本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示面板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

液晶顯示器具有機(jī)身薄、省電、無(wú)輻射等眾多優(yōu)點(diǎn)，得到了廣泛的應(yīng)用?，F(xiàn)有市場(chǎng)上的液晶顯示器大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶面板及背光模組(backlightmodule)。液晶面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當(dāng)中放置液晶分子，并在兩片玻璃基板上施加驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)控制液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向，以將背光模組的光線折射出來(lái)產(chǎn)生畫(huà)面。

其中，薄膜晶體管液晶顯示器(thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay，tft-lcd)由于具有低的功耗、優(yōu)異的畫(huà)面品質(zhì)以及較高的生產(chǎn)良率等性能，目前已經(jīng)逐漸占據(jù)了顯示領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。同樣，薄膜晶體管液晶顯示器包含液晶面板和背光模組，液晶面板包括彩膜基板(colorfiltersubstrate，cfsubstrate，也稱彩色濾光片基板)、薄膜晶體管陣列基板(thinfilmtransistorsubstrate，tftsubstrate)和光罩(mask)，上述基板的相對(duì)內(nèi)側(cè)存在透明電極。兩片基板之間夾一層液晶分子(liquidcrystal，lc)。

然而，顯示面板的電路中，其中的元器件容易被esd(electrostaticdischarge，靜電放電)所損傷。尤其當(dāng)esd電壓出現(xiàn)在畫(huà)素陣列上時(shí)，制作于該畫(huà)素陣列旁的esd防護(hù)電路，電路內(nèi)所使用的元件不具有較低的崩潰電壓(breakdownvoltage)或較快的導(dǎo)通速度，往往不能及時(shí)導(dǎo)通來(lái)排放esd放電電流。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種擁有加大esd放電電流的保護(hù)電路的顯示面板。

此外，本發(fā)明還提供一種顯示裝置。

本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的：

一種顯示面板，所述顯示面板包括：

基板，設(shè)有多個(gè)像素區(qū)；

靜電放電電路，所述靜電放電電路設(shè)置在所述基板上；

所述靜電放電電路包括與所述顯示面板的元器件耦合的高電平接線端、低電平接線端、靜電輸入端以及公共端；以及

第一放電單元：所述第一放電單元包括一個(gè)第一p型薄膜晶體管和一個(gè)第二p型薄膜晶體管，所述第一p型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述高電平接線端連接，所述第一p型薄膜晶體管的源極與所述靜電輸入端連接，所述第二p型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述第一p型薄膜晶體管的源極連接，所述第二p型薄膜晶體管的源極與所述低電平接線端連接；

第二放電單元：所述第二放電單元的輸入端與所述靜電輸入端連接，所述第二放電單元的輸出端與所述公共端連接。

其中，所述第二放電單元包括一端與所述公共端連接的第一導(dǎo)電線，所述公共端接地連接。高電平接線端(vgh)與低電平接線端(vgl)之間的所用的導(dǎo)電線所需的線寬較小，這樣相當(dāng)于會(huì)有一個(gè)比較大的電阻所，相對(duì)的泄流電流也比較小，第一放電單元單獨(dú)發(fā)揮泄流的能力可能不夠。而第二導(dǎo)電線用于接地端(gnd)連接，它的線寬都遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于vgh、vgl的線寬，所以可以排泄掉的電流會(huì)比原本來(lái)的大，以達(dá)到更好的防護(hù)效果。

其中，所述第二放電單元包括一端與所述公共端連接的第一導(dǎo)電線，所述公共端與所述顯示面板的公共電壓端連接。高電平接線端(vgh)與低電平接線端(vgl)之間的所用的導(dǎo)電線所需的線寬較小，這樣相當(dāng)于會(huì)有一個(gè)比較大的電阻所，相對(duì)的泄流電流也比較小，第一放電單元單獨(dú)發(fā)揮泄流的能力可能不夠。而第二導(dǎo)電線用于公共電壓端(vcom)連接，它的線寬都遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于vgh、vgl的線寬，所以可以排泄掉的電流會(huì)比原本來(lái)的大，以達(dá)到更好的防護(hù)效果。

其中，所述第二放電電路包括一個(gè)第三薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管的輸入端和控制端與所述靜電輸入端連接，所述第三薄膜晶體管的輸出端與所述公共端連接。第二放電單元通過(guò)第三薄膜晶體管泄流，設(shè)置簡(jiǎn)單，有效可靠。

其中，所述第二放電電路包括一個(gè)電容，所述電容的第一端與所述靜電輸入端連接，所述電容的第二端與所述第三薄膜晶體管的控制端連接。利用電容具有隔直流、通交流，通高頻、阻低頻的特性，電壓笵圍在vgl～vgh時(shí)，第二放電單元不參與作用。同時(shí)電壓笵圍不在vgl～vgh時(shí)，例如瞬間有個(gè)正的大電壓時(shí)，第二放電單元能夠正常工作，不產(chǎn)生經(jīng)第二薄膜晶體管留下vgl的電流。

其中，所述第二放電電路包括一個(gè)第四薄膜晶體管，所述第四薄膜晶體管的控制端與所述低電平接線端連接，所述第四薄膜晶體管的輸出端與所述高電平接線端連接。第四薄膜晶體管的導(dǎo)通進(jìn)一步完成第二放電單元的放電功用，同時(shí)將電容的第二端的電位拉到與公共端一致，這樣當(dāng)電壓笵圍在vgl～vgh時(shí)，第三薄膜晶體管不至于導(dǎo)通放電而影響保護(hù)電路的正常工作。

其中，所述第二放電電路包括一個(gè)第三薄膜晶體管、一個(gè)電容、一個(gè)薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管的輸入端和控制端與所述靜電輸入端連接，所述第三薄膜晶體管的輸出端與所述公共端連接，所述公共端接地連接，所述電容的第一端與所述靜電輸入端連接，所述電容的第二端與所述第三薄膜晶體管的控制端連接，所述第四薄膜晶體管的輸入端與所述電容的第二端連接，所述第四薄膜晶體管的控制端與所述低電平接線端連接，所述第四薄膜晶體管的輸出端與所述高電平接線端連接。

其中，所述第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管為p型薄膜晶體管：第三p型薄膜晶體管、第四p型薄膜晶體管，所述第三p型薄膜晶體管的源極與所述第二p型薄膜晶體管的柵極連接，所述第三p型薄膜晶體管的漏極與所述公共端連接，所述公共端接地連接，所述電容的第一端與所述靜電輸入端連接，所述電容的第二端與所述第三p型薄膜晶體管的柵極連接，所述第四p型薄膜晶體管的源極與所述電容的第二端連接，所述第四p型薄膜晶體管的柵極與所述低電平接線端連接，所述第四p型薄膜晶體管的漏極與所述高電平接線端連接。這里是保護(hù)電路的一個(gè)實(shí)施方式，明確具體采用的電元件以及連接關(guān)系。

其中，所述顯示面板包括柵極集成電路，所述高電平接線端、所述低電平接線端分別于所述柵極集成電路的tft開(kāi)啟電壓端和tft關(guān)閉電壓端連接。具體vgh、vgl的連接。

根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，本發(fā)明還公開(kāi)了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括背光模組和如上所述的顯示面板。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)效果是：

本發(fā)明由于兩個(gè)相連接的第一放電單元和第二放電單元共同作用，第二放電單元的另一端與公共端連接，增加esd放電電流路徑，泄流的速度和數(shù)量得以加大，實(shí)現(xiàn)對(duì)顯示面板更好的保護(hù)效果，延長(zhǎng)使用壽命。

附圖說(shuō)明

所包括的附圖用來(lái)提供對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例的進(jìn)一步的理解，其構(gòu)成了說(shuō)明書(shū)的一部分，用于例示本申請(qǐng)的實(shí)施方式，并與文字描述一起來(lái)闡釋本申請(qǐng)的原理。顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本申請(qǐng)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。在附圖中：

圖1是本發(fā)明實(shí)施例一種顯示面板的保護(hù)電路的示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例一種顯示面板的保護(hù)電路的示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例一種顯示面板的保護(hù)電路的示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例一種顯示面板的保護(hù)電路的示意圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例一種顯示面板的保護(hù)電路的示意圖；

圖6是本發(fā)明實(shí)施例一種顯示面板的保護(hù)電路的示意圖；

圖7是本發(fā)明實(shí)施例一種顯示面板的保護(hù)電路的示意圖；

圖8是本發(fā)明實(shí)施例一種顯示面板的保護(hù)電路的示意圖；

圖9是本發(fā)明實(shí)施例一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。

其中，1、高電平接線端(vgh)；2、低電平接線端(vgl)；3、公共端；4、靜電輸入端(pin)；51、第一n型薄膜晶體管；52、第二n型薄膜晶體管；53、第一p型薄膜晶體管；54、第二p型薄膜晶體管；6、第二放電單元；61、第三n型薄膜晶體管；62、第四n型薄膜晶體管；63、第三p型薄膜晶體管；64、第四p型薄膜晶體管；81、第一放電電流；82、第二放電電流；83、第三放電電流；10、基板；11、靜電放電電路；12、柵極驅(qū)動(dòng)電路；13、源極驅(qū)動(dòng)電路；14、掃描線；15、數(shù)據(jù)線；16、像素區(qū)。

具體實(shí)施方式

這里所公開(kāi)的具體結(jié)構(gòu)和功能細(xì)節(jié)僅僅是代表性的，并且是用于描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例的目的。但是本發(fā)明可以通過(guò)許多替換形式來(lái)具體實(shí)現(xiàn)，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋成僅僅受限于這里所闡述的實(shí)施例。

在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“中心”、“橫向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個(gè)或者更多個(gè)該特征。在本發(fā)明的描述中，除非另有說(shuō)明，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上。另外，術(shù)語(yǔ)“包括”及其任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含。

在本發(fā)明的描述中，需要說(shuō)明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本發(fā)明中的具體含義。

這里所使用的術(shù)語(yǔ)僅僅是為了描述具體實(shí)施例而不意圖限制示例性實(shí)施例。除非上下文明確地另有所指，否則這里所使用的單數(shù)形式“一個(gè)”、“一項(xiàng)”還意圖包括復(fù)數(shù)。還應(yīng)當(dāng)理解的是，這里所使用的術(shù)語(yǔ)“包括”和/或“包含”規(guī)定所陳述的特征、整數(shù)、步驟、操作、單元和/或組件的存在，而不排除存在或添加一個(gè)或更多其他特征、整數(shù)、步驟、操作、單元、組件和/或其組合。

下面結(jié)合附圖和較佳的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。

作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，如圖1-2所示，所述顯示面板包括：基板，設(shè)有多個(gè)像素區(qū)；靜電放電電路，所述靜電放電電路設(shè)置在所述基板上；所述靜電放電電路包括與所述顯示面板的元器件耦合的高電平接線端、低電平接線端、靜電輸入端以及公共端；以及第一放電單元：所述第一放電單元的輸出端分別與高電平接線端和低電平接線端連接，所述第一放電單元的控制端和輸入端與所述靜電輸入端連接；第二放電單元：所述第二放電單元的輸入端與所述靜電輸入端連接，所述第二放電單元的輸出端與所述公共端連接。其中，所述第一放電單元包括一個(gè)第一薄膜晶體管和一個(gè)第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的輸出端與所述高電平接線端連接，第一薄膜晶體管的輸入端、所述第二薄膜晶體管的輸出端與所述靜電輸入端連接，所述第二薄膜晶體管的輸入端與所述低電平接線端連接。本發(fā)明由于兩個(gè)相連接的第一放電單元和第二放電單元共同作用，第二放電單元的另一端與公共端連接，增加esd放電電流路徑，泄流的速度和數(shù)量得以加大，實(shí)現(xiàn)對(duì)顯示面板更好的保護(hù)效果，延長(zhǎng)使用壽命。如圖9所示，所示基板上設(shè)置有靜電放電電路、柵極驅(qū)動(dòng)電路和源極驅(qū)動(dòng)電路，水平設(shè)置的掃描線和豎直設(shè)置的數(shù)據(jù)線與其相對(duì)應(yīng)的電路耦合連接，多條所述數(shù)據(jù)線與多條所述掃描線依次相交設(shè)置形成多個(gè)像素區(qū)。

具體的，所述第二放電單元包括一端與所述公共端連接的第一導(dǎo)電線，所述公共端接地連接。高電平接線端(vgh)與低電平接線端(vgl)之間的所用的導(dǎo)電線所需的線寬較小，這樣相當(dāng)于會(huì)有一個(gè)比較大的電阻所，相對(duì)的泄流電流也比較小，第一放電單元單獨(dú)發(fā)揮泄流的能力可能不夠。而第二導(dǎo)電線用于接地端(gnd)連接，它的線寬都遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于vgh、vgl的線寬，所以可以排泄掉的電流會(huì)比原本來(lái)的大，以達(dá)到更好的防護(hù)效果。所述第二放電單元包括一端與所述公共端連接的第一導(dǎo)電線，所述公共端與所述顯示面板的公共電壓端連接。而第二導(dǎo)電線用于公共電壓端(vcom)連接，它的線寬都遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于vgh、vgl的線寬，所以可以排泄掉的電流會(huì)比原本來(lái)的大，以達(dá)到更好的防護(hù)效果。其中，所述顯示面板包括柵極集成電路，所述高電平接線端、所述低電平接線端分別于所述柵極集成電路的薄膜晶體管開(kāi)啟電壓端和薄膜晶體管關(guān)閉電壓端連接。

作為本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，所述顯示面板包括：基板，設(shè)有多個(gè)像素區(qū)；靜電放電電路，所述靜電放電電路設(shè)置在所述基板上；所述靜電放電電路包括與所述顯示面板的元器件耦合的高電平接線端、低電平接線端、靜電輸入端以及公共端；以及第一放電單元：所述第一放電單元的輸出端分別與高電平接線端和低電平接線端連接，所述第一放電單元的控制端和輸入端與所述靜電輸入端連接；第二放電單元：所述第二放電單元的輸入端與所述靜電輸入端連接，所述第二放電單元的輸出端與所述公共端連接。其中，所述第一放電單元包括一個(gè)第一薄膜晶體管和一個(gè)第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的輸出端與所述高電平接線端連接，第一薄膜晶體管的輸入端、所述第二薄膜晶體管的輸出端與所述靜電輸入端連接，所述第二薄膜晶體管的輸入端與所述低電平接線端連接。兩個(gè)相連接的第一放電單元和第二放電單元共同作用，第二放電單元的另一端與公共端連接，增加esd放電電流路徑，泄流的速度和數(shù)量得以加大，實(shí)現(xiàn)對(duì)顯示面板更好的保護(hù)效果，延長(zhǎng)使用壽命。所述第二放電電路包括一個(gè)第三薄膜晶體管、一個(gè)電容，所述第三薄膜晶體管的輸入端和控制端與所述靜電輸入端連接，所述第三薄膜晶體管的輸出端與所述公共端連接。第二放電單元通過(guò)第三薄膜晶體管泄流，設(shè)置簡(jiǎn)單，有效可靠。所述電容的第一端與所述靜電輸入端連接，所述電容的第二端與所述第三薄膜晶體管的控制端連接。利用電容具有隔直流、通交流，通高頻、阻低頻的特性，電壓笵圍在vgl～vgh時(shí)，第二放電單元不參與作用。同時(shí)電壓笵圍不在vgl～vgh時(shí)，例如瞬間有個(gè)正的大電壓時(shí)，第二放電單元能夠正常工作，不產(chǎn)生經(jīng)第二薄膜晶體管留下vgl的電流。所以如果pin的輸入電壓笵圍在vgl～vgh間因?yàn)殡娙菰谥绷麟娏髦锌梢暈殚_(kāi)路，這個(gè)電容和薄膜晶體管是不會(huì)動(dòng)作的。

具體的，如圖3所示，所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管為n型薄膜晶體管：第一n型薄膜晶體管、第二n型薄膜晶體管，所述第一n型薄膜晶體管的源極與所述高電平接線端連接，第一n型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述第二n型薄膜晶體管的源極連接，所述第二n型薄膜晶體管的源極還與所述靜電輸入端連接，所述第二n型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述低電平接線端連接；所述第三n型薄膜晶體管的源極與第一n型薄膜晶體管的柵極連接，所述第三n型薄膜晶體管的漏極與所述公共端連接，所述公共端接地連接，所述電容的第一端與所述靜電輸入端連接，所述電容的第二端與所述第三n型薄膜晶體管的柵極連接。當(dāng)pin瞬間有個(gè)正的大電壓進(jìn)來(lái)時(shí)，則第一n型薄膜晶體管導(dǎo)通，有第一放電電流產(chǎn)生。由于pin電位瞬間變高，電容耦合特效下，電容的第二端與第三n型薄膜晶體管的柵極連接之間的點(diǎn)的電位也同時(shí)變大，則第三n型薄膜晶體管也導(dǎo)通，此時(shí)pin的正的大電壓可以往gnd泄流。因?yàn)間nd的走線通常比vgl粗，所以相對(duì)應(yīng)的電阻值遠(yuǎn)小于vgl的，故第二放電電流大于第一放電電流。

當(dāng)然，第一放電單元可以使用p型薄膜晶體管，或者n型薄膜晶體管和p型薄膜晶體管搭配使用。比如，所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管為p型薄膜晶體管：第一p型薄膜晶體管、第二p型薄膜晶體管，所述第一p型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述高電平接線端連接，所述第一p型薄膜晶體管的源極與所述靜電輸入端連接，所述第二p型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述第一p型薄膜晶體管的源極連接，所述第二p型薄膜晶體管的源極與所述低電平接線端連接。

作為本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，所述顯示面板包括：基板，設(shè)有多個(gè)像素區(qū)；靜電放電電路，所述靜電放電電路設(shè)置在所述基板上；所述靜電放電電路包括與所述顯示面板的元器件耦合的高電平接線端、低電平接線端、靜電輸入端以及公共端；以及第一放電單元：所述第一放電單元的輸出端分別與高電平接線端和低電平接線端連接，所述第一放電單元的控制端和輸入端與所述靜電輸入端連接；第二放電單元：所述第二放電單元的輸入端與所述靜電輸入端連接，所述第二放電單元的輸出端與所述公共端連接。其中，所述第一放電單元包括一個(gè)第一薄膜晶體管和一個(gè)第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的輸出端與所述高電平接線端連接，第一薄膜晶體管的輸入端、所述第二薄膜晶體管的輸出端與所述靜電輸入端連接，所述第二薄膜晶體管的輸入端與所述低電平接線端連接。兩個(gè)相連接的第一放電單元和第二放電單元共同作用，第二放電單元的另一端與公共端連接，增加esd放電電流路徑，泄流的速度和數(shù)量得以加大，實(shí)現(xiàn)對(duì)顯示面板更好的保護(hù)效果，延長(zhǎng)使用壽命。所述第二放電電路包括一個(gè)第三薄膜晶體管、一個(gè)電容、一個(gè)第四薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管的輸入端和控制端與所述靜電輸入端連接，所述第三薄膜晶體管的輸出端與所述公共端連接。第二放電單元通過(guò)第三薄膜晶體管泄流，設(shè)置簡(jiǎn)單，有效可靠。所述電容的第一端與所述靜電輸入端連接，所述電容的第二端與所述第三薄膜晶體管的控制端連接。利用電容具有隔直流、通交流，通高頻、阻低頻的特性，電壓笵圍在vgl～vgh時(shí)，第二放電單元不參與作用。同時(shí)電壓笵圍不在vgl～vgh時(shí)，例如瞬間有個(gè)正的大電壓時(shí)，第二放電單元能夠正常工作，不產(chǎn)生經(jīng)第二薄膜晶體管留下vgl的電流。所以如果pin的輸入電壓笵圍在vgl～vgh間因?yàn)殡娙菰谥绷麟娏髦锌梢暈殚_(kāi)路，這個(gè)電容和薄膜晶體管是不會(huì)動(dòng)作的。所述第四薄膜晶體管的輸入端與所述電容的第二端連接，所述第四薄膜晶體管的控制端與所述高電平接線端連接，所述第四薄膜晶體管的輸出端與所述低電平接線端連接，或者，所述第四薄膜晶體管的控制端與所述低電平接線端連接，所述第四薄膜晶體管的輸出端與所述高電平接線端連接。第四薄膜晶體管的導(dǎo)通進(jìn)一步完成第二放電單元的放電功用，同時(shí)將電容的第二端的電位拉到與公共端一致，這樣當(dāng)電壓笵圍在vgl～vgh時(shí)，第三薄膜晶體管不至于導(dǎo)通放電而影響保護(hù)電路的正常工作。

具體的，如圖4-5所示，圖5可以看作圖4的實(shí)際等效電路，所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管為n型薄膜晶體管：第一n型薄膜晶體管、第二n型薄膜晶體管，所述第一n型薄膜晶體管的源極與所述高電平接線端連接，第一n型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述第二n型薄膜晶體管的源極連接，所述第二n型薄膜晶體管的源極還與所述靜電輸入端連接，所述第二n型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述低電平接線端連接；所述第二放電電路包括一個(gè)第三n型薄膜晶體管、一個(gè)電容、一個(gè)第四n型薄膜晶體管，所述第三n型薄膜晶體管的源極與第一n型薄膜晶體管的柵極連接，所述第三n型薄膜晶體管的漏極與所述公共端連接，所述公共端接地連接，所述電容的第一端與所述靜電輸入端連接，所述電容的第二端與所述第三n型薄膜晶體管的柵極連接，所述第四n型薄膜晶體管的源極與所述電容的第二端連接，所述第四n型薄膜晶體管的柵極與所述高電平接線端連接，所述第四n型薄膜晶體管的漏極與所述低電平接線端連接。這里是保護(hù)電路的一個(gè)實(shí)施方式，明確具體采用的電元件以及連接關(guān)系。由于pin電位瞬間變高，電容耦合特效下，電容的第二端與第三n型薄膜晶體管的柵極連接之間的點(diǎn)的電位也同時(shí)變大，則第三n型薄膜晶體管也導(dǎo)通，此時(shí)pin的正的大電壓可以往gnd泄流。因?yàn)間nd的走線通常比vgl粗，所以相對(duì)應(yīng)的電阻值遠(yuǎn)小于vgl的，故第二放電電流大于第一放電電流。而第四n型薄膜晶體管也會(huì)同時(shí)把電容的第二端與第三n型薄膜晶體管的柵極連接之間的點(diǎn)的電位拉到gnd。所以當(dāng)pin瞬間有個(gè)大的正電壓進(jìn)來(lái)時(shí)，泄掉的電流為第一放電電流、第二放電電路與第三放電電流的和值更大，相比第一放電單元的單獨(dú)作用總的泄流電流較大，有更好的保護(hù)效果。

當(dāng)然，第一放電單元可以使用p型薄膜晶體管，或者n型薄膜晶體管和p型薄膜晶體管搭配使用。比如，所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管為p型薄膜晶體管：第一p型薄膜晶體管、第二p型薄膜晶體管，所述第一p型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述高電平接線端連接，所述第一p型薄膜晶體管的源極與所述靜電輸入端連接，所述第二p型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述第一p型薄膜晶體管的源極連接，所述第二p型薄膜晶體管的源極與所述低電平接線端連接。

作為本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，如圖2所示，所述顯示面板包括：基板，設(shè)有多個(gè)像素區(qū)；靜電放電電路，所述靜電放電電路設(shè)置在所述基板上；所述靜電放電電路包括與所述顯示面板的元器件耦合的高電平接線端、低電平接線端、靜電輸入端以及公共端；以及第一放電單元：所述第一放電單元包括一個(gè)第一p型薄膜晶體管和一個(gè)第二p型薄膜晶體管，所述第一p型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述高電平接線端連接，所述第一p型薄膜晶體管的源極與所述靜電輸入端連接，所述第二p型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述第一p型薄膜晶體管的源極連接，所述第二p型薄膜晶體管的源極與所述低電平接線端連接；第二放電單元：所述第二放電單元的輸入端與所述靜電輸入端連接，所述第二放電單元的輸出端與所述公共端連接。本發(fā)明由于兩個(gè)相連接的第一放電單元和第二放電單元共同作用，第二放電單元的另一端與公共端連接，增加esd放電電流路徑，泄流的速度和數(shù)量得以加大，實(shí)現(xiàn)對(duì)顯示面板更好的保護(hù)效果，延長(zhǎng)使用壽命。

具體的，所述第二放電單元包括一端與所述公共端連接的第一導(dǎo)電線，所述公共端接地連接。高電平接線端(vgh)與低電平接線端(vgl)之間的所用的導(dǎo)電線所需的線寬較小，這樣相當(dāng)于會(huì)有一個(gè)比較大的電阻所，相對(duì)的泄流電流也比較小，第一放電單元單獨(dú)發(fā)揮泄流的能力可能不夠。而第二導(dǎo)電線用于接地端(gnd)連接，它的線寬都遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于vgh、vgl的線寬，所以可以排泄掉的電流會(huì)比原本來(lái)的大，以達(dá)到更好的防護(hù)效果。所述第二放電單元包括一端與所述公共端連接的第一導(dǎo)電線，所述公共端與所述顯示面板的公共電壓端連接。而第二導(dǎo)電線用于公共電壓端(vcom)連接，它的線寬都遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于vgh、vgl的線寬，所以可以排泄掉的電流會(huì)比原本來(lái)的大，以達(dá)到更好的防護(hù)效果。其中，所述顯示面板包括柵極集成電路，所述高電平接線端、所述低電平接線端分別于所述柵極集成電路的薄膜晶體管開(kāi)啟電壓端和薄膜晶體管關(guān)閉電壓端連接。

作為本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，所述顯示面板包括：基板，設(shè)有多個(gè)像素區(qū)；靜電放電電路，所述靜電放電電路設(shè)置在所述基板上；所述靜電放電電路包括與所述顯示面板的元器件耦合的高電平接線端、低電平接線端、靜電輸入端以及公共端；以及第一放電單元：所述第一放電單元包括一個(gè)第一p型薄膜晶體管和一個(gè)第二p型薄膜晶體管，所述第一p型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述高電平接線端連接，所述第一p型薄膜晶體管的源極與所述靜電輸入端連接，所述第二p型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述第一p型薄膜晶體管的源極連接，所述第二p型薄膜晶體管的源極與所述低電平接線端連接；第二放電單元：所述第二放電單元的輸入端與所述靜電輸入端連接，所述第二放電單元的輸出端與所述公共端連接。兩個(gè)相連接的第一放電單元和第二放電單元共同作用，第二放電單元的另一端與公共端連接，增加esd放電電流路徑，泄流的速度和數(shù)量得以加大，實(shí)現(xiàn)對(duì)顯示面板更好的保護(hù)效果，延長(zhǎng)使用壽命。所述第二放電電路包括一個(gè)第三薄膜晶體管、一個(gè)電容，所述第三薄膜晶體管的輸入端和控制端與所述靜電輸入端連接，所述第三薄膜晶體管的輸出端與所述公共端連接。第二放電單元通過(guò)第三薄膜晶體管泄流，設(shè)置簡(jiǎn)單，有效可靠。所述第二放電電路包括，所述電容的第一端與所述靜電輸入端連接，所述電容的第二端與所述第三薄膜晶體管的控制端連接。利用電容具有隔直流、通交流，通高頻、阻低頻的特性，電壓笵圍在vgl～vgh時(shí)，第二放電單元不參與作用。同時(shí)電壓笵圍不在vgl～vgh時(shí)，例如瞬間有個(gè)正的大電壓時(shí)，第二放電單元能夠正常工作，不產(chǎn)生經(jīng)第二薄膜晶體管留下vgl的電流。所以如果pin的輸入電壓笵圍在vgl～vgh間因?yàn)殡娙菰谥绷麟娏髦锌梢暈殚_(kāi)路，這個(gè)電容和薄膜晶體管是不會(huì)動(dòng)作的。

具體的，如圖6所示，所述第三薄膜晶體管為p型薄膜晶體管：第三p型薄膜晶體管，所述第三p型薄膜晶體管的源極與所述第二p型薄膜晶體管的柵極連接，所述第三p型薄膜晶體管的漏極與所述公共端連接，所述公共端接地連接，所述電容的第一端與所述靜電輸入端連接，所述電容的第二端與所述第三p型薄膜晶體管的柵極連接。由于pin電位瞬間變高，電容耦合特效下，電容的第二端與第三n型薄膜晶體管的柵極連接之間的點(diǎn)的電位也同時(shí)變大，則第三n型薄膜晶體管也導(dǎo)通，此時(shí)pin的正的大電壓可以往gnd泄流。因?yàn)間nd的走線通常比vgl粗，所以相對(duì)應(yīng)的電阻值遠(yuǎn)小于vgl的，故第二放電電流大于第一放電電流。

作為本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，所述顯示面板包括：基板，設(shè)有多個(gè)像素區(qū)；靜電放電電路，所述靜電放電電路設(shè)置在所述基板上；所述靜電放電電路包括與所述顯示面板的元器件耦合的高電平接線端、低電平接線端、靜電輸入端以及公共端；以及第一放電單元：所述第一放電單元包括一個(gè)第一p型薄膜晶體管和一個(gè)第二p型薄膜晶體管，所述第一p型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述高電平接線端連接，所述第一p型薄膜晶體管的源極與所述靜電輸入端連接，所述第二p型薄膜晶體管的柵極和漏極相連接并與所述第一p型薄膜晶體管的源極連接，所述第二p型薄膜晶體管的源極與所述低電平接線端連接；第二放電單元：所述第二放電單元的輸入端與所述靜電輸入端連接，所述第二放電單元的輸出端與所述公共端連接。兩個(gè)相連接的第一放電單元和第二放電單元共同作用，第二放電單元的另一端與公共端連接，增加esd放電電流路徑，泄流的速度和數(shù)量得以加大，實(shí)現(xiàn)對(duì)顯示面板更好的保護(hù)效果，延長(zhǎng)使用壽命。所述第二放電電路包括一個(gè)第三薄膜晶體管、一個(gè)電容、一個(gè)第四薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管的輸入端和控制端與所述靜電輸入端連接，所述第三薄膜晶體管的輸出端與所述公共端連接。第二放電單元通過(guò)第三薄膜晶體管泄流，設(shè)置簡(jiǎn)單，有效可靠。所述第二放電電路包括，所述電容的第一端與所述靜電輸入端連接，所述電容的第二端與所述第三薄膜晶體管的控制端連接。利用電容具有隔直流、通交流，通高頻、阻低頻的特性，電壓笵圍在vgl～vgh時(shí)，第二放電單元不參與作用。同時(shí)電壓笵圍不在vgl～vgh時(shí)，例如瞬間有個(gè)正的大電壓時(shí)，第二放電單元能夠正常工作，不產(chǎn)生經(jīng)第二薄膜晶體管留下vgl的電流。所以如果pin的輸入電壓笵圍在vgl～vgh間因?yàn)殡娙菰谥绷麟娏髦锌梢暈殚_(kāi)路，這個(gè)電容和薄膜晶體管是不會(huì)動(dòng)作的。所述第四薄膜晶體管的控制端與所述低電平接線端連接，所述第四薄膜晶體管的輸出端與所述高電平接線端連接。第四薄膜晶體管的導(dǎo)通進(jìn)一步完成第二放電單元的放電功用，同時(shí)將電容的第二端的電位拉到與公共端一致，這樣當(dāng)電壓笵圍在vgl～vgh時(shí)，第三薄膜晶體管不至于導(dǎo)通放電而影響保護(hù)電路的正常工作。

具體的，如圖7-8所示，圖8可以看作圖7的實(shí)際等效電路，所述第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管為p型薄膜晶體管：第三p型薄膜晶體管、第四p型薄膜晶體管，所述第三p型薄膜晶體管的源極與所述第二p型薄膜晶體管的柵極連接，所述第三p型薄膜晶體管的漏極與所述公共端連接，所述公共端接地連接，所述電容的第一端與所述靜電輸入端連接，所述電容的第二端與所述第三p型薄膜晶體管的柵極連接，所述第四p型薄膜晶體管的源極與所述電容的第二端連接，所述第四p型薄膜晶體管的柵極與所述低電平接線端連接，所述第四p型薄膜晶體管的漏極與所述高電平接線端連接。由于pin電位瞬間變高，電容耦合特效下，電容的第二端與第三n型薄膜晶體管的柵極連接之間的點(diǎn)的電位也同時(shí)變大，則第三n型薄膜晶體管也導(dǎo)通，此時(shí)pin的正的大電壓可以往gnd泄流。因?yàn)間nd的走線通常比vgl粗，所以相對(duì)應(yīng)的電阻值遠(yuǎn)小于vgl的，故第二放電電流大于第一放電電流。而第四n型薄膜晶體管也會(huì)同時(shí)把電容的第二端與第三n型薄膜晶體管的柵極連接之間的點(diǎn)的電位拉到gnd。所以當(dāng)pin瞬間有個(gè)大的正電壓進(jìn)來(lái)時(shí)，泄掉的電流為第一放電電流、第二放電電路與第三放電電流的和值更大，相比第一放電單元的單獨(dú)作用總的泄流電流較大，有更好的保護(hù)效果。

作為本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，本發(fā)明還公開(kāi)了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括背光模組和如上所述的顯示面板。

需要說(shuō)明的是，在上述實(shí)施例中，所述基板的材料可以選用玻璃、塑料等。

在上述實(shí)施例中，顯示面板包括液晶面板、oled(organiclight-emittingdiode)面板、曲面面板、等離子面板等，以液晶面板為例，液晶面板包括陣列基板(thinfilmtransistorsubstrate，tftsubstrate)和彩膜基板(colorfiltersubstrate，cfsubstrate)，所述陣列基板與彩膜基板相對(duì)設(shè)置，所述陣列基板與彩膜基板之間設(shè)有液晶和間隔單元(ps，photospacer)，所述陣列基板上設(shè)有薄膜晶體管(tft，thinfilmtransistor)，彩膜基板上設(shè)有彩色濾光層。

在上述實(shí)施例中，彩膜基板可包括tft陣列，彩膜及tft陣列可形成于同一基板上，陣列基板可包括彩色濾光層。

在上述實(shí)施例中，本發(fā)明的顯示面板可為曲面型面板。

以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說(shuō)明。對(duì)于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡(jiǎn)單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。