技術(shù)總結(jié)
一種光調(diào)制器可包括下波導(dǎo)、上波導(dǎo)以及設(shè)置在這兩者之間的電介質(zhì)層。當(dāng)在下波導(dǎo)和上波導(dǎo)之間產(chǎn)生電壓電勢(shì)時(shí)，這些層形成了硅?絕緣體?硅電容(也被稱為SISCAP)導(dǎo)，該硅?絕緣體?硅電容導(dǎo)提供了對(duì)穿過(guò)調(diào)制器的光信號(hào)的高效、高速光學(xué)調(diào)制。在一個(gè)實(shí)施例中，至少一個(gè)波導(dǎo)包括各自在電荷調(diào)制區(qū)處對(duì)齊的脊部，脊部有助于將光學(xué)模式橫向地(例如，在寬度方向上)限制在光學(xué)調(diào)制器中。在另一實(shí)施例中，脊部可在上波導(dǎo)和下波導(dǎo)二者上成形。這些脊部可在垂直方向(例如，厚度方向)上對(duì)齊以使脊部重疊，這樣可通過(guò)將光學(xué)模式在電荷調(diào)制區(qū)中居中進(jìn)一步提高光學(xué)效率。

技術(shù)研發(fā)人員：唐納德·亞當(dāng)斯;普拉卡什·約托斯卡;威普庫(kù)馬·帕特爾;馬克·韋伯斯特
受保護(hù)的技術(shù)使用者：思科技術(shù)公司
文檔號(hào)碼：201580016125
技術(shù)研發(fā)日：2015.01.23
技術(shù)公布日：2016.11.16