本發(fā)明涉及薄膜制備工藝技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種漸變折射率薄膜制備參數(shù)獲取方法、制備方法及濾光片。

背景技術(shù)：

皺褶(rugate)濾光片，指的是折射率有規(guī)則的周期變化的結(jié)構(gòu)，通過這種周期性的變化可以實現(xiàn)特殊的光學性能，例如具有僅反射一窄帶光譜區(qū)域，而透過所有其他波段的性質(zhì)。該性質(zhì)類似于1/4波堆，且沒有1/4波堆的高級次反射帶，特別適合于在弱的連續(xù)光譜背景中除去亮的光譜線，比如激光光譜線，因此在諸如激光防護等領(lǐng)域有重要的應用。

然而，目前漸變折射率薄膜的制備核心技術(shù)仍然掌握在國外，無法獲知，因此為了打破這種壟斷，迫切需要一種能夠制備漸變折射率薄膜的方法。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種漸變折射率薄膜制備參數(shù)獲取方法、制備方法及濾光片，以實現(xiàn)漸變折射率薄膜的制備。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施例采用的技術(shù)方案如下：

第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種漸變折射率薄膜的制備參數(shù)獲取方法，所述方法包括：獲取待制備的漸變折射率薄膜的制備數(shù)據(jù)，其中，所述制備數(shù)據(jù)包括所述漸變折射率薄膜的每個膜層的折射率和膜層厚度；獲取基準對應關(guān)系，所述基準對應關(guān)系為混合膜層的折射率與膜層濃度之間的關(guān)系，其中，所述混合膜層包括第一子膜層和第二子膜層，所述第一子膜層對應的第一膜層材料的第一折射率大于所述第二子膜層對應的第二膜層材料的第二折射率，所述膜層濃度為所述混合膜層中所述第一子膜層的膜層濃度或所述第二子膜層的膜層濃度；根據(jù)所述基準對應關(guān)系以及所述制備數(shù)據(jù)，得到所述漸變折射率薄膜的制備參數(shù)。

第二方面，本發(fā)明實施例還提供了一種漸變折射率薄膜的制備方法，所述方法包括：通過原子層沉積技術(shù)，按照上述漸變折射率薄膜的制備參數(shù)獲取方法得到的制備參數(shù)，以第一膜層材料對應的前驅(qū)體以及第二膜層材料對應的前驅(qū)體為原料，在預設的基底上依次沉積多個膜層，得到漸變折射率薄膜，其中，每個膜層對應于一個折射率。

第三方面，本發(fā)明實施例還提供了一種濾光片，包括基片以及根據(jù)上述制備方法制備的漸變折射率薄膜，所述漸變折射率薄膜附著在所述基片上。

相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明實施例提供的漸變折射率薄膜的制備參數(shù)獲取方法，通過獲取待制備的漸變折射率薄膜的制備數(shù)據(jù)以及基準對應關(guān)系，然后根據(jù)所獲取的制備數(shù)據(jù)以及基準對應關(guān)系，得到該漸變折射率薄膜的制備參數(shù)。本方案有利于較準確地得到待制備的漸變折射率薄膜的制備參數(shù)，從而制備出性能更符合需求的漸變折射率薄膜以及濾光片。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附附圖，作詳細說明如下。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，應當理解，以下附圖僅示出了本發(fā)明的某些實施例，因此不應被看作是對范圍的限定，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關(guān)的附圖。

圖1示出了本發(fā)明實施例提供的一種電子設備的方框示意圖；

圖2示出了本發(fā)明第一實施例提供的一種漸變折射率薄膜制備參數(shù)獲取方法的方法流程圖；

圖3示出了本發(fā)明第一實施例提供的一種漸變折射率薄膜的一個制備周期的折射率分布示意圖；

圖4示出了本發(fā)明第一實施例提供的混合膜層折射率曲線對比示意圖；

圖5示出了本發(fā)明第一實施例提供的一種漸變折射率薄膜制備參數(shù)獲取方法中步驟s130的流程圖；

圖6示出了本發(fā)明第二實施例提供的一種漸變折射率薄膜制備參數(shù)獲取裝置的程序模塊框圖；

圖7示出了通過本發(fā)明第三實施例提供的一種漸變折射率薄膜制備方法制備的一種rugate薄膜的透射光譜示意圖。

具體實施方式

如圖1所示，是本發(fā)明較佳的實施例提供的電子設備100的方框示意圖。所述電子設備100包括漸變折射率薄膜的制備參數(shù)獲取裝置200、存儲器101、存儲控制器102、處理器103、外設接口104以及輸入輸出單元105。

所述存儲器101、存儲控制器102、處理器103、外設接口104、輸入輸出單元105各元件相互之間直接或間接地電性連接，以實現(xiàn)數(shù)據(jù)的傳輸或交互。例如，這些元件相互之間可通過一條或多條通訊總線或信號線實現(xiàn)電性連接。所述制備參數(shù)獲取裝置200包括至少一個可以軟件或固件(firmware)的形式存儲于所述存儲器101中的軟件功能模塊。所述處理器103用于執(zhí)行存儲器101中存儲的可執(zhí)行模塊，例如，所述制備參數(shù)獲取裝置200包括的軟件功能模塊或計算機程序。

其中，存儲器101可以是，但不限于，隨機存取存儲器(randomaccessmemory，ram)，只讀存儲器(readonlymemory，rom)，可編程只讀存儲器(programmableread-onlymemory，prom)，可擦除只讀存儲器(erasableprogrammableread-onlymemory，eprom)，電可擦除只讀存儲器(electricerasableprogrammableread-onlymemory，eeprom)等。其中，存儲器101用于存儲程序，處理器103在接收到執(zhí)行指令后，執(zhí)行所述程序，后續(xù)本發(fā)明實施例揭示的流程定義的電子設備100所執(zhí)行的方法可以應用于處理器103中，或者由處理器103實現(xiàn)。

處理器103可能是一種集成電路芯片，具有信號的處理能力。上述的處理器103可以是通用處理器，包括中央處理器(centralprocessingunit，簡稱cpu)、網(wǎng)絡處理器(networkprocessor，簡稱np)等；還可以是數(shù)字信號處理器(dsp)、專用集成電路(asic)、現(xiàn)成可編程門陣列(fpga)或者其他可編程邏輯器件、分立門或者晶體管邏輯器件、分立硬件組件?？梢詫崿F(xiàn)或者執(zhí)行本發(fā)明實施例中的公開的各方法、步驟及邏輯框圖。通用處理器可以是微處理器或者該處理器103也可以是任何常規(guī)的處理器等。

所述外設接口104將各種輸入/輸出裝置耦合至處理器103以及存儲器101。在一些實施例中，外設接口104，處理器103以及存儲控制器102可以在單個芯片中實現(xiàn)。在其他一些實例中，他們可以分別由獨立的芯片實現(xiàn)。

輸入輸出單元105用于提供給用戶輸入數(shù)據(jù)實現(xiàn)用戶與電子設備100的交互。所述輸入輸出單元105可以是，但不限于，鼠標和鍵盤等。

可以理解，圖1所示的結(jié)構(gòu)僅為示意，電子設備100還可包括比圖1中所示更多或者更少的組件，或者具有與圖1所示不同的配置。圖1中所示的各組件可以采用硬件、軟件或其組合實現(xiàn)。本實施例中，電子設備100可以是鍍膜設備，例如，原子層沉積鍍膜設備，也可以是計算機。需要說明的是，當電子設備100為鍍膜設備時，電子設備除了包括圖1中所示的組件，還包括其他鍍膜控制和執(zhí)行組件，此處不做詳述。

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。通常在此處附圖中描述和示出的本發(fā)明實施例的組件可以以各種不同的配置來布置和設計。因此，以下對在附圖中提供的本發(fā)明的實施例的詳細描述并非旨在限制要求保護的本發(fā)明的范圍，而是僅僅表示本發(fā)明的選定實施例?；诒景l(fā)明的實施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

第一實施例

圖2示出了本發(fā)明第一實施例提供的一種漸變折射率薄膜制備參數(shù)獲取方法，所述方法用于獲取漸變折射率薄膜的制備參數(shù)。漸變折射率薄膜是指沿膜層表面法線方向折射率連續(xù)變化，平行于膜面方向上折射率保持不變的薄膜。rugate薄膜是漸變折射率薄膜中的一種，是指隨著膜層厚度的增加，折射率層周期性變化的薄膜。通過折射率周期性的變化可以實現(xiàn)特殊的光學性能，如具有僅反射一窄的光譜區(qū)域，而透過其他波段的性質(zhì)。下面本實施例將主要以rugate薄膜為例，對本發(fā)明實施例提供的漸變折射率薄膜的制備參數(shù)獲取方法進行詳細說明。請參閱圖2，所述方法包括：步驟s110、步驟s120以及步驟s130。

步驟s110，獲取待制備的漸變折射率薄膜的制備數(shù)據(jù)，其中，所述制備數(shù)據(jù)包括所述漸變折射率薄膜的每個膜層的折射率和膜層厚度。

本實施例中，待制備的漸變折射率薄膜的折射率具體分布情況可以根據(jù)需要設計。例如，可以根據(jù)薄膜的具體光譜性能要求，設計相應的折射率分布。

需要說明的是，理論上的rugate薄膜是指折射率成有規(guī)則的周期性變化的結(jié)構(gòu)，如按正弦或者余弦變化。而在實際設計中，通常是用折射率成階梯形變化的不連續(xù)的薄膜結(jié)構(gòu)代替折射率連續(xù)變化的膜層結(jié)構(gòu)，這樣也可以抑制高級次反射帶。因此，本實施例中，待制備的漸變折射率薄膜可以為折射率成階梯形變化的周期性結(jié)構(gòu)。例如，在一種具體的應用場景中，為了制備中心波長為532納米的rugate薄膜，待制備的漸變折射率薄膜的一個制備周期的折射率分布可以如圖3所示。

本實施例中，獲取待制備的漸變折射率薄膜的制備數(shù)據(jù)的方式可以為：電子設備中預先存儲有待制備的漸變折射率薄膜的制備數(shù)據(jù)，通過預設的存儲路徑獲取該制備數(shù)據(jù)。預先存儲的制備數(shù)據(jù)可以為用戶預先輸入并存儲在預設路徑的制備數(shù)據(jù)?；蛘?，預先存儲的制備數(shù)據(jù)也可以是從電子設備中的其他第三方應用軟件導出并存儲在預設路徑處的待制備的漸變折射率薄膜的制備數(shù)據(jù)，例如，用戶在第三方應用軟件中設置所需要的光譜特性曲線，第三方應用軟件通過該光譜特性曲線導出待制備的漸變折射率薄膜的制備數(shù)據(jù)，并存儲在預設路徑處。

需要說明的是，由于rugate薄膜具有多個折射率周期，每個周期的折射率分布是一致的，因此，可以只需要獲取待制備的rugate薄膜的一個周期的折射率分布，即可獲得制備薄膜時，每個制備周期對應的每個膜層的折射率和膜層厚度。待制備的rugate薄膜對應于多個制備周期，每個制備周期對應于多個膜層。本實施例中，所獲取的制備數(shù)據(jù)包括一個制備周期對應的每個膜層的折射率和膜層厚度。當然，對于折射率不成周期性變化的其他漸變折射率薄膜，制備數(shù)據(jù)包括待制備薄膜的每個膜層的折射率和膜層厚度。

例如，對于如圖3所示的一個周期的rugate薄膜的折射率輪廓，輪廓上的每個臺階對應該周期中的一個膜層，每個臺階的橫向距離對應于該膜層的膜層厚度。圖3中的縱坐標表示該周期內(nèi)各膜層的折射率；橫坐標為距離，單位為納米(nm)，表示以基底表面為零坐標點，沿膜層的法線方向，各膜層與基底表面之間的距離。如圖3所示，對于第一個臺階，即該周期的第一個膜層，始末橫坐標分別為0和424nm，因此，該膜層的厚度為424nm，對應縱坐標為1.46，所以該膜層的折射率是1.46；對于第二個臺階，即該周期的第二個膜層，始末橫坐標分別為424nm和494nm，因此，該膜層的厚度為70nm，對應縱坐標為1.54，所以該膜層的折射率是1.54。

步驟s120，獲取基準對應關(guān)系，所述基準對應關(guān)系為混合膜層的折射率與膜層濃度之間的關(guān)系。

由于在實際制備中，很難找到折射率滿足要求的膜層材料，因此，可以通過將一種具有較高折射率ρ1的第一膜層材料和另一種具有較低折射率ρ2的第二膜層材料混合得到折射率在ρ1與ρ2之間的混合膜層。也就是說，待制備的rugate薄膜所包括的各膜層的屬性包括單膜層和混合膜層。本實施例中，單膜層是指只有一種膜層材料構(gòu)成的膜層，混合膜層是指由第一膜層材料和第二膜層材料共同構(gòu)成的膜層。

混合膜層包括第一子膜層和第二子膜層。第一子膜層為第一膜層材料構(gòu)成的子膜層，第二子膜層為第二膜層材料構(gòu)成的子膜層。第一膜層材料的折射率為第一折射率，第二膜層材料的折射率為第二折射率，且第一折射率大于第二折射率。

由于混合膜層的結(jié)構(gòu)較復雜，為了獲取混合膜層的制備參數(shù)，需要先獲取混合膜層的折射率與膜層濃度之間的關(guān)系。膜層濃度為混合膜層中第一子膜層的膜層濃度或第二子膜層的膜層濃度。也就是說，第一子膜層的膜層濃度和第二子膜層的膜層濃度與混合膜層的折射率具有一一對應關(guān)系。本實施例中，膜層濃度可以為混合膜層中單一子膜層的厚度在該混合膜層的膜層厚度中的占比。

作為一種實施方式，可以根據(jù)第一預設模型、第一折射率以及第二折射率得到混合膜層的折射率與膜層濃度之間的關(guān)系，將該關(guān)系作為基準對應關(guān)系。其中，第一折射率和第二折射率可以根據(jù)具體的制備需求預先存儲在電子設備中，或者，也可以實時輸入。通過這種方式得到的基準對應關(guān)系適用性廣，能夠適用于制備由各種膜層材料構(gòu)成的漸變折射率薄膜。

發(fā)明人經(jīng)過長期的研究和反復實驗證明，混合膜層符合羅倫茨-羅倫茲色散理論。例如，以二氧化鉿(hfo2)作為第一膜層材料，以二氧化硅(sio2)作為第二膜層材料，通過原子層沉積技術(shù)制備了不同膜層濃度的多組hfo2-sio2混合膜層，并測得每個膜層濃度對應的hfo2-sio2混合膜層的折射率。其中，不同膜層濃度對應于兩種膜層材料的不同循環(huán)次數(shù)比例。上述的多組hfo2-sio2混合膜層中hfo2和sio2所對應的循環(huán)次數(shù)比例nhfo2:nsio2，包括：5:1、4:2、3:3、2:4和1:5。將實驗所制備的不同膜層濃度的hfo2-sio2混合膜層的折射率進行直線擬合，得到圖4中的線性擬合曲線。此外，將hfo2的折射率和sio2的折射率帶入羅倫茨-羅倫茲色散理論(lorentz-lorenz)中的色散理論模型，得到圖4中示出的羅倫茨-羅倫茲模型曲線。圖4中，橫坐標為混合膜層中sio2的膜層濃度csio2，縱坐標為混合膜層的折射率。如圖4所示，羅倫茨-羅倫茲模型曲線和實驗數(shù)據(jù)的線性擬合曲線符合得較好，表明混合膜層符合羅倫茨-羅倫茲色散理論。

因此，第一預設模型可以為羅倫茨-羅倫茲色散理論(lorentz-lorenz)中的色散理論模型。具體的，所述第一預設模型可以為以下公式：

式(1)中，n表示混合膜層的折射率，n1、n2分別表示第一膜層材料和第二膜層材料的折射率，c2表示所述第二子膜層或所述第二子膜層的膜層濃度。具體的，當n1表示第一膜層材料的折射率，即第一折射率，n2表示第二膜層材料的折射率，即第二折射率時，c2表示第二子膜層的膜層濃度；當n1表示第二膜層材料的折射率，即第二折射率，n2表示第一膜層材料的折射率，即第一折射率時，c2表示第一子膜層的膜層濃度。

作為另一種實施方式，當?shù)谝荒硬牧虾偷诙硬牧洗_定時，基準對應關(guān)系也可以是通過用戶針對具體的第一膜層材料和第二膜層材料的實驗結(jié)果擬合得到的。具體的，可以預先制備多個不同預設膜層濃度的混合膜層，并分別進行折射率測量，如可以采用橢偏儀對混合膜層的折射率進行測量，從而得到每個預設膜層濃度的混合膜層的折射率，對上述多個預設膜層濃度以及每個膜層濃度對應的混合膜層的折射率數(shù)據(jù)進行直線擬合，可以得到混合膜層的折射率與膜層濃度之間的關(guān)系，作為上述基準對應關(guān)系。

或者，除了上述兩種方式外，基準對應關(guān)系也可以是用戶預先存儲在電子設備中的。

步驟s130，根據(jù)所述基準對應關(guān)系以及所述制備數(shù)據(jù)，得到所述漸變折射率薄膜的制備參數(shù)。

具體的，請參閱圖5，根據(jù)所述基準對應關(guān)系以及所述制備數(shù)據(jù)，得到所述漸變折射率薄膜的制備參數(shù)的步驟，至少包括以下步驟s131至步驟s134。

步驟s131，根據(jù)所述第一折射率、所述第二折射率以及每個所述膜層的折射率判斷該膜層的膜層屬性。

具體的，膜層屬性包括混合膜層和單膜層。判斷每個膜層的折射率是否與第一折射率或第二折射率一致，當該膜層的折射率與第一折射率和第二折射率均不相等時，則判定該膜層為混合膜層，當該膜層的折射率等于第一折射率或等于第二折射率時，則判定該膜層為單膜層。

當判定膜層為混合膜層時，執(zhí)行步驟s132和步驟s133；當判定膜層為單膜層時，執(zhí)行步驟s134。

步驟s132，當所述膜層為所述混合膜層時，根據(jù)所述基準對應關(guān)系以及所述膜層的折射率，得到該膜層的膜層濃度。

由于上述基準對應關(guān)系中，混合膜層的折射率與膜層濃度具有一一對應關(guān)系，因此，將該混合膜層的折射率帶入上述基準對應關(guān)系中，則可以得到該混合膜層的膜層濃度。

步驟s133，根據(jù)第二預設模型、所得到的膜層濃度以及所述膜層的膜層厚度，分別得到所述膜層包括的所述第一子膜層和所述第二子膜層的沉積厚度。

本實施例中，膜層濃度可以為混合膜層中單一子膜層的厚度在該混合膜層的膜層厚度中的占比。此時，第二預設模型具體可以為以下公式：

式(2)中，c2表示第一子膜層或第二子膜層的膜層濃度，d1、d2分別表示第一子膜層的沉積厚度和第二子膜層的沉積厚度，d表示該混合膜層對應的膜層厚度。具體的，當d1表示第一子膜層的沉積厚度，d2表示第二子膜層的沉積厚度時，c2表示第二子膜層的膜層濃度；當d1表示第二子膜層的沉積厚度，d2表示第一子膜層的沉積厚度時，c2表示第一子膜層的膜層濃度。

進一步的，將步驟s132所得到的膜層濃度以及該混合膜層的膜層厚度，帶入上述公式(2)中，即可以分別得到該混合膜層包括的第一子膜層和第二子膜層的沉積厚度。

步驟s134，當所述膜層為單膜層時，獲取該膜層對應的膜層材料和膜層厚度。

當該膜層的折射率與第一折射率相等時，表明該膜層僅包括第一子膜層，即該膜層僅由第一膜層材料構(gòu)成，此時該膜層對應的膜層材料為第一膜層材料。當該膜層的折射率與第二折射率相等時，表明該膜層僅包括第二子膜層，即該膜層僅由第二膜層材料構(gòu)成，此時該膜層對應的膜層材料為第二膜層材料。此外，該膜層的膜層厚度即為上述步驟s110所獲取的制備數(shù)據(jù)中，該膜層對應的膜層厚度。

在本實施例的一種具體應用場景中，采用原子層沉積技術(shù)制備漸變折射率薄膜，需要獲取的制備參數(shù)包括前驅(qū)體的循環(huán)次數(shù)?？梢岳斫獾氖?，原子層沉積技術(shù)中，薄膜沉積厚度和前驅(qū)體沉積循環(huán)次數(shù)存在線性關(guān)系，因此，通過控制前驅(qū)體循環(huán)次數(shù)來控制薄膜的厚度是原子層沉積鍍膜中一種較佳的膜層厚度控制方式。此外，單膜層厚度d、膜層材料的生長速率g以及前驅(qū)體沉積循環(huán)次數(shù)n之間存在以下關(guān)系：

d＝g·n(3)

此時，如圖5所示，本實施例提供的漸變折射率薄膜制備參數(shù)獲取方法，還包括步驟s135，在執(zhí)行完上述步驟s133之后，繼續(xù)執(zhí)行步驟s135。

步驟s135，根據(jù)預設的第一生長參數(shù)、預設的第二生長參數(shù)以及所述膜層包括的所述第一子膜層和所述第二子膜層的沉積厚度，得到制備該膜層時的第一循環(huán)次數(shù)和第二循環(huán)次數(shù)。

其中，第一生長參數(shù)為第一膜層材料的生長速率，第二生長參數(shù)為第二膜層材料的生長速率，第一循環(huán)次數(shù)為第一子膜層對應的前驅(qū)體的循環(huán)次數(shù)，第二循環(huán)次數(shù)為第二子膜層對應的前驅(qū)體的循環(huán)次數(shù)。

本實施例中，第一膜層材料的生長速率和第二膜層材料的生長速率可以預先存儲在電子設備中，或者，也可以是用戶通過輸入輸出單元實時輸入所測得生長速率值。

具體的，將第一子膜層的沉積厚度以及預設的第一生長參數(shù)帶入式(3)中，則可以得到第一循環(huán)次數(shù)。將第二子膜層的沉積厚度以及預設的第二生長參數(shù)帶入式(3)中，則可以得到第二循環(huán)次數(shù)。

同理，當采用原子層沉積技術(shù)制備漸變折射率薄膜時，如圖5所示，本實施例提供的漸變折射率薄膜制備參數(shù)獲取方法，還包括步驟s136，在執(zhí)行完上述步驟s134之后，繼續(xù)執(zhí)行步驟s136。

步驟s136，根據(jù)所述膜層的膜層厚度以及所述膜層對應的膜層材料的生長速率，得到用于制備該膜層的前驅(qū)體的循環(huán)次數(shù)。

具體的，將該膜層的膜層厚度以及該膜層對應的膜層材料的生長速率帶入式(3)中，則可以得到用于制備該膜層的前驅(qū)體的循環(huán)次數(shù)。

通過上述步驟s131至步驟s136對步驟s110中獲取的制備數(shù)據(jù)對應的每個膜層進行處理，直至得到每個膜層對應的第一循環(huán)次數(shù)和第二循環(huán)次數(shù)。

也就是說，采用原子層沉積技術(shù)制備漸變折射率薄膜時，本實施例所需要獲取的制備各個膜層的制備參數(shù)包括：第一循環(huán)次數(shù)和第二循環(huán)次數(shù)。其中，對于混合膜層，第一循環(huán)次數(shù)和第二循環(huán)次數(shù)均大于0，具體根據(jù)上述步驟s135得到。對于單膜層，第一循環(huán)次數(shù)和第二循環(huán)次數(shù)中的一個等于0，另一個大于0。例如，當該單膜層僅由第一膜層材料構(gòu)成時，第一循環(huán)次數(shù)大于0，具體根據(jù)上述步驟s136得到，第二循環(huán)次數(shù)等于0；當該單膜層僅由第二膜層材料構(gòu)成時，第一循環(huán)次數(shù)等于0，第二循環(huán)次數(shù)大于0，具體根據(jù)上述步驟s136得到。

當然，在本發(fā)明實施例的其他應用場景中，例如當采用濺射或者電子束蒸發(fā)中的雙源共蒸法制備漸變折射率薄膜時，本實施例所需要獲取的制備各個膜層的制備參數(shù)包括：各膜層對應的第一子膜層的沉積厚度和第二子膜層的沉積厚度。其中，對于混合膜層，第一子膜層的沉積厚度和第二子膜層的沉積厚度均大于0，具體根據(jù)步驟s133得到。對于單膜層，即僅包括第一子膜層或第二子膜層，此時，第一子膜層的沉積厚度和第二子膜層的沉積厚度中的一個等于0，另一個大于0。例如，當該單膜層僅包括第一子膜層時，第二子膜層的沉積厚度為0，第一子膜層的沉積厚度大于0，具體根據(jù)上述步驟s134得到；當該單膜層僅包括第二子膜層時，第一子膜層的沉積厚度為0，第二子膜層的沉積厚度大于0，具體根據(jù)上述步驟s134得到。

相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明實施例提供的漸變折射率薄膜的制備參數(shù)獲取方法，通過獲取待制備的漸變折射率薄膜的制備數(shù)據(jù)以及基準對應關(guān)系，然后根據(jù)所獲取的制備數(shù)據(jù)以及基準對應關(guān)系，得到該漸變折射率薄膜的制備參數(shù)，有利于更準確地得到待制備的漸變折射率薄膜的制備參數(shù)，從而制備出性能更符合需求的漸變折射率薄膜及濾光片。

第二實施例

圖6示出了本發(fā)明第二實施例提供的一種制備參數(shù)獲取裝置的模塊框圖。本實施例提供的制備參數(shù)獲取裝置200，運行于電子設備100，用于實現(xiàn)上述第一實施例提供的漸變折射率薄膜制備參數(shù)獲取方法。請參閱圖6，該制備參數(shù)獲取裝置200包括：第一獲取模塊210、第二獲取模塊220以及處理模塊230。

其中，第一獲取模塊210，用于獲取待制備的漸變折射率薄膜的制備數(shù)據(jù)，其中，所述制備數(shù)據(jù)包括所述漸變折射率薄膜的每個膜層的折射率和膜層厚度。

第二獲取模塊220，用于獲取基準對應關(guān)系，所述基準對應關(guān)系為混合膜層的折射率與膜層濃度之間的關(guān)系，其中，所述混合膜層包括第一子膜層和第二子膜層，所述第一子膜層對應的第一膜層材料的第一折射率大于所述第二子膜層對應的第二膜層材料的第二折射率，所述膜層濃度為所述混合膜層中所述第一子膜層的膜層濃度或所述第二子膜層的膜層濃度。

處理模塊230，根據(jù)所述基準對應關(guān)系以及所述制備數(shù)據(jù)，得到所述漸變折射率薄膜的制備參數(shù)。

進一步的，第二獲取模塊220，具體用于根據(jù)第一預設模型、所述第一折射率以及所述第二折射率得到混合膜層的折射率與膜層濃度之間的關(guān)系，將該關(guān)系作為所述基準對應關(guān)系。

進一步的，如圖6所示，處理模塊230包括判斷子模塊231、第一處理子模塊232和第二處理子模塊233。

判斷子模塊231，用于根據(jù)所述第一折射率、所述第二折射率以及所述每個膜層的折射率判斷該膜層的膜層屬性。

第一處理子模塊232，用于當判斷子模塊判定所述膜層為所述混合膜層時，根據(jù)所述基準對應關(guān)系以及所述膜層對應的折射率，得到用于制備該膜層的膜層濃度，根據(jù)第二預設模型、所得到的膜層濃度以及所述膜層對應的膜層厚度，得到該膜層包括的所述第一子膜層的沉積厚度和所述第二子膜層的沉積厚度；根據(jù)該膜層包括的所述第一子膜層的沉積厚度、所述第二子膜層的沉積厚度、預設的第一生長參數(shù)以及預設的第二生長參數(shù)，得到制備該膜層時的第一循環(huán)次數(shù)和第二循環(huán)次數(shù)，其中，所述第一生長參數(shù)為所述第一膜層材料的生長速率，所述第二生長參數(shù)為所述第二膜層材料的生長速率，第一循環(huán)次數(shù)為所述第一子膜層對應的前驅(qū)體的循環(huán)次數(shù)，所述第二循環(huán)次數(shù)為所述第二子膜層對應的前驅(qū)體的循環(huán)次數(shù)。

第二處理子模塊233，用于當判斷子模塊判定所述膜層為單膜層時，根據(jù)該膜層對應的膜層厚度以及該膜層對應的膜層材料的生長速率，得到制備該膜層時與該膜層對應的前驅(qū)體的循環(huán)次數(shù)。

以上實施例中，各模塊可以是由軟件代碼實現(xiàn)，此時，上述的各模塊可存儲于電子設備100的存儲器101內(nèi)。當然，以上各模塊同樣可以由硬件例如集成電路芯片實現(xiàn)。

本發(fā)明實施例所提供的制備參數(shù)獲取裝置200，其實現(xiàn)原理及產(chǎn)生的技術(shù)效果和前述方法實施例相同，為簡要描述，裝置實施例部分未提及之處，可參考前述方法實施例中相應內(nèi)容。

第三實施例

本發(fā)明第三實施例還提供了一種漸變折射率薄膜的制備方法，所述方法包括：通過原子層沉積技術(shù)，按照上述第一實施例提供的漸變折射率薄膜制備參數(shù)獲取方法得到的制備參數(shù)，以第一膜層材料對應的前驅(qū)體以及第二膜層材料對應的前驅(qū)體為原料，在預設的基底上依次沉積多個膜層，得到漸變折射率薄膜，其中，每個膜層對應于一個折射率。當所制備的漸變折射率薄膜為rugate薄膜時，上述多個膜層的折射率成周期性分布。

具體的，可以在原子層沉積鍍膜設備中，以第一膜層材料對應的前驅(qū)體以及第二膜層材料對應的前驅(qū)體為原料，按照上述第一實施例提供的漸變折射率薄膜制備參數(shù)獲取方法得到的制備參數(shù)，在預設的基底上依次沉積多個膜層，得到漸變折射率薄膜。

可以理解的是，采用原子層沉積技術(shù)制備漸變折射率薄膜時，所需要的工藝參數(shù)除了上述第一實施例提供的漸變折射率薄膜制備參數(shù)獲取方法得到的制備參數(shù)之外，還包括其他參數(shù)，例如沉積溫度等。沉積溫度可以根據(jù)具體采用的膜層材料設置。另外，對于rugate薄膜的制備，所需要的工藝參數(shù)還包括制備周期數(shù)，制備周期數(shù)即為待制備的rugate薄膜所包括的折射率周期數(shù)量，根據(jù)具體的模系設計得到。

具體的，第一膜層材料和第二膜層材料可以根據(jù)需要設置，不同膜層材料對應的前驅(qū)體不同，對應的膜層生長速率也不同。本實施例中，第一膜層材料可以為二氧化鉿(hfo2)，第二膜層材料可以為二氧化硅(sio2)。純sio2的折射率約為1.46，純hfo2的折射率約為2.09。此時可以制備折射率在1.46到2.09之間的混合膜層，進而可以得到折射率在1.46到2.09之間變化的漸變折射率薄膜。當然，除hfo2和sio2之外，也可以根據(jù)需要采用其他的膜層材料。

通過原子層沉積技術(shù)，按照上述第一實施例提供的漸變折射率薄膜制備參數(shù)獲取方法得到的制備參數(shù)，以hfo2對應的前驅(qū)體以及sio2對應的前驅(qū)體為原料，得到的hfo2-sio2rugate薄膜，能夠?qū)崿F(xiàn)僅反射一窄的光譜區(qū)域，而透過所有其他波段的性能。例如，在一次具體制備中，將制備周期設置為22個周期，所制備的hfo2-sio2rugate薄膜，可以實現(xiàn)中心波長為532nm的窄帶濾波，該rugate薄膜的透射光譜如圖7所示，中心波長532nm的透射率為0.73％。所制備的hfo2-sio2rugate薄膜中，hfo2膜層的最小厚度d_min_h為0.0775nm，sio2膜層的最小厚度d_min_l為0.084nm。

第四實施例

本發(fā)明第四實施例提供了一種濾光片，包括基片以及根據(jù)上述第三實施例提供的制備方法制備的漸變折射率薄膜，所述漸變折射率薄膜附著在所述基片上?？梢岳斫獾氖?，當該漸變折射率薄膜為rugate薄膜時，該濾光片即為rugate濾光片。

需要說明的是，當上述第三實施例提供的制備方法中，預設的基底直接采用適用于濾光片的基片時，可以直接通過上述第三實施例提供的制備方法制備得到具有漸變折射率分布的濾光片。當然，當上述第三實施例提供的制備方法中采用的基底與適用于濾光片的基片不同時，也可以將上述第三實施例提供的制備方法得到的漸變折射率薄膜從基底上轉(zhuǎn)移并附著到適用的基片上，形成具有所需光學性能的濾光片。

在本申請所提供的幾個實施例中，應該理解到，所揭露的裝置和方法，也可以通過其它的方式實現(xiàn)。以上所描述的裝置實施例僅僅是示意性的，例如，附圖中的流程圖和框圖顯示了根據(jù)本發(fā)明的多個實施例的裝置、方法和計算機程序產(chǎn)品的可能實現(xiàn)的體系架構(gòu)、功能和操作。在這點上，流程圖或框圖中的每個方框可以代表一個模塊、程序段或代碼的一部分，所述模塊、程序段或代碼的一部分包含一個或多個用于實現(xiàn)規(guī)定的邏輯功能的可執(zhí)行指令。也應當注意，在有些作為替換的實現(xiàn)方式中，方框中所標注的功能也可以以不同于附圖中所標注的順序發(fā)生。例如，兩個連續(xù)的方框?qū)嶋H上可以基本并行地執(zhí)行，它們有時也可以按相反的順序執(zhí)行，這依所涉及的功能而定。也要注意的是，框圖和/或流程圖中的每個方框、以及框圖和/或流程圖中的方框的組合，可以用執(zhí)行規(guī)定的功能或動作的專用的基于硬件的系統(tǒng)來實現(xiàn)，或者可以用專用硬件與計算機指令的組合來實現(xiàn)。

另外，在本發(fā)明各個實施例中的各功能模塊可以集成在一起形成一個獨立的部分，也可以是各個模塊單獨存在，也可以兩個或兩個以上模塊集成形成一個獨立的部分。

所述功能如果以軟件功能模塊的形式實現(xiàn)并作為獨立的產(chǎn)品銷售或使用時，可以存儲在一個計算機可讀取存儲介質(zhì)中?；谶@樣的理解，本發(fā)明的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說對現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻的部分或者該技術(shù)方案的部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來，該計算機軟件產(chǎn)品存儲在一個存儲介質(zhì)中，包括若干指令用以使得一臺計算機設備(可以是個人計算機，服務器，或者網(wǎng)絡設備等)執(zhí)行本發(fā)明各個實施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲介質(zhì)包括：u盤、移動硬盤、只讀存儲器(rom，read-onlymemory)、隨機存取存儲器(ram，randomaccessmemory)、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)。需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設備中還存在另外的相同要素。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。應注意到：相似的標號和字母在下面的附圖中表示類似項，因此，一旦某一項在一個附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進行進一步定義和解釋。