本發(fā)明涉及靜電保護技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種靜電防止電路、陣列基板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

在薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)制造行業(yè)，靜電問題直接影響液晶顯示面板生產(chǎn)的良品率。由于靜電產(chǎn)生的方式多種多樣，所以在TFT-LCD制造顯示面板的過程中，很多工藝過程或者使用過程都可能會產(chǎn)生高電壓靜電荷。例如：在進行摩擦工藝時，摩擦布和顯示面板之間發(fā)生的摩擦會產(chǎn)生高壓靜電。由于高壓靜電電荷很可能擊穿控制像素驅(qū)動的薄膜晶體管，導致像素驅(qū)動失效，使得液晶顯示面板的品質(zhì)較低劣，所以就要求在TFT-LCD制造顯示面板的過程中，及時有效地將高壓靜電釋放或者均衡。

因此，在顯示屏幕或面板中設(shè)計的靜電防止電路對于抵抗日常靜電具有特別明顯作用?；谀壳岸嘁源蟪叽鏣FT結(jié)構(gòu)作為靜電防止電路主要結(jié)構(gòu)，在電流經(jīng)過TFT時也會產(chǎn)生功耗。此外，對于設(shè)備中產(chǎn)生的靜電信號來說，高頻高壓特性的靜電信號的危害遠遠大于低頻直流特性的靜電信號，因而實際上一些低頻直流特性的靜電信號并沒有必要立刻釋放掉。

所以，在實現(xiàn)本申請的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下缺陷：在進行靜電釋放的過程中將會產(chǎn)生不小的額外功耗，尤其是針對于危害不大的低頻直流特性的靜電信號產(chǎn)生的功耗，不利于降低屏幕功耗，提升設(shè)備的續(xù)航時間。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提出一種靜電防止電路、陣列基板及顯示裝置，能夠有效降低靜電防止電路的功耗，從而有利于降低相應(yīng)設(shè)備的功耗，提升設(shè)備的續(xù)航時間。

基于上述目的本發(fā)明提供的一種靜電防止電路，所述靜電防止電路包括由薄膜晶體管組成的靜電保護回路；至少一個所述薄膜晶體管的柵極設(shè)置有電容器。

可選的，所述靜電防止電路包括第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管和第一電容器；

所述第一薄膜晶體管的柵極與第一電容器的一端連接，所述第一電容器的另一端與第二薄膜晶體管的漏極連接；

所述第二薄膜晶體管的柵極與第一薄膜晶體管的源極連接。

可選的，所述靜電防止電路包括至少兩組靜電保護回路；所述至少兩組靜電保護回路相互連接，形成雙向?qū)ΨQ的靜電防止電路。

可選的，所述靜電防止電路包括第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第一電容器和第二電容器；

所述第一薄膜晶體管的柵極與第一電容器的一端連接，所述第一電容器的另一端與第一薄膜晶體管的漏極、第二薄膜晶體管的第一極連接；

所述第二薄膜晶體管的柵極與第一薄膜晶體管的源極、第三薄膜晶體管的源極連接；

所述第三薄膜晶體管的柵極與第二電容器的一端連接，所述第二電容器的另一端與第三薄膜晶體管的漏極、第二薄膜晶體管的第二極連接；

其中，所述第二薄膜晶體管的第一極和第二極分別作為源極/漏極或者漏極/源極。

可選的，所述靜電防止電路包括第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第一電容器和第二電容器；

所述第一薄膜晶體管的柵極與第一電容器的一端連接，所述第一電容器的另一端與第一薄膜晶體管的漏極、第二薄膜晶體管的漏極、第四薄膜晶體管的源極連接；

所述第三薄膜晶體管的柵極與第二電容器的一端連接，所述第二電容器的另一端與第三薄膜晶體管的漏極、第四薄膜晶體管的漏極、第二薄膜晶體管的源極連接；

所述第二薄膜晶體管的柵極與第一薄膜晶體管的源極連接；所述第四薄膜晶體管的柵極與第三薄膜晶體管的源極連接。

可選的，所述薄膜晶體管為N型MOS管。

可選的，所述靜電防止電路的兩端分別與第一連接線和第二連接線連接，用于實現(xiàn)第一連接線與第二連接線之間的靜電保護；所述第一連接線為第一信號線，所述第二連接線為第二信號線。

可選的，所述信號線為柵極信號線或者數(shù)據(jù)信號線。

可選的，所述靜電防止電路的兩端分別與第一連接線和第二連接線連接，用于實現(xiàn)第一連接線與第二連接線之間的靜電保護；所述第一連接線為信號線，所述第二連接線為短路環(huán)；或者，所述第一連接線為短路環(huán)，所述第二連接線為信號線。

可選的，所述短路環(huán)為柵極信號線短路環(huán)或者數(shù)據(jù)信號線短路環(huán)。

可選的，所述靜電防止電路為多組，且所述多組靜電防止電路的一端均連接到短路環(huán)中，另一端與不同的信號線連接。

本申請還提供了一種陣列基板，所述陣列基板上設(shè)置有上述任一項靜電防止電路。

本申請還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置上設(shè)置有所述陣列基板。

從上面所述可以看出，本發(fā)明提供的靜電防止電路、陣列基板及顯示裝置，通過在薄膜晶體管的柵極引入電容器，進而使得通過薄膜晶體管柵極的低頻直流特性的靜電信號無法通過，也即無法將薄膜晶體管的柵極打開，使得此時的靜電防止電路在低頻直流特性的靜電信號下不會產(chǎn)生放電操作，也即不會引起額外的功耗。同時，基于電容器設(shè)置于薄膜晶體管的柵極，使得靜電防止電路既可以阻斷低頻直流特性的靜電信號又能夠?qū)Ω哳l高壓特性的靜電信號進行有效的釋放和保護。此外，在釋放或者平衡高頻靜電信號時不會影響電流通過的效率和穩(wěn)定性。因此，本申請所述靜電防止電路、陣列基板及顯示裝置能夠有效降低靜電防止電路的功耗，從而有利于降低相應(yīng)設(shè)備的功耗，提升設(shè)備的續(xù)航時間。

附圖說明

圖1為本發(fā)明提供的靜電防止電路的第一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明提供的靜電防止電路的第二個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明提供的靜電防止電路的第三個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明提供的雙向?qū)ΨQ靜電防止電路的第一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明提供的雙向?qū)ΨQ靜電防止電路的第二個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明提供的雙向?qū)ΨQ靜電防止電路與兩組數(shù)據(jù)線連接的第一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明提供的雙向?qū)ΨQ靜電防止電路與兩組數(shù)據(jù)線連接的第二個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明提供的雙向?qū)ΨQ靜電防止電路分別與數(shù)據(jù)線和短路環(huán)連接的第一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本發(fā)明提供的雙向?qū)ΨQ靜電防止電路分別與數(shù)據(jù)線和短路環(huán)連接的第二個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合具體實施例，并參照附圖，對本發(fā)明進一步詳細說明。

需要說明的是，本發(fā)明實施例中所有使用“第一”和“第二”的表述均是為了區(qū)分兩個相同名稱非相同的實體或者非相同的參量，可見“第一”“第二”僅為了表述的方便，不應(yīng)理解為對本發(fā)明實施例的限定，后續(xù)實施例對此不再一一說明。

本申請針對于當前常見的靜電防止電路下，在低頻直流特性的靜電信號或者其他直流信號的驅(qū)動下，靜電防止電路將會產(chǎn)生不少的功耗，這樣尤其在顯示屏幕領(lǐng)域中，不利于降低屏幕功耗，提升相關(guān)顯示設(shè)備的續(xù)航時間。為此，本申請設(shè)計一種低功耗的靜電防止電路，通過引入電容器結(jié)構(gòu)，配合薄膜晶體管(TFT)完成電路邏輯，也即通過電容器阻礙直流信號打開TFT，最終實現(xiàn)降低整體功耗的目的。

具體的，在本申請一些可選的實施例中，所述靜電防止電路包括由薄膜晶體管組成的靜電保護回路；至少一個所述薄膜晶體管的柵極設(shè)置有電容器。也即，使得所有信號需要通過電容器才能連接到薄膜晶體管中。雖然當前已有不少成熟的靜電保護回路結(jié)構(gòu)，但是本申請認為當前的靜電保護回路在進行靜電釋放(ESD)時，均是將所有類型的靜電完全釋放出去，而實際上對于低頻直流特性的靜電信號對于設(shè)備的危害要小得多，因而完全沒有必要對低頻直流特性的靜電信號進行釋放或平衡。由此，本申請通過引入電容器阻斷低頻直流特性的靜電信號，不僅可以大大降低ESD的功耗，而且基于電容器的高通特性，使得靜電防止電路依然具有防止高頻靜電的能力，也即可以及時對高頻靜電信號進行釋放或者平衡。

由上述實施例可知，本申請?zhí)峁┑撵o電防止電路通過在薄膜晶體管的柵極引入電容器，使得通過薄膜晶體管柵極的低頻直流特性的靜電信號無法通過，也即無法將薄膜晶體管的柵極打開，使得此時的靜電防止電路在低頻直流特性的靜電信號下不會產(chǎn)生放電操作，也即不會引起額外的功耗。同時，基于電容器設(shè)置于薄膜晶體管的柵極，使得靜電防止電路既可以阻斷低頻直流特性的靜電信號又能夠?qū)Ω哳l高壓特性的靜電信號進行有效的釋放和保護。此外，在釋放或者平衡高頻靜電信號時不會影響電流通過的效率和穩(wěn)定性。因此，所述靜電防止電路能夠有效降低靜電防止電路的功耗，從而有利于降低相應(yīng)設(shè)備的功耗，提升設(shè)備的續(xù)航時間。

進一步，基于某些靜電保護回路中會設(shè)置有多條可實現(xiàn)靜電釋放的回路結(jié)構(gòu)，此時，可以針對每一條回路中均在其中一個或多個薄膜晶體管的柵極設(shè)置有電容器。這樣，使得所有回路均能夠通過電容器阻斷直流信號或者低頻直流特性的靜電信號，起到降低功耗的目的。

參照圖1所示，為本發(fā)明提供的靜電防止電路的第一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。所述靜電防止電路包括第一薄膜晶體管M1、第二薄膜晶體管M2和第一電容器C1；所述第一薄膜晶體管M1的柵極與第一電容器C1的一端連接，所述第一電容器C1的另一端與第二薄膜晶體管M2的漏極連接；所述第二薄膜晶體管M2的柵極與第一薄膜晶體管M1的源極連接。其中，基于薄膜晶體管中的源極和漏極具有對稱的結(jié)構(gòu)，而且靜電信號通常由漏極流向源極，因此在本申請的所有附圖中并沒有對源極和漏極進行標注。可選的，在上述實施例對應(yīng)的靜電防止電路中進行靜電保護的過程為：左側(cè)的高頻高壓靜電信號通過第一電容器C1將第一薄膜晶體管M1的柵極打開，使得靜電信號由第一薄膜晶體管M1的漏極流向源極，然后打開第二薄膜晶體管M2的柵極，使得靜電信號由第二薄膜晶體管M2的漏極流向源極，實現(xiàn)了靜電信號的釋放或者平衡的過程。這樣，通過使得電容器與第一薄膜晶體管M1的柵極連接，使得高頻信號通過電容器能夠打開第一薄膜晶體管M1的柵極，最終實現(xiàn)高頻高壓靜電的釋放，而低頻直流信號由于電容器的特性無法通過。有效降低了靜電防止電路的功耗。

參照圖2和圖3所示，分別為本發(fā)明提供的靜電防止電路的第二個和第三個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。基于圖1中對應(yīng)的靜電防止電路具有四個開口端，也即能夠與四組不同的位置或者電路結(jié)構(gòu)進行連接，實現(xiàn)相應(yīng)的靜電保護功能。然而，在顯示器相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中，靜電保護電路通常對兩個位置之間進行靜電保護，因此使得靜電防止電路只具有兩個接線端。圖2和圖3中顯示了兩種不同的接線設(shè)置方式，使得靜電防止電路具有A、B兩個接線端。這樣，不僅使得靜電防止電路的連接結(jié)構(gòu)更為清晰，而且更加適用于常規(guī)靜電保護結(jié)構(gòu)，提高靜電防止電路連接的速率。

當然，基于不同的需要，也可以根據(jù)圖1中的結(jié)構(gòu)將靜電防止電路設(shè)置為三個接線端。

在本申請一些可選的實施例中，所述靜電防止電路包括至少兩組靜電保護回路；所述至少兩組靜電保護回路相互連接，形成雙向?qū)ΨQ的靜電防止電路。本申請基于靜電產(chǎn)生的隨機性，將會使得兩端可能在不同時間段出現(xiàn)方向相反的進行保護需求，而針對于當前的靜電保護回路在設(shè)計時通常只考慮單向的靜電釋放。所以本申請?zhí)岢鲆环N設(shè)置至少兩組靜電保護回路的靜電防止電路，能夠通過不同的靜電保護回路實現(xiàn)不同方向的靜電保護作用。這樣，使得靜電防止電路對應(yīng)的兩端能夠?qū)崿F(xiàn)雙向靜電保護，提高了靜電保護的效率和效果。此外，采用雙向?qū)ΨQ結(jié)構(gòu)的靜電防止電路還有利于降低靜電信號之間的干擾，提高靜電釋放的穩(wěn)定性和可靠性。當然，也可以根據(jù)需要將不同方向的靜電保護回路設(shè)置為不對稱結(jié)構(gòu)。

參照圖4所示，為本發(fā)明提供的雙向?qū)ΨQ靜電防止電路的第一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。所述靜電防止電路包括第一薄膜晶體管M1、第二薄膜晶體管M2、第三薄膜晶體管M3、第一電容器C1和第二電容器C2；所述第一薄膜晶體管M1的柵極與第一電容器C1的一端連接，所述第一電容器C1的另一端與第一薄膜晶體管M1的漏極、第二薄膜晶體管M2的第一極連接；所述第二薄膜晶體管M2的柵極與第一薄膜晶體管M1的源極、第三薄膜晶體管M3的源極連接；所述第三薄膜晶體管M3的柵極與第二電容器C2的一端連接，所述第二電容器C2的另一端與第三薄膜晶體管M3的漏極、第二薄膜晶體管M2的第二極連接；其中，所述第二薄膜晶體管M2的第一極和第二極分別為源極/漏極或者漏極/源極。

這樣，當高頻高壓靜電信號從A端口輸入時，先通過第一電容器C1的高通特性和自舉特性，打開第一薄膜晶體管M1的柵極，靜電信號可從M1的漏極流向源級；然后可打開M2的柵極，再次利用第二電容器C2的高通特性和自舉特性，打開M3進而到輸出端口B。同樣，當高頻高壓靜電信號從B端口輸入時，先通過第二電容器C2的高通特性和自舉特性，打開第三薄膜晶體管M3的柵極，靜電信號可從M3的漏極流向源級；然后可打開M2的柵極，再次利用第一電容器C1的高通特性和自舉特性，打開M1進而到輸出端口A。當?shù)皖l直流靜電信號進入端口A時，會被M1、M2阻隔，由于低頻特性無法通過第一電容器C1，因此不會打開任何TFT，達到降低功耗的目的。同樣，當?shù)皖l直流靜電信號進入端口B時，會被M2、M3阻隔，由于低頻特性無法通過第二電容器C2，因此無法打開任何TFT，達到降低功耗的目的。

因此，上述雙向?qū)ΨQ的靜電防止電路能夠有效實現(xiàn)雙向的靜電保護功能，而且基于上述靜電防止電路中采用共用第二薄膜晶體管M2的結(jié)構(gòu)，能夠進一步節(jié)省成本。

參照圖5所示，為本發(fā)明提供的雙向?qū)ΨQ靜電防止電路的第二個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。所述靜電防止電路包括第一薄膜晶體管M1、第二薄膜晶體管M2、第三薄膜晶體管M3、第四薄膜晶體管M4、第一電容器C1和第二電容器C2；所述第一薄膜晶體管M1的柵極與第一電容器C1的一端連接，所述第一電容器C1的另一端與第一薄膜晶體管的漏極、第二薄膜晶體管M2的漏極、第四薄膜晶體管M4的源極連接；所述第三薄膜晶體管的柵極M3與第二電容器C2的一端連接，所述第二電容器C2的另一端與第三薄膜晶體管M3的漏極、第四薄膜晶體管M4的漏極、第二薄膜晶體管M2的源極連接；所述第二薄膜晶體管M2的柵極與第一薄膜晶體管M1的源極連接；所述第四薄膜晶體管M4的柵極與第三薄膜晶體管M3的源極連接。

上述雙向?qū)ΨQ靜電防止電路實現(xiàn)靜電保護的過程包括：當高頻高壓靜電信號從A端口輸入時，通過第一電容器C1的高通特性和自舉特性，打開TFT開關(guān)M1的柵極，靜電信號可從M1的漏極流向源級；之后可打開M2的柵極，這樣靜電信號可通過M2進而到輸出端口B。當高頻高壓靜電信號從B端口輸入時，通過第二電容器C2的高通特性和自舉特性，打開TFT開關(guān)M3的柵極，靜電信號可從M3的漏極流向源級；之后可打開M4的柵極，這樣靜電信號可通過M4進而到輸出端口A。當?shù)皖l直流靜電信號進入端口A時，會被M1、M2、M4阻隔，由于低頻特性的靜電信號無法通過C1，因此無法打開任何TFT，達到降低功耗的目的。當?shù)皖l直流靜電信號進入端口B時，會被M2、M3、M4阻隔，由于低頻特性的靜電信號無法通過C2，因此無法打開任何TFT，達到降低功耗的目的。這樣，上述雙向?qū)ΨQ的靜電防止電路不僅能夠?qū)崿F(xiàn)不同方向的靜電保護，而且基于不同方向靜電釋放時通過不同的器件實現(xiàn)，減少電路器件之間的干擾，提高了靜電保護的穩(wěn)定性。

需要說明的是，本申請附圖4和附圖5中對應(yīng)的靜電防止電路為了更為清晰的顯示如何實現(xiàn)雙向靜電保護的功能才將靜電防止電路的接線端設(shè)置為兩個，而實際使用時，可以根據(jù)需要將靜電防止電路的接線端設(shè)置為三個或更多，只需要不違背本申請中低功耗以及雙向靜電保護的核心思想即可。

在一些可選的實施例中，所述薄膜晶體管為N型MOS管?；贜型MOS管的特性，使得靜電防止電路尤其適用于顯示設(shè)備相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)。

在本申請一些可選的實施例中，所述靜電防止電路通常具有兩個接線端，且兩端分別與第一連接線和第二連接線連接，用于實現(xiàn)第一連接線與第二連接線之間的靜電保護；所述第一連接線為第一信號線，所述第二連接線為第二信號線。參照圖6和圖7所示，分別為本發(fā)明提供的雙向?qū)ΨQ靜電防止電路與兩組數(shù)據(jù)線連接的第一個和第二個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。也即，本申請的靜電防止電路實現(xiàn)了兩組不同信號線(data1和data2)之間的靜電保護功能，使得兩組不同的信號線兩端的靜電信號能夠及時釋放或者平衡。

進一步，在液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域中，所述信號線為柵極信號線或者數(shù)據(jù)信號線。這樣，能夠通過不同類型的信號線分別設(shè)置相應(yīng)的靜電防止電路，實現(xiàn)低功耗的靜電保護。

在本申請一些可選的實施例中，所述靜電防止電路通常具有兩個接線端，且兩端分別與第一連接線和第二連接線連接，用于實現(xiàn)第一連接線與第二連接線之間的靜電保護；所述第一連接線為信號線，所述第二連接線為短路環(huán)；或者，所述第一連接線為短路環(huán)，所述第二連接線為信號線。參照圖8和圖9所示，分別為本發(fā)明提供的雙向?qū)ΨQ靜電防止電路分別與數(shù)據(jù)線和短路環(huán)連接的第一個和第二個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。通過將靜電防止電路設(shè)置于信號線與短路環(huán)之間，使得信號線上的靜電信號能夠通過短路環(huán)快速釋放，起到較好的靜電保護作用。

進一步，在液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域中，所述短路環(huán)為柵極信號線短路環(huán)或者數(shù)據(jù)信號線短路環(huán)。這樣，能夠通過不同類型的信號線以及對應(yīng)的短路環(huán)分別設(shè)置相應(yīng)的靜電防止電路，實現(xiàn)低功耗的靜電保護。

參照圖8和圖9所示，所述靜電防止電路為多組，且所述多組靜電防止電路的一端均連接到短路環(huán)中，另一端與不同的信號線(data1和data2)連接。這樣，可以根據(jù)實際靜電保護的需要，實現(xiàn)不同信號線的靜電保護。

在本申請一些可選的實施例中，還提供了一種陣列基板，所述陣列基板上設(shè)置上述的靜電防止電路。

在本申請一些可選的實施例中，還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置上設(shè)置有所述陣列基板。

需要說明的是，本申請上述實施例中的部分實施例公開了適用于液晶顯示領(lǐng)域，但本申請?zhí)岢龅撵o電防止電路并不限于液晶顯示領(lǐng)域。此外，雖然本申請的靜電防止電路中均通過電容器實現(xiàn)低功耗設(shè)計，但是本申請的所有靜電防止電路結(jié)構(gòu)同樣適用于沒有電容器的電路設(shè)計，使得靜電防止電路實現(xiàn)相應(yīng)的靜電保護功能。

所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當理解：以上任何實施例的討論僅為示例性的，并非旨在暗示本公開的范圍(包括權(quán)利要求)被限于這些例子；在本發(fā)明的思路下，以上實施例或者不同實施例中的技術(shù)特征之間也可以進行組合，步驟可以以任意順序?qū)崿F(xiàn)，并存在如上所述的本發(fā)明的不同方面的許多其它變化，為了簡明它們沒有在細節(jié)中提供。

另外，為簡化說明和討論，并且為了不會使本發(fā)明難以理解，在所提供的附圖中可以示出或可以不示出與集成電路(IC)芯片和其它部件的公知的電源/接地連接。此外，可以以框圖的形式示出裝置，以便避免使本發(fā)明難以理解，并且這也考慮了以下事實，即關(guān)于這些框圖裝置的實施方式的細節(jié)是高度取決于將要實施本發(fā)明的平臺的(即，這些細節(jié)應(yīng)當完全處于本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解范圍內(nèi))。在闡述了具體細節(jié)(例如，電路)以描述本發(fā)明的示例性實施例的情況下，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是，可以在沒有這些具體細節(jié)的情況下或者這些具體細節(jié)有變化的情況下實施本發(fā)明。因此，這些描述應(yīng)被認為是說明性的而不是限制性的。

盡管已經(jīng)結(jié)合了本發(fā)明的具體實施例對本發(fā)明進行了描述，但是根據(jù)前面的描述，這些實施例的很多替換、修改和變型對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說將是顯而易見的。例如，其它存儲器架構(gòu)(例如，動態(tài)RAM(DRAM))可以使用所討論的實施例。

本發(fā)明的實施例旨在涵蓋落入所附權(quán)利要求的寬泛范圍之內(nèi)的所有這樣的替換、修改和變型。因此，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何省略、修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。