本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，具體涉及一種led(lightemittingdiode,發(fā)光二極管)燈源及其制造方法、背光模組。

背景技術(shù)：

四面發(fā)光(foursideemission)型led是一種在倒裝芯片(flipchip)上涂布熒光膠(熒光粉膠體層)和白光反射層所構(gòu)成的燈源。該led燈源在擴(kuò)散板上的照亮區(qū)域形成矩形發(fā)光面，不僅具有尺寸小、驅(qū)動(dòng)功率高等優(yōu)點(diǎn)，而且可以實(shí)現(xiàn)良好的局域調(diào)光(localdimming)效果，從而提升hdr(high-dynamicrange,高動(dòng)態(tài)光照渲染)的顯示品質(zhì)。但是，現(xiàn)有l(wèi)ed燈源的四面發(fā)光的光色一致性較差，led的入bin率(即光采納率)較低，導(dǎo)致基于該led燈源的背光成本居高不下。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于此，本發(fā)明提供一種led燈源及其制造方法、背光模組，能夠改善四面發(fā)光的光色一致性，提升led的入bin率，降低背光成本。

本發(fā)明一實(shí)施例的led燈源，包括襯底以及固定于襯底上的led芯片、熒光膠和白光反射層，熒光膠將led芯片包覆封裝于襯底上，白光反射層用于對(duì)從熒光膠出射至白光反射層的光進(jìn)行反射，熒光膠在襯底上的正投影位于白光反射層在襯底上的正投影之內(nèi)。

本發(fā)明一實(shí)施例的背光模組，包括上述led燈源。

本發(fā)明一實(shí)施例的led燈源的制造方法，包括：

提供一襯底；

在襯底上形成陣列排布的多個(gè)led芯片；

對(duì)陣列排布的多個(gè)led芯片進(jìn)行擴(kuò)晶和固晶，使得任意相鄰兩個(gè)led芯片之間具有預(yù)定間隔并固定于襯底上；

在襯底上形成包覆經(jīng)過擴(kuò)晶和固晶的led芯片的熒光膠；

沿相鄰兩個(gè)led芯片之間的切割線對(duì)熒光膠及襯底進(jìn)行切割，以形成相互獨(dú)立的多個(gè)led單元；

將多個(gè)led單元間隔排布于同一平面上；

在間隔排布的多個(gè)led單元的熒光膠背向led芯片的一側(cè)形成白光反射層；

沿相鄰兩個(gè)led單元之間的切割線對(duì)白光反射層進(jìn)行切割，切割后熒光膠在襯底上的正投影位于白光反射層在襯底上的正投影之內(nèi)。

有益效果：本發(fā)明設(shè)計(jì)熒光膠在襯底上的正投影位于白光反射層在襯底上的正投影之內(nèi)，即白光反射層的面積大于熒光膠的面積，使得白光反射層可以反射四個(gè)面出射的光，相當(dāng)于增大了光反射面積，從而能夠改善四面發(fā)光的光色一致性，提升led的入bin率，降低背光成本。

附圖說明

圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的led燈源的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1所示led燈源的熒光膠和白光反射層的正投影示意圖；

圖3是本發(fā)明一實(shí)施例的led燈源的制造方法的流程示意圖；

圖4是基于圖3所示方法制造led燈源的示意圖；

圖5是本發(fā)明另一實(shí)施例的led燈源的制造方法的流程示意圖；

圖6是基于圖5所示方法制造led燈源的示意圖；

圖7是本發(fā)明一實(shí)施例的背光模組的結(jié)構(gòu)剖視圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明所提供的各個(gè)示例性的實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。在不沖突的情況下，下述各個(gè)實(shí)施例及其技術(shù)特征可以相互組合。

請參閱圖1，為本發(fā)明一實(shí)施例的led燈源。所述led燈源10包括襯底11以及固定于襯底11上的led芯片12、熒光膠13和白光反射層14。襯底11可以為藍(lán)寶石。led芯片12為設(shè)置有金屬電極121的倒裝芯片，其通過金屬電極121接電并發(fā)出藍(lán)光。熒光膠13將led芯片12包覆封裝于襯底11上，熒光膠13整體為矩形體結(jié)構(gòu)，使得封裝后led燈源10為矩形體結(jié)構(gòu)。熒光膠13是一種摻雜有均勻分布熒光粉的封裝膠，熒光粉發(fā)出的黃光可以與led芯片12發(fā)出的藍(lán)光互補(bǔ)形成白光。白光反射層14形成于熒光膠13背向led芯片12的一側(cè)，并用于對(duì)從熒光膠13出射至白光反射層14的光進(jìn)行反射。

由于白光反射層14位于led燈源10的上發(fā)光面，因此白光只能從led燈源10的四個(gè)側(cè)面出射。

與現(xiàn)有技術(shù)不同的是，結(jié)合圖2所示，熒光膠13在襯底11(所在平面)上的正投影位于白光反射層14在襯底11(所在平面)上的正投影之內(nèi)，即，白光反射層14的面積大于熒光膠13的面積。其中，熒光膠13在襯底11上的正投影可以位于白光反射層14在襯底11上的正投影的中間。

結(jié)合圖1和圖2所示，白光從熒光膠13出射之后，從矩形體的led燈源10的四個(gè)側(cè)面出射，位于熒光膠13的正投影之外的白光反射層14對(duì)白光進(jìn)行反射，白光經(jīng)過反射后到達(dá)鄰近于襯底11設(shè)置的擴(kuò)散板，并經(jīng)過擴(kuò)散板之后出射。

可知，本實(shí)施例的白光反射層14可以反射led燈源10的四個(gè)側(cè)面出射的光，相當(dāng)于增大了光反射面積，從而能夠改善四面發(fā)光的光色一致性，提升led的入bin率，在實(shí)現(xiàn)與現(xiàn)有所需相同的背光時(shí)，本實(shí)施例可以減少led燈源10的數(shù)目，從而降低背光成本。

鑒于上述白光反射層14的作用，在本發(fā)明一實(shí)施例中，白光反射層14可以為設(shè)置于熒光膠13上的反光片。當(dāng)然，本發(fā)明其他實(shí)施例也可以為形成于熒光膠13上的封裝膠，只要該封裝膠鄰近熒光膠13的表面能夠反射白光即可。

為了進(jìn)一步提升led的入bin率以及改善四面發(fā)光的光色一致性，白光反射層14鄰近熒光膠13的表面可以為光滑表面。例如，上述反光片鄰近熒光膠13的表面經(jīng)過鏡面處理，上述封裝膠鄰近熒光膠13的表面經(jīng)過研磨處理后也可以表現(xiàn)為光滑表面。

請參閱圖3和圖4，為本發(fā)明一實(shí)施例led燈源的制造方法。所述方法可以包括如下步驟s31～s38。

s31：提供一襯底41。

s32：在襯底41上形成陣列排布的多個(gè)led芯片42。

s33：對(duì)陣列排布的多個(gè)led芯片42進(jìn)行擴(kuò)晶和固晶，使得任意相鄰兩個(gè)led芯片42之間具有預(yù)定間隔并固定于襯底41上。

結(jié)合圖4所示，擴(kuò)晶工藝可以設(shè)定相鄰兩個(gè)led芯片42的間隔，固晶工藝可以將led芯片42以預(yù)定間隔固定于襯底41上。

s34：在襯底41上形成包覆經(jīng)過擴(kuò)晶和固晶的led芯片42的熒光膠43。

本實(shí)施例可以采用涂布及固化方式形成包覆led芯片42的熒光膠43。當(dāng)然，其他實(shí)施例也可以將熒光膠用甲苯或二甲苯烯稀釋形成調(diào)配的熒光溶液，而后采用霧化噴粉設(shè)備將熒光溶液噴涂至經(jīng)過固晶的led芯片42上，在氣流和重力作用下，苯或二甲苯烯會(huì)快速揮發(fā)，剩余的熒光膠微粒會(huì)均勻的吸附于led芯片42的表面，經(jīng)過高溫烘烤，例如在80～120℃下烘烤1～2小時(shí)，固化成型。

s35：沿相鄰兩個(gè)led芯片42之間的切割線對(duì)熒光膠43及襯底41進(jìn)行切割，以形成相互獨(dú)立的多個(gè)led單元44。

所述切割線可以為相鄰兩個(gè)led芯片42的中軸線。

s36：將多個(gè)led單元44間隔排布于同一平面上。

s37：在間隔排布的多個(gè)led單元44的熒光膠43背向led芯片42的一側(cè)形成白光反射層45。

s38：沿相鄰兩個(gè)led單元44之間的切割線對(duì)白光反射層45進(jìn)行切割，切割后熒光膠43在襯底41上的正投影位于白光反射層45在襯底41上的正投影之內(nèi)。

所述切割線可以為相鄰兩個(gè)led單元44的中軸線。

請參閱圖5和圖6，為本發(fā)明另一實(shí)施例led燈源的制造方法。所述方法可以包括如下步驟s51～s60。

s51：提供一襯底61。

s52：在襯底61上形成陣列排布的多個(gè)led芯片62。

s53：對(duì)陣列排布的多個(gè)led芯片62進(jìn)行擴(kuò)晶和固晶，使得任意相鄰兩個(gè)led芯片62之間具有預(yù)定間隔并固定于襯底61上。

s54：在襯底61上形成包覆經(jīng)過擴(kuò)晶和固晶的led芯片62的熒光膠63。

s55：沿相鄰兩個(gè)led芯片62之間的切割線對(duì)熒光膠63及襯底61進(jìn)行切割，以形成相互獨(dú)立的多個(gè)led單元64。

s56：將多個(gè)led單元64間隔排布于同一平面上。

s57：提供一基板65。

s58：在基板65上形成白光反射層66。

其中，本實(shí)施例可以首先在基板65上形成一層封裝膠，然后對(duì)所述封裝膠進(jìn)行固化處理，從而形成白光反射層66。

s59：將白光反射層66自基板65上分離，并將白光反射層66貼附于間隔排布的多個(gè)led單元64的熒光膠63背向led芯片62的一側(cè)。

其中，在將白光反射層66自基板65上分離之前，本實(shí)施例可以對(duì)白光反射層66背向基板65的側(cè)面進(jìn)行鏡面處理，以提高該側(cè)面對(duì)白光的反射能力。而后，將所述白光反射層65的經(jīng)過鏡面處理的側(cè)面貼附于熒光膠63背向led芯片62的一側(cè)。

s60：沿相鄰兩個(gè)led芯片62之間的切割線對(duì)白光反射層66進(jìn)行切割，切割后熒光膠63在襯底61上的正投影位于白光反射層66在襯底61上的正投影之內(nèi)。

在圖3所示實(shí)施例的描述基礎(chǔ)上，但與其不同的是，本實(shí)施例的白光反射層66是單獨(dú)在一平整的基板65上制得，容易實(shí)現(xiàn)更好的厚度一致性，并且容易對(duì)白光反射層66鄰近熒光膠63的一側(cè)進(jìn)行研磨處理，以表現(xiàn)為光滑表面。

當(dāng)然，本發(fā)明其他實(shí)施例也可以直接在熒光膠63背向led芯片62的一側(cè)貼附白光反光片，從而形成白光反射層66。

圖3和圖5所示實(shí)施例的方法均可制得與圖1所示相同結(jié)構(gòu)的led燈源10，因此具有與其相同的有益效果。

請參閱圖7，為本發(fā)明一實(shí)施例背光模組。所述背光模組70為側(cè)入式背光模組，包括背框71、導(dǎo)光板72、背光源73及膠框74。背框71包括承載部以及與承載部相垂直的彎折部，承載部用于承載導(dǎo)光板72。導(dǎo)光板72的側(cè)面為入光面，且與出光面相垂直，導(dǎo)光板72的入光面與背框71的彎折部相鄰設(shè)置。背光源73設(shè)置于彎折部的鄰近導(dǎo)光板72的入光面一側(cè)。膠框74包括本體部以及與本體部相垂直的延伸部，本體部用于承載液晶顯示面板，延伸部與背框71的彎折部相對(duì)固定。

其中，背光源73采用圖1實(shí)施例的led燈源10，由于led燈源10能夠改善四面發(fā)光的光色一致性，提升led的入bin率，因此本實(shí)施例在提供與現(xiàn)有所需相同的背光時(shí)，背光模組70可以增大各個(gè)led燈源10之間的距離，從而減少背光源73的數(shù)目，降低背光成本。

當(dāng)然，具有前述設(shè)計(jì)的led燈源10還可以適用于直下式背光模組，即，led燈源10位于背框71和導(dǎo)光板72的底面之間，此時(shí)導(dǎo)光板72的底面為入光面，且與出光面相對(duì)間隔設(shè)置。

需要說明的是，上述led燈源10還可以適用于其他結(jié)構(gòu)的背光模組，圖7所示實(shí)施例僅供說明舉例。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，例如各實(shí)施例之間技術(shù)特征的相互結(jié)合，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。