本發(fā)明涉及顯示器技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種彩膜基板、顯示裝置和彩膜基板的制造方法。

背景技術(shù)：

液晶顯示裝置在制作和使用過程中，會產(chǎn)生靜電聚積在彩膜基板上。當(dāng)靜電積累到一定程度后，會產(chǎn)生靜電場，該靜電場會干擾液晶顯示面板內(nèi)液晶分子的電場，從而導(dǎo)致畫面異常，因此屏蔽或消除外界靜電對顯示裝置十分重要。

現(xiàn)有技術(shù)中，消除外界靜電對液晶顯示裝置的影響主要有兩種途徑：一、減少或隔絕靜電來源，此方法不能完全消除靜電積累的問題。二、通過設(shè)計(jì)電路將靜電及時(shí)導(dǎo)出，從而完全消除靜電，例如，在彩膜基板外表面設(shè)置防靜電層，再通過涂覆導(dǎo)電銀膠將防靜電層與陣列基板的接地端連接，從而達(dá)到防靜電效果。

現(xiàn)有技術(shù)中，消除靜電的電路設(shè)計(jì)，大部分的通過在黑矩陣(bm)底部或者頂部設(shè)計(jì)導(dǎo)電層或者導(dǎo)電線路，意圖將整個(gè)彩膜基板上的靜電全部導(dǎo)走。但是僅考慮導(dǎo)走bm上的靜電并不能完全消除顯示異?，F(xiàn)象，因?yàn)椴誓せ迳系膔gb彩色色阻一般都是絕緣的，外界影響也很容易在rgb彩色色阻的上耦合處形成帶電離子，并在rgb彩色色阻表面聚積，帶電離子不能迅速導(dǎo)走，仍然會對顯示裝置造成影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種彩膜基板、顯示裝置和彩膜基板的制造方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題。

第一方面，本發(fā)明提供一種彩膜基板，包括襯底基板；形成于所述襯底基板上的導(dǎo)電層；形成于所述導(dǎo)電層上，遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的黑矩陣和彩色色阻；其中，所述黑矩陣和所述彩色色阻都具有導(dǎo)電性；且所述黑矩陣和所述彩色色阻部分覆蓋所述導(dǎo)電層。

可選地，所述導(dǎo)電層為石墨烯層或ito薄膜。

可選地，所述導(dǎo)電層的厚度為1～10nm。

可選地，所述黑矩陣為金屬材質(zhì)或摻有納米導(dǎo)電顆粒的樹脂材料。

可選地，所述彩色色阻為摻有納米導(dǎo)電顆粒的樹脂材料。

可選地，所述摻有納米導(dǎo)電顆粒的樹脂材料由導(dǎo)電介質(zhì)、成膜樹脂、光敏劑、溶劑與添加劑制成。

可選地，所述導(dǎo)電介質(zhì)電阻率小于10×10^-8ω·m。

第二方面，本發(fā)明提供一種顯示裝置，包括陣列基板和上述彩膜基板，所述彩膜基板與所述陣列基板對合設(shè)置。

可選地，所述彩膜基板與所述陣列基板通過封框膠封裝，所述封框膠中設(shè)置有導(dǎo)電粒子，所述封框膠一端與所述彩膜基板上裸露的導(dǎo)電層電連接，另一端與所述陣列基板上的零電位線電連接。

第三方面，本發(fā)明提供一種彩膜基板的制造方法，包括：在襯底基板上形成導(dǎo)電層；在導(dǎo)電層上形成黑矩陣和彩色色阻；其中，所述黑矩陣和所述彩色色阻具有導(dǎo)電性；且所述黑矩陣和所述彩色色阻部分覆蓋所述導(dǎo)電層。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn)：

在彩膜基板的襯底基板上形成導(dǎo)電層，并且在導(dǎo)電層上形成具有導(dǎo)電性的黑矩陣和彩色色阻，方便將聚積在黑矩陣和彩色色阻上的靜電快速導(dǎo)到導(dǎo)電層上，黑矩陣和彩色色阻部分覆蓋導(dǎo)電層，以便裸露的導(dǎo)電層可以將彩膜基板上的靜電導(dǎo)出顯示區(qū)，提高顯示裝置的抗靜電能力，保證顯示品質(zhì)。

附圖說明

圖1所示為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種彩膜基板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2所示為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3所示為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種彩膜基板的制造方法流程圖；

圖4所示為圖3中完成步驟100后的彩膜基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲取的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

實(shí)施例一

參照圖1，為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種彩膜基板結(jié)構(gòu)示意圖。該彩膜基板包括襯底基板1、導(dǎo)電層2、黑矩陣3和彩色色阻4，所述彩色色阻為rgb色阻。如圖1所示，導(dǎo)電層2位于襯底基板1的上方，黑矩陣3和彩色色阻4位于導(dǎo)電層2的上方，其中黑矩陣3和彩色色阻4都具有導(dǎo)電性，且黑矩陣3和彩色色阻4部分覆蓋導(dǎo)電層2。

可選地，上述導(dǎo)電層2可以是石墨烯層或ito薄膜，厚度為1～10nm，在保證導(dǎo)電性能的基礎(chǔ)上，該層的厚度越薄越好。由于石墨烯具有良好的導(dǎo)電性，其電阻率只有約1ω·m，比銅和銀的電阻率還要小，是目前電阻率最小的材料，并且石墨烯透明度較好，單層或多層的石墨烯層的透過率極高，因此本實(shí)施例中優(yōu)選石墨烯作為導(dǎo)電層。當(dāng)然，該導(dǎo)電層也可以選用其他透過率較好的導(dǎo)電材料。

為了使黑矩陣3具有導(dǎo)電性，黑矩陣3可以選用金屬材料，或者摻有納米導(dǎo)電顆粒的樹脂材料。

為了使彩色色阻4具有導(dǎo)電性，彩色色阻4可以選用摻有納米導(dǎo)電顆粒的樹脂材料。

為了使上述摻有納米導(dǎo)電顆粒的樹脂材料具有良好的導(dǎo)電性和光學(xué)透明度，要求納米導(dǎo)電顆粒在樹脂基體中的分散結(jié)構(gòu)一定要小于可見光波長范圍。

本實(shí)施例中的摻有納米導(dǎo)電顆粒的樹脂材料可以由導(dǎo)電介質(zhì)、成膜樹脂、光敏劑、溶劑與添加劑制成。為保證良好的導(dǎo)電性，導(dǎo)電介質(zhì)的電阻率要小于10×10^-8ω·m。導(dǎo)電介質(zhì)可以是導(dǎo)電金屬粒子、導(dǎo)電合金粒子以及新型的導(dǎo)電材料如石墨烯等。石墨烯具有很多優(yōu)異的性能，如超高的理論比表面積(2630m²/g)，突出的導(dǎo)熱性(500w/mk)，高強(qiáng)(130gpa)高模(1060gpa)，室溫下比硅高100倍的電子遷移率(15000cm2/(vs))，電導(dǎo)率可達(dá)7200s/cm等。此外，如上述，石墨烯具有突出的導(dǎo)電性能和電子傳導(dǎo)能力，在聚合物中引入少量的石墨烯就可以得到導(dǎo)電性高、成本低和永久導(dǎo)電性的導(dǎo)電高分子材料，因此，本實(shí)施例優(yōu)選石墨烯作為導(dǎo)電介質(zhì)。此外，上述成膜樹脂為熱塑性樹脂，光敏劑為芳香族酮類衍生物或安息香醚類衍生物。

通過上述內(nèi)容可知，本發(fā)明實(shí)施例包括以下優(yōu)點(diǎn)：

在彩膜基板的襯底基板上形成導(dǎo)電層，并且在導(dǎo)電層上形成具有導(dǎo)電性的黑矩陣和彩色色阻，方便將聚積在黑矩陣和彩色色阻上的靜電快速導(dǎo)到導(dǎo)電層上，黑矩陣和彩色色阻部分覆蓋導(dǎo)電層，可以使裸露的導(dǎo)電層將靜電導(dǎo)出顯示區(qū)，例如通過導(dǎo)電的封框膠與陣列基板的零電位線連接，最終將彩膜基板上的靜電通過導(dǎo)電層引至零電位線導(dǎo)出顯示區(qū)，提高顯示裝置的抗靜電能力，保證顯示品質(zhì)。

實(shí)施例二

參照圖2，為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置結(jié)構(gòu)示意圖。該顯示裝置包括陣列基板和上述彩膜基板，彩膜基板與陣列基板通過封框膠9進(jìn)行封裝。其中，陣列基板包括基底5及形成于基底5上方的tft陣列6，在陣列基板上還設(shè)有零電位線10；封框膠9內(nèi)設(shè)有導(dǎo)電粒子11，封框膠9的一端與彩膜基板上裸露的導(dǎo)電層2電連接，另一端與陣列基板的零電位線10電連接；在陣列基板和彩膜基板之間還填充有液晶7，并且在彩膜基板和陣列基板之間設(shè)有隔墊物8進(jìn)行支撐。

可選地，上述位于封框膠9內(nèi)的導(dǎo)電粒子11可以為一個(gè)實(shí)心金屬球，為了保證實(shí)心金屬球與兩端的導(dǎo)電層2和零電位線10緊密電連接，要求實(shí)心金屬球的直徑略大于彩膜基板和陣列基板間的距離，這樣，在兩個(gè)基板通過封框膠9封裝時(shí)，實(shí)心金屬球在兩基板的壓力下發(fā)生變形，實(shí)現(xiàn)實(shí)心金屬球與導(dǎo)電層2和零電位線10的緊密電連接，防止接觸不良現(xiàn)象的發(fā)生，保證其導(dǎo)電的可靠性。

這樣的結(jié)構(gòu)，可以將彩膜基板上黑矩陣3和彩色色阻4上的聚積的靜電導(dǎo)到導(dǎo)電層2上，進(jìn)而通過與之電連接的，位于封框膠9內(nèi)的導(dǎo)電粒子11導(dǎo)到陣列基板的零電位線10上，最終將彩膜基板上的靜電導(dǎo)出顯示區(qū)。

通過上述內(nèi)容可知，本發(fā)明實(shí)施例包括以下優(yōu)點(diǎn)：

在彩膜基板的襯底基板上形成導(dǎo)電層，并且在導(dǎo)電層上形成具有導(dǎo)電性的黑矩陣和彩色色阻，方便將聚積在黑矩陣和彩色色阻上的靜電快速導(dǎo)到導(dǎo)電層上，黑矩陣和彩色色阻部分覆蓋導(dǎo)電層，以便裸露的導(dǎo)電層通過封框膠與陣列基板的零電位線連接，最終將彩膜基板上的靜電通過導(dǎo)電層引至零電位線導(dǎo)出顯示區(qū)，提高顯示裝置的抗靜電能力，保證顯示品質(zhì)。

實(shí)施例三

參照圖3，為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種彩膜基板的制造方法流程圖。該方法包括如下步驟：

步驟100，在襯底基板上形成導(dǎo)電層。

該步驟中，形成導(dǎo)電層2的方法可以采用濺射或者熱蒸發(fā)。

導(dǎo)電層2的材料可以是石墨烯層或ito薄膜，厚度為1～10nm，在保證導(dǎo)電性能的基礎(chǔ)上，該層的厚度越薄越好。由于石墨烯的具有良好的導(dǎo)電性，其電阻率只有約1ω·m，比銅和銀的電阻率還要小，是目前電阻率最小的材料，并且石墨烯透明度較好，單層或多層的石墨烯層的透過率極高，因此本實(shí)施例中優(yōu)選石墨烯作為導(dǎo)電層。當(dāng)然，該導(dǎo)電層也可以選用其他透過率較好的導(dǎo)電材料。

經(jīng)過步驟100后，形成的結(jié)構(gòu)如圖4所示。

步驟200，在導(dǎo)電層上形成黑矩陣和彩色色阻。

其中，黑矩陣和彩色色阻具有導(dǎo)電性；且黑矩陣和彩色色阻部分覆蓋導(dǎo)電層。

為了使黑矩陣3具有導(dǎo)電性，黑矩陣3可以選用金屬材料，或者摻有納米導(dǎo)電顆粒的樹脂材料。

為了使彩色色阻4具有導(dǎo)電性，彩色色阻4可以選用摻有納米導(dǎo)電顆粒的樹脂材料。

為了使上述摻有納米導(dǎo)電顆粒的樹脂材料具有良好的導(dǎo)電性和光學(xué)透明度，要求納米導(dǎo)電顆粒在樹脂基體中的分散結(jié)構(gòu)一定要小于可見光波長范圍。

上述摻有納米導(dǎo)電顆粒的樹脂材料可以由導(dǎo)電介質(zhì)、成膜樹脂、光敏劑、溶劑與添加劑制成。為保證良好的導(dǎo)電性，導(dǎo)電介質(zhì)的電阻率要小于10×10^-8ω·m。導(dǎo)電介質(zhì)可以是導(dǎo)電金屬粒子、導(dǎo)電合金粒子以及新型的導(dǎo)電材料如石墨烯等。石墨烯具有很多優(yōu)異的性能，如超高的理論比表面積(2630m²/g)，突出的導(dǎo)熱性(500w/mk)，高強(qiáng)(130gpa)高模(1060gpa)，室溫下比硅高100倍的電子遷移率(15000cm2/(vs))，電導(dǎo)率可達(dá)7200s/cm等。此外，如上述，石墨烯具有突出的導(dǎo)電性能和電子傳導(dǎo)能力，在聚合物中引入少量的石墨烯就可以得到導(dǎo)電性高、成本低和永久導(dǎo)電性的導(dǎo)電高分子材料，因此，本實(shí)施例優(yōu)選石墨烯作為導(dǎo)電介質(zhì)。此外，上述成膜樹脂為熱塑性樹脂，光敏劑為芳香族酮類衍生物或安息香醚類衍生物。

該步驟中，通過構(gòu)圖工藝在導(dǎo)電層上形成黑矩陣和彩色色阻，具體的，該構(gòu)圖工藝可以包括光刻膠涂敷、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝，其具體步驟可以參考現(xiàn)有技術(shù)中形成黑矩陣和彩色色阻的具體步驟，本發(fā)明實(shí)施例在此不做贅述。

經(jīng)過步驟200后，形成的結(jié)構(gòu)參照圖1所示。

通過上述內(nèi)容可知，本發(fā)明實(shí)施例包括以下優(yōu)點(diǎn)：

在彩膜基板的襯底基板上形成導(dǎo)電層，并且在導(dǎo)電層上形成具有導(dǎo)電性的黑矩陣和彩色色阻，方便將聚積在黑矩陣和彩色色阻上的靜電快速導(dǎo)到導(dǎo)電層上，黑矩陣和彩色色阻部分覆蓋導(dǎo)電層，可以使裸露的導(dǎo)電層將靜電導(dǎo)出顯示區(qū)，例如通過導(dǎo)電的封框膠與陣列基板的零電位線連接，最終將彩膜基板上的靜電通過導(dǎo)電層引至零電位線導(dǎo)出顯示區(qū)，提高顯示裝置的抗靜電能力，保證顯示品質(zhì)。

本說明書中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見即可。對于系統(tǒng)實(shí)施例而言，由于其與方法實(shí)施例基本相似，所以描述的比較簡單，相關(guān)之處參見方法實(shí)施例的部分說明即可。

盡管已描述了本發(fā)明實(shí)施例的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實(shí)施例做出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本發(fā)明實(shí)施例范圍的所有變更和修改。

最后，還需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者終端設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者終端設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者終端設(shè)備中還存在另外的相同要素。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。