本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種黑矩陣光罩、黑矩陣的制造方法及陣列基板。

背景技術(shù)：

近年來，顯示屏在人們?nèi)粘Ｉ钪杏袕V泛的應(yīng)用，為了滿足用戶對顯示屏高穿透率、高分辨率的需求。在產(chǎn)品設(shè)計上，顯示屏的黑矩陣的線寬越來越小，隨著線寬的縮小。黑矩陣的制造精度要求也越來越高。

而采用現(xiàn)有的工藝制造得到的黑矩陣無法滿足小線寬的要求，得到的黑矩陣線寬均偏大。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種黑矩陣光罩、黑矩陣的制造方法及陣列基板，以解決現(xiàn)有技術(shù)中制得的黑矩陣線寬偏大質(zhì)量不佳的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出一種黑矩陣光罩，其包括黑矩陣區(qū)和顯示區(qū)，黑矩陣區(qū)排布有多個附屬圖案；顯示區(qū)的透光率和附屬圖案的透光率均小于黑矩陣區(qū)上非附屬圖案的透光率，或者顯示區(qū)的透光率和附屬圖案的透光率均大于黑矩陣上非附屬圖案的透光率。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出一種黑矩陣的制造方法，其包括提供一基板；在基板上沉積黑矩陣材料，以形成黑矩陣層；利用光刻工藝對黑矩陣層進(jìn)行處理，以形成黑矩陣區(qū)和顯示區(qū)，黑矩陣區(qū)上排布有多個附屬圖案，附屬圖案的黑矩陣材料少于黑矩陣區(qū)上非附屬圖案的黑矩陣材料。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出一種陣列基板，陣列基板上形成有黑矩陣區(qū)和顯示區(qū)；黑矩陣區(qū)上排布有多個附屬圖案，附屬圖案的黑矩陣材料少于黑矩陣區(qū)上非附屬圖案的黑矩陣材料。

本發(fā)明黑矩陣光罩包括黑矩陣區(qū)和顯示區(qū)，黑矩陣區(qū)排布有多個附屬圖案；顯示區(qū)的透光率和附屬圖案的透光率均小于或大于黑矩陣區(qū)上非附屬圖案的透光率，在使用本發(fā)明的黑矩陣光罩對光阻進(jìn)行曝光后，顯示區(qū)和附屬圖案單位面積需反應(yīng)的光阻，均較非附屬圖案單位面積需反應(yīng)的光阻更多或更少，顯示區(qū)和附屬圖案上單位面積需反應(yīng)的光阻差異較小，相應(yīng)的減少顯示區(qū)和黑矩陣區(qū)需反應(yīng)的光阻的差異，繼而在顯影工藝中，顯示區(qū)和黑矩陣區(qū)所需顯影液的差異也較小，因此黑矩陣區(qū)的顯影液不會受顯示區(qū)顯影液的影響，而導(dǎo)致黑矩陣區(qū)顯影效果不佳，線寬較大的問題。

附圖說明

圖1是本發(fā)明黑矩陣光罩一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明黑矩陣光罩另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明黑矩陣光罩又一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明黑矩陣的制造方法一實(shí)施例的流程示意圖；

圖5是圖4所示制造方法的實(shí)施例中形成黑矩陣層的基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是圖5所示形成黑矩陣層的基板a-a方向的截面圖；

圖7是圖4所示制造方法的實(shí)施例中光刻工藝后形成黑矩陣的基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8是圖7所示形成黑矩陣的基板b-b方向的截面圖；

圖9是圖7所示形成黑矩陣的基板b-b方向的另一截面圖；

圖10是本發(fā)明陣列基板一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對發(fā)明所提供的一種黑矩陣光罩、黑矩陣的制造方法及陣列基板做進(jìn)一步詳細(xì)描述。

本發(fā)明的黑矩陣光罩可用于制造陣列基板上的黑矩陣，黑矩陣光罩包括黑矩陣區(qū)和顯示區(qū)，分別對應(yīng)于陣列基板上的黑矩陣區(qū)和顯示區(qū)。

在制得黑矩陣的光刻工藝中，在陣列基板上顯示區(qū)相較于黑矩陣區(qū)所需要去除的黑矩陣材料較多，因此顯示區(qū)的顯影液濃度下降較快，在顯示區(qū)及黑矩陣區(qū)的交界處，顯影液濃度也會降低，因此會導(dǎo)致黑矩陣區(qū)的邊緣顯影不足，造成黑矩陣線寬過大的問題。

本發(fā)明提供一種黑矩陣光罩，以縮小陣列基板上顯示區(qū)和黑矩陣區(qū)中所需去除的黑矩陣材料的差異。在本發(fā)明黑矩陣光罩的黑矩陣區(qū)上排布多個附屬圖案，并使得附屬圖案的透光率和顯示區(qū)的透光率均大于或小于黑矩陣上非附屬圖案的透光率。

對于附屬圖案的形狀及排布，本發(fā)明并不做限定，只需滿足附屬圖案的透光率和顯示區(qū)的透光率均大于或小于黑矩陣上非附屬圖案的透光率均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。以下給出三個實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在所給出實(shí)施例的基礎(chǔ)上做相應(yīng)變換。

請參閱圖1-圖3，圖1是本發(fā)明黑矩陣光罩一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2是本發(fā)明黑矩陣光罩另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，圖3是本發(fā)明黑矩陣光罩又一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖1-圖3中三個實(shí)施例中黑矩陣光罩100包括黑矩陣區(qū)11和顯示區(qū)12，且黑矩陣區(qū)11排布有多個附屬圖案13。

三個實(shí)施例的相同點(diǎn)在于附屬圖案13的透光率和顯示區(qū)12的透光率均大于或小于黑矩陣區(qū)11非附屬圖案的透光率。

利用黑矩陣光罩100進(jìn)行光刻工藝時，顯示區(qū)12所對應(yīng)的陣列基板上需要去除的光阻較多，若光阻為正光阻，則黑矩陣光罩100的顯示區(qū)12的透光率比黑矩陣區(qū)11非附屬圖案的透光率大，相應(yīng)附屬圖案13的透光率也比黑矩陣區(qū)11非附屬圖案的透光率大。

例如在顯示區(qū)12和附屬圖案13處可設(shè)置為全透光，黑矩陣區(qū)11非附屬圖案處可設(shè)置為半透光；或者顯示區(qū)12設(shè)置為全透光，附屬圖案13處設(shè)置為半透光，黑矩陣區(qū)11非附屬圖案處設(shè)置為不透光。

若光阻為負(fù)光阻，則黑矩陣光罩100的顯示區(qū)12的透光率比黑矩陣區(qū)11非附屬圖案的透光率小，相應(yīng)附屬圖案13的透光率也比黑矩陣區(qū)11非附屬圖案的透光率小。具體與正光阻情況對應(yīng)，不再贅述。

圖1-圖3中三個實(shí)施例的不同點(diǎn)在于附屬圖案13以及附屬圖案13的排布方式。圖1中，附屬圖案13的形狀與顯示區(qū)12的形狀相同，且多個附屬圖案13在黑矩陣區(qū)11陣列排布，每個附屬圖案13的形狀規(guī)格均相同；圖2中，附屬圖案13的形狀為圓形，每個附屬圖案13的形狀規(guī)格均相同；圖3中，附屬圖案13的形狀為矩形，沿著黑矩陣區(qū)11的邊緣排布，每個附屬圖案13的形狀規(guī)格均相同。

在其他實(shí)施例中，附屬圖案13還可以為三角形、菱形、橢圓形等，且每個附屬圖案13的形狀規(guī)格也可不相同。

采用本發(fā)明的黑矩陣光罩對光阻進(jìn)行曝光后，顯示區(qū)和附屬圖案單位面積需反應(yīng)的光阻，均較非附屬圖案單位面積需反應(yīng)的光阻更多或更少，顯示區(qū)和附屬圖案上單位面積需反應(yīng)的光阻差異較小，相應(yīng)的減少顯示區(qū)和黑矩陣區(qū)需反應(yīng)的光阻的差異，繼而在顯影工藝中，顯示區(qū)和黑矩陣區(qū)所需顯影液的差異也較小，因此黑矩陣區(qū)的顯影液不會受顯示區(qū)顯影液的影響。從而能夠制得邊緣清晰，質(zhì)量較好的黑矩陣。

請參閱圖4，圖4是本發(fā)明黑矩陣的制造方法一實(shí)施例的流程示意圖。本實(shí)施例制造方法包括以下步驟。

s101：提供一基板。

黑矩陣形成在基板上，本步驟s101所提供的基板可以為玻璃基板，石英基板等透明基板。

s102：在基板上沉積黑矩陣材料，形成黑矩陣層。

在基板上沉積黑矩陣材料，以形成一黑矩陣層，黑矩陣材料可以為黑色有機(jī)光阻，也可以是不透光金屬。結(jié)合圖5和圖6以進(jìn)一步理解本步驟s102，圖5是圖4所示制造方法的實(shí)施例中形成黑矩陣層的基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖6是圖5所示形成黑矩陣層的基板a-a方向的截面圖。由圖5和圖6可知，基板21上沉積黑矩陣材料，形成黑矩陣層22，

s103：利用光刻工藝對黑矩陣層進(jìn)行處理，形成黑矩陣區(qū)和顯示區(qū)。

利用光刻工藝對黑矩陣層進(jìn)行處理，形成黑矩陣區(qū)和顯示區(qū)，本步驟中所形成的黑矩陣區(qū)上排布有多個附屬圖案，且附屬圖案的黑矩陣材料少于黑矩陣區(qū)上非附屬圖案的黑矩陣材料。

光刻工藝具體包括曝光和顯影操作，為得到具有附屬圖案的黑矩陣區(qū)和顯示區(qū)，本步驟s103中可采用上述實(shí)施例黑矩陣光罩100對黑矩陣層進(jìn)行曝光。

可結(jié)合圖7-圖9，以進(jìn)一步了解本步驟s103。圖7是圖4所示制造方法的實(shí)施例中光刻工藝后形成黑矩陣的基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖8是圖7所示形成黑矩陣的基板b-b方向的截面圖，圖9是圖7所示形成黑矩陣的基板b-b方向的另一截面圖。

利用光刻工藝對光阻層22進(jìn)行處理，得到黑矩陣區(qū)221、顯示區(qū)222，黑矩陣區(qū)222上排布有多個附屬圖案223。光刻工藝后，顯示區(qū)222沒有黑矩陣材料，屬于透光區(qū)域；黑矩陣區(qū)222的附屬圖案223處也可以沒有黑矩陣材料，為透光區(qū)域，非附屬圖案區(qū)有黑矩陣材料，為不透光區(qū)域；黑矩陣區(qū)222的附屬圖案223處也可有少量黑矩陣材料，即較非附屬圖案區(qū)的黑矩陣材料少，為不透光區(qū)域。

對于附屬圖案223的形狀和排布，有多種方式，具體可參照上述黑矩陣光罩的實(shí)施例中所對應(yīng)的附屬圖案的情況。附屬圖案223可以與顯示區(qū)222的形狀相同，也可以不相同；附屬圖案223可以陣列排布在黑矩陣區(qū)221，也可沿著黑矩陣區(qū)221的邊緣排布。

采用本發(fā)明制造方法制得的黑矩陣邊緣清晰，質(zhì)量較好，并且可得到線寬較小的黑矩陣。

在完成上述步驟s101-s103后，在具有黑矩陣的基板上進(jìn)一步沉積ito及光阻隔墊物，可得到陣列基板。

請參閱圖10，圖10是本發(fā)明陣列基板一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例陣列基板300包括黑矩陣區(qū)31和顯示區(qū)32。

在黑矩陣區(qū)31上排布有多個附屬圖案33，附屬圖案33的形狀及排布有多種方式，具體可參照上述黑矩陣光罩的實(shí)施例中所對應(yīng)的附屬圖案的情況。附屬圖案33可以與顯示區(qū)32的形狀相同，也可以不相同；附屬圖案33可以陣列排布在黑矩陣區(qū)31，也可沿著黑矩陣區(qū)31的邊緣排布。

另外，本實(shí)施例中附屬圖案33處的黑矩陣材料少于黑矩陣區(qū)31上非附屬圖案的黑矩陣材料；附屬圖案33處還可以如顯示區(qū)32沒有黑矩陣材料，即附屬圖案33及顯示區(qū)32均能透光。

本實(shí)施例陣列基板中的黑矩陣邊緣清晰，陣列基板制得的顯示面板亮度均勻，不存在中間亮四周暗的問題。且本發(fā)明陣列基板可設(shè)計線寬較小的黑矩陣，以實(shí)現(xiàn)高穿透率、高分辨率。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。