技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種基于復(fù)合波導(dǎo)的橫向電場通過的偏振器。包括入射硅波導(dǎo)和出射硅波導(dǎo)以及在入射硅波導(dǎo)和出射硅波導(dǎo)之間的中間耦合部分，中間耦合部分是置于SOI襯底上的五層波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，五層波導(dǎo)結(jié)構(gòu)從下至上依次是下硅層、下二氧化硅層、上硅層、上二氧化硅層和金屬鉻層；從入射硅波導(dǎo)傳輸過來的TM模經(jīng)過所述中間耦合部分時從下二氧化硅層耦合到上二氧化硅層并被金屬鉻層吸收衰減，從入射硅波導(dǎo)傳輸過來的TE模經(jīng)過所述中間耦合部分時沿下二氧化硅層傳輸不會耦合到上二氧化硅層，具有尺寸小、消光比高、插入損耗低的優(yōu)勢，能夠減小耦合損耗，易于光學(xué)集成。

技術(shù)研發(fā)人員：郝然;朱海霞;李爾平;葉子威;彭希亮
受保護(hù)的技術(shù)使用者：浙江大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.22
技術(shù)公布日：2017.09.05