在本公開中提出的實(shí)施例總體涉及光調(diào)制，更具體地，涉及硅基電光調(diào)制器。

背景技術(shù)：

許多電光設(shè)備利用自由載流子色散效應(yīng)來改變折射率的實(shí)部和虛部。這是因?yàn)榉菓?yīng)變純晶體硅不呈現(xiàn)線性電光(普克耳斯)效應(yīng)，并且折射率由于弗朗茲-凱爾迪什效應(yīng)和克爾效應(yīng)的變化是非常弱的。在光學(xué)設(shè)備(例如，馬赫-曾德調(diào)制器、基于全內(nèi)反射(TIR)的結(jié)構(gòu)、交叉開關(guān)、Y型開關(guān)、環(huán)形諧振器和法布里-珀羅諧振器)的特定區(qū)域內(nèi)的相位調(diào)制可被用于調(diào)制輸出強(qiáng)度。

在電光設(shè)備中的自由載流子濃度可以通過載流子的注入、積累、耗盡或反轉(zhuǎn)而變化。迄今為止研究的大多數(shù)這種裝置呈現(xiàn)一些共同的特點(diǎn)：為了獲得顯著的調(diào)制深度，需要長(zhǎng)的互作用長(zhǎng)度(例如，5-10毫米(mm))并且注入電流密度高于1千安/立方厘米(kA/cm³)。為了實(shí)現(xiàn)用于制造低成本的緊湊型設(shè)備設(shè)置的高集成化和小型化，長(zhǎng)的互作用長(zhǎng)度是不被期望的。高電流密度可能會(huì)加熱結(jié)構(gòu)而引起不被期望的熱光效應(yīng)，且確實(shí)會(huì)引起和與自由載流子的運(yùn)動(dòng)相關(guān)聯(lián)的對(duì)實(shí)際折射率改變的影響相反的影響，從而降低了電光設(shè)備的有效性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了使本公開的上述特征可以以詳細(xì)的方式被理解，以上簡(jiǎn)要總結(jié)的本公開，可以參照實(shí)施例被更具體的描述，其中一些實(shí)施例在附圖中示出。應(yīng)注意的是，附圖雖然僅示出本公開的典型實(shí)施例，但不應(yīng)被認(rèn)為是限制本公開的范圍，因?yàn)楸竟_可允許其它等效的實(shí)施例。

附圖說明

圖1根據(jù)本文公開的一個(gè)實(shí)施例示出絕緣體上硅(SOI)設(shè)備；

圖2A-2B根據(jù)本文公開的實(shí)施例示出對(duì)齊的調(diào)制器的剖視圖；

圖3A-3B根據(jù)本文公開的實(shí)施例示出帶有對(duì)齊的脊的調(diào)制器的頂視圖；

圖4A-4E根據(jù)本文公開的實(shí)施例示出用于制造對(duì)齊的調(diào)制器的流程；

圖5A-5B根據(jù)本文公開的一個(gè)實(shí)施例示出具有肋形波導(dǎo)的對(duì)齊的調(diào)制器的剖視圖；

圖6A-6B根據(jù)本文公開的一個(gè)實(shí)施例示出具有無脊上波導(dǎo)的對(duì)齊的調(diào)制器的剖視圖；

圖7根據(jù)本文公開的一個(gè)實(shí)施例示出具有帶由不同的材料制成的脊的上波導(dǎo)的對(duì)齊的型調(diào)制器的剖視圖；

圖8A-8C根據(jù)本文公開的實(shí)施例示出具有氮化物封蓋層的對(duì)齊的調(diào)制器的剖視圖；

圖9A-9D根據(jù)本文公開的一個(gè)實(shí)施例示出用于制造在上波導(dǎo)上具有封蓋的調(diào)制器的流程；

圖10根據(jù)本文公開的一個(gè)實(shí)施例示出具有U形上波導(dǎo)的調(diào)制器的橫截面圖；

圖11A-11C根據(jù)本文公開的實(shí)施例示出制造具有U形上波導(dǎo)的調(diào)制器的流程；

圖12根據(jù)本文公開的一個(gè)實(shí)施例示出具有U形上波導(dǎo)和帶有封蓋的下波導(dǎo)的調(diào)制器的剖視圖；

圖13根據(jù)本文公開的一個(gè)實(shí)施例示出馬赫-曾德干涉儀(MZI)；以及

圖14A-14E根據(jù)本文公開的一個(gè)實(shí)施例示出使用局部氧化工藝制造調(diào)制器的流程。

為了便于理解，相同的標(biāo)號(hào)已被使用，在可能情況下，以指定各圖中公共的相同的元件?？梢栽O(shè)想的是，在一個(gè)實(shí)施方案中所公開的元件可以有利地用于未被具體敘述的其它實(shí)施例中。

具體實(shí)施方式

概述

本公開呈現(xiàn)的一個(gè)實(shí)施例是光學(xué)設(shè)備，該設(shè)備包括布置在電介質(zhì)基層上的第一硅波導(dǎo)，其中第一硅波導(dǎo)包括在光路徑方向延伸的第一脊。該光設(shè)備包括具有下表面的電介質(zhì)層，該電介質(zhì)層被布置在第一脊的上表面上；以及第二硅波導(dǎo)，該第二硅波導(dǎo)被布置在與電介質(zhì)層的下表面相對(duì)的電介質(zhì)層的上表面上。第二硅波導(dǎo)包括在所述光路徑方向延伸的第二脊且該第二脊與電介質(zhì)層和第一脊二者重疊。此外，第一硅波導(dǎo)被摻雜第一導(dǎo)電類型以及第二硅波導(dǎo)摻雜不同的第二導(dǎo)電類型。該光學(xué)設(shè)備還包括被耦合到第一硅波導(dǎo)的第一電接觸和被耦合到第二硅波導(dǎo)的第二電接觸。

本文所述的另一實(shí)施例包括用于成形光學(xué)設(shè)備的方法。該方法包括在電介質(zhì)基層上成形第一硅波導(dǎo)，其中第一硅波導(dǎo)包括在光路徑方向延伸的第一脊。該方法包括在第一脊上成形電介質(zhì)層并成形設(shè)置在與電介質(zhì)層的接觸第一脊的下表面相對(duì)的電介質(zhì)層的上表面上的第二硅波導(dǎo)。第二硅波導(dǎo)包括在所述光路徑方向延伸的第二脊，其中該第二脊與電介質(zhì)層和第一脊二者重疊。此外，第一硅波導(dǎo)被摻雜第一導(dǎo)電類型以及第二硅波導(dǎo)摻雜不同的第二導(dǎo)電類型。該方法包括將第一電接觸耦合到第一硅波導(dǎo)以及將第二電接觸耦合到第二硅波導(dǎo)。

示例實(shí)施例

光學(xué)調(diào)制器可包括下波導(dǎo)、上波導(dǎo)以及在這二者之間布置的電介質(zhì)層。當(dāng)在下波導(dǎo)和上波導(dǎo)之間產(chǎn)生電壓電勢(shì)時(shí)，這些層形成了硅-絕緣體-硅電容(也被稱為SISCAP)導(dǎo)，該硅-絕緣體-硅電容導(dǎo)提供了對(duì)穿過調(diào)制器的光信號(hào)的有效、高速光學(xué)調(diào)制。在一個(gè)實(shí)施例中，至少一個(gè)波導(dǎo)包括各自在電荷調(diào)制區(qū)處對(duì)齊的脊部(被稱為脊或肋形波導(dǎo))。該脊部有助于將光學(xué)模式橫向地(例如，在寬度方向上)限制在光學(xué)調(diào)制器中，這樣該光學(xué)模式更多的光可在電荷調(diào)制區(qū)內(nèi)傳遞，從而提高了調(diào)制器的效率。

在另一實(shí)施例中，脊部可在上波導(dǎo)和下波導(dǎo)二者上成形。這些脊部可在垂直方向(例如，厚度方向)上對(duì)齊以使脊部重疊。如果光信號(hào)的最大強(qiáng)度大約是在光學(xué)模式的中部，則通過使用兩個(gè)對(duì)齊的脊部將光學(xué)模式居中在電荷調(diào)制區(qū)的中間，這可使光信號(hào)的最大強(qiáng)度落入電荷調(diào)制區(qū)內(nèi)。

圖1根據(jù)本文公開的一個(gè)實(shí)施例示出絕緣體上硅(SOI)設(shè)備100。SOI設(shè)備100包括表面層105、掩埋絕緣層110(也被稱為掩埋氧化物(BOX)層)以及半導(dǎo)體基層115。雖然本文的實(shí)施例將表面層105和半導(dǎo)體基層115被稱為硅，但本公開并不限于此。例如，其他半導(dǎo)體或透光材料可被使用于形成在此示出的結(jié)構(gòu)100。此外，表面層105和基層115可由相同的材料制成，但在其他實(shí)施例中，這些層105、115可由不同的材料制成。

表面層105的厚度范圍可為低至小于100納米高至大于1微米。更具體地，表面層105的厚度可在100-300納米之間。絕緣層110的厚度可根據(jù)所需的應(yīng)用而變化。絕緣層110的厚度可直接依賴于被耦合到所述SOI器件100的模式的尺寸與所期望的效率。同樣地，絕緣層110的厚度范圍可為低至小于1微米高至數(shù)十微米?；鶎?15的厚度可根據(jù)SOI器件100的具體應(yīng)用而在較大厚度范圍內(nèi)變化。例如，基層115可以是典型的半導(dǎo)體晶片的厚度(例如，100-700微米)或者基層可被削薄并被安裝在其他基層上。

對(duì)于光學(xué)應(yīng)用，硅表面層105和絕緣層110(例如，二氧化硅、氮化硅以及類似物)可提供成鮮明對(duì)比的折射率，它們將光信號(hào)豎直地限制在表面層105中的波導(dǎo)中。在之后的處理步驟中，SOI器件100的表面層105可被蝕刻以形成一個(gè)或多個(gè)硅波導(dǎo)。由于相對(duì)于絕緣體(例如二氧化硅)來說，硅具有高折射率，所以在光信號(hào)跨越表面層105傳播時(shí)，光信號(hào)主要保留在波導(dǎo)中。

用于改進(jìn)型光學(xué)模式限制和調(diào)制效率的脊波導(dǎo)

圖2A-2B根據(jù)本文公開的實(shí)施例示出對(duì)齊的調(diào)制器的剖視圖。具體地，在圖2A所示的調(diào)制器200可以是硅基電光調(diào)制器，該硅基電光調(diào)制器包括摻雜第一導(dǎo)電類型(例如，N型)的下硅波導(dǎo)205，摻雜不同的第二導(dǎo)電類型(例如，P型)的上硅波導(dǎo)215，其中下硅波導(dǎo)205由柵極電介質(zhì)層210與上硅波導(dǎo)215隔開。下波導(dǎo)205、柵極電介質(zhì)層210和上波導(dǎo)215形成硅-絕緣體-硅電容(也被稱為SISCAP)導(dǎo)，該硅-絕緣體-硅電容導(dǎo)提供了對(duì)穿過調(diào)制器200的光信號(hào)的有效、高速光學(xué)調(diào)制。具體地，圖2A-2B是SISCAP結(jié)構(gòu)的剖視圖，其中光信號(hào)在進(jìn)入紙面或移出紙面的方向上傳播。圖2A示出由絕緣層110和圍繞波導(dǎo)205和215的電介質(zhì)材料230(例如，二氧化硅或氮化硅)對(duì)信號(hào)的光學(xué)模式的縱向和橫向限制。此外，波導(dǎo)205和215的厚度和寬度可以以輔助光學(xué)模式的限制來選擇。

柵極電介質(zhì)層210建立由虛線框示出的電荷調(diào)制區(qū)或電荷累積區(qū)，其中自由載流子(例如，電子和空穴)流進(jìn)與流出p型摻雜和n型摻雜的波導(dǎo)205和215。這樣做創(chuàng)建了有源區(qū)(被定義為W_有源)，在其中與調(diào)制器200相關(guān)聯(lián)的切換功能(例如，高于1Gb/s的切換速度)可由柵極電介質(zhì)層210兩端的電壓電勢(shì)控制。在一個(gè)實(shí)施例中，該電壓電勢(shì)被用于改變傳播通過如馬赫-曾德干涉儀(MZI)中的調(diào)制器的光信號(hào)的相位。然而，本文所述的調(diào)制器也可被使用在其他類型的設(shè)備中，如環(huán)諧振器、法布里-珀羅腔等。

柵極電介質(zhì)層210可被稱為“柵極電介質(zhì)”或“柵極氧化物”，其中將被理解的是，氧化物僅為可被使用于調(diào)制器設(shè)備中的電介質(zhì)的示例性形式。柵極電介質(zhì)層210可包括任何允許進(jìn)行自由載流子的快速充電/放電(例如，使得切換速度大于或等于1Gb/s)的材料。合適的材料的非限制性列表包括氧化鉿、氧氮化物、氧化鉍、氮化硅、氧化硅以及這些材料的組合。此外，使用高K電介質(zhì)材料作為柵極電介質(zhì)比使用具有較低電介質(zhì)常數(shù)的電介質(zhì)(假定相同的厚度和電壓電勢(shì))提供了更高的電容和更大的電荷密度。例如，氧化鉿和氮化硅(高K電介質(zhì))具有比二氧化硅更高的電介質(zhì)常數(shù)，因此，相對(duì)于使用二氧化硅，跨越柵極電介質(zhì)層具有更大的電荷密度。使用較高的電壓可提高調(diào)制效率，即，光信號(hào)相對(duì)所施加的電壓被相移的量。

雖然本文所描述的附圖示出柵極電介質(zhì)層210放置在相反摻雜的波導(dǎo)之間，但這并不必須。針對(duì)本文描述的所有實(shí)施例，在柵極電介質(zhì)層210被省略且兩個(gè)波導(dǎo)直接接觸以形成PN結(jié)的情況中，調(diào)制器仍可執(zhí)行光學(xué)調(diào)制。在此示例中，該P(yáng)N結(jié)建立電荷調(diào)制區(qū)，在其中自由載流子流入和流出波導(dǎo)。但包括柵極電介質(zhì)層210可提高光學(xué)調(diào)制的效率。

如圖所示，下波導(dǎo)205為N型摻雜，而上波導(dǎo)215為P型摻雜。但是，對(duì)于所有摻雜類型被指定的實(shí)施例，摻雜類型可以顛倒，例如，下波導(dǎo)205可以是P型摻雜，而上波導(dǎo)215是N型。此外，作為用于調(diào)制器200的電容結(jié)構(gòu)的電極的波導(dǎo)205和215可以是基于硅的。例如，波導(dǎo)205、215的材料可包括應(yīng)變硅、Si_xGe_1-X、基本單晶硅(即，晶體硅)、多晶硅及他們的組合。在一個(gè)實(shí)施例中，由于后面將要討論的工藝的限制，下波導(dǎo)205可包括晶體硅，而上波導(dǎo)215可以是多晶硅。然而，在其他實(shí)施例中，波導(dǎo)205和215二者都可以由晶體硅或多晶硅制成。

波導(dǎo)205和215的寬度可以以保持電接觸225和通孔220在光學(xué)模式(optical mode)之外來選擇，該電接觸可以是金屬的或由硅化物構(gòu)成的。由于導(dǎo)電材料對(duì)光學(xué)調(diào)制具有有害影響，波導(dǎo)205可被設(shè)計(jì)為使得任何導(dǎo)電接觸充分地置于光學(xué)模式的邊界之外。此外，如圖2A所示，波導(dǎo)205、215的接近接觸225的部分比波導(dǎo)205、215的發(fā)生光學(xué)調(diào)制的部分被更重地?fù)诫s。這樣做可提高硅基波導(dǎo)205、215和接觸225之間的電連接，從而降低與調(diào)制器200相關(guān)聯(lián)的電阻和RC常數(shù)。將波導(dǎo)的接近連接至外部電壓源的電連接的部分重?fù)诫s可被應(yīng)用到本文所述的任何實(shí)施例。此外，在波導(dǎo)205、215中摻雜劑的濃度可隨著摻雜劑距光學(xué)模式的距離增加而增加。由于摻雜劑可對(duì)光學(xué)調(diào)制具有有害影響，波導(dǎo)205、215中存在光學(xué)模式的位置處的摻雜劑濃度可被輕摻雜。隨著摻雜劑距光學(xué)模式的距離增加，摻雜劑濃度可以以逐步或連續(xù)的方式增加。這樣做提高了波導(dǎo)205和215的導(dǎo)電性并且減輕了摻雜劑對(duì)光信號(hào)的負(fù)面影響。此外，在一個(gè)實(shí)施例中，電接觸225被省略，并且通孔220直接接觸波導(dǎo)205、215的重?fù)诫s部分。

在一個(gè)實(shí)施例中，有源區(qū)的寬度(即，柵極電介質(zhì)層210的寬度)小于1微米，并且更具體地，小于半微米。波導(dǎo)205和215(不包括脊部240A和240B)的厚度范圍可以在50-200納米之間。在一個(gè)實(shí)施例中，為了將光學(xué)模式中光的最大強(qiáng)度居中在電荷調(diào)制區(qū)中，波導(dǎo)205和215的各自的厚度是相同的。柵極電介質(zhì)層210的厚度范圍可為20納米至1或2納米。

每個(gè)波導(dǎo)205、215包括各自在電荷調(diào)制區(qū)處對(duì)齊的脊部240(被稱為脊或肋形波導(dǎo))。除了脊部被對(duì)齊，脊部也可被置于各自波導(dǎo)205、215的中間，盡管這不是必須的。脊部240A-B有助于將光學(xué)模式橫向地(例如，在寬度方向上)限制在調(diào)制器200中。如圖所示，下脊部240A在兩側(cè)被電介質(zhì)材料230包圍，由于與電介質(zhì)230和波導(dǎo)205的材料相關(guān)聯(lián)的不同折射率，下脊部將光學(xué)模式限制為靠近電荷調(diào)制區(qū)。在脊部240A被省略并且下波導(dǎo)205的底部直接接觸柵極電介質(zhì)層210的情況中，相比圖2A中所示出，光學(xué)模式可在下波導(dǎo)205內(nèi)更加橫向地伸開。這樣，光學(xué)模式中更多的光不會(huì)在電荷調(diào)制區(qū)內(nèi)，從而降低了調(diào)制器200的效率。在一個(gè)實(shí)施例中，脊部240的厚度大約是波導(dǎo)205和215的底部的厚度的40-60％。另外，脊部240的實(shí)際厚度值可相對(duì)于摻雜水平和P+/N+接觸區(qū)距波導(dǎo)205和215的與柵極層210重疊的部分的距離、由在橫向尺寸(即，寬度尺寸)上所期望的對(duì)光學(xué)模式的限制來確定。

此外，相對(duì)于僅使用脊部240A，將脊部240B添加至上波導(dǎo)240B也可提高調(diào)制器200的效率。在所示的SISCAP設(shè)計(jì)中，光信號(hào)的最大強(qiáng)度大約是在光學(xué)模式的中間。在沒有上脊部240B的情況下，光學(xué)模式的中心可在柵極電介質(zhì)層210下方。假設(shè)脊部240A-B的厚度是相同的，在調(diào)制器200中，光學(xué)模式的中心靠近或接近柵極電介質(zhì)層210。其結(jié)果是光信號(hào)的最大強(qiáng)度落入電荷調(diào)制區(qū)內(nèi)。換言之，盡管脊部240B的添加可能會(huì)降低光學(xué)模式的垂直限制，但是脊部240B對(duì)齊光學(xué)模式使得光信號(hào)的最大強(qiáng)度在電荷調(diào)制區(qū)內(nèi)，從而提高了效率。

在圖2B中，等效電路被覆蓋到帶有如上所討論的對(duì)齊的脊部的調(diào)制器250上。如圖所示，下波導(dǎo)215的左右兩側(cè)上的兩個(gè)電接觸225以相同電壓V_P被驅(qū)動(dòng)，而下波導(dǎo)215的左右兩側(cè)上的兩個(gè)電接觸225以相同電壓V_N被驅(qū)動(dòng)。因?yàn)樯喜▽?dǎo)215中的電阻R_P1和R_P2和下波導(dǎo)205中的電阻R_N1和R_N2以各自相同的電壓被驅(qū)動(dòng)，這些電阻是并聯(lián)的從而使這些電阻減半并且減小調(diào)制器250的RC常數(shù)。例如，調(diào)制器250可與另一SISCAP設(shè)計(jì)比較，在這一SISCAP設(shè)計(jì)中，取代將上下波導(dǎo)居中，波導(dǎo)的各自的端部重疊以形成電荷調(diào)制區(qū)(例如，上波導(dǎo)的最右端重疊下波導(dǎo)的最左端)，而另一端被用作電接觸來連接電壓V_P和V_N以控制光學(xué)調(diào)制(例如，上波導(dǎo)的最左端連接到V_P并且下波導(dǎo)的最右端連接到V_N)。在本示例SISCAP結(jié)構(gòu)中，每個(gè)波導(dǎo)僅有一個(gè)電連接，而圖2B中的調(diào)制器250具有兩個(gè)連接到相同電壓的電連接。

假設(shè)在調(diào)制器250中的波導(dǎo)與在那種波導(dǎo)的端部重疊的調(diào)制器中的波導(dǎo)具有相同的寬度，在調(diào)制器250中的連接至電容C_柵極的電連接之間的電阻僅為相對(duì)于那種波導(dǎo)的端部重疊的調(diào)制器的一半長(zhǎng)。此外，因?yàn)殡娮鑂_P1/R_P2和R_N1/R_N2是并聯(lián)的(假設(shè)波導(dǎo)的兩個(gè)電接觸上的電壓是相同的)，這也使電連接和形成電容C_柵極的柵極電介質(zhì)層210之間的電阻減半。這樣，調(diào)制器250在電連接和柵極電介質(zhì)層210之間的電阻可以是那種波導(dǎo)的端部重疊的調(diào)制器的相應(yīng)的電阻的四分之一。其可能的結(jié)果是調(diào)制器250的總RC常數(shù)的減小，這樣相對(duì)于那種波導(dǎo)的端部重疊的調(diào)制器可增加調(diào)制器250的調(diào)制帶寬。

此外，為了清楚起見，在圖中示出的某些調(diào)制器不顯示P和N摻雜方案以及用于將波導(dǎo)連接至調(diào)制電壓的導(dǎo)電接觸和/或通孔。例如，在圖2A中所示的用于波導(dǎo)的摻雜方案和電連接可被應(yīng)用到圖4E、5A-5B、6A-6B、7、8A-8C、9A-9D、10、11C和12中任意的調(diào)制器。

圖3A-3B根據(jù)本文公開的實(shí)施例示出在圖2A-2B中所示的調(diào)制器的頂視圖。在圖3A中，僅上波導(dǎo)215的頂表面和下波導(dǎo)205的頂表面不被上波導(dǎo)215擋住的部分被示出。為了清楚起見，任何通孔或電介質(zhì)材料從這些視圖中被省略。頂表面包括多個(gè)電接觸225。在一個(gè)實(shí)施例中，上波導(dǎo)215上的所有電接觸225和下波導(dǎo)215上的所有電接觸225都分別使用相同的電壓被驅(qū)動(dòng)，例如，V_P和V_N。變化的電壓引起在有源區(qū)域中的電壓差，電壓差改變?cè)陔姾烧{(diào)制區(qū)中的自由載流子并改變沿著調(diào)制器300的長(zhǎng)度傳播的光信號(hào)的相位。在圖3A中，下波導(dǎo)205的寬度比上波導(dǎo)215的寬度大，以便提供供通孔延伸(例如從調(diào)制器的上表面延伸至電接觸225)的空間。

在圖3B中示出的調(diào)制器350中，波導(dǎo)上的電接觸225被交錯(cuò)，這可降低調(diào)制器的總寬度。這里，調(diào)制器350的第一行360被用于把上波導(dǎo)215上的接觸225連接至驅(qū)動(dòng)電壓V_P的電壓源。相反地，調(diào)制器350的第二行370被用于把下波導(dǎo)205上的接觸225連接至驅(qū)動(dòng)電壓V_N的電壓源。以這種方式，調(diào)制器的每一行可在被用于連接至下波導(dǎo)205和上波導(dǎo)215的電接觸225之間進(jìn)行切換。調(diào)制器300和350的長(zhǎng)度范圍可為50微米至1000微米。在一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)于由大約+/-1V電壓驅(qū)動(dòng)的調(diào)制器300和350，長(zhǎng)度可以在250-450微米之間。

圖3A的調(diào)制器300提供了比在圖3B中的調(diào)制器350更低的串聯(lián)電阻，但是下波導(dǎo)205和上波導(dǎo)215之間其中下波導(dǎo)205延伸得超出上波導(dǎo)215的寬度的區(qū)域中存在有寄生電容。然而，在圖3B中的調(diào)制器350的設(shè)計(jì)減小了在該區(qū)域中的寄生電容。此外，根據(jù)空間限制，兩個(gè)調(diào)制器300、350中的一者可以是優(yōu)選的。例如，如果光學(xué)系統(tǒng)中的空間在寬度方向上是有限的，則調(diào)制器350可較調(diào)制器300是優(yōu)選的。如果調(diào)制器的長(zhǎng)度是重要的設(shè)計(jì)特征，則調(diào)制器300可較調(diào)制器350是優(yōu)選的。

盡管調(diào)制器300和350關(guān)于圖2A和2B被具體地討論，這些頂視圖也可以是本文所述的其它調(diào)制器的頂視圖。例如，在圖4E、5A-5B、6A-6B、7、8A-8C、9A-9D、10、11C和12中所描述的調(diào)制器可被設(shè)計(jì)為具有如圖3A和3B中所示的頂視圖。

圖4A-4E根據(jù)本文公開的實(shí)施例示出用于制造具有所對(duì)齊的脊的調(diào)制器的流程。在圖4A中，下波導(dǎo)205在絕緣層110上被成形。為了實(shí)現(xiàn)該目標(biāo)，圖1中所示的SOI結(jié)構(gòu)100的硅層105可在一個(gè)或多個(gè)步驟中被圖案化并被蝕刻以形成脊部240A。如果硅表面層105是結(jié)晶的，則所得的下波導(dǎo)205也由單結(jié)晶硅構(gòu)成，但是，這并不是必須的。此外，無論在下波導(dǎo)205成形之前或之后，硅都可被摻雜。摻雜可以貫穿整個(gè)波導(dǎo)205均勻的進(jìn)行或可以在不同的部分發(fā)生變化。例如，如在調(diào)制器200中所示，波導(dǎo)205的最右端和最左端被相對(duì)重地N型摻雜，而中間部分則相對(duì)輕地被摻雜。

在圖4B中，柵極電介質(zhì)層210被沉積在下波導(dǎo)205上。這可通過沉積保形電介質(zhì)層(conformal dielectric layer)到波導(dǎo)205上并且接著將不在脊部240A上的電介質(zhì)材料移除來實(shí)現(xiàn)?？商娲?，如果柵極層210由二氧化硅制成，則柵極層210可使用下硅波導(dǎo)205被熱生長(zhǎng)。

在圖4C中，電介質(zhì)材料230被沉積在調(diào)制器上。為了使柵極電介質(zhì)層210的頂表面露出，該調(diào)制器可被平坦化。此外，在圖4B和4C中所示的處理步驟可以顛倒，即電介質(zhì)材料230在被圖案化并被蝕刻之前已被沉積并被平坦化以形成用于柵極電介質(zhì)材料210的腔。

雖然圖4B和4C示出在沉積和平坦化電介質(zhì)材料230之前成形柵極電介質(zhì)層210，但在一個(gè)實(shí)施例中，柵極層210在電介質(zhì)材料230已被沉積之后被成形(例如，從下波導(dǎo)205的硅生長(zhǎng)或被沉積)。這可能是優(yōu)選的，因?yàn)閺囊殉尚蔚臇艠O層210中移除電介質(zhì)材料230可能會(huì)影響柵極層210或柵極層210和上波導(dǎo)215之間的接口的質(zhì)量。

在圖4D中，上波導(dǎo)215被成形在調(diào)制器上。在一個(gè)實(shí)施例中，將硅基材料(例如，多晶硅)沉積到頂表面上，其厚度比上波導(dǎo)215的最大厚度更厚。然后，通過使用一個(gè)或多個(gè)蝕刻步驟，硅基材料被蝕刻以成形具有脊部240B的上波導(dǎo)215。例如，硅基材料可首先被蝕刻以限定波導(dǎo)215的脊部240A表面的寬度。接著，調(diào)制器可以被圖案化并被二次蝕刻以形成脊部240A的側(cè)面。在另一個(gè)實(shí)施例中，上波導(dǎo)215的底部在第一步驟中被沉積并被圖案化。在第二步驟中，額外的硅基材料被沉積并被蝕刻，以形成脊部240A。

上波導(dǎo)215也可以被摻雜為所期望的導(dǎo)電類型。這可能發(fā)生在當(dāng)硅基材料被沉積到調(diào)制器上時(shí)(例如，硅基材料已包含了所期望的摻雜劑的濃度-原位摻雜(in-situ doping))，也可能在稍后的處理步驟中單獨(dú)地進(jìn)行。此外，摻雜劑濃度可在整個(gè)上波導(dǎo)215中是均勻的或可為如圖2A中所示變化。

在圖4E中，額外的電介質(zhì)材料230被沉積到調(diào)制器上。金屬接觸和通孔雖然未示出，它們也可以被成形以使光學(xué)系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)各電壓到波導(dǎo)205和215上來控制光信號(hào)的調(diào)制。

圖5A-5B根據(jù)本文公開的一個(gè)實(shí)施例示出具有肋形波導(dǎo)的對(duì)齊的調(diào)制器的剖視圖。具體地，圖5A示出下波導(dǎo)505被成形為包括凸起端部以成形翼510A和510B的脊波導(dǎo)。即，與圖2A中的調(diào)制器200一樣，下波導(dǎo)505和上波導(dǎo)215包括在柵極電介質(zhì)層210之上對(duì)齊的居中的脊。但與調(diào)制器200不同的是，下波導(dǎo)505包括被用于把波導(dǎo)505連接至金屬接觸和電壓源(未示出)的翼510。使用翼510可能在某些制造調(diào)制器500以幫助使電接觸接觸至下波導(dǎo)505的方法中是有利的。

調(diào)制器500可通過使用在圖4A-4E中示出的工序并結(jié)合在圖4A中所示的步驟期間成形翼的額外工序步驟被成形。如果翼510的厚度與脊部240A是相同的，則可在相同的步驟中對(duì)硅層105進(jìn)行圖案化并蝕刻形成翼與脊這兩個(gè)特征(feature)。但是，如果厚度不同，則可能需要兩個(gè)不同的蝕刻步驟。

圖5B示出在下波導(dǎo)505和上波導(dǎo)515二者上都具有翼的調(diào)制器550。即，被添加至下波導(dǎo)505的翼510也可被添加至上波導(dǎo)515的最左邊和最右邊部分。在上波導(dǎo)515上的翼510C和510D可以與波導(dǎo)515上的脊具有相同厚度或不同厚度。此外，相比波導(dǎo)的其余部分，翼510A-D可以更重地?fù)诫sn型和p型摻雜劑。當(dāng)然，在圖5A中，下波導(dǎo)505中翼510A-B中和上波導(dǎo)215的最左邊和最右邊的部分可以相比波導(dǎo)材料其余部分被更重地?fù)诫s。

圖6A-6B根據(jù)本文公開的一個(gè)實(shí)施例示出具有無脊上波導(dǎo)的調(diào)制器的剖視圖。如圖6A中所示，下波導(dǎo)505類似于圖5A中的下波導(dǎo)，例如，兩個(gè)波導(dǎo)都包括居中的脊640和用于提供橫向光限制的兩側(cè)的翼510。即，由于居中的脊640在兩側(cè)被電介質(zhì)材料230包圍，光學(xué)模式相對(duì)于那種脊640被省略的波導(dǎo)(例如，波導(dǎo)505的上表面是單一的平面)被更緊密地限制在靠近電荷調(diào)制區(qū)。然而，與調(diào)制器500不同的是，調(diào)制器600的上波導(dǎo)615沒有與下波導(dǎo)505的脊640對(duì)齊的居中的脊。盡管由于光學(xué)模式可能不居中在電荷調(diào)制區(qū)內(nèi)可能降低調(diào)制器600的效率，但用于制造上波導(dǎo)615的工序只需要單一工序步驟，而圖5A中所示的上波導(dǎo)可能需要多個(gè)工序步驟，例如，多個(gè)蝕刻步驟。

如在圖6B中示出的，調(diào)制器650包括調(diào)制器600中無翼510A和510B的下波導(dǎo)605。盡管存在結(jié)構(gòu)上的差異，調(diào)制器650可與在圖6A中的調(diào)制器600相同。此外，圖6A和6B中的波導(dǎo)可如圖5B中所示的被摻雜。

圖7根據(jù)本文公開的一個(gè)實(shí)施例示出具有帶有由不同的材料制成的脊740的上波導(dǎo)615的對(duì)齊型調(diào)制器700的剖視圖。具體地，用于成形上波導(dǎo)615的材料與用于成形脊740的材料是不同的。例如，上波導(dǎo)615可以是多晶硅，而脊740是氮化物或一些不同于電介質(zhì)材料230的其他電介質(zhì)材料?？商娲兀绻▽?dǎo)615由結(jié)晶硅制成，則脊740可為多晶硅。與在圖6A中的調(diào)制器600相關(guān)聯(lián)的光學(xué)模式相比，脊740可降低光學(xué)模式的垂直限制，但這里的光學(xué)模式可被對(duì)齊以使得光信號(hào)的最大強(qiáng)度在電荷調(diào)制區(qū)內(nèi)，從而提高了調(diào)制器700的效率，換句話說，通過將脊740與下波導(dǎo)505上的脊對(duì)齊(并假設(shè)脊具有相同的厚度)，光學(xué)模式的中心可大體上在電荷調(diào)制區(qū)內(nèi)。因?yàn)樵诒緦?shí)施例中的光學(xué)模式的中心具有光信號(hào)的最大強(qiáng)度，調(diào)制器700的效率可相對(duì)于調(diào)制器600被提高。

圖8A-8C根據(jù)本文公開的實(shí)施例示出具有氮化物封蓋層的對(duì)齊的調(diào)制器的剖視圖。具體地，圖8A示出類似于圖6A中的調(diào)制器600的調(diào)制器800，但不同的是調(diào)制器800包括覆蓋上波導(dǎo)615和下波導(dǎo)505的氮化物層810。圖8A示出調(diào)制器800與氮化物的層810被布置在波導(dǎo)505、615和電介質(zhì)材料230之間的制備工藝相兼容。

圖8B示出在布置在波導(dǎo)505、615和電介質(zhì)材料230之間的氮化硅層815中成形脊820。調(diào)制器850類似于圖8A的調(diào)制器800，不同的是調(diào)制器850包括脊820。與圖7類似的是，脊820可協(xié)助將光學(xué)模式居中在電荷調(diào)制區(qū)中(例如，將光學(xué)模式居中為靠近柵極電介質(zhì)層210)。此外，脊820的材料可以與波導(dǎo)615的材料不同(例如，脊820由氮化硅成形，而上波導(dǎo)615由多晶硅成形)。

由于所添加的氮化物層815，脊820的厚度可以比下波導(dǎo)505中的脊825的厚度小。在一個(gè)實(shí)施例中，氮化物層815(包括脊820)和上波導(dǎo)615的總厚度(示出為T_N)大約等于包含脊825的下波導(dǎo)505的厚度(示出為T_R)。這樣做可將光學(xué)模式居中在電荷調(diào)制區(qū)內(nèi)居中，如上所述。

圖8C還包括氮化物封蓋層810，但是這里的氮化物層810并不向下延伸至基層110。如圖所示，氮化物層810順應(yīng)上波導(dǎo)615并在電介質(zhì)材料230的上表面上延伸。這種結(jié)構(gòu)可以更準(zhǔn)確地反映用于某些集成電路處理技術(shù)的調(diào)制器的結(jié)構(gòu)。同樣，下述任何實(shí)施例(例如，圖9B、9C、9D、11A、11B和11C)可被設(shè)置為具有如圖8所示的氮化物封蓋層，而不是具有順應(yīng)下波導(dǎo)505或向下延伸至基層110的氮化物層。此外，在一個(gè)實(shí)施例中，氮化物層810可被進(jìn)一步處理以包括如圖8B所示的脊820。

圖9A-9D根據(jù)本文公開的一個(gè)實(shí)施例示出用于制造在上波導(dǎo)上具有封蓋的調(diào)制器的流程。具體地，該流程開始于圖9A，在此處波導(dǎo)505和615已經(jīng)被布置且被摻雜了各自的導(dǎo)電類型。例如，圖4A-4E中所示的相同的工序可以被用來制造圖9A中所示的結(jié)構(gòu)，除了包括翼510A和510B的下波導(dǎo)505。此外，在示出的實(shí)施例中，上波導(dǎo)615被圖案化為所期望的寬度，使得波導(dǎo)1015的寬度小于波導(dǎo)1005的寬度，這樣允許如圖3A的頂視圖所示的調(diào)制器中連接至上表面的電連接?？商娲兀m然未示出，上波導(dǎo)615和下波導(dǎo)505的寬度可被成形為用來提供由圖3B中的頂視圖所示的交錯(cuò)設(shè)計(jì)。

在圖9B中，電介質(zhì)材料230可選擇性地被移除以暴露下波導(dǎo)505的部分。在圖9C中，氮化硅915的保形層被布置到調(diào)制器上。在圖9D中，氮化物層915被圖案化并被蝕刻以只留下脊740在上波導(dǎo)615的頂表面上，以便生成圖7中所示的調(diào)制器700。

可替代地，為了制造圖8A中的調(diào)制器800，代替有選擇地將圖9D中的氮化物層910的部分移除，該工序步驟可被省略。即，氮化物層910的沉積可被控制，以便在調(diào)制器800中可以形成氮化物層810的所期望的厚度。

可替代地，為了制造圖8B中的調(diào)制器850，額外的(一個(gè)或多個(gè))工序步驟被執(zhí)行，以形成與下波導(dǎo)505上的脊825對(duì)齊的脊820。在一個(gè)實(shí)施例中，氮化物層910可以借助在位于所期望的脊820的位置處具有開口的抗蝕劑被圖案化。接著，額外的氮化硅被沉積以形成脊820并且多余的氮化硅被移除。在另一個(gè)實(shí)施例中，硅氮化物層910的厚度可等于或大于包括脊820的封蓋層815的厚度。為了形成脊820，抗蝕劑的在柵極電介質(zhì)層210上方的一部分被圖案化，其中氮化物層910的這部分被柵極電介質(zhì)層210掩蓋。在隨后的蝕刻步驟中，抗蝕劑下面的氮化硅不被蝕刻，而相鄰的氮化物層910被蝕刻以產(chǎn)生圖8B中所示的包括與脊825對(duì)齊的脊820的氮化物層815。

圖10根據(jù)本文公開的一個(gè)實(shí)施例示出具有U形上波導(dǎo)1015的調(diào)制器1000的截面圖。如圖所示，上波導(dǎo)1015成形有朝柵極電介質(zhì)層210的方向延伸的脊部1040。脊部1040的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，它有助于將光學(xué)模式橫向限制在接近柵極電介質(zhì)層210的電荷調(diào)制區(qū)附近。

圖10也示出調(diào)制器1000的等效電路模型。與上面所討論的調(diào)制器類似，調(diào)制器1000可以相比于那種上波導(dǎo)的一端重疊下波導(dǎo)的不同的第二端的調(diào)制器具有較低的RC常數(shù)。例如，通過將波導(dǎo)居中，電接觸到電荷調(diào)制區(qū)的距離被減半(假設(shè)波導(dǎo)的寬度是相同的)。此外，通過將波導(dǎo)1015和1005的兩端以相同的電壓(例如，分別為V_P和V_N)驅(qū)動(dòng)，電阻R_P1和R_P2并聯(lián)以及R_N1和R_N2并聯(lián)，這樣進(jìn)一步降低RC常數(shù)并可增加調(diào)制器的帶寬。在一個(gè)實(shí)施例中，圖5A和5B中所示的翼510可被添加至上波導(dǎo)1015或下波導(dǎo)1005或這兩者。

圖11A-11C根據(jù)本文公開的實(shí)施例示出制造具有U形上波導(dǎo)1015的調(diào)制器的流程。圖11A示出了一種結(jié)構(gòu)，其中下波導(dǎo)1005和柵極電介質(zhì)層210已經(jīng)被布置在絕緣層110上。此外，電介質(zhì)材料230已經(jīng)被沉積并且被成形為具有建立上波導(dǎo)的脊部朝向柵極電介質(zhì)層210延伸的距離的厚度。

在圖11B中，上波導(dǎo)1015(例如，晶體硅或多晶硅)至少沉積在電介質(zhì)材料230和柵極電介質(zhì)層210上。在一個(gè)或多個(gè)工序步驟中，上波導(dǎo)1015被圖案化為所期望的寬度。例如，波導(dǎo)1015的寬度可小于波導(dǎo)1005的寬度，以允許連接至如圖3A的頂視圖所示的調(diào)制器中的上表面的電連接。可替代地，雖然未示出，上波導(dǎo)1005和下波導(dǎo)1015的寬度可被成形為得以提供由圖3B中的頂視圖所示的交錯(cuò)設(shè)計(jì)。

在圖11C中，覆蓋下波導(dǎo)1005的電介質(zhì)材料可被至少部分地移除，以允許電接觸沉積在波導(dǎo)1005的端部上。在隨后的工序步驟中(未示出)，波導(dǎo)1005和1015可被連接到各自的電壓源以通過如圖2A中所示的導(dǎo)電接觸和通孔來控制光學(xué)調(diào)制。

圖12根據(jù)本文公開的一個(gè)實(shí)施例示出具有U形上波導(dǎo)1015和具有脊部1240的下波導(dǎo)1205的調(diào)制器1200的剖視圖。調(diào)制器1200與調(diào)制器1000的不同點(diǎn)在于，下波導(dǎo)1205包括脊部1240，這進(jìn)一步有助于橫向地限制光學(xué)模式，如上所述。在一個(gè)實(shí)施例中，脊部1040朝向柵極電介質(zhì)層210延伸的距離以及脊部1240的厚度被控制，以便限制光學(xué)模式使得光信號(hào)最大的強(qiáng)度的部分在電荷調(diào)制區(qū)內(nèi)，例如，接近柵極電介質(zhì)層210。此外，在一個(gè)實(shí)施例中，圖5A和5B中所示的翼510可被添加至上波導(dǎo)1015或下波導(dǎo)1005或這兩者。

圖13根據(jù)本文公開的一個(gè)實(shí)施例示出馬赫-曾德干涉儀(MZI)1300。具體地，圖13示出MZI 1300，該MZI 1300包括接收光信號(hào)(例如，連續(xù)波)的輸入1310和發(fā)送基于被用于驅(qū)動(dòng)光學(xué)調(diào)制器1305的電信號(hào)調(diào)制的光信號(hào)的輸出1315。輸入1310包括Y形分光器，該Y形分光器將傳入連續(xù)波分割到每個(gè)分支中。分光信號(hào)接著穿過以上所描述的調(diào)制器1305的電荷調(diào)制區(qū)。然后經(jīng)調(diào)制的光信號(hào)在輸出1315處重新組合以形成經(jīng)調(diào)制的光信號(hào)。此外，在MZI 1300中所示的MZI結(jié)構(gòu)可以與這里討論的任何調(diào)制器結(jié)合使用，例如，在圖2A-B、圖3A-B、圖5A-B、圖6A-B、圖7和圖10中所示的調(diào)制器。

圖14A-14E根據(jù)本文公開的一個(gè)實(shí)施例示出使用局部氧化工藝制造調(diào)制器的流程。如圖14A中所示，掩模1400在硅表面層105的頂表面被成形。在一個(gè)實(shí)例中，掩模1400由氮化硅構(gòu)成，但并不限于此。掩模1400可以是在熱氧化工序期間基本上不受影響的任何材料。在一個(gè)實(shí)施例中，表面層105和絕緣層110可以是SOI結(jié)構(gòu)的一部分。

在圖14B中，該結(jié)構(gòu)被氧化。如圖所示，硅表面層105經(jīng)受熱氧化工序(其中，例如，可以使用硅的局部氧化(LOCOS))以成形下波導(dǎo)1405和二氧化硅層1420。掩模1400阻止或抑制下波導(dǎo)1405中底層硅材料的氧化。相反地，未被掩模1400覆蓋的硅材料快速氧化以成形更厚的二氧化硅層1420。這些特征結(jié)合在下波導(dǎo)1405中形成脊1440。換言之，由于硅層105的只有在掩模1400下方的一小部分硅材料轉(zhuǎn)化成二氧化硅，而硅材料的不在掩模1400下方的較大部分未被轉(zhuǎn)化，因此脊部1440被成形。在一些實(shí)施例中，脊1440具有相比以上所示的具有更垂直的側(cè)面(例如，更大的坡度)的脊坡度更小的兩側(cè)。盡管如此，脊1440的總厚度和寬度可以與上述的脊部的尺寸相似。

掩模1400和層1420之間成形的U形接口是作為將硅層105氧化為兩層的結(jié)果：這兩層為波導(dǎo)1405和二氧化硅層1420，在此處這些層的組合厚度小于圖14A中所示的原硅層105的厚度。因?yàn)橹挥醒谀?400下方薄的一層硅材料被氧化，該部分結(jié)構(gòu)的膨脹小于未被掩模1400覆蓋的那部分以形成U形接口。

圖14B還包括提供更詳細(xì)的查看下波導(dǎo)1405上的脊1440和掩模1400之間的接口的吹出框。如圖所示，氧化工序的結(jié)果是在脊1440和掩模1400的下部分之間的薄的柵極電介質(zhì)1410。如圖所示，柵極電介質(zhì)層1410連接二氧化硅層1420的最右邊和最左邊的部分，以成形可在同一熱氧化步驟中成形的連續(xù)層。柵極電介質(zhì)層1410的尺寸可類似于以上所描述的柵極電介質(zhì)層的尺寸。例如，層1410的寬度可以小于1微米，厚度范圍可為20納米至2納米。

在圖14C中，掩模被移除且上波導(dǎo)1415被保形地沉積到層1420的上表面。波導(dǎo)1415可以包括應(yīng)變硅、Si_xGe_1-X、基本單晶硅(即，晶體硅)、多晶硅及他們的組合。雖然未示出，電連接可被成形在上波導(dǎo)1405和下波導(dǎo)1415上以創(chuàng)建如上所述的接近上述柵極電介質(zhì)層1410的電荷調(diào)制區(qū)。在一個(gè)實(shí)施例中，在圖14A-14C中所示的工序可被用于形成一種調(diào)制器，這種調(diào)制器類似于圖12中的調(diào)制器且這種調(diào)制器的上波導(dǎo)1415在接近柵極層1410的區(qū)域具有向下波導(dǎo)1405的脊1440延伸的部分。盡管在圖14C中未示出，調(diào)制器可由覆蓋上波導(dǎo)1415的頂表面和側(cè)面的額外電介質(zhì)材料填充。

在另一個(gè)實(shí)施例中，上波導(dǎo)1415被進(jìn)一步處理以在其上表面成形有脊結(jié)構(gòu)。例如，上波導(dǎo)1415可具有類似于圖2A中的上波導(dǎo)205的頂表面，這種頂表面的脊240B被居中在柵極電介質(zhì)層1410之上。同樣地，在該示例中，上波導(dǎo)1415包括如圖14C所示的朝柵極層1410延伸的部分以及以柵極區(qū)1410居中的脊。

圖14D和14E示出對(duì)于圖14C的替代的工序步驟。也就是說，代替如圖14C中所示的上波導(dǎo)沉積，在圖14D中掩模被移除且二氧化硅層1420被平坦化。在圖14E中，上波導(dǎo)1425被成形在所平坦化表面上。對(duì)比圖14C，圖14E示出一種調(diào)制器，其中上波導(dǎo)1425不包括向下朝柵極層1410延伸的那部分。相反，波導(dǎo)1420的下表面是平面的。此外，波導(dǎo)管1425包括脊1450，該脊可由與波導(dǎo)1425的其余部分相同或不同的材料制成。同樣地，在圖14D和14E中所示的工序步驟可被用來成形圖2A-2B、圖7、圖8B或圖9D中所示的調(diào)制器。替代地，上波導(dǎo)1425可被成形為包括平的頂表面，即，脊1450被省略。在這種情況下，在圖14D和圖14E中的工序步驟可被用于成形在圖6A-6B、圖8A、圖8C、圖9A或9B中所示的調(diào)制器。

雖然未示出，在圖14E中的結(jié)構(gòu)可被覆蓋上波導(dǎo)1425的頂表面和側(cè)面的額外電介質(zhì)材料填充。此外，電連接可被成形在下波導(dǎo)1405和上波導(dǎo)1425的頂表面上以生成如上所述的靠近柵極層1410的電荷調(diào)制區(qū)。

圖中的流程圖和框圖根據(jù)各種實(shí)施例示出系統(tǒng)、方法和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的可能實(shí)施方式的架構(gòu)、功能及操作。就這一點(diǎn)而言，流程圖或框圖中的每個(gè)塊可表示包括用于實(shí)現(xiàn)指定的(一個(gè)或多個(gè))邏輯函數(shù)的一個(gè)或多個(gè)可運(yùn)行指令的代碼的模塊、段或部分。還應(yīng)當(dāng)注意的是，在一些可替代的實(shí)現(xiàn)方式中，在塊中指出的函數(shù)可能不會(huì)按照在圖中指出的順序發(fā)生。例如，連續(xù)示出的兩個(gè)塊實(shí)際可上基本上同時(shí)被運(yùn)行，或者這些塊有時(shí)可以以相反的順序被運(yùn)行，這取決于所涉及的功能。還應(yīng)當(dāng)注意的是，框圖和/或流程圖圖示的每一塊以及框圖和/或流程圖圖示的塊的組合可以由執(zhí)行指定功能或動(dòng)作的基于硬件的專用系統(tǒng)或?qū)Ｓ糜布陀?jì)算機(jī)指令的組合來實(shí)現(xiàn)。

鑒于上述情況，本發(fā)明的范圍是由隨后的權(quán)利要求來確定。