本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及觸控顯示面板和觸控顯示裝置。

背景技術(shù)：

液晶顯示面板因其具有分辨率高、成本低等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用于顯示技術(shù)領(lǐng)域。通常液晶顯示面板包括像素電極和公共電極，液晶分子在像素電極和公共電極形成的電場(chǎng)下發(fā)生偏轉(zhuǎn)，從而調(diào)節(jié)出射光線的強(qiáng)度，實(shí)現(xiàn)不同亮度的像素的顯示。

觸控式的液晶顯示面板中通常將公共電極復(fù)用為觸控電極，并在觸控電極上連接至少一條觸控信號(hào)線以傳輸觸控信號(hào)。為了簡(jiǎn)化制程，現(xiàn)有的觸控式液晶顯示面板通常在像素電極所在的膜層設(shè)計(jì)連接電極，通過(guò)連接電極將觸控信號(hào)線和觸控電極相互電連接。

現(xiàn)有的液晶顯示面板中，像素電極包括沿與顯示面板的側(cè)邊呈一銳角方向延伸的多個(gè)子電極，在一定范圍內(nèi)，液晶顯示面板的透過(guò)率隨著該子電極與顯示面板的側(cè)邊之間的角度(或者傾斜角)的增大而增大。但是，像素電極中各子電極傾斜角度過(guò)大會(huì)導(dǎo)致每個(gè)像素電極所占用的面積增大，連接電極和像素電極之間的距離過(guò)小，產(chǎn)生信號(hào)串?dāng)_，并且連接電極與觸控信號(hào)線之間容易產(chǎn)生橫向電場(chǎng)，從而影響像素電極與公共電極之間形成的電場(chǎng)，使顯示效果下降。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決背景技術(shù)部分提到的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)峁┝擞|控顯示面板和觸控顯示裝置。

第一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種觸控顯示面板，包括：呈陣列排布的多個(gè)薄膜晶體管；多個(gè)觸控電極，位于第一電極層；呈陣列排布的多個(gè)像素電極，位于第二電極層，各像素電極的一端包括連接部，像素電極在連接部處與薄膜晶體管的源極或漏極電連接；多條觸控信號(hào)線，位于第一金屬層，第一電極層、第二電極層、第一金屬層相互絕緣；多個(gè)連接電極，與各觸控信號(hào)線一一對(duì)應(yīng)，連接電極形成于第二電極層，連接電極位于沿第一方向相鄰的像素電極之間、且靠近像素電極的連接部的一端；連接電極包括第一過(guò)孔區(qū)和第二過(guò)孔區(qū)，連接電極在第一過(guò)孔區(qū)通過(guò)第一過(guò)孔與對(duì)應(yīng)的觸控信號(hào)線電連接，連接電極在第二過(guò)孔區(qū)通過(guò)第二過(guò)孔與對(duì)應(yīng)的觸控電極電連接；第一過(guò)孔區(qū)和第二過(guò)孔區(qū)的中心點(diǎn)的連線與第二方向之間具有夾角θ，0≤θ＜77.42°；其中，第一方向與像素電極形成的陣列的行方向平行，第二方向與像素電極形成的陣列的列方向平行。

第二方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種觸控顯示裝置，包括上述觸控顯示面板。

本申請(qǐng)?zhí)峁┑挠|控顯示面板和觸控顯示裝置，通過(guò)將連接電極的第一過(guò)孔區(qū)的中心點(diǎn)和第二過(guò)孔區(qū)的中心點(diǎn)的連線與像素電極形成的陣列的列方向之間的夾角θ設(shè)計(jì)為0≤θ＜77.42°，使得連接電極的兩個(gè)過(guò)孔區(qū)近似沿像素電極形成的陣列的列方向排列，從而縮小連接電極沿像素電極形成的陣列的行方向的寬度，使得像素電極中的各子電極與第二方向之間的夾角可以設(shè)計(jì)得足夠大，在保證連接電極不影響像素電極與公共電極之間的電場(chǎng)強(qiáng)度的同時(shí)可以提升觸控顯示面板的穿透率，進(jìn)而提升顯示效果。

附圖說(shuō)明

通過(guò)閱讀參照以下附圖所作的對(duì)非限制性實(shí)施例詳細(xì)描述，本申請(qǐng)的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯：

圖1是根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的觸控顯示面板的一個(gè)俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1所示觸控顯示面板中局部A的一個(gè)放大結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是沿圖2所示剖線BB’的一個(gè)剖面結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖4是沿圖3所示剖線BB’的另一個(gè)剖面結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖5是圖1所示觸控顯示面板中局部A的另一個(gè)放大結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本申請(qǐng)實(shí)施例的觸控顯示裝置的一個(gè)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋相關(guān)發(fā)明，而非對(duì)該發(fā)明的限定。另外還需要說(shuō)明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與有關(guān)發(fā)明相關(guān)的部分。

需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本申請(qǐng)。

請(qǐng)參考圖1，其示出了根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的觸控顯示面板的一個(gè)俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

如圖1所示，觸控顯示面板100包括呈陣列排布的多個(gè)薄膜晶體管101、多個(gè)觸控電極102、呈陣列排布的多個(gè)像素電極103、多條觸控信號(hào)線104以及多個(gè)連接電極105。其中各像素電極103與各薄膜晶體管101一一對(duì)應(yīng)電連接，在薄膜晶體管101導(dǎo)通時(shí)對(duì)應(yīng)的像素電極103接收顯示驅(qū)動(dòng)信號(hào)。觸控電極102可以被復(fù)用為公共電極，在顯示時(shí)像素電極103與公共電極102之間形成電場(chǎng)。每個(gè)觸控電極102可以與至少一條觸控信號(hào)線104對(duì)應(yīng)電連接。

觸控電極102可以位于第一電極層，像素電極103可以位于第二電極層，觸控信號(hào)線104可以位于第一金屬層，并且，第一電極層、第二電極層、第一金屬層相互絕緣。第一電極層、第二電極層以及第一金屬層的相對(duì)位置及膜層結(jié)構(gòu)在后面結(jié)合圖3和圖4進(jìn)一步描述。

連接電極105與觸控信號(hào)線104一一對(duì)應(yīng)，連接電極105形成于第二電極層。進(jìn)一步地，像素電極103的一端可以包括連接部，像素電極103在連接部處與薄膜晶體管101的源極或漏極電連接，連接電極105可以位于沿第一方向相鄰的像素電極105之間、且靠近像素電極103的連接部的一端。其中，第一方向與像素電極陣列的行方向平行。

請(qǐng)參考圖2，其示出了圖1所示觸控顯示面板中局部A的一個(gè)放大結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，像素電極103的一端包括連接部1031，連接電極105位于沿第一方向相鄰的兩個(gè)像素電極103之間、且靠近像素電極103的連接部1031的一端。連接電極105包括第一過(guò)孔區(qū)1051和第二過(guò)孔區(qū)1052。連接電極105在第一過(guò)孔區(qū)1051通過(guò)第一過(guò)孔與對(duì)應(yīng)的觸控信號(hào)線104電連接，連接電極105在第二過(guò)孔區(qū)1052通過(guò)第二過(guò)孔與對(duì)應(yīng)的觸控電極102電連接。第一過(guò)孔區(qū)1051的中心點(diǎn)和第二過(guò)孔區(qū)1052的中心點(diǎn)的連線與第二方向之間具有夾角θ，0≤θ＜77.42°，其中，第二方向與像素電極形成的陣列的列方向平行。

由于制作工藝的限制，第一過(guò)孔區(qū)1051和第二過(guò)孔區(qū)1052之間需保證一定的距離，這樣可以保證第一過(guò)孔和第二過(guò)孔不連通。第一過(guò)孔區(qū)1051和第二過(guò)孔區(qū)1052的孔徑也不能過(guò)小，這樣才可以保證沉積于第一過(guò)孔和第二過(guò)孔上的第二電極層的材料與觸控信號(hào)線和觸控電極具有良好的電性接觸，且第一過(guò)孔區(qū)1051和第二過(guò)孔區(qū)1052與連接電極105的邊緣之間也需要具有一定的距離，這就需要第一過(guò)孔區(qū)1051和第二過(guò)孔區(qū)1052的中心連線盡量增長(zhǎng)，也就是說(shuō)需要盡量增大第一過(guò)孔區(qū)1051的中心點(diǎn)和第二過(guò)孔區(qū)1052的中心點(diǎn)的連線與第二方向之間的夾角θ。

從圖2可以看出，在本實(shí)施例中，通過(guò)限定第一過(guò)孔區(qū)1051的中心點(diǎn)和第二過(guò)孔1052的中心點(diǎn)的連線與第二方向之間的夾角θ滿足0≤θ＜77.42°，連接電極105沿第一方向的長(zhǎng)度較小，保證像素電極103與連接電極105之間具有一定的距離，避免由于工藝誤差導(dǎo)致像素電極103與連接電極105相互連接；同時(shí)保證第一過(guò)孔區(qū)1051和第二過(guò)孔區(qū)1052的孔徑不會(huì)過(guò)小，從而保證沉積于第一過(guò)孔和第二過(guò)孔上的第二電極層的材料與觸控信號(hào)線和觸控電極具有良好的電性接觸，即保證連接電極與觸控信號(hào)線和觸控電極具有良好的電性接觸。并且，第一過(guò)孔區(qū)1051的中心點(diǎn)和第二過(guò)孔區(qū)1052的中心點(diǎn)的連線與第二方向之間的夾角θ滿足0≤θ＜77.42°時(shí)，第一過(guò)孔區(qū)1051和第二過(guò)孔區(qū)1052之間的距離可以保證第一過(guò)孔和第二過(guò)孔不連通，避免工藝的限制對(duì)產(chǎn)品制作造成的誤差。另一方面，由于觸控電極102的數(shù)量遠(yuǎn)小于像素電極103的數(shù)量，則連接電極105的數(shù)量遠(yuǎn)小于像素電極103的數(shù)量，即連接電極105僅設(shè)置在一部分像素電極103之間，位于連接電極105周邊的像素電極103與其他像素103提供使液晶旋轉(zhuǎn)的電場(chǎng)的性能存在差異。在連接電極105與像素電極103形成的電場(chǎng)強(qiáng)度超過(guò)3×10⁶N/C時(shí)，上述位于連接電極105周邊的像素電極103與其他像素103提供使液晶旋轉(zhuǎn)的電場(chǎng)的性能差異會(huì)對(duì)顯示效果產(chǎn)生影響。而在連接電極105與像素電極103形成的電場(chǎng)強(qiáng)度不超過(guò)3×10⁶N/C時(shí)，顯示效果不會(huì)受到明顯的影響。

在本實(shí)施例中0≤θ＜77.42°時(shí)，連接電極105與像素電極103所形成的最大電場(chǎng)強(qiáng)度低于3×10⁶N/C，該電場(chǎng)強(qiáng)相較于θ≥77.42°時(shí)連接電極105與像素電極103之間的電場(chǎng)強(qiáng)度(例如當(dāng)θ≥85°時(shí)連接電極105與像素電極103之間的電場(chǎng)強(qiáng)度可以達(dá)到8×10⁶N/C)對(duì)設(shè)置于連接電極105周邊的像素電極103與公共電極102(觸控電極)所形成的電場(chǎng)的影響較小，使得設(shè)置于連接電極105周邊的像素電極103與其他像素電極103提供的電場(chǎng)強(qiáng)度差異不會(huì)過(guò)大，能夠避免連接電極102位置處的像素電極103提供電場(chǎng)的性能受到影響而使顯示效果劣化，有助于提升顯示效果。

可選地，上述連接部1031包括第三過(guò)孔區(qū)1030，連接部1031通過(guò)設(shè)置于第三過(guò)孔區(qū)1030的第三過(guò)孔與薄膜晶體管的源極或漏極電連接。

請(qǐng)參考圖3，其示出了沿圖2所示剖線BB’的一個(gè)剖面結(jié)構(gòu)的示意圖。在這里，觸控顯示面板300包括襯底30以及形成于襯底30上的各膜層。如圖3所示，觸控顯示面板300包括薄膜晶體管301、觸控電極321(即圖2所示觸控電極102)、像素電極331(即圖2所示像素電極103)、觸控信號(hào)線311(即圖2所示觸控信號(hào)線104)以及連接電極332(即圖2所示連接電極105)。其中觸控電極321位于第一電極層32，像素電極331和連接電極332位于第二電極層33，觸控信號(hào)線311位于第一金屬層31。

在本實(shí)施例中，第一電極層32位于第二電極層33和第一金屬層31之間。第一金屬層31和第一電極層32之間設(shè)有第一絕緣層301，第一電極層32和第二電極層33之間設(shè)有第二絕緣層302。連接電極332在第一過(guò)孔區(qū)通過(guò)第一過(guò)孔3011與對(duì)應(yīng)的觸控信號(hào)線311電連接，連接電極332在第二過(guò)孔區(qū)通過(guò)第二過(guò)孔3012與對(duì)應(yīng)的觸控電極321電連接。其中第一過(guò)孔3011貫穿第一絕緣層301和第二絕緣層302，第二過(guò)孔3012貫穿第二絕緣層302。

在本實(shí)施例中，薄膜晶體管310可以位于第二電極層33、第一電極層32以及第一金屬層31與襯底30之間，包括柵極341，有源層35、源極361和漏極362。其中柵極341形成于柵極金屬層34，源極361和漏極362形成于源漏金屬層36，源極361和漏極362與有源層35相互接觸。有源層35不與源極361和漏極362相接觸的區(qū)域形成溝道區(qū)。柵極金屬層34可以位于有源層35和源漏金屬層36之間?？蛇x地，薄膜晶體管310還可以包括遮光金屬層37，該遮光金屬層37可以位于襯底30和有源層35之間，用于遮擋由襯底30一側(cè)射向有源層35的溝道區(qū)的光線。

在這里，第一金屬層31和源漏金屬層36之間設(shè)有第五絕緣層305，以使形成于第一金屬層31的觸控信號(hào)線311和形成于源漏金屬層36的源極361和漏極362相互電性絕緣。像素電極331的連接部包括第三過(guò)孔區(qū)，像素電極331通過(guò)設(shè)置于第三過(guò)孔區(qū)的第三過(guò)孔3013與漏極362電連接，第三過(guò)孔3013貫穿第一絕緣層301、第二絕緣層302以及第五絕緣層305。

請(qǐng)參考圖4，其示出了沿圖3所示剖線BB’的另一個(gè)剖面結(jié)構(gòu)的示意圖。與圖3類似，觸控顯示面板400包括襯底30以及形成于襯底30上的薄膜晶體管310、觸控電極321、像素電極331、觸控信號(hào)線311以及連接電極332。其中觸控電極321形成于第一電極層32，像素電極331和連接電極332形成于第二電極層33，觸控信號(hào)線311形成于第一金屬層31。

與圖3所示實(shí)施例不同的是，觸控顯示面板400中，第一金屬層31位于第一電極層32和第二電極層33之間。且第一金屬層31和第一電極層32之間設(shè)有第三絕緣層303，第一金屬層31和第二電極層33之間設(shè)有第四絕緣層304。上述連接電極332通過(guò)第一過(guò)孔3011與觸控信號(hào)線311電連接，通過(guò)第二過(guò)孔3012與觸控電極321電連接，其中第一過(guò)孔3011貫穿第四絕緣層304，第二過(guò)孔3012貫穿第三絕緣層303和第四絕緣層304。

進(jìn)一步地，像素電極331通過(guò)第三過(guò)孔3013與薄膜晶體管310的漏極362電連接。薄膜晶體管310的源極361和漏極362所在的源漏金屬層36與第一電極層32之間設(shè)有第六絕緣層306，在本實(shí)施例中，上述第三過(guò)孔3013貫穿第三絕緣層303、第四絕緣層304以及第六絕緣層306。

從圖3和圖4可以看出，本申請(qǐng)實(shí)施例利用與像素電極同層的連接電極將觸控信號(hào)線311和觸控電極321相互電連接。在制作工藝中，第一過(guò)孔3011、第二過(guò)孔3012以及第三過(guò)孔3013可以利用同一個(gè)掩膜版形成，無(wú)需增加用于形成觸控電極321和觸控信號(hào)線311之間的過(guò)孔的掩膜版，可以簡(jiǎn)化制作工藝，節(jié)約成本。

此外，在以上實(shí)施例中，薄膜晶體管設(shè)計(jì)為頂柵結(jié)構(gòu)，不同的，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，薄膜晶體管可以根據(jù)需要設(shè)計(jì)為底柵結(jié)構(gòu)。

繼續(xù)參考圖5，其示出了圖1所示觸控顯示面板中局部A的另一個(gè)放大結(jié)構(gòu)示意圖。在這里，僅示出了第二電極層中的像素電極103和連接電極105的結(jié)構(gòu)，以下結(jié)合圖5對(duì)觸控顯示面板中第二電極層的結(jié)構(gòu)進(jìn)行進(jìn)一步的描述。

如圖5所示，在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，第一過(guò)孔區(qū)1051的孔徑CD1不小于2.25μm，第二過(guò)孔區(qū)1052的孔徑也不小于2.25μm。第一過(guò)孔區(qū)1051和第二過(guò)孔區(qū)1052之間的距離為S1，S1＞4μm。在這里，第一過(guò)孔區(qū)1051和第二過(guò)孔區(qū)1052之間的距離S1為第一過(guò)孔區(qū)1051距離第二過(guò)孔區(qū)1051最近的點(diǎn)與第二過(guò)孔區(qū)1052距離第一過(guò)孔區(qū)1051最近的點(diǎn)之間的距離。

第一過(guò)孔區(qū)1051和第二過(guò)孔區(qū)1052的孔徑大于或等于2.25μm時(shí)，可以保證沉積于第一過(guò)孔和第二過(guò)孔上的第二電極層的材料與觸控信號(hào)線和觸控電極具有良好的電性接觸，即保證連接電極與觸控信號(hào)線和觸控電極具有良好的電性接觸。并且，第一過(guò)孔區(qū)1051和第二過(guò)孔區(qū)1052之間的距離不小于4μm，可以保證第一過(guò)孔和第二過(guò)孔不連通。

第一過(guò)孔區(qū)1051距離連接電極105的邊緣的最小距離為S2，S2＞2μm，這樣，可以保證在制作工藝形成連接電極時(shí)，連接電極105可以完全覆蓋第一過(guò)孔，避免位于第二電極層遠(yuǎn)離襯底一側(cè)的其他膜層材料與第一過(guò)孔和觸控信號(hào)線接觸。同樣地，第二過(guò)孔區(qū)1052距離連接電極105的邊緣的最小距離也大于2μm，從而保證連接電極覆蓋第二過(guò)孔，避免位于第二電極層遠(yuǎn)離襯底一側(cè)的其他膜層材料與第二過(guò)孔和觸控電極接觸。

連接電極105的邊緣與像素電極103之間的最小距離為S3，S3＞2.2μm。由于連接電極105和像素電極103位于同一導(dǎo)電層，若連接電極105和像素電極103之間的距離過(guò)小，連接電極105和像素電極103之間容易產(chǎn)生寄生電容，從而對(duì)顯示和觸控造成影響。當(dāng)連接電極105和像素電極103之間的最小距離大于2.2μm時(shí)連接電極105和像素電極103之間的電場(chǎng)強(qiáng)度小于3×10⁶N/C，該低于3×10⁶N/C電場(chǎng)強(qiáng)度對(duì)像素電極103影響較小，可以避免位于連接電極105周邊的像素電極與其他像素電極差異過(guò)大而對(duì)顯示和觸控產(chǎn)生影響；并且，連接電極105和像素電極103之間的最小距離大于2.2μm時(shí)可以在由于工藝誤差使得連接電極105的邊緣向像素電極103延伸或像素電極103的邊緣向連接電極105延伸時(shí)保證二者具有良好的絕緣性。

像素電極103可以包括連接部1031，連接部1031可以包括第三過(guò)孔區(qū)1030。連接部1031通過(guò)設(shè)置于第三過(guò)孔區(qū)1030的第三過(guò)孔與薄膜晶體管的源極或漏極電連接(參考圖3和圖4中像素電極與薄膜晶體管的漏極的連接方式)。在一些實(shí)施例中，第三過(guò)孔區(qū)沿第一方向的長(zhǎng)度和沿第二方向的長(zhǎng)度CD2不小于4μm。在這里，第三過(guò)孔區(qū)1030可以為圓形區(qū)域、矩形區(qū)域、或其他不規(guī)則區(qū)域，第三過(guò)孔區(qū)1030沿第一方向和沿第二方向的長(zhǎng)度大于或等于4μm時(shí)，沉積在第三過(guò)孔上的像素電極可以與薄膜晶體管的源極或漏極具有良好的電接觸，可以保證像素電極與薄膜晶體管的源極或漏極之間的電連接的穩(wěn)定性。

進(jìn)一步地，第三過(guò)孔區(qū)1030與像素電極103的邊緣的最小距離為S2’，S2’＞2μm。這樣可以保證像素電極103覆蓋第三過(guò)孔，避免位于第二電極層遠(yuǎn)離襯底一側(cè)的其他膜層材料與第三過(guò)孔和薄膜晶體管的源極/漏極接觸。

以上可知，連接電極105沿第一方向的長(zhǎng)度D1＝CD1+2×S2＞6.25μm，沿第二方向的長(zhǎng)度D2＝2×CD1+S1+2×S2＞12.5μm，第一過(guò)孔區(qū)1051的中心點(diǎn)與第二過(guò)孔區(qū)1052的中心點(diǎn)之間的距離D3＝CD1+S1＞6.25μm?？梢钥闯觯B接電極105沿第二方向的長(zhǎng)度大于沿第一方向的長(zhǎng)度。將連接電極105中的第一過(guò)孔區(qū)1051和第二過(guò)孔區(qū)1052的中心點(diǎn)連線與第二方向之間的夾角θ設(shè)定為0≤θ＜77.42°，第一過(guò)孔區(qū)1051和第二過(guò)孔區(qū)1052沿第一方向所占用的總寬度與sinθ成正比，θ越小，第一過(guò)孔區(qū)1051和第二過(guò)孔區(qū)1052沿第一方向所占用的總寬度越小，連接電極105沿第一方向的寬度越小，更有利于實(shí)現(xiàn)連接電極105和像素電極103之間的電性絕緣。

在一些實(shí)施例中，沿第一方向相鄰的兩個(gè)像素電極103的第三過(guò)孔區(qū)1030的中心點(diǎn)的連線與第一方向平行，且沿第一方向相鄰的兩個(gè)像素電極103的第三過(guò)孔區(qū)1030的中心點(diǎn)間的距離為L(zhǎng)，19.1μm≤L≤24.75μm。

以L＝23μm為例，若θ＝30°，則連接電極105和像素電極103之間的最大距離可以為2.3μm，這時(shí)連接電極105和像素電極103之間的電場(chǎng)強(qiáng)度低于3×10⁶N/C，顯示效果不會(huì)受到影響；若θ＝85°，則連接電極105和像素電極103之間的最大距離為0.76μm，這時(shí)連接電極105和像素電極103之間的電場(chǎng)強(qiáng)度高于8×10⁶N/C，會(huì)使顯示效果受到較大影響?？梢岳斫?，θ取值越小，則連接電極105和像素電極103之間的最大距離越大，連接電極105和像素電極103之間的電場(chǎng)強(qiáng)度越小，顯示效果越好。

在19.1μm≤L≤24.75μm的范圍中，L＝19.1μm的設(shè)計(jì)可以應(yīng)用于顯示屏尺寸為4.97英寸的觸控顯示屏中，L＝24.75μm的設(shè)計(jì)可以應(yīng)用于顯示屏尺寸為6.44英寸的觸控顯示屏中，L＝21μm的設(shè)計(jì)可以應(yīng)用于顯示屏尺寸為5.46英寸的觸控顯示屏中，L＝20m的設(shè)計(jì)可以應(yīng)用于顯示屏尺寸為5.2英寸的觸控顯示屏中。

當(dāng)L＝19.1μm時(shí)，第一過(guò)孔區(qū)1051的中心點(diǎn)和第二過(guò)孔區(qū)1052的中心點(diǎn)沿第一方向的最大距離D4＝L-CD2-2×S3-2×S2-CD1＜0.45μm，可計(jì)算得出此時(shí)的夾角θ＝arcsin(D4/D3)＜4.13°。在0°≤θ＜4.13°且L＝19.1μm時(shí)，可以保證連接電極105和像素電極103之間的最小距離大于2.2μm，進(jìn)而使連接電極105和像素電極103之間的電場(chǎng)強(qiáng)度低于3×10⁶N/C，即連接電極105不會(huì)使像素電極103間提供使液晶旋轉(zhuǎn)的電場(chǎng)的性能產(chǎn)生過(guò)大的差異。在0°≤θ＜4.13°的范圍內(nèi)，θ的值越小，則連接電極105和像素電極103之間的距離越大，連接電極105和像素電極103之間的電場(chǎng)強(qiáng)度越低，對(duì)像素電極103與公共電極102之間的電場(chǎng)的影響越小，越有利于提升顯示效果。

當(dāng)L＝24.75μm時(shí)，第一過(guò)孔區(qū)1051的中心點(diǎn)和第二過(guò)孔區(qū)1052的中心點(diǎn)沿第一方向的最大距離D4＝L-CD2-2×S3-2×S2-CD1＜6.1μm，可計(jì)算得出此時(shí)的夾角θ＝arcsin(D4/D3)＜77.42°。同樣地，在0°≤θ＜77.42°且L＝24.75μm時(shí)，可以保證連接電極105和像素電極103之間的最小距離大于2.2μm，進(jìn)而使連接電極105和像素電極103之間的電場(chǎng)強(qiáng)度低于3×10⁶N/C，即連接電極105不會(huì)使像素電極103間提供使液晶旋轉(zhuǎn)的電場(chǎng)的性能產(chǎn)生過(guò)大的差異。在0°≤θ＜77.42°的范圍內(nèi)，θ的值越小，則連接電極105和像素電極103之間的距離越大，連接電極105和像素電極103之間的電場(chǎng)強(qiáng)度越低，對(duì)像素電極103與公共電極102之間的電場(chǎng)的影響越小，越有利于提升顯示效果。

當(dāng)L＝21μm時(shí)，第一過(guò)孔區(qū)1051的中心點(diǎn)和第二過(guò)孔區(qū)1052的中心點(diǎn)沿第一方向的最大距離D4＝L-CD2-2×S3-2×S2-CD1＜2.35μm，可計(jì)算得出此時(shí)的夾角θ＝arcsin(D4/D3)＜22.09°。同樣地，在0°≤θ＜22.09°且L＝24.75μm時(shí)，可以保證連接電極105和像素電極103之間的最小距離大于2.2μm，進(jìn)而使連接電極105和像素電極103之間的電場(chǎng)強(qiáng)度低于3×10⁶N/C，即連接電極105不會(huì)使像素電極103間提供使液晶旋轉(zhuǎn)的電場(chǎng)的性能產(chǎn)生過(guò)大的差異。在0°≤θ＜22.09°的范圍內(nèi)，θ的值越小，則連接電極105和像素電極103之間的距離越大，連接電極105和像素電極103之間的電場(chǎng)強(qiáng)度越低，對(duì)像素電極103與公共電極102之間的電場(chǎng)的影響越小，越有利于提升顯示效果。

當(dāng)L＝20μm時(shí)，第一過(guò)孔區(qū)1051的中心點(diǎn)和第二過(guò)孔區(qū)1052的中心點(diǎn)沿第一方向的最大距離D4＝L-CD2-2×S3-2×S2-CD1＜1.35μm，可計(jì)算得出此時(shí)的夾角θ＝arcsin(D4/D3)＜12.47°。同樣地，在0°≤θ＜12.47°且L＝24.75μm時(shí)，可以保證連接電極105和像素電極103之間的最小距離大于2.2μm，進(jìn)而使連接電極105和像素電極103之間的電場(chǎng)強(qiáng)度低于3×10⁶N/C，即連接電極105不會(huì)使像素電極103間提供使液晶旋轉(zhuǎn)的電場(chǎng)的性能產(chǎn)生過(guò)大的差異。在0°≤θ＜12.47°的范圍內(nèi)，θ的值越小，則連接電極105和像素電極103之間的距離越大，連接電極105和像素電極103之間的電場(chǎng)強(qiáng)度越低，對(duì)像素電極103與公共電極102之間的電場(chǎng)的影響越小，越有利于提升顯示效果。

在進(jìn)一步的實(shí)施例中，像素電極103還包括多個(gè)沿第三方向延伸且相互連接的支電極1032，第三方向與第二方向之間的夾角為α，0≤α≤10°。當(dāng)α＝10°時(shí)，觸控顯示面板的透過(guò)率較高。當(dāng)α＝0°時(shí)，相鄰像素電極沿第一方向的寬度較小，有利于高分辨率顯示面板的設(shè)計(jì)。

進(jìn)一步地，如圖5所示，各像素電極103的一端(沿支電極延伸方向的一端)包括連接部1031，各像素電極103的另一端(沿支電極延伸方向的另一端)包括凸起部1033，凸起部1033沿第一方向的長(zhǎng)度為L(zhǎng)1，L1＞1.65μm。在液晶顯示面板中，液晶在像素電極103和公共電極(即觸控電極)形成的電場(chǎng)下旋轉(zhuǎn)。上述凸起部1033可以使液晶在電場(chǎng)或外力的作用下跑動(dòng)時(shí)快速恢復(fù)到原來(lái)的位置。

進(jìn)一步地，在沿第一方向相鄰的兩個(gè)像素電極103中，屬于不同的像素電極的支電極的延伸方向相同。沿第二方向相鄰的兩個(gè)像素電極中，屬于不同的像素電極的支電極的延伸方向可以不相同?？蛇x地，沿第一方向相鄰的兩個(gè)像素電極103中，屬于不同的像素電極的兩個(gè)支電極沿第一方向的最小距離為S4，S4≤11μm，這樣，沿第一方向相鄰的像素電極103之間的距離不會(huì)太大，可以避免顯示畫面分辨率過(guò)低。

以上結(jié)合圖5描述了本申請(qǐng)實(shí)施例的第二電極層中的各元件所需滿足的工藝參數(shù)。液晶顯示面板中的其他膜層結(jié)構(gòu)可參考現(xiàn)有的工藝參數(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)，此處不作特殊限定。

上述各實(shí)施例中，觸控顯示面板還可以包括驅(qū)動(dòng)芯片。驅(qū)動(dòng)芯片可以與各觸控信號(hào)線電連接，在觸摸檢測(cè)時(shí)，驅(qū)動(dòng)芯片可以向各觸控信號(hào)線提供觸控脈沖信號(hào)，觸控電極接收觸控脈沖信號(hào)，并感應(yīng)觸摸點(diǎn)，返回觸控感應(yīng)信號(hào)。每個(gè)觸控電極可以作為一個(gè)感應(yīng)單元，當(dāng)手指觸摸該感應(yīng)單元區(qū)域時(shí)會(huì)導(dǎo)走包含觸控電極與地之間的電容的電路中的一部分電荷，使得觸控電極感應(yīng)到的信號(hào)發(fā)生變化，并通過(guò)觸控信號(hào)線傳輸至驅(qū)動(dòng)芯片。驅(qū)動(dòng)芯片可以根據(jù)返回的觸控感應(yīng)信號(hào)確定出觸摸點(diǎn)的位置。

進(jìn)一步地，上述觸控電極可以復(fù)用為公共電極。在顯示時(shí)，驅(qū)動(dòng)芯片可以通過(guò)觸控信號(hào)線向各觸控電極提供公共電壓信號(hào)，向各像素電極提供對(duì)應(yīng)的顯示驅(qū)動(dòng)信號(hào)。觸控顯示面板中的液晶分子在像素電極和公共電極之間形成的電場(chǎng)的作用下旋轉(zhuǎn)，從而控制出射光的強(qiáng)度，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)畫面顯示。

本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種觸控顯示裝置，如圖6所示，觸控顯示裝置600包括上述觸控顯示面板，可以為手機(jī)、平板電腦、可穿戴顯示設(shè)備等?？梢岳斫?，顯示裝置600還可以包括液晶、保護(hù)玻璃、背光源等公知的結(jié)構(gòu)，此處不再贅述。

以上描述僅為本申請(qǐng)的較佳實(shí)施例以及對(duì)所運(yùn)用技術(shù)原理的說(shuō)明。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，本申請(qǐng)中所涉及的發(fā)明范圍，并不限于上述技術(shù)特征的特定組合而成的技術(shù)方案，同時(shí)也應(yīng)涵蓋在不脫離所述發(fā)明構(gòu)思的情況下，由上述技術(shù)特征或其等同特征進(jìn)行任意組合而形成的其它技術(shù)方案。例如上述特征與本申請(qǐng)中公開(kāi)的(但不限于)具有類似功能的技術(shù)特征進(jìn)行互相替換而形成的技術(shù)方案。