觸孔35和漏極接觸孔32。此外，鈍化層320和柵絕緣層311的一部分被去除從而提供第二突起圖案611b和第一突起圖案611a。

隨后，如圖8d所示，短路電極602被設置在公共線166和第四突起圖案611d上，并且像素電極pe被設置在漏電極de和絕緣中間層391上。

隨后，如圖8e所示，光阻擋部分376和柱狀間隔物472被設置在除短路區(qū)域和像素區(qū)域之外的部分上。第一孔36a和第二孔36b被限定在光阻擋部分376中。

圖9是示出沿圖5的線i-i'截取的一示例實施方式的剖視圖。

如圖9所示，第一突起圖案611a、第二突起圖案611b、第三突起圖案611c和第四突起圖案611d中的第四突起圖案611d可以包括暗區(qū)域。在一示例實施方式中，第四突起圖案611d的上部可以包括重疊第三突起圖案611c的暗區(qū)域。例如，第四突起圖案611d可以由強光888(參考圖8b)以上述方式碳化，并且因此可以具有暗區(qū)域。在一示例實施方式中，例如，第四突起圖案611d可以在前述圖8c的工藝中用強光888輻射。

圖10是示出沿圖5的線i-i'截取的一替換示例實施方式的剖視圖。

如圖10所示，短路部分600還可以包括第五突起圖案611e和第六突起圖案611f的至少一個。第五突起圖案611e被設置在第三突起圖案611c上，并且第六突起圖案611f被設置在第五突起圖案611e上。

第三突起圖案611c、第五突起圖案611e和第六突起圖案611f可以分別包括不同濾色器的材料。在一示例實施方式中，例如，第三突起圖案611c包括與紅色濾色器中包括的材料相同的材料，第五突起圖案611e包括與綠色濾色器中包括的材料相同的材料，并且第六突起圖案611f包括與藍色濾色器中包括的材料相同的材料。

第一突起圖案611a、第二突起圖案611b、第三突起圖案611c和第四突起圖案611d、第五突起圖案611e和第六突起圖案611f的至少一個可以包括暗區(qū)域，并且圖10示出了其中第六突起圖案611f包括暗區(qū)域的一示例。

圖11是示出圖4的光阻擋部分376的第一孔36a中的短路部分660和在短路部分660下面的公共線166的一替換示例實施方式的視圖，并且圖12是沿圖11的線i-i'截取的剖視圖。

如圖11所示，多個短路部分660可以被設置在由單個第一孔36a限定的短路區(qū)域中。

短路部分660的每個具有與前述短路部分600的配置相同的配置。在一示例實施方式中，例如，在多個短路部分660中彼此相鄰的兩個短路部分分別被稱為第一短路部分661和第二短路部分662的情況下，第一短路部分661包括突起部分601和短路電極602，并且第二短路部分662也包括突起部分601和短路電極602。

短路部分660的各自突起部分601被設置在公共線166的不同部分上。

短路部分660的各自突起部分601彼此分開。在一示例實施方式中，例如，第一短路部分661的突起部分601和第二短路部分662的突起部分601彼此分開。

短路部分660的各自短路電極602彼此連接。詳細地，短路部分660的各自短路電極602是整體的。在一示例實施方式中，例如，第一短路部分661的短路電極602和第二短路部分662的短路電極602是整體的。

短路部分660的各自突起部分601可以包括如上所述垂直堆疊的多個突起圖案。在一示例實施方式中，例如，第一短路部分661的突起部分601可以包括第一突起圖案611a、第二突起圖案611b、第三突起圖案611c和第四突起圖案611d，并且第二短路部分662的突起部分601也可以包括第一突起圖案611a、第二突起圖案611b、第三突起圖案611c和第四突起圖案611d。

因此，由于多個突起部分在單個短路區(qū)域中彼此分開，所以圖11中示出的一個突起部分具有比圖7中示出的突起部分的尺寸更小的尺寸。在一示例實施方式中，根據圖11中示出的結構，在突起部分的各自突起部分中沒有突起部分的區(qū)域中限定了空的空間，并且因此圖11中示出的設置在單個短路區(qū)域(在下文中，第一短路區(qū)域)中的多個突起部分601的各自區(qū)域的總面積小于圖7中示出的設置在單個短路區(qū)域(具有與第一短路區(qū)域的平面面積相同的平面面積的短路區(qū)域)中的單個突起部分601的平面面積。因此，反射光的量在圖11的配置中比在圖7的配置中可以被進一步減少。

每個短路部分660的至少一部分可以包括暗區(qū)域。在一示例實施方式中，例如，第一短路部分661的至少一部分和第二短路部分662的至少一部分可以包括暗區(qū)域。在該示例實施方式中，如上所述，第一短路部分661的第一突起圖案611a、第二突起圖案611b、第三突起圖案611c和第四突起圖案611d的至少一個可以包括暗區(qū)域，并且第二短路部分662的第一突起圖案611a、第二突起圖案611b、第三突起圖案611c和第四突起圖案611d的至少一個可以包括暗區(qū)域。

暗區(qū)域的透光率低于濾色器354的透光率且高于光阻擋部分376的透光率。

此外，單個短路區(qū)域中包括的至少一個短路部分660可以包括暗區(qū)域。此外，單個短路區(qū)域中包括的多個短路部分660的短路部分的一些可以每個包括暗區(qū)域，而其它短路部分可以不包括暗區(qū)域。

在單個短路區(qū)域中的多個短路部分660的至少一個包括上述暗區(qū)域的情況下，前述反射光可以被進一步減少。

圖13是示出圖4的單個短路區(qū)域中的多個突起部分601的一示例實施方式的視圖。

如圖13所示，例如，突起部分601的每個可以具有矩形形狀。在一示例實施方式中，例如，突起部分601中的第一突起圖案611a、第二突起圖案611b、第三突起圖案611c和第四突起圖案611d的第三突起圖案611c可以具有矩形形狀。換言之，包括與濾色器354中包括的材料相同材料的第三突起圖案611c的每個可以每個具有矩形形狀。

在突起部分601具有矩形形狀或正方形形狀的情況下，例如，突起部分601的側邊l1和l2可以每個具有至少約20微米(μm)的長度。在一示例實施方式中，在第三突起圖案611c具有矩形形狀或正方形形狀的情況下，例如，第三突起圖案611c的每個側邊的長度可以為至少約20μm。

在一示例實施方式中，例如，突起部分601的相鄰突起部分601中的距離d1、d2、d3和d4可以為至少約10μm。在一示例實施方式中，例如，第三突起圖案611c的相鄰第三突起圖案611c中的距離可以為至少約10μm。

圖14是示出圖4的單個短路區(qū)域中的多個突起部分601的一替換示例實施方式的視圖。

如圖14所示，突起部分601的每個可以具有圓形形狀。在一示例實施方式中，例如，第一突起圖案611a、第二突起圖案611b、第三突起圖案611c和第四突起圖案611d的第三突起圖案611c可以具有圓形形狀。換言之，包括與濾色器354中包括的材料相同的材料的第三突起圖案611c的每個可以具有圓形形狀。

在一示例實施方式中，例如，盡管未示出，但是突起部分601的各自第三突起圖案611c可以具有各種其它形狀，包括正方形形狀或橢圓形形狀。

圖15是示出對應于圖5的單個像素區(qū)域的像素的一替換示例實施方式的俯視圖，圖16是沿圖15的線i-i'截取的剖視圖，并且圖17是單獨示出圖15的濾色器的視圖。

圖15的像素與前述圖6的像素基本上相同，并且因此有關圖15的像素的描述將參考有關前述圖6的像素的描述。

如圖15和16所示，源電極se的一部分重疊柵電極ge，并且源電極se的另一部分(在下文中，稱為第一部分771)不重疊柵電極ge。前述源電極se的第一部分771不重疊在與其上柵電極ge被設置的層(例如第一基板301)相同層上的配置。在一示例實施方式中，例如，第一部分771不重疊在其上柵電極ge被設置的第一基板301上的柵線gl。

漏電極de的一部分重疊柵電極ge，并且漏電極de的另一部分(在下文，第二部分772)不重疊柵電極ge。前述漏電極de的第二部分772不重疊在與其上柵電極ge被設置的層相同層上的配置。在一示例實施方式中，例如，第二部分772不重疊柵線gl。

如圖15和16所示，濾色器3544不重疊源電極se和漏電極de的至少一個的一部分。在一示例實施方式中，例如，濾色器3544可以不重疊前述源電極se的第一部分771。在一替換示例實施方式中，濾色器3544可以不重疊前述漏電極de的第二部分772。此外，濾色器3544不重疊漏極接觸孔32。

濾色器3544重疊像素電極pe。此外，濾色器3544重疊開關元件tft的除第一部分771和第二部分772之外的另外的部分。在一示例實施方式中，如圖17所示，例如，濾色器3544可以包括第一重疊部分1701和第二重疊部分1702，并且濾色器3544的第一重疊部分1701可以重疊像素電極pe，濾色器3544的第二重疊部分1702可以重疊前述開關元件tft的另外的部分(開關元件的除第一部分771和第二部分772之外的另外的部分)。在一示例實施方式中，例如，第二重疊部分1702可以重疊源電極se的一部分、漏電極de的一部分和柵電極ge。在一示例實施方式中，第一重疊部分1701還可以重疊柵線gl和數據線dl。

柱狀間隔物472可以重疊第一重疊部分1701(參考圖17)和第二重疊部分1702(參考圖17)的至少一個。在一示例實施方式中，例如，如圖16所示，柱狀間隔物472可以重疊第二重疊部分1702。

如圖17所示，第一重疊部分1701和第二重疊部分1702可以為整體的。在一示例實施方式中，盡管未示出，但是第一重疊部分1701和第二重疊部分1702可以彼此分開。換言之，第一重疊部分1701和第二重疊部分1702可以不以直接的方式彼此物理地連接。

在關于有缺陷的像素的修復過程中，強光888可以被輻射到源電極se的第一部分771和漏電極de的第二部分772。在一示例實施方式中，例如，第一切割路徑2001和第二切割路徑2002在圖15和16中被示出，并且強光888可以沿第一切割路徑2001和第二切割路徑2002輻射。第一切割路徑2001被置于第一部分771上，并且第二切割路徑2002被置于第二部分772上。

強光888通過第一面板101的后表面從光發(fā)射裝置808輻射到源電極se的第一部分771和漏電極de的第二部分772。在一示例實施方式中，例如，如圖16所示，強光888通過第一基板301輻射到第一部分771和第二部分772。在該示例實施方式中，強光888通過第一基板301和柵絕緣層311被順序傳輸到達到第一部分771和第二部分772。隨著強光888沿第一切割路徑2001傳播，源電極se被切割，并且隨著強光888沿第二切割路徑2002傳播，漏電極de被切割。

在一示例實施方式中，在源電極se和漏電極de上的鈍化層320在前述切割工藝中可以被損壞。在該示例實施方式中，在濾色器354被設置在鈍化層320之上的情況下，強光888可以被輻射到濾色器354。在該示例實施方式中，濾色器354被碳化，并且因此，可以出現其中像素的一部分呈現黑暗的黑點現象。此外，來自由強光888損壞的濾色器354的顏料朝相鄰像素擴散使得相鄰像素可以被污染。然而，如圖15和16所示，在第一部分和第二部分中沒有濾色器354的情況下，在使用強光888的前述修復過程中可以防止對濾色器354的損壞。

圖18是示出對應于圖5的單個像素區(qū)域的像素的另一替換示例實施方式的俯視圖，圖19是沿圖18的線i-i'截取的剖視圖，圖20是沿圖18的線ii-ii'截取的剖視圖，并且圖21是單獨示出圖18的濾色器的視圖。

如圖18、19、20和21所示，像素包括第一基板3301、柵線gl、第一柵電極ge1、第二柵電極ge2、第一存儲電極7751、第二存儲電極7752、柵絕緣層3311、第一半導體層3321、第二半導體層3322、第三半導體層3323、第一歐姆接觸層3321a、第二歐姆接觸層3321b、第三歐姆接觸層3322a、第四歐姆接觸層3322b、第五歐姆接觸層3323a、第六歐姆接觸層3323b、數據線dl1、第一源電極se1、第一漏電極de1、第二源電極se2、第二漏電極de2、第三源電極se3、浮動電極fe、第三漏電極de3、鈍化層3320、濾色器3354、絕緣中間層3391、第一子像素電極pe1、第二子像素電極pe2、第二基板3302、光阻擋部分3376、公共電極3330和液晶層3333。這里，第一歐姆接觸層3321a、第二歐姆接觸層3321b、第三歐姆接觸層3322a、第四歐姆接觸層3322b、第五歐姆接觸層3323a和第六歐姆接觸層3323b可以被省略。

如圖18和19所示，第一開關元件tft1包括第一柵電極ge1、第一半導體層3321、第一源電極se1和第一漏電極de1。

如圖18和20所示，第二開關元件tft2包括第二柵電極ge2、第二半導體層3322、第二源電極se2和第二漏電極de2。

如圖18和20所示，第三開關元件tft3包括第三柵電極ge3、第三半導體層3323、第三源電極se3、浮動電極fe和第三漏電極de3。

如圖18和19所示，柵線gl1被設置在第一基板3301上。詳細地，柵線gl被設置在第一基板3301的第一子像素區(qū)域p1和第二子像素區(qū)域p2之間。

如圖18所示，第一柵電極ge1可以具有從柵線gl1突出的形狀。第一柵電極ge1可以為柵線gl1的一部分。第一柵電極ge1可以包括與柵線gl1的材料相同的材料，并且可以具有與柵線gl1的結構相同的結構(例如多層結構)。第一柵電極ge1和柵線gl1可以在相同的工藝中被同時提供。

如圖18所示，第二柵電極ge2可以具有從柵線gl1突出的形狀。第二柵電極ge2可以為柵線gl1的一部分。第二柵電極ge2可以包括與柵線gl1的材料相同的材料，并且可以具有與柵線gl1的結構相同的結構(例如多層結構)。第二柵電極ge2和柵線gl1可以在相同工藝中被同時提供。

如圖18所示，第三柵電極ge3可以具有從柵線gl1突出的形狀。第三柵電極ge3可以為柵線gl1的一部分。第三柵電極ge3可以包括與柵線gl1的材料相同的材料，并且可以具有與柵線gl1的結構相同的結構(例如多層結構)。第三柵電極ge3和柵線gl1可以在相同工藝中被同時提供。

如圖18所示，第一存儲電極7751圍繞第一子像素電極pe1。在一示出的示例實施方式中，第一存儲電極7751重疊第一子像素電極pe1的邊緣部分。第一存儲電極7751可以包括與前述柵線gl1的材料相同的材料，并且可以具有與前述柵線gl1的結構相同的結構(例如多層結構)。第一存儲電極7751和柵線gl1可以在相同工藝中被同時提供。第一存儲電壓被施加到第一存儲電極7751。第一存儲電壓可以與公共電壓相同。

如圖18所示，第二存儲電極7752圍繞第二子像素電極pe2。在一示出的示例實施方式中，第二存儲電極7752重疊第二子像素電極pe2的邊緣部分。第二存儲電極7752可以包括與前述柵線gl1的材料相同的材料，并且可以具有與前述柵線gl1的結構相同的結構(例如多層結構)。第二存儲電極7752和柵線gl1可以在相同工藝中被同時提供。第二存儲電壓被施加到第二存儲電極7752。第二存儲電壓可以與公共電壓相同。在一示例實施方式中，沿柵線gl1彼此相鄰的像素的第二存儲電極7752可以彼此連接。此外，沿數據線dl1彼此相鄰的像素的第二存儲電極7752和第一存儲電極7751可以彼此連接。

如圖19和20所示，柵絕緣層3311被設置在柵線gl、第一柵電極ge1、第二柵電極ge2、第一存儲電極7751和第二存儲電極7752上。在一示出的示例實施方式中，柵絕緣層3311被設置在第一基板301的整個表面上方，在第一基板301的整個表面上柵線gl1、第一柵電極ge1、第二柵電極ge2、第一存儲電極7751、第二存儲電極7752和存儲線7750被設置?？妆幌薅ㄔ趯诘谌佑|孔ch3和第四接觸孔ch4的柵絕緣層3311中。第三漏電極de3的一部分和第一存儲電極7751通過第三接觸孔ch3暴露，第三漏電極de3的另一部分和第二存儲電極7752通過第四接觸孔ch4暴露。

如圖19所示，數據線dl1被設置在柵絕緣層3311上。數據線dl1交叉柵線gl1。在一示例實施方式中，盡管未示出，但是數據線dl1的交叉柵線gl1的一部分可以具有比數據線dl1的另外的部分的線寬度更小的線寬度。數據線dl1可以包括與前述數據線dl中包括的材料相同的材料。

如圖19所示，第一半導體層3321被設置在柵絕緣層3311上。如圖18和19所示，第一半導體層3321重疊第一柵電極ge1的至少一部分。第一半導體層3321可以包括非晶硅、多晶硅等。

如圖19所示，第一歐姆接觸層3321a和第二歐姆接觸層3321b被設置在第一半導體層3321上。第一歐姆接觸層3321a和第二歐姆接觸層3321b彼此面對并且第一開關元件tft的溝道區(qū)域在其之間。

如圖20所示，第二半導體層3322被設置在柵絕緣層3311上。如圖18和20所示，第二半導體層3322重疊第二柵電極ge2的至少一部分。第二半導體層3322可以包括非晶硅、多晶硅等。

如圖20所示，第三歐姆接觸層3322a和第四歐姆接觸層3322b被設置在第二半導體層3322上。第三歐姆接觸層3322a和第四歐姆接觸層3322b彼此面對并且第二開關元件tft2的溝道區(qū)域在其之間。

第一歐姆接觸層3321a和前述第三歐姆接觸層3322a彼此連接。在一示例實施方式中，例如，第一歐姆接觸層3321a和前述第三歐姆接觸層3322a可以為整體的。

如圖20所示，第三半導體層3323被設置在柵絕緣層3311上。如圖18和20所示，第三半導體層3323重疊第三柵電極ge3的至少一部分。

如圖20所示，第五歐姆接觸層3323a、第六歐姆接觸層3323b和第七歐姆接觸層3323c被設置在第三半導體層3323上。第五歐姆接觸層3323a和第六歐姆接觸層3323b彼此面對并且第三開關元件tft3的第一溝道區(qū)域在其之間，第六歐姆接觸層3323b和第七歐姆接觸層3323c彼此面對并且第三開關元件tft3的第二溝道區(qū)域在其之間。

如圖19所示，第一源電極se1被設置在第一歐姆接觸層3321a和柵絕緣層3311上。如圖19所示，第一源電極se1可以具有從數據線dl1突出的形狀。在一示例實施方式中，盡管未示出，但是第一源電極se1可以為數據線dl1的一部分。第一源電極se1的至少一部分重疊第一半導體層3321和第一柵電極ge1。在示例實施方式中，例如，第一源電極se1可以具有i狀形狀、c狀形狀和u狀形狀中的一種。例如，具有u狀形狀的第一源電極se1在圖18中被示出，并且第一源電極se1的凸的部分面朝第二子像素電極pe2。第一源電極se1可以包括與前述數據線dl1的材料相同的材料，并且可以具有與前述數據線dl1的結構相同的結構(例如多層結構)。第一源電極se1和數據線dl1可以在相同工藝中被同時提供。

第一源電極se1的一部分重疊第一柵電極ge1，并且第一源電極se1的另一部分(在下文中，第一部分881)不重疊第一柵電極ge1。前述第一源電極se1的第一部分881不重疊在與其上第一柵電極ge1被設置的層相同的層上的配置。在一示例實施方式中，例如，第一部分881不重疊柵線gl1、第二柵電極ge2、第三柵電極ge3、第一存儲電極7751和第二存儲電極7752。

如圖19所示，第一漏電極de1被設置在第二歐姆接觸層3321b和柵絕緣層3311上。第一漏電極de1的至少一部分重疊第一半導體層3321和第一柵電極ge1。第一漏電極de1被連接到第一子像素電極pe1。第一漏電極de1可以包括與前述數據線dl1的材料相同的材料，并且可以具有與前述數據線dl1的結構相同的結構(例如多層結構)。第一漏電極de1和數據線dl1可以在相同工藝中被同時提供。

第一漏電極de1的一部分重疊第一柵電極ge1，并且第一漏電極de1的另一部分(在下文中，第二部分882)不重疊第一柵電極ge1。前述第一漏電極de1的第二部分882不重疊在與其上第一柵電極ge1被設置的層相同的層上的配置。在一示例實施方式中，例如，第二部分882不重疊柵線gl1、第二柵電極ge2、第三柵電極ge3、第一存儲電極7751和第二存儲電極7752。

第一開關元件tft1的溝道區(qū)域被設置在第一半導體層3321的在第一源電極se1和第一漏電極de1之間的部分處。第一半導體層3321的對應于溝道區(qū)域的部分具有比第一半導體層3321的另外的部分的厚度更小的厚度。

如圖20所示，第二源電極se2被設置在第三歐姆接觸層3322a上。在一示例實施方式中，盡管未示出，但是第三歐姆接觸層3322a被設置在柵絕緣層3311上。第二源電極se2和第一源電極se1是整體的。第二源電極se2的至少一部分重疊第二半導體層3322和第二柵電極ge2。在示例實施方式中，例如，第二源電極se2可以具有i狀形狀、c狀形狀和u狀形狀中的一種。第二源電極se2可以包括與前述數據線dl1的材料相同的材料，并且可以具有與前述數據線dl1的結構相同的結構(例如多層結構)。第二漏電極de2和數據線dl1可以在相同工藝中被同時提供。

如圖20所示，第二漏電極de2被設置在第四歐姆接觸層3322b和柵絕緣層3311上。第二漏電極de2的至少一部分重疊第二半導體層3322和第二柵電極ge2。第二漏電極de2被連接到第二子像素電極pe2。第二漏電極de2可以包括與前述數據線dl1的材料相同的材料，并且可以具有與前述數據線dl1的結構相同的結構(例如多層結構)。第二漏電極de2和數據線dl1可以在相同工藝中被同時提供。

第二漏電極de2的一部分重疊第二柵電極ge2，并且第二漏電極de2的另一部分(在下文中，第三部分883)不重疊第二柵電極ge2。前述第二漏電極de2的第三部分883不重疊在與其上第二柵電極ge2被設置的層相同的層上的配置。在一示例實施方式中，例如，第三部分883不重疊柵線gl1、第一柵電極ge1、第三柵電極ge3、第一存儲電極7751和第二存儲電極7752。

第二開關元件tft2的溝道區(qū)域被設置在第二半導體層3322的在第二源電極se2和第二漏電極de2之間的部分處。第二半導體層3322的對應于溝道區(qū)域的部分具有比第二半導體層3322的另外的部分的厚度更小的厚度。

如圖20所示，第三源電極se3被設置在第五歐姆接觸層3323a和柵絕緣層3311上。第三源電極se3和第二漏電極de2為整體的。第三源電極se3的至少一部分重疊第三半導體層3323和第三柵電極ge3。在示例實施方式中，例如，第三源電極se3可以具有i狀形狀、c狀形狀和u狀形狀中的一種。第三源電極se3可以包括與前述數據線dl1的材料相同的材料，并且可以具有與前述數據線dl1的結構相同的結構(例如多層結構)。第三源電極se3和數據線dl1可以在相同工藝中被同時提供。

第三源電極se3的一部分重疊第三柵電極ge3，并且第三源電極se3的另一部分(在下文中，第四部分884)不重疊第三柵電極ge3。前述第三源電極se3的第四部分884不重疊在與其上第三柵電極ge3被設置的層相同的層上的配置。在一示例實施方式中，例如，第四部分884不重疊柵線gl1、第一柵電極ge1、第二柵電極ge2、第一存儲電極7751和第二存儲電極7752。

如圖20所示，浮動電極fe被設置在第六歐姆接觸層3323b上。浮動電極fe不接觸除第六歐姆接觸層3323b之外的任何導體。浮動電極fe的至少一部分重疊第三半導體層3323和第三柵電極ge3。在示例實施方式中，例如，浮動電極fe可以具有i狀形狀、c狀形狀和u狀形狀中的一種。浮動電極fe可以包括與前述數據線dl1的材料相同的材料，并且可以具有與前述數據線dl1的結構相同的結構(例如多層結構)。浮動電極fe和數據線dl1可以在相同工藝中被同時提供。

如圖20所示，第三漏電極de3被設置在第七歐姆接觸層3323c上。在一示例實施方式中，盡管未示出，但是第三漏電極de3也被設置在柵絕緣層3311上。第三漏電極de3的至少一部分重疊第二半導體層3322和第三柵電極ge3。第三漏電極de3被連接到第一存儲電極7751和第二存儲電極7752。第三漏電極de3可以包括與前述數據線dl1的材料相同的材料，并且可以具有與前述數據線dl1的結構相同的結構(例如多層結構)。第三漏電極de3和數據線dl1可以在相同工藝中被同時提供。

第三開關元件tft3的第一溝道區(qū)域被設置在第三半導體層3323的在第三源電極se3和浮動電極fe之間的部分上，并且第三開關元件tft3的第二溝道區(qū)域被設置在第三半導體層3323的在浮動電極fe和第三漏電極de3之間的部分上。第三半導體層3323的對應于第一溝道區(qū)域和第二溝道區(qū)域的部分具有比第三半導體層3323的另外的部分的厚度更小的厚度。

在一示例實施方式中，盡管未示出，但是第一半導體層3321還可以被設置在柵絕緣層3311和第一源電極se1之間。此外，第一半導體層3321還可以被設置在柵絕緣層3311和第一漏電極de1之間。這里，第一半導體層3321的在柵絕緣層3311和第一源電極se1之間的部分被稱為第一附加半導體層，并且第一半導體層3321的在柵絕緣層3311和第一漏電極de1之間的部分被稱為第二附加半導體層。在一示例實施方式中，前述第一歐姆接觸層3321a還可以被設置在第一附加半導體層和第一源電極se1之間，并且前述第二歐姆接觸層3321b還可以被設置在第二附加半導體層和第一漏電極de1之間。

在一示例實施方式中，盡管未示出，但是第二半導體層3322還可以被設置在柵絕緣層3311和第二源電極se2之間。此外，第二半導體層3322還可以被設置在柵絕緣層3311和第二漏電極de2之間。這里，第二半導體層3322的在柵絕緣層3311和第二源電極se2之間的部分被稱為第三附加半導體層，并且第二半導體層3322的在柵絕緣層3311和第二漏電極de2之間的部分被稱為第四附加半導體層。在一示例實施方式中，前述第三歐姆接觸層3322a還可以被設置在第三附加半導體層和第二源電極se2之間，并且前述第四歐姆接觸層3322b還可以被設置在第四附加半導體層和第二漏電極de2之間。

在一示例實施方式中，盡管未示出，但是第三半導體層3323還可以被設置在柵絕緣層3311和第三源電極se3之間。此外，第三半導體層3323還可以被設置在柵絕緣層3311和第三漏電極de3之間。這里，第三半導體層3323的在柵絕緣層3311和第三源電極se3之間的部分被稱為第五附加半導體層，并且第三半導體層3323的在柵絕緣層3311和第三漏電極de3之間的部分被稱為第六附加半導體層。在一示例實施方式中，前述第五歐姆接觸層3323a還可以被設置在第五附加半導體層和第三源電極se3之間，并且前述第七歐姆接觸層3323c還可以被設置在第六附加半導體層和第三漏電極de3之間。

在一示例實施方式中，盡管未示出，但是第一半導體層3321還可以被設置在柵絕緣層3311和數據線dl1之間。在一示例實施方式中，例如，第一半導體層3321還可以被設置在柵絕緣層3311和數據線dl1之間。這里，第一半導體層3321的在柵絕緣層3311和數據線dl1之間的部分被稱為第七附加半導體層。在一示例實施方式中，前述第一歐姆接觸層3321a還可以被設置在第七附加半導體層和數據線dl1之間。

如圖19所示，鈍化層3320被設置在數據線dl1、第一源電極se1、第二源電極se2、第三源電極se3、浮動電極fe、第一漏電極de1、第二漏電極de2和第三漏電極de3上。在一示出的示例實施方式中，鈍化層3320被設置在第一基板3301的整個表面上方，第一基板3301的整個表面包括數據線dl1、第一源電極se1、第二源電極se2、第三源電極se3、浮動電極fe、第一漏電極de1、第二漏電極de2和第三漏電極de3?？妆幌薅ㄔ趯诘谝唤佑|孔ch1、第二接觸孔ch2、第三接觸孔ch3和第四接觸孔ch4的鈍化層3320中。第一漏電極de1通過第一接觸孔ch1被暴露，并且第二漏電極de2通過第二接觸孔ch2被暴露。

如圖19和20所示，濾色器3354被設置在鈍化層3320上。如圖18所示，濾色器3354被設置在第一子像素區(qū)域p1和第二子像素區(qū)域p2上。在一示例實施方式中，在第一接觸孔ch1、第二接觸孔ch2、第三接觸孔ch3和第四接觸孔ch4中沒有濾色器3354。在一示例實施方式中，濾色器3354中的一個的邊緣部分可以重疊濾色器3354的相鄰濾色器3354的邊緣部分。具有相同顏色的濾色器被設置在單個像素中包括的第一子像素區(qū)域p1和第二子像素區(qū)域p2中。

如圖18、19和20所示，濾色器3354不重疊第一源電極se1、第二源電極se2、第三源電極se3、第一漏電極de1、第二漏電極de2和第三漏電極de3的至少一個。在一示例實施方式中，例如，濾色器3354可以不重疊前述第一源電極se1的第一部分881。此外，濾色器3354可以不重疊前述第一漏電極de1的第二部分882。此外，濾色器3354可以不重疊前述第二漏電極de2的第三部分883。此外，濾色器3354可以不重疊前述第三源電極se3的第四部分884。

濾色器3354重疊第一子像素電極pe1和第二子像素電極pe2。此外，濾色器3354可以重疊第一開關元件tft1、第二開關元件tft2和第三開關元件tft3的除前述第一部分881、第二部分882、第三部分883和第四部分884之外的另外的部分。詳細地，濾色器3354可以重疊第一開關元件tft1的除第一部分881和第二部分882之外的另外的部分、第二開關元件tft2的除第三部分883之外的另外的部分、以及第三開關元件tft3的除第四部分884之外的另外的部分。在一示例實施方式中，如圖21所示，例如，濾色器3354可以包括第一重疊部分2101、第二重疊部分2102和第三重疊部分2103，并且在該示例實施方式中，第一重疊部分2101可以重疊第一子像素電極pe1，第二重疊部分2102可以重疊第二子像素電極pe2，并且第三重疊部分2103可以重疊第一開關元件tft1、第二開關元件tft2和第三開關元件tft3的另外的部分(第一開關元件、第二開關元件和第三開關元件的除第一部分、第二部分、第三部分和第四部分之外的另外的部分)。

在一示例實施方式中，絕緣中間層3391被設置在濾色器3354和鈍化層3320上。在該示例實施方式中，絕緣中間層3391可以被設置在第一基板3301的整個表面上方，第一基板3301的整個表面包括濾色器3354和鈍化層3320?？妆幌薅ㄔ趯诘谝唤佑|孔ch1、第二接觸孔ch2、第三接觸孔ch3和第四接觸孔ch4的絕緣中間層3391中。

第一子像素電極pe1被設置在第一子像素區(qū)域p1的絕緣中間層3391上。第一子像素電極pe1通過第一漏極接觸孔ch1被連接到第一漏電極de1。第一子像素電極pe1可以包括與前述像素電極pe中包括的材料相同的材料。

第二子像素電極pe2被設置在第二子像素區(qū)域p2的絕緣中間層3392上。第二子像素電極pe2通過第二漏極接觸孔ch2被連接到第二漏電極de2。第二子像素電極pe2可以包括與前述像素電極pe中包括的材料相同的材料。

第一連接電極1881被設置在絕緣中間層3391上，對應于第三接觸孔ch3。第一連接電極1881連接第三漏電極de3的一部分和第一存儲電極7751。第一連接電極1881可以包括與前述像素電極pe中包括的材料相同的材料。

第二連接電極1882被設置在絕緣中間層3391上，對應于第四接觸孔ch4。第二連接電極1882連接第三漏電極de3的另一部分和第二存儲電極7752。第二連接電極1882可以包括與前述像素電極pe中包括的材料相同的材料。

光阻擋部分3376被設置在絕緣中間層3392的除第一子像素區(qū)域p1和第二子像素區(qū)域p2之外的部分上。

柱狀間隔物4472被設置在光阻擋部分3376上。在一示例實施方式中，柱狀間隔物4472可以重疊第一重疊部分2101、第二重疊部分2102和第三重疊部分2103的至少一個。在一示例實施方式中，例如，如圖19所示，柱狀間隔物4472可以重疊第三重疊部分2103。

如圖21所示，第一重疊部分2101、第二重疊部分2102和第三重疊部分2103的至少兩個可以為整體的。在一示例實施方式中，第一重疊部分2101、第二重疊部分2102和第三重疊部分2103可以彼此分開。圖21示出其中第二重疊部分2102和第三重疊部分2103彼此為整體的且第一重疊部分2101和第二重疊部分2102彼此分開的一示例。

在關于有缺陷的像素的修復過程中，強光888(參考圖16)可以被輻射到第一源電極se1的第一部分881(參考圖19)、第一漏電極de1的第二部分882(參考圖19)、第二漏電極de2的第三部分883(參考圖20)和第三源電極se3的第四部分884(參考圖20)。在一示例實施方式中，例如，圖18、19和20示出了第一切割路徑2221、第二切割路徑2222、第三切割路徑2223和第四切割路徑2224，并且強光888可以沿第一切割路徑2221、第二切割路徑2222、第三切割路徑2223和第四切割路徑2224輻射。第一切割路徑2221被設置在第一部分881上，第二切割路徑2222被設置在第二部分882上，第三切割路徑2223被設置在第三部分883上，并且第四切割路徑2224被設置在第四部分884上。

強光888通過第一面板101的后表面從光發(fā)射裝置輻射到第一源電極se1的第一部分881、第一漏電極de1的第二部分882、第二漏電極de2的第三部分883和第三源電極se3的第四部分884。

在如圖18、19和20所示的在第一部分881、第二部分882、第三部分883和第四部分884中沒有濾色器3354的情況下，在使用強光888的修復過程中可以防止對濾色器3354的損壞。

盡管未示出，但是lcd設備的一示例實施方式還可以包括第一偏光器和第二偏光器。在彼此面對的第一基板3301的表面和第二基板3302的表面分別被稱為相應基板的上表面，并且與上表面相反的表面分別被稱為相應基板的下表面的情況下，前述第一偏光器被設置在第一基板3301的下表面上，并且第二偏光器被設置在第二基板3302的下表面上。

第一偏光器的透射軸垂直于第二偏光器的透射軸，并且其透射軸中的一個平行于柵線gl取向。在一替換示例實施方式中，lcd設備可以僅包括第一偏光器和第二偏光器中的一個。

盡管未示出，但是lcd設備的一示例實施方式還可以包括光阻擋電極。光阻擋電極被設置在絕緣中間層3391上以重疊數據線dl1。光阻擋電極沿數據線設置。光阻擋電極可以包括與第一子像素電極pe1中包括的材料相同的材料。

光阻擋電極接收前述公共電壓。光阻擋電極防止在數據線dl1和子像素電極(即第一子像素電極pe1和第二子像素電極pe2)中電場的形成。此外，每個接收相同公共電壓的光阻擋電極和公共電極3330是等電位的，從而通過液晶層3333在光阻擋電極和公共電極3330之間的部分透射的光由第二偏光器阻擋。因此，在對應于數據線dl1的部分中可以防止光泄漏。此外，由于光阻擋電極可以替代光阻擋部分3376在數據線dl1上的部分，所以在光阻擋電極被提供的情況下，光阻擋層3376在數據線dl1上的部分可以被去除。因此，在光阻擋電極被提供的情況下，像素的孔徑比可以進一步提高。

在一示例實施方式中，前述光阻擋電極可以被設置在圖6和7中所示的數據線dl上。

圖22a、22b、22c、22d、22e、22f和22g是示出可以被包括在圖18的像素中的濾色器的替換示例實施方式的視圖。

如圖22a、22b、22c、22d、22e、22f和22g所示，濾色器3354的每個包括第一重疊部分2101、第二重疊部分2102和第三重疊部分2103。

如圖22a、22f和22g所示，第一重疊部分2101、第二重疊部分2102和第三重疊部分2103可以彼此分開。

此外，如圖22b、22d和22e所示，第一重疊部分2101、第二重疊部分2102和第三重疊部分2103可以彼此為整體的。

此外，如圖22c所示，第二重疊部分2102和第三重疊部分2103可以彼此為整體的，并且第一重疊部分2101和第二重疊部分2102可以彼此分開。

如以上所述，根據一個或更多示例實施方式，lcd顯示設備和制造lcd設備的方法可以提供下面的效果。

第一，短路部分的至少一部分包括暗區(qū)域。因此，反射光在短路部分中可以被顯著減少。

第二，在單個短路區(qū)域中的多個突起部分彼此分開。因此，反射光的量在短路部分中可以被進一步顯著減少。

第三，濾色器不重疊源電極和漏電極的切割路徑。因此，在使用強光(例如激光束)的修復過程中可以防止對濾色器的損壞。因此，可以防止像素的黑點現象。

由前述將理解，根據本發(fā)明的各種示例實施方式為了說明的目的已經在此被描述，并且可以進行各種修改而不背離教導的范圍和精神。因此，這里公開的各種示例實施方式不旨在成為教導的真實范圍和精神的限制。以上描述的及其它示例實施方式的各種特征能以任何方式混合和搭配，以產生與本發(fā)明一致的另外的實施方式。

本申請要求享有2016年4月4日提交的韓國專利申請第10-2016-0040795號的優(yōu)先權及權益，其全文內容通過引用在此合并。