本申請涉及顯示面板技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種像素驅(qū)動電路及陣列基板、顯示面板。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，人們對液晶顯示面板的高清和逼真的顯示畫面的需求越來越普遍，特別是3d顯示技術(shù)的高逼真畫面越來越受到影視觀眾的喜愛。在以開關(guān)，如薄膜晶體管(thinfilmtransistor，tft)等驅(qū)動的液晶顯示面板技術(shù)中，幀頻是每秒驅(qū)動顯示畫面的幀數(shù)量，幀頻越大代表單位時間內(nèi)能顯示越多的畫面，畫面顯示也就越流暢。

但隨著幀頻的增大，開關(guān)對像素電極的充電時間會相應減少，會導致像素電極充電不足的問題，從而導致顯示畫面的顯示質(zhì)量降低，很大程度上制約著液晶顯示面板的發(fā)展及應用。

本申請的發(fā)明人在長期的研發(fā)中發(fā)現(xiàn)，在目前現(xiàn)有技術(shù)中，為解決高幀頻顯示時，像素電極充電不足的問題，一般采用兩種技術(shù)方案：一種是通過降低rc延時，以提高充電速度，具體可以通過增大金屬銅膜層厚度和金屬銅線寬以降低阻抗和電容來降低rc延時，但該方法會增加成本，且會增加液晶顯示面板的非顯示區(qū)的尺寸或液晶顯示面板的厚度；另一種是在高幀頻掃描周期內(nèi)提高像素電極充電能力，可以通過采用具有高載流子遷移率材料的開關(guān)對像素電極進行充電。但目前的高載流子遷移率材料的應用在技術(shù)上的存在較多難點，尚不能普遍使用。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本申請主要解決的技術(shù)問題是提供一種像素驅(qū)動電路及陣列基板、顯示面板，以加快對像素電極的充電過程，從而提高顯示畫面的顯示質(zhì)量。

為解決上述技術(shù)問題，本申請采用的一個技術(shù)方案是：提供一種像素驅(qū)動電路。所述像素驅(qū)動電路包括所述至少兩個第一開關(guān)的各自輸入端均連接所述數(shù)據(jù)線，所述至少兩個第一開關(guān)的各自輸出端均連接同一個所述第一像素電極，所述至少兩個第一開關(guān)的各自控制端均連接所述掃描線，以加快所述第一像素電極的充電過程。

為解決上述技術(shù)問題，本申請采用的另一個技術(shù)方案是：提供一種陣列基板。所述陣列基板包括多個成矩陣排列的像素驅(qū)動電路；所述驅(qū)動電路為上述像素驅(qū)動電路；其中，同一列像素驅(qū)動電路共用同一條所述數(shù)據(jù)線，同一行像素驅(qū)動電路共用同一條所述掃描線；或同一行像素驅(qū)動電路共用同一條所述數(shù)據(jù)線，同一列像素驅(qū)動電路共用同一條所述掃描線。

為解決上述技術(shù)問題，本申請采用的又一個技術(shù)方案是：提供一種顯示面板。所述顯示面板包括第一基板、第二基板及液晶層；所述第一基板和/或第二基板為上述陣列基板；其中，液晶層位于所述第一基板及所述第二基板之間。

本申請實施例的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本申請實施例像素驅(qū)動電路包括數(shù)據(jù)線、掃描線、第一像素電極和至少兩個第一開關(guān)；至少兩個第一開關(guān)的各自輸入端均連接數(shù)據(jù)線，各自控制端均連接掃描線，各自輸出端均連接同一個第一像素電極。申請實施例通過該至少兩個第一開關(guān)給該第一像素電極充電，能夠加快對該第一像素電極的充電過程，進而能夠提高顯示畫面的顯示質(zhì)量。

附圖說明

圖1是本申請像素驅(qū)動電路一實施例的電路示意圖；

圖2是圖1實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是圖2實施例中tft導電溝道的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4a是本申請像素驅(qū)動電路另一實施例的電路示意圖；

圖4b是圖4a實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本申請陣列基板一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本申請顯示面板的一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

請參閱圖1，圖1是本申請像素驅(qū)動電路一實施例的電路示意圖。本實施例包括數(shù)據(jù)線data、掃描線scan、第一像素電極101和至少兩個第一開關(guān)t1、t2；至少兩個第一開關(guān)t1、t2的各自輸入端102、103均連接數(shù)據(jù)線data，至少兩個第一開關(guān)t1、t2的各自輸出端104、105均連接同一個第一像素電極101，至少兩個第一開關(guān)t1、t2的各自控制端106、107均連接掃描線scan，以加快第一像素電極101的充電過程。

為滿足用戶對畫面顯示流暢性的越來越高的要求，畫面顯示的幀頻也越來越大，像素掃描信號周期越來越小，像素得到的掃描信號持續(xù)驅(qū)動時間越來越小，相應的像素電極充電時間也越來越短，極易導致像素電極充電不足，從而導致顯示畫面的顯示質(zhì)量下降，甚至不能正常顯示。

本實施例采用增加與第一像素電極101連接的第一開關(guān)t1、t2的數(shù)量來加快第一像素電極101的充電過程，第一開關(guān)t1、t2的數(shù)量越多，第一像素電極101的充電過程就越快，因此，能夠解決第一像素電極101充電不足的問題，從而適應畫面顯示的幀頻越來越大的趨勢。

區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本實施例將至少兩個第一開關(guān)t1、t2的各自輸入端102、103均連接數(shù)據(jù)線data，至少兩個第一開關(guān)t1、t2的各自輸出端104、105均連接同一個第一像素電極101，至少兩個第一開關(guān)t1、t2的各自控制端106、107均連接掃描線scan，在掃描線scan提供的掃描信號驅(qū)動下，使得與第一像素電極101連接的至少兩個第一開關(guān)t1、t2均給第一像素電極101充電，能夠加快第一像素電極101的充電過程，從而能夠提高顯示畫面的顯示質(zhì)量。

在一個應用場景中，本實施例的至少兩個第一開關(guān)t1、t2的各自輸入端連接同一數(shù)據(jù)線data，至少兩個第一開關(guān)t1、t2的各自控制端連接同一掃描線scan，以使至少兩個第一開關(guān)t1、t2同時給第一像素電極101充電，最大限度的加開充電過程。

可選地，本實施的各第一開關(guān)均為tft。其中，第一開關(guān)的控制端為tft的柵極，輸入端為tft的源極，輸出端為tft的漏極，當然，在另一實施例中，第一開關(guān)的輸入端為tft的漏極，輸出端為tft的源極。在又一實施例中，第一開關(guān)也可以是其它具有開關(guān)功能的電子元器件，如互補金屬氧化物半導體(complementarymetaloxidesemiconductor，cmos)等。

具體地，請參閱圖2，圖2是圖1實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。從圖2中可以看出，至少兩個tft的柵極201、202與掃描線scan同層設(shè)置，且均與連接掃描線scan在一起；該至少兩個tft的源極203、204與數(shù)據(jù)線data同層設(shè)置，且均與數(shù)據(jù)線data連接在一起；該至少兩個tft的漏極205、206均與第一像素電極207連接，且該至少兩個tft的漏極205、206均與第一像素電極207同層或非同層設(shè)置，當掃描線scan提供的掃描信號驅(qū)動至少兩tft工作時，數(shù)據(jù)線data提供的數(shù)據(jù)電壓經(jīng)過該至少兩tft同時給第一像素電極207充電，以加快第一像素電極207充電的充電過程。

可選地，本實施例的tft為非晶硅tft。當然，在其它實施例中，可采用非晶氧化銦鎵鋅材料代替非晶硅材料。

請參閱圖3，圖3是圖2實施例中tft的導電溝道的結(jié)構(gòu)示意圖。非晶硅tft對第一像素電極101的充電速度很大程度上取決于非晶硅tft的載流子的遷移率μ，μ與其導電溝道的寬長比w/l有關(guān)，w/l越大，μ越大。從圖3中可以看出，在上述實施例的至少兩個第一開關(guān)與第一像素電極的設(shè)置方式可以增加用于遷移載流子的導電溝道的寬度w。若各第一開關(guān)的導電溝道尺寸一致，則n個第一開關(guān)的導電溝道的載流子的遷移率的和為n*μ，該n個第一開關(guān)給第一像素電極的充電速度加快n倍，整個像素電極的充電過程將加快n倍。

可選地，請參閱圖4a，圖4a是本申請像素驅(qū)動電路另一實施例的電路示意圖；圖4b是圖4a實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。本實施例在上述實施例的基礎(chǔ)上進一步包括第二像素電極401及至少兩個第二開關(guān)t3、t4；至少兩個第二開關(guān)t3、t4的各自控制端402、403均連接掃描線scan，第二開關(guān)t3的輸入端404連接數(shù)據(jù)線data，第二開關(guān)t3的輸出端405連接第二像素電極401，第二開關(guān)t4的輸入端406連接第二開關(guān)t3的輸出端405，以拉低第二像素電極401的像素電壓。

在一個應用場景中，第二開關(guān)t4的輸入端408連接一公共電極com。

為增加液晶顯示面板的視角，可以在同一個像素內(nèi)設(shè)置具有兩種不同像素電壓的第一像素電極407及第二像素電極401，本實施例的第一像素電極407已經(jīng)在上述實施例中進行了詳細的敘述，這里不重復。本實施例的第二開關(guān)t3為第二像素電極401提供充電，以提供像素電壓，而為實現(xiàn)第一像素電極407與第二像素電極401的具有不同的像素電壓，本實施例利用第二開關(guān)t4來拉低第二像素電極401的像素電壓。具體地，第二開關(guān)t4導通時，會有一部分第二開關(guān)t3輸出端405的輸出電壓，即第二像素電極401的像素電壓經(jīng)第二開關(guān)t4分壓到與第二開關(guān)t4的輸出端連接的公共電極com，從而使第二像素電極401的像素電壓降低。

可選地，本實施例中，第一像素電極407及第二像素電極401共同為一像素提供像素電壓；且第一像素電極407為該像素的主像素電極。

當然，在另一實施例中，可以采用利用多個第二像素電極，同時設(shè)置各第二像素電極具有不同的像素電壓，以更進一步的增大液晶顯示面板的視角；在又一實施例中，還可以給每個第二素電極設(shè)置第一開關(guān)以加快其充電過程。

可選地，本實施例進一步包括第一存儲電容c1及第二存儲電容c2；第一存儲電容c1及第二存儲電容c2分別與第一像素電極407及第二像素電極401連接，分別用于存儲像素驅(qū)動電路對第一像素電極407及第二像素電極401的充電電荷，以使在第一開關(guān)t1、t2及第二開關(guān)t3截止后，再次導通前，分別給第一像素電極407及第二像素電極401提供像素電壓，使像素正常工作。

可選地，本實施例的至少兩個第二開關(guān)t3、t4為tft，關(guān)于tft的結(jié)構(gòu)與工作原理這例不重復介紹。且本實施例的各層設(shè)置與圖2實施例類似，這不不重復敘述。

可選地，本實施例中掃描線scan提供的掃描信號的頻率大于120hz，即幀頻大于120hz。在液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，通常將大于120hz的幀頻定義為高幀頻，高幀頻驅(qū)動顯示的應用有助于更好滿足影視觀眾對畫面流暢性的需求。

請參閱圖5，圖5是本申請陣列基板一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。本實施例包括多個成矩陣排列的像素驅(qū)動電路501；像素驅(qū)動電路的具體結(jié)構(gòu)及工作原理已經(jīng)在上述實施例中進行了詳細的敘述，這里不重復。

其中，同一列像素驅(qū)動電路501共用同一條數(shù)據(jù)線data，同一行像素驅(qū)動電路501共用同一條掃描線scan。當然，在其它實施例中，同一行像素驅(qū)動電路501可共用同一條數(shù)據(jù)線data，同一列像素驅(qū)動電路501可共用同一條掃描線scan。

區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本實施例的像素驅(qū)動電路501利用至少兩個第一開關(guān)t1、t2給第一像素電極充電，能夠加快該第一像素電極的充電過程，從而能夠提高顯示畫面的顯示質(zhì)量。

請參閱圖6，圖6是本申請顯示面板的一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。本實施例包括第一基板601、第二基板602及液晶層603；第一基板601和/或第二基板602為上述實施例的陣列基板；其中，液晶層603位于第一基板601及第二基板602之間，且在第一基板601及第二基板602的控制下調(diào)節(jié)背光的透過率。

陣列基板的結(jié)構(gòu)及工作原理及流程已在上述實施例中進行了詳細的敘述，這里也不重復。

區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本實施例的陣列基板的像素驅(qū)動電路利用至少兩個第一開關(guān)給第一像素電極充電，能夠加快該第一像素電極的充電過程，從而能夠提高顯示畫面的顯示質(zhì)量。

以上所述僅為本申請的實施方式，并非因此限制本申請的專利范圍，凡是利用本申請說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本申請的專利保護范圍內(nèi)。