1.基于硅波導(dǎo)的電光空間超快調(diào)制器，該調(diào)制器主要包括SiO2平板基底1、導(dǎo)光多晶硅波導(dǎo)2、P+區(qū)3、N+區(qū)4、正電極5、負(fù)電極6(圖1)。具體組合方式為導(dǎo)光硅波導(dǎo)2覆于SiO2平板基底1之上中間位置，P+區(qū)3與N+區(qū)4周期性排列至基底表面兩端，正電極5與負(fù)電極6與P區(qū)N區(qū)接觸，用于施加電壓。
2.將調(diào)制信號編輯成隨時間變化的空間電信號陣列，通過對各正負(fù)電極對間電壓的控制施加隨時間變化的空間電信號陣列，可以將任意的調(diào)制信號加載到載波上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1中描述的結(jié)構(gòu)，各部分具體參數(shù)描述為：硅層厚度為1μm，導(dǎo)光硅波導(dǎo)為脊寬1μm，脊高1μm，通過刻蝕0.42μm硅制成波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，0.58μm的平板區(qū)用來實現(xiàn)電通道，金屬接觸區(qū)實現(xiàn)1*10^19的摻雜區(qū)，相鄰單元間距為600μm，單元數(shù)12，整個平板基底5尺寸為15mm×1mm。