技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
基于石墨烯柵層硅波導(dǎo)的電光任意波形發(fā)生器，涉及任意波形發(fā)生器領(lǐng)域。該脊形波導(dǎo)調(diào)制器結(jié)構(gòu)底層用絕緣體上硅SOI作為基底，若干層石墨烯與hBN層插入脊形波導(dǎo)中部，頂層蒸鍍一層多晶硅，正負(fù)電極陣列在硅波導(dǎo)兩側(cè)與石墨烯層相連，形成一個(gè)調(diào)制單元，多個(gè)單元調(diào)制器重復(fù)排列。將所需波形編輯成隨時(shí)間變化的空間電信號(hào)陣列，正電極陣列3的各單元正電極與負(fù)電極陣列4的各單元正電極分別連接石墨烯柵層2各單元的兩端施加該空間電信號(hào)陣列。脊波導(dǎo)寬度600nm，高度250nm，石墨烯為雙層，單元長(zhǎng)度為300μm，相鄰單元間距為280μm，單元數(shù)30，hBN層厚度7nm。石墨烯柵層2空間周期在微米量級(jí)。

技術(shù)研發(fā)人員：裴麗;白冰;王吉;張艷;徐春霞
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京交通大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.24
技術(shù)公布日：2017.08.04