本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示面板、顯示裝置及顯示面板的制作方法。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的極速進(jìn)步，液晶顯示面板得到廣泛普及。液晶顯示面板主要由對向設(shè)置的彩膜基板、陣列基板以及位于該兩個(gè)基板之間的液晶層組成。

陣列基板一般包括顯示區(qū)與非顯示區(qū)，顯示區(qū)內(nèi)包括像素電極，每個(gè)像素電極中設(shè)置有薄膜晶體管。薄膜晶體管的漏極與數(shù)據(jù)線電連接，薄膜晶體管的柵極與掃描線電連接。非顯示區(qū)一般包括移位寄存器與靜電釋放單元，上述移位寄存器與多條掃描線以及靜電釋放單元電連接，以向掃描線提供移位信號；上述靜電釋放單元將顯示面板中產(chǎn)生的靜電予以釋放。

彩膜基板和陣列基板進(jìn)行對盒工藝時(shí)，一般使用封框膠進(jìn)行封裝，并通過紫外線進(jìn)行紫外固化。然而，移位寄存器與靜電釋放單元的金屬連接線一般會與封框膠區(qū)域重疊。尤其是對于矩形顯示面板，往往在拐角區(qū)域的封框膠的量較多。此時(shí)，上述金屬連接線會影響封框膠區(qū)域的透過率，降低了對封框膠進(jìn)行紫外固化的效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請的目的在于提出一種顯示面板、顯示裝置及顯示面板的制作方法，來解決以上背景技術(shù)部分提到的技術(shù)問題。

第一方面，本申請?zhí)峁┝艘环N顯示面板，顯示面板包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)，非顯示區(qū)包圍顯示區(qū)；上述顯示區(qū)包括公共電極、多條沿第一方向延伸的數(shù)據(jù)線和多條沿第二方向延伸的掃描線；上述公共電極形成于第一透明電極層和第一金屬層；多條上述數(shù)據(jù)線和多條上述掃描線交叉限定出多個(gè)像素區(qū)域，每個(gè)上述像素區(qū)域包括一個(gè)像素電極和與上述像素電極電連接的薄膜晶體管；上述薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極和有源層，上述有源層在上述源極和上述漏極之間形成導(dǎo)電溝道；上述柵極形成于上述第一金屬層，上述源極和上述漏極形成于第二金屬層，上述有源層形成于上述第一金屬層和上述第二金屬層之間，上述像素電極形成于第二透明電極層；上述漏極通過過孔與上述像素電極電連接；上述第一金屬層和上述有源層之間形成有第一絕緣層，上述第二金屬層和上述第二透明電極層之間形成有第二絕緣層；上述非顯示區(qū)包括靜電釋放單元、移位寄存器以及圍繞上述顯示區(qū)的封框膠區(qū)域；上述靜電釋放單元與上述公共電極、上述移位寄存器電連接，上述移位寄存器與多條上述掃描線電連接；上述封框膠區(qū)域的中心線包括由多個(gè)弧線連通的多條線段；上述靜電釋放單元與上述移位寄存器的連接線的一部分位于上述弧線對應(yīng)的封框膠區(qū)域；上述連接線包括在上述弧線對應(yīng)的封框膠區(qū)域內(nèi)的第一子連接線，上述第一子連接線形成于上述第一透明電極層。

第二方面，本申請?zhí)峁┝艘环N顯示面板的制作方法，上述方法包括：在上述基板上依次沉積第一透明電極層、第一金屬層和第一光刻膠層；利用第一掩膜版通過光刻工藝使上述第一透明電極層和上述第一金屬層形成柵極、公共電極以及封框膠區(qū)域中弧線對應(yīng)區(qū)域中的連接線，其中，上述封框膠區(qū)域的中心線包括由多個(gè)上述弧線連通的多條線段，上述連接線用于電連接靜電釋放單元和移位寄存器，上述連接線包括第一子連接線，上述第一子連接線形成于上述第一透明電極層；在上述柵極和上述公共電極上依次沉積第一絕緣層、多晶硅層、第二金屬層和第二光刻膠層；利用第二掩膜版通過光刻工藝使上述多晶硅層形成有源層，使上述第二金屬層形成源極和漏極；在上述源極、上述漏極和上述有源層上依次沉積第二絕緣層和第三光刻膠層；利用第三掩膜版通過光刻工藝在上述第二絕緣層上形成與上述源極連接的過孔；在上述第二絕緣層上依次沉積第二透明電極層和第四光刻膠層；利用第四掩膜版通過光刻工藝使上述第二透明電極層形成像素電極。

第三方面，本申請?zhí)峁┝艘环N顯示裝置，上述顯示裝置包括上述實(shí)施例上述的顯示面板。

本申請?zhí)峁┑娘@示面板、顯示裝置及顯示面板的制作方法，移位寄存器與靜電釋放單元的連接線的一部分位于封框膠區(qū)域內(nèi)，且上述封框膠區(qū)域的中心線包括多條弧線連通的多條線段，上述連接線在弧線對應(yīng)的封框膠區(qū)域內(nèi)的第一子連接線有透明電極層形成，提高了在弧線對應(yīng)區(qū)域的封框膠的透過率，從而提高了封框膠的紫外固化效率。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本申請的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會變得更明顯：

圖1a是根據(jù)本申請的顯示面板的一個(gè)實(shí)施例的俯視圖；

圖1b是圖1a所示顯示面板的像素區(qū)域的俯視圖；

圖1c是圖1b所示像素區(qū)域沿xx’方向的截面示意圖；

圖1d是圖1a所示顯示面板的弧線對應(yīng)的封框膠區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2a是圖1a所示的顯示面板100的靜電釋放單元與移位寄存器之間的連接線的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2b是圖2a所示的結(jié)構(gòu)沿yy’方向的截面示意圖；

圖3是根據(jù)本申請的顯示面板的靜電釋放單元的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是根據(jù)本申請的顯示面板的制作方法的一個(gè)實(shí)施例的流程示意圖；

圖4a～圖4i是圖4所示方法的顯示面板的具體形成步驟的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是根據(jù)本申請的顯示裝置的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本申請作進(jìn)一步的詳細(xì)說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋相關(guān)發(fā)明，而非對該發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與有關(guān)發(fā)明相關(guān)的部分。

需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本申請。

圖1a示出了根據(jù)本申請的顯示面板的一個(gè)實(shí)施例的俯視圖。本實(shí)施例的顯示面板包括顯示區(qū)aa和顯示區(qū)aa之外的非顯示區(qū)da。顯示區(qū)aa是指用于顯示圖像的區(qū)域，其包括多個(gè)像素電極10b、公共電極(圖1a中未示出)、多條沿第一方向d1延伸的數(shù)據(jù)線12和多條沿第二方向d2延伸的掃描線11。非顯示區(qū)da是指沒有顯示圖像的區(qū)域，其包括靜電釋放單元、移位寄存器以及圍繞顯示區(qū)aa的封框膠區(qū)域13。上述多條掃描線11和多條數(shù)據(jù)線12交叉限定出多個(gè)像素區(qū)域10，每個(gè)像素區(qū)域10包括一個(gè)像素電極10b和與像素電極10b電連接的薄膜晶體管10a。

像素區(qū)域10的具體結(jié)構(gòu)示意圖可參考圖1b，如圖1b所示，每個(gè)像素區(qū)域10包括公共電極101、柵極102、有源層103、源極104、漏極105以及像素電極106。柵極102、有源層103、漏極104以及源極105組成薄膜晶體管，有源層103在漏極104和源極105之間形成導(dǎo)電溝道。漏極104可以通過過孔107與像素電極106電連接，源極105可以與數(shù)據(jù)線12電連接。

本實(shí)施例的像素電極包括多條刻縫，這樣可以增強(qiáng)像素電極與公共電極之間的水平電場，有利于顯示面板中液晶分子的旋轉(zhuǎn)。

進(jìn)一步參考圖1c，其示出了圖1b所示的像素區(qū)域在xx’方向的截面示意圖。公共電極101包括形成于第一透明電極層的第一部分1011和形成于第一金屬層的第二部分1012；柵極102形成于第一金屬層以及第一透明電極層；漏極104和源極105形成于第二金屬層；有源層103形成于第一金屬層和第二金屬層之間；像素電極106形成于第二透明電極層；漏極104通過過孔107與像素電極106電連接。在上述第一金屬層和有源層103之間形成有第一絕緣層108，在上述第二金屬層和上述第二透明電極層之間形成有第二絕緣層109，上述各層均形成于基板110之上。

現(xiàn)有的像素電極結(jié)構(gòu)，在基板上形成的各層的順序一般為第一金屬層(用于形成柵極)、第一絕緣層、有源層、第二金屬層(用于形成源極和漏極)、第二絕緣層、公共電極層、像素電極層。在這種像素電極的制作過程中，通常需要五道掩膜版來制作，上述五道掩膜版分別用于制作柵極、有源層、源極和漏極、公共電極以及像素電極。

相比于現(xiàn)有的像素電極結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例的像素電極結(jié)構(gòu)只需要四道掩膜版，上述四道掩膜版分別用于制作柵極和公共電極、有源層、源極和漏極以及像素電極。這樣，有效地減少了像素電極的制作工藝，節(jié)省了制作過程中所使用的掩膜版，降低了制作成本。

在本實(shí)施例的一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，公共電極101也可以只包括形成于第一透明電極層的第一部分1011。由于透明電極層一般由ito(indiumtinoxide，氧化銦錫)制成，其電阻較大。形成于第一金屬層的第二部分1012的電阻相對于形成于第一透明電極層的第一部分1011的電阻要小很多。通過將形成于第一金屬層的第二部分1012與形成于第一透明電極層的第一部分1011并聯(lián)，可以有效地減小公共電極101的整體電阻，有利于信號在公共電極101中的傳輸。

本實(shí)施例的上述像素結(jié)構(gòu)，可以將第一連接線的制作集成在柵極和公共電極的制作工藝中，從而在不增加工藝復(fù)雜度的前提下提高了弧線對應(yīng)的封框膠區(qū)域的透過率；進(jìn)一步地，上述連接線可以利用同一個(gè)半色調(diào)掩膜版制成，節(jié)約了制作成本。

進(jìn)一步參考圖1d，其示出了圖1a所示顯示面板100的弧線對應(yīng)的封框膠區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1d所示，非顯示區(qū)da內(nèi)還包括靜電釋放單元14、移位寄存器15以及圍繞顯示區(qū)aa的封框膠區(qū)域13。其中，靜電釋放單元14分別與公共電極101、移位寄存器15電連接，移位寄存器15與多條掃描線11電連接。封框膠區(qū)域13為一條圍繞顯示區(qū)aa的帶狀結(jié)構(gòu)，其中心線131包括多個(gè)弧線連通的多條線段?？梢岳斫獾氖?，本實(shí)施例中的中心線131為封框膠區(qū)域13各中心點(diǎn)依次連接而成的特征線，上述中心點(diǎn)為封框膠區(qū)域13的每兩個(gè)相對的邊之間的中心點(diǎn)。

上述靜電釋放單元14與移位寄存器15的連接線的一部分可以位于上述弧線對應(yīng)的封框膠區(qū)域(如圖1d中的扇形區(qū)域)，即上述連接線可以橫跨上述弧線對應(yīng)的封框膠區(qū)域，也可以被上述弧線對應(yīng)的封框膠區(qū)域覆蓋。本實(shí)施例中，上述連接線的在弧線對應(yīng)的封框膠區(qū)域內(nèi)的第一子連接線161形成于第一透明電極層，也就是說，上述第一子連接線161只由ito形成。可以理解的是，盡管圖1d中對上述弧線對應(yīng)的封框膠區(qū)域進(jìn)行了限定，但這僅僅是示意性的，不構(gòu)成對弧線對應(yīng)的封框膠區(qū)域的形狀的限定，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場景設(shè)置弧線對應(yīng)的封框膠區(qū)域的形狀。

本申請的上述實(shí)施例提供的顯示面板，移位寄存器與靜電釋放單元的連接線的一部分位于弧線對應(yīng)的封框膠區(qū)域，通過將位于弧線對應(yīng)的封框膠區(qū)域的第一子連接線設(shè)置為只由第一透明電極層形成，有效地增加了弧線對應(yīng)的封框膠區(qū)域的透過率，提高了對封框膠進(jìn)行紫外固化的效率。

在本實(shí)施例的一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，上述靜電釋放單元14還可以位于封框膠區(qū)域13與顯示區(qū)aa之間，這樣，可以減小靜電釋放單元14與公共電極101之間的連接線的長度，可以盡快將顯示面板100中產(chǎn)生的靜電予以釋放。

在本實(shí)施例的一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，上述公共電極101為塊狀電極，每塊公共電極101向基板110的正投影可以覆蓋多個(gè)像素區(qū)域。上述顯示面板100還可以包括公共信號線，每個(gè)公共電極101可以與至少一條公共信號線對應(yīng)電連接，各公共信號線與驅(qū)動芯片電連接。進(jìn)一步地，多個(gè)公共電極101可以在顯示面板100上呈陣列排布，且各公共電極101在觸控階段可以復(fù)用為觸控電極。觸控電極在觸控階段接收觸控掃描信號，并感應(yīng)觸控操作生成觸控感應(yīng)信號，之后向驅(qū)動芯片返回觸控感應(yīng)信號以供驅(qū)動芯片根據(jù)返回的觸控感應(yīng)信號確定觸控位置。

參見圖2a，其示出了圖1a所示的顯示面板100的靜電釋放單元與移位寄存器之間的連接線的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2a所示，靜電釋放單元24與移位寄存器25之間的連接線26還包括位于弧線對應(yīng)的封框膠區(qū)域之外的第二子連接線262和第三子連接線263，上述第二子連接線262連接靜電釋放單元24及第一子連接線261，上述第三子連接線263連接第一子連接線261及移位寄存器25。

結(jié)合圖2b，其示出了圖2a所示的結(jié)構(gòu)沿yy’方向的截面示意圖。如圖2b所示，第二子連接線262包括第一段2621及第二段2622，上述第一段2621形成于第一金屬層，上述第二段2622形成于第一透明電極層；第三子連接線263包括第三段2631及第四段2632，上述第三段2631形成于第一金屬層，上述第四段2632形成于第一透明電極層。且上述第一金屬層與第一透明電極層電連接，即第一段2621與第二段2622相互電連接，第三段2631與第四段2632相互電連接。在這里，第一透明電極層與第一金屬層相互接觸。

本申請的上述實(shí)施例提供的顯示面板，為了提高弧線對應(yīng)的封框膠區(qū)域的封框膠的紫外固化效率，將弧線對應(yīng)的封框膠區(qū)域的第一子連接線設(shè)置為由第一透明電極層形成，這樣增加了弧線對應(yīng)的封框膠區(qū)域的透過率，有利于該區(qū)域的封框膠的固化；而對于其它區(qū)域，由于封框膠的量相對于弧線對應(yīng)的區(qū)域的封框膠的量較少，設(shè)置該區(qū)域內(nèi)的連接線由第一透明電極層和第一金屬層并聯(lián)形成，可以有效地減小該區(qū)域內(nèi)的連接線的電阻，同時(shí)不影響該區(qū)域內(nèi)的封框膠的固化；并且上述連接線的制作可以集成于柵極和公共電極的制作工藝中，不會增加顯示面板的制作工藝難度，節(jié)約了制作成本。

圖3示出了根據(jù)本申請的顯示面板的靜電釋放單元的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3所示，本實(shí)施例的靜電釋放單元包括第一晶體管301及第二晶體管302。其中，第一晶體管301的柵極、第一晶體管301的第一極以及第二晶體管302的第二極與移位寄存器vsr電連接；第一晶體管301的第二極、第二晶體管302的柵極以及第二晶體管302的第一極與公共電極電連接。

本實(shí)施例中，移位寄存器vsr的輸出端通常與多條掃描線電連接，用以向各掃描線提供移位信號，其輸入端通常包括至少一條時(shí)鐘信號線、至少一條輸入信號線等，這些輸入端都與一個(gè)靜電釋放單元電連接，這樣，掃描線上產(chǎn)生的靜電可通過移位寄存器vsr導(dǎo)入公共電極，并通過公共電極釋放。

本申請的上述實(shí)施例提供的顯示面板，可以將掃描線產(chǎn)生的靜電通過靜電釋放單元予以釋放，減小了靜電對顯示面板的損傷，提高了顯示面板的制作良率。

圖4示出了根據(jù)本申請的顯示面板的制作方法的一個(gè)實(shí)施例的流程400。如圖4所示，本實(shí)施例的顯示面板的制作方法包括以下步驟：

步驟401，在基板上依次沉積第一透明電極層、第一金屬層和第一光刻膠層。

本實(shí)施例中，第一透明導(dǎo)電層可以由透明金屬氧化物半導(dǎo)體摻雜離子而形成。例如，向透明金屬氧化物半導(dǎo)體注入金屬離子或氫離子等，以提高第一透明導(dǎo)電層的電導(dǎo)率。

步驟402，利用第一掩膜版通過光刻工藝使第一透明電極層和第一金屬層形成柵極、公共電極以及封框膠區(qū)域中弧線對應(yīng)區(qū)域中的連接線。

其中，封框膠區(qū)域的中心線包括由多個(gè)弧線連通的多條線段，上述連接線用于電連接靜電釋放單元和移位寄存器，上述連接線包括第一子連接線，且第一子連接線形成于第一透明電極層。

本實(shí)施例中，靜電釋放單元與移位寄存器之間的連接線的一部分位于弧線對應(yīng)的封框膠區(qū)域。一般情況下，矩形顯示面板的拐角處所涂覆的封框膠的量較大，造成顯示面板拐角處的封框膠難以紫外固化。本實(shí)施例中，設(shè)置位于弧線對應(yīng)的封框膠區(qū)域(即拐角區(qū)域)內(nèi)的連接線只由第一透明電極層形成，可以提高此處的封框膠的透過率，從而提高了此處的封框膠的紫外固化效率。

本實(shí)施例中，第一掩膜版可以是能形成具有厚度差的光刻膠圖案的掩膜版。

在本實(shí)施例的一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，上述步驟402具體可以通過圖4中未示出的以下步驟來實(shí)現(xiàn)：

利用第一掩膜版通過光刻工藝使所述第一光刻膠層形成第一光刻膠圖案，上述第一光刻膠圖案覆蓋第一金屬層中柵極對應(yīng)的區(qū)域和公共電極對應(yīng)的區(qū)域，暴露第一金屬層中與封框膠區(qū)域中的弧線對應(yīng)的區(qū)域；通過刻蝕工藝將暴露區(qū)域去除；去除所述第一光刻膠圖案。

步驟403，在柵極和公共電極上依次沉積第一絕緣層、多晶硅層、第二金屬層和第二光刻膠層。

本實(shí)施例中，多晶硅層用以在薄膜晶體管的源極和漏極間提供載流子。

步驟404，利用第二掩膜版通過光刻工藝使多晶硅層形成有源層，使第二金屬層形成源極和漏極。

步驟405，在源極、漏極和有源層上依次沉積第二絕緣層和第三光刻膠層。

步驟406，利用第三掩膜版通過光刻工藝在第二絕緣層上形成于源極電連接的過孔。

步驟407，在第二絕緣層上依次沉積第二透明電極層和第四光刻膠層。

步驟408，利用第四掩膜版通過光刻工藝使第二透明電極層形成像素電極。

本領(lǐng)域技術(shù)人員可以明白，在陣列基板的制作工藝中，除了本實(shí)施例公開的各工藝步驟之外，還包括其它的一些公知的工藝步驟(例如，形成襯底基板的工藝等)。為了不模糊本實(shí)施例的核心工藝步驟，在描述本實(shí)施例的陣列基板的制作方法時(shí)，略去了對這些公知的工藝步驟的描述。

下面結(jié)合圖4a～圖4i來進(jìn)一步展示本實(shí)施例的顯示面板的具體形成步驟。

首先，如圖4a所示，在基板410上依次沉積第一透明電極層401、第一金屬層402以及第一光刻膠層(圖4a中未示出)。然后利用第一掩膜版通過光刻工藝使第一透明電極層401以及第一金屬層402形成柵極411、公共電極412以及封框膠區(qū)域中弧線對應(yīng)區(qū)域中的連接線(圖4b中未示出)，如圖4b所示。在得到的柵極411、公共電極412以及封框膠區(qū)域中弧線對應(yīng)區(qū)域中的連接線上沉積第一絕緣層403，如圖4c所示。

在圖4c所示的結(jié)構(gòu)上依次沉積多晶硅層404、第二金屬層405以及第二光刻膠層(圖4d中未示出)，如圖4d所示。然后利用第二掩膜版通過光刻工藝使多晶硅層404形成有源層413，使第二金屬層405形成漏極414和源極415，如圖4e所示。在得到的有源層413、漏極414和源極415的結(jié)構(gòu)上沉積第二絕緣層406，如圖4f所示。

在圖4f所示的結(jié)構(gòu)上沉積第三光刻膠層，然后利用第三掩膜版通過光刻工藝在第二絕緣層406上形成與源極415連接的過孔416，如圖4g所示。在上述第二絕緣層406上依次沉積第二透明電極層407和第四光刻膠層(圖4h中未示出)，如圖4h所示。然后利用第四掩膜版通過光刻工藝使上述第二透明電極層407形成像素電極417，如圖4i所示。

在本實(shí)施例的一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，上述第一掩膜版為半色調(diào)掩膜版。

在本實(shí)施例的一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，上述第一光刻膠圖案還覆蓋第一金屬層402中待形成掃描線的區(qū)域。

本申請的上述實(shí)施例提供的顯示面板的制作方法，提高了顯示面板的拐角區(qū)域的封框膠的透過率，從而提高了封框膠的紫外固化效率；同時(shí)，在顯示面板的制作過程中只需要四道掩膜版，有效地簡化了顯示面板的制作工藝流程，提高了顯示面板的制作效率。

如圖5所示，本申請還提供了一種顯示裝置500，包括上述各實(shí)施例描述的顯示面板。該顯示裝置通過將位于弧線對應(yīng)的封框膠區(qū)域的第一子連接線設(shè)置為只由第一透明電極層形成，有效地增加了弧線對應(yīng)的封框膠區(qū)域的透過率，提高了對封框膠進(jìn)行紫外固化的效率。

以上描述僅為本申請的較佳實(shí)施例以及對所運(yùn)用技術(shù)原理的說明。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，本申請中所涉及的發(fā)明范圍，并不限于上述技術(shù)特征的特定組合而成的技術(shù)方案，同時(shí)也應(yīng)涵蓋在不脫離所述發(fā)明構(gòu)思的情況下，由上述技術(shù)特征或其等同特征進(jìn)行任意組合而形成的其它技術(shù)方案。例如上述特征與本申請中公開的(但不限于)具有類似功能的技術(shù)特征進(jìn)行互相替換而形成的技術(shù)方案。