【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示面板和一種顯示裝置。

背景技術(shù)：

顯示面板包括第一基板和第二基板，第一基板與第二基板相對設(shè)置，第一基板上在第一基板靠近第二基板的一側(cè)上設(shè)置有多條柵線、多條數(shù)據(jù)線和多條觸控線，其中，多條數(shù)據(jù)線和多條柵線交叉限定多個子像素單元，多條數(shù)據(jù)線和多條觸控線的延伸方向相同，多條柵線與柵極驅(qū)動電路連通，而觸控線則連接至ic驅(qū)動電路，一般地，會將觸控線上的觸控線耳設(shè)置在柵線上，也就是說，在垂直于第一基板所在平面的方向上，觸控線耳的投影與柵線的投影交疊。

然而，觸控線與柵線間會產(chǎn)生極大的耦合電容，影響兩者各自的正常工作，降低了顯示面板的整體顯示性能。

因此，如何降低觸控線與柵線間的耦合電容，成為目前亟待解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例提供了一種顯示面板和一種顯示裝置，旨在解決相關(guān)技術(shù)中因觸控線與柵線的耦合電容過大而影響顯示面板的顯示性能的技術(shù)問題，能夠降低觸控線與柵線間的耦合電容，從而提升顯示面板的顯示性能。

第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種顯示面板，包括第一基板和第二基板，還包括：沿第一方向延伸的柵線；沿第二方向延伸的觸控線，所述觸控線包括條狀延伸部和位于所述條狀延伸部上的側(cè)方凸起部，其中，在垂直于所述第一基板所在平面的方向上，所述側(cè)方凸起部的投影與所述柵線的投影無交疊；以及所述第二基板在靠近所述第一基板的一側(cè)還包括黑矩陣，在垂直于所述第一基板所在平面的方向上，所述黑矩陣的投影覆蓋所述側(cè)方凸起部的投影；所述第一方向和所述第二方向交叉。

第二方面，本發(fā)明實施例提供了一種顯示裝置，包括上述實施例中任一項所述的顯示面板。

以上技術(shù)方案，針對相關(guān)技術(shù)中因觸控線與柵線的耦合電容過大而影響顯示面板的顯示性能的問題，可以在垂直于第一基板所在平面的方向上，使觸控線的側(cè)方凸起部(即觸控線耳)的投影與柵線的投影無交疊，這樣，就使得觸控線所在的網(wǎng)絡(luò)與柵線所在的網(wǎng)絡(luò)的交疊面積減小了，實現(xiàn)了觸控線與柵線間的耦合電容最低，從而最大限度地減小了耦合電容對顯示面板的顯示性能的影響。

【附圖說明】

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。

圖1示出了本發(fā)明的一個實施例的顯示面板的整體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2示出了本發(fā)明的一個實施例的顯示面板的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3示出了圖2中的顯示面板沿a線的剖視圖；

圖4示出了圖2中的顯示面板的觸控電極分布圖；

圖5示出了本發(fā)明的另一個實施例的顯示面板的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6示出了圖5中的b區(qū)域的放大圖；

圖7示出了本發(fā)明的一個實施例的通過6mask工藝得到的顯示面板的層結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的顯示裝置的框圖。

【具體實施方式】

為了更好的理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例進行詳細描述。

應(yīng)當(dāng)明確，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

在本發(fā)明實施例中使用的術(shù)語是僅僅出于描述特定實施例的目的，而非旨在限制本發(fā)明。在本發(fā)明實施例和所附權(quán)利要求書中所使用的單數(shù)形式的“一種”、“所述”和“該”也旨在包括多數(shù)形式，除非上下文清楚地表示其他含義。

圖1示出了本發(fā)明的一個實施例的顯示面板的整體結(jié)構(gòu)示意圖。

如圖1所示，顯示面板1包括第一基板1a和第二基板1b，第一基板1a與第二基板1b相對設(shè)置，第一基板1a上在第一基板1a靠近第二基板1b的一側(cè)上設(shè)置有多條柵線、多條數(shù)據(jù)線和多條觸控線，其中，多條數(shù)據(jù)線和多條柵線交叉限定多個子像素單元，多條數(shù)據(jù)線和多條觸控線的延伸方向相同。其中，第二基板1b為彩膜基板，用于顯示面板1的色彩顯示，第一基板1a為陣列基板。

顯示面板1可為液晶面板，采用液晶顯示方式，通過電壓改變液晶分子的朝向，進而改變透光率，液晶面板在低成本的基礎(chǔ)上，具有亮度高、壽命長、易與計算機接口等優(yōu)點，實現(xiàn)了良好的顯示功能，便于用戶使用。此時，顯示面板1還包括設(shè)置在第一基板1a和第二基板1b之間的液晶層。

在上述結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，對本發(fā)明的技術(shù)方案進行以下詳細描述。

圖2示出了本發(fā)明的一個實施例的顯示面板的局部結(jié)構(gòu)示意圖。

如圖2所示，顯示面板1包括沿第一方向延伸的柵線11和沿第二方向延伸的觸控線12，觸控線12包括條狀延伸部和位于條狀延伸部上的側(cè)方凸起部121，其中，在垂直于第一基板所在平面的方向上，側(cè)方凸起部121的投影與柵線11的投影無交疊；以及第二基板在靠近第一基板的一側(cè)還包括黑矩陣13，在垂直于第一基板所在平面的方向上，黑矩陣13的投影覆蓋側(cè)方凸起部121的投影；第一方向和第二方向交叉。

具體來說，針對相關(guān)技術(shù)中因觸控線12與柵線11的耦合電容過大而影響顯示面板1的顯示性能的問題，可以在垂直于第一基板所在平面的方向上，使觸控線12的側(cè)方凸起部121的投影與柵線11的投影無交疊，這樣，就使得觸控線12所在的網(wǎng)絡(luò)與柵線11所在的網(wǎng)絡(luò)的交疊面積減小了，即使得觸控線12與柵線11間的耦合電容最低，從而最大限度地減小了耦合電容對顯示面板1的顯示性能的影響。

同時，第二基板在靠近第一基板的一側(cè)還包括呈網(wǎng)格狀的黑矩陣13，在垂直于第一基板所在平面的方向上，黑矩陣13的投影覆蓋多條柵線11、多條數(shù)據(jù)線14和多條觸控線12的投影，黑矩陣13的材質(zhì)可以為cr金屬，或摻入黑色顏料的丙烯樹脂，用于遮光和為顯示面板1的整體顯示提高對比度。因此，使黑矩陣13的投影覆蓋側(cè)方凸起部121的投影，提升觸控線12的側(cè)方凸起部121處的遮光效果，避免在側(cè)方凸起部121處產(chǎn)生漏光的問題，合理地利用了柵線11外處的黑矩陣13空間，提升了顯示面板1的顯示效果。

圖3示出了圖2中的顯示面板1沿a線的剖視圖。

如圖3所示，顯示面板1還包括襯底基板18、第一絕緣層19、第二絕緣層20和觸控電極15，其中，顯示面板1中的觸控電極15的數(shù)量為多個，數(shù)據(jù)線14與觸控線15同層。需要知曉，本圖3中僅示意性給出了顯示面板1的部分剖面結(jié)構(gòu)。

其中，觸控電極15與觸控線12通過觸控電極15與觸控線12之間的觸控電極過孔151電連接，這樣，觸控電極15可以將獲取的觸控信號傳輸至觸控線12，最后經(jīng)觸控線12傳輸至ic驅(qū)動電路，從而便于ic驅(qū)動電路根據(jù)得到的觸控信號產(chǎn)生對應(yīng)的顯示信號。

結(jié)合圖2和圖3所示，可選地，在垂直于第一基板所在平面的方向上，側(cè)方凸起部121的投影覆蓋觸控電極過孔151的投影，這樣可使得觸控電極過孔151內(nèi)的觸控電極15只與側(cè)方凸起部121相接觸，而不會與側(cè)方凸起部121外的其他部件接觸，保證了觸控電極15與觸控線12的電連接的有效性。

進一步地，在本發(fā)明的一種實現(xiàn)方式中，觸控電極過孔151的投影邊緣上任一點到側(cè)方凸起部121的投影邊緣的最小距離大于或等于3μm，當(dāng)然，根據(jù)實際需要，該最小距離也可以大于或等于3μm以外的任何其他值。通過設(shè)置有效的最小距離范圍，可以避免因觸控電極過孔151的投影邊緣和側(cè)方凸起部121的投影邊緣過近而在拓印面板時產(chǎn)生側(cè)方凸起部121的投影未完全覆蓋觸控電極過孔151的投影的情況。

圖4示出了圖2中的顯示面板1的觸控電極15分布圖。

如圖4所示，觸控電極15復(fù)用為公共電極，呈m*n的陣列排布，其中，m為大于等于2的正整數(shù)，n為大于等于2的正整數(shù)，且該塊狀公共電極優(yōu)選為矩形。每個塊狀公共電極可以對應(yīng)覆蓋i*j個子像素區(qū)域，其中i>2，j>2，且i、j均為自然數(shù)。由于在顯示階段，每個公共電極需要和像素電極之間形成電場，因此，每個公共電極需要覆蓋各個子像素的開口區(qū)域，即，相鄰兩個公共電極之間形成的狹縫，在垂直于陣列基板所在平面的方向上，可與數(shù)據(jù)線重疊。

每個公共電極通過至少一條觸控線12連接到ic驅(qū)動電路16，在顯示階段，ic驅(qū)動電路16向每個公共電極輸入公共電壓信號，以此和各個像素電極之間形成電場。在觸控階段，ic驅(qū)動電路16向各個公共電極同時或者分時輸入觸控信號，通過檢測每個公共電極，也即觸控電極15上的自電容變化，來檢測觸控位置。由于各個公共電極呈矩陣排列，且每個公共電極分別通過對應(yīng)的觸控線12連接到ic驅(qū)動電路16，可以同時檢測各個公共電極上的自電容變化，以此實現(xiàn)多點觸控檢測。

當(dāng)然，圖4中只是示意性地給出了觸控電極15分布的結(jié)構(gòu)，在實際產(chǎn)品中，觸控電極15分布數(shù)量則非常大，其原理與圖4所述相同。

圖5示出了本發(fā)明的另一個實施例的顯示面板1的局部結(jié)構(gòu)示意圖。

在圖1至圖4示出的顯示面板1的基礎(chǔ)上，如圖5所示，顯示面板1還包括支撐柱17，支撐柱17的第一端支撐于第一基板，第二端支撐于第二基板，在垂直于第一基板所在平面的方向上，支撐柱17的投影與側(cè)方凸起部121的投影無交疊。支撐柱17用于支撐第一基板和第二基板。

結(jié)合圖3和圖5所示，如果支撐柱17的投影與側(cè)方凸起部121的投影交疊，也就是說，如果支撐柱17設(shè)置在觸控電極過孔151的位置處，會影響觸控線12與觸控電極過孔151的連通性能，故需要將支撐柱17設(shè)置在避開觸控電極過孔151的位置，即使得支撐柱17的投影與側(cè)方凸起部121的投影無交疊。

在本發(fā)明的一種實現(xiàn)方式中，在垂直于第一基板所在平面的方向上，黑矩陣13的投影覆蓋支撐柱17的投影，從而減少支撐柱17位置處產(chǎn)生漏光的可能性，提升顯示面板1的顯示效果。

進一步地，如圖6所示，支撐柱17的投影邊緣與黑矩陣13的投影邊緣的最小距離(例如圖6中的距離a或者距離b)大于10μm，也就是說，支撐柱17的投影邊緣的任一點與黑矩陣13的投影邊緣上任一點的距離都小于10μm，以保證支撐柱17的投影能夠被黑矩陣13的投影完全覆蓋，避免因拓印面板導(dǎo)致的支撐柱17邊緣漏光的問題。當(dāng)然，根據(jù)實際需要，該最小距離的范圍也可以是其他任何范圍。

在圖1至圖6示出的任一實施例中，顯示面板1還包括數(shù)據(jù)線14，其中，可以將數(shù)據(jù)線14與觸控線12同層設(shè)置，這樣，在制作顯示面板1的過程中就無需為數(shù)據(jù)線14與觸控線12各使用一道掩膜版，從而可以節(jié)省一道掩膜版。

具體來說，可以采用6mask(六道掩膜版)工藝來進行顯示面板1的制作，圖7示出了本發(fā)明的一個實施例的通過6mask工藝得到的顯示面板的層結(jié)構(gòu)示意圖，結(jié)合圖7所示，具體的制作過程為：

1，在襯底基板18上形成第一金屬層21，第一金屬層21包括柵極和柵線11。即通過第一道掩膜版構(gòu)圖工藝在襯底基板18上形成第一金屬層21，然后在第一金屬層21上覆蓋第一絕緣層19，由于第一絕緣層19無需進行孔刻蝕，故無需使用掩膜版構(gòu)圖工藝，第一絕緣層19位于第一金屬層21和有源層23之間，保證柵極和源漏極221之間電性絕緣。

2，在第一金屬層21上形成有源層23。即通過第二道掩膜版構(gòu)圖工藝在第一金屬層21上形成有源層23，有源層23即半導(dǎo)體層，其位于第一金屬層21上，同時亦位于第一絕緣層19上，有源層23基于對應(yīng)柵極電壓的大小選擇導(dǎo)通或者斷開源漏極221。

3，在柵極和柵線11所在膜層上形成像素電極24。即通過第三道掩膜版構(gòu)圖工藝在柵極和柵線11所在膜層上形成像素電極24，像素電極24位于第一絕緣層19上。

4，在有源層23和像素電極24上形成第二金屬層22和觸控線12，其中，第二金屬層22包括漏極221、源極222和數(shù)據(jù)線14，漏極221與像素電極24電連接。即通過第四道掩膜版構(gòu)圖工藝在有源層23和像素電極24上形成第二金屬層22和觸控線12，觸控線12與漏極221、源極222、數(shù)據(jù)線14和像素電極24電性絕緣，觸控線12和第二金屬層22同層設(shè)置，故省去了一道掩膜版構(gòu)圖工藝，漏極221與像素電極24之間以搭接的方式直接電性連接。另外，觸控線12與數(shù)據(jù)線14相鄰設(shè)置，且觸控線12與數(shù)據(jù)線14平行。

也就是說，觸控線12與數(shù)據(jù)線14位于同一膜層，簡化了制作陣列基板工藝的復(fù)雜度。并且，由于兩者平行設(shè)置，可以在陣列基板的對置基板上形成同時覆蓋數(shù)據(jù)線14和觸控線12的黑矩陣進行遮光，將觸控線12對顯示透過率的影響降至最小。

5，形成覆蓋第二金屬層22的第二絕緣層20，在第二絕緣層20上形成觸控電極過孔151。第二金屬層22和觸控線12所在膜層上覆蓋有第二絕緣層20，通過第五道掩膜版構(gòu)圖工藝在第二絕緣層20上孔刻蝕形成觸控電極過孔151，該觸控電極過孔151位于觸控線12上方。

6，在第二金屬層22上形成公共電極層，其中，公共電極層包括多個以陣列方式設(shè)置的公共電極，公共電極復(fù)用為觸控電極15，公共電極通過觸控電極過孔151與觸控線12電性連接。該公共電極與第二金屬層22之間設(shè)置有第二絕緣層20，該公共電極通過位于第二絕緣層20中的觸控電極過孔151與觸控線12電性連接。

圖8示出了本發(fā)明的一個實施例的顯示裝置的框圖。

如圖8所示，本發(fā)明的一個實施例的顯示裝置2，包括圖1至圖7中任一實施例示出的顯示面板1，因此，顯示裝置2具有和圖1至圖7中任一實施例示出的顯示面板1相同的技術(shù)效果，在此不再贅述。

以上結(jié)合附圖詳細說明了本發(fā)明的技術(shù)方案，通過本發(fā)明的技術(shù)方案，使得觸控線所在的網(wǎng)絡(luò)與柵線所在的網(wǎng)絡(luò)的交疊面積減，實現(xiàn)了觸控線與柵線間的耦合電容最低，從而最大限度地減小了耦合電容對顯示面板的顯示性能的影響。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明保護的范圍之內(nèi)。