技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種降低硅基光波導(dǎo)側(cè)壁粗糙度的方法，包括：提供襯底；在所述襯底上形成硅基光波導(dǎo)線條；對含有所述硅基光波導(dǎo)線條的襯底進行氫氣退火，所述氫氣退火的腔室壓力為：20Torr?1atm。本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)中硅基光波導(dǎo)側(cè)壁粗糙度過大的問題，本發(fā)明提供的方法不僅工藝簡單，而且能很好地保持硅基光波導(dǎo)線條的形貌和尺寸，達到了在20Torr?1atm腔室壓力條件下實現(xiàn)降低硅基光波導(dǎo)側(cè)壁粗糙度的技術(shù)效果。

技術(shù)研發(fā)人員：王桂磊;張嚴(yán)波;亨利·雷德森;李俊峰;趙超
受保護的技術(shù)使用者：中國科學(xué)院微電子研究所
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.01
技術(shù)公布日：2017.09.05