本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基板、顯示面板以及顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器已經(jīng)成為最為常見的顯示裝置。在液晶顯示器中，由陣列基板上縱橫交錯(cuò)的柵線和數(shù)據(jù)線控制各個(gè)像素，以實(shí)現(xiàn)圖像的顯示。柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)是從液晶顯示器中的控制芯片發(fā)出的，通常利用覆晶薄膜(Chip On Film，簡(jiǎn)稱COF)將柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)分別傳輸至陣列基板上的柵線和數(shù)據(jù)線。

COF通過(guò)扇出線區(qū)域上的扇出線連接至顯示區(qū)域的柵線或數(shù)據(jù)線。一組扇出線中包括多條繞線，因?yàn)樯瘸鼍€的整體呈扇形，位于該組扇出線左右兩側(cè)的繞線的長(zhǎng)度會(huì)大于位于扇出線中間的繞線的長(zhǎng)度，所以兩側(cè)繞線的阻抗比中間繞線的阻抗大，會(huì)使所傳輸?shù)臇艠O驅(qū)動(dòng)信號(hào)或數(shù)據(jù)信號(hào)的波形嚴(yán)重失真，影響驅(qū)動(dòng)信號(hào)的均勻性。

目前大多采取將中間的繞線設(shè)置為折線形的方式，使位于扇出線區(qū)域兩側(cè)的繞線與中間的繞線的長(zhǎng)度更加接近，則位于扇出線區(qū)域兩側(cè)的繞線與中間的繞線的阻抗也更加接近，以提高驅(qū)動(dòng)信號(hào)的均勻性。但是，將繞線設(shè)置成折線形，會(huì)使繞線占用更大的空間，增大了液晶顯示器的邊框區(qū)域的寬度，難以滿足當(dāng)前對(duì)于窄邊框產(chǎn)品的需求。所以，不能單從改變繞線的形狀去使兩側(cè)繞線與中間繞線的阻抗相同，因此，現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板上的繞線設(shè)計(jì)還需要進(jìn)一步優(yōu)化。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種基板、顯示面板以及顯示裝置，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中的基板扇出線區(qū)域上兩側(cè)繞線的阻抗比中間繞線的阻抗大，會(huì)使信號(hào)的波形嚴(yán)重失真，影響驅(qū)動(dòng)信號(hào)均勻性的問(wèn)題。

本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種基板，所述基板上設(shè)置有扇出線區(qū)域，所述扇出線區(qū)域包括

中間區(qū)域，所述中間區(qū)域上布設(shè)有若干條第一金屬繞線；以及

側(cè)邊區(qū)域，所述側(cè)邊區(qū)域上亦布設(shè)有若干條第二金屬繞線，所述側(cè)邊區(qū)域位于所述中間區(qū)域的兩側(cè)；

所述側(cè)邊區(qū)域上的第二金屬繞線的長(zhǎng)度大于所述中間區(qū)域上的第一金屬繞線的長(zhǎng)度；所述中間區(qū)域上的第一金屬繞線的阻抗比所述側(cè)邊區(qū)域上的第二金屬繞線的阻抗高。

進(jìn)一步地，所述側(cè)邊區(qū)域上的第二金屬繞線中，越靠近中間區(qū)域的第二金屬繞線，其長(zhǎng)度越短，阻抗越大。

進(jìn)一步地，所述中間區(qū)域上的第一金屬繞線中，越靠近所述中間區(qū)域中心位置的第一金屬繞線，其長(zhǎng)度越短，阻抗越大。

進(jìn)一步地，所述的中間區(qū)域的第一金屬繞線以折線形方式設(shè)置。

進(jìn)一步地，所述側(cè)邊區(qū)域的第二金屬繞線以折線形方式設(shè)置。

進(jìn)一步地，所述第一金屬繞線和/或第二金屬繞線為沉積于所述基板上的導(dǎo)電層或者固定連接在所述基板上的導(dǎo)線。

本發(fā)明為解決上述技術(shù)問(wèn)題，還提供了一種顯示面板，包括上述的基板、彩膜基板、液晶層、第一偏光板、第二偏光板，所述基板為陣列基板，所述陣列基板內(nèi)側(cè)設(shè)有帶有晶體管的第一電極層與覆蓋第一電極層的第一配向?qū)?，所述第一電極層上具有所述的顯示區(qū)域以及邊框區(qū)域；所述彩膜基板的內(nèi)側(cè)設(shè)有第二電極層與覆蓋第二電極層的第二配向?qū)?；所述液晶層配置于第一配向?qū)优c所述第二配向?qū)又g；第一偏光板設(shè)置于所述陣列基板的外側(cè)，第二偏光板設(shè)置于彩膜基板的外側(cè)。

進(jìn)一步地，所述顯示面板可以為液晶面板、半導(dǎo)體發(fā)光二極管面板或有機(jī)發(fā)光二極管面板。

本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括背光模組以及上述的顯示面板。

本發(fā)明的基板，其扇出線區(qū)域的中間區(qū)域上的第一金屬繞線采用的金屬線材的阻抗比側(cè)邊區(qū)域上的第二金屬繞線采用的金屬線材的阻抗高。因此，能使中間區(qū)域上的第一金屬繞線與側(cè)邊區(qū)域上的第二金屬繞線的阻抗相同或者差異縮小。從而防止金屬繞線所傳輸?shù)臇艠O驅(qū)動(dòng)信號(hào)或數(shù)據(jù)信號(hào)的波形失真，保證了驅(qū)動(dòng)信號(hào)的均勻性。

附圖說(shuō)明

一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例通過(guò)與之對(duì)應(yīng)的附圖中的圖片進(jìn)行示例性說(shuō)明，這些示例性說(shuō)明并不構(gòu)成對(duì)實(shí)施例的限定，附圖中具有相同參考數(shù)字標(biāo)號(hào)的元件表示為類似的元件，除非有特別申明，附圖中的圖不構(gòu)成比例限制。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的基板扇出線區(qū)域上金屬繞線的示意圖；

圖2是圖1中的扇出線區(qū)域的放大示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的基板扇出線區(qū)域上的金屬繞線的又一示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種液晶面板的示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

如圖1及圖2所示，為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種基板100，所述基板100上設(shè)置有顯示區(qū)域10以及邊框區(qū)域20，邊框區(qū)域20上設(shè)置有若干個(gè)扇出線區(qū)域30。

該基板100可應(yīng)于多種顯示面板，例如：液晶面板、半導(dǎo)體發(fā)光二極管面板、有機(jī)發(fā)光二極管面板等。

具體地，扇出線區(qū)域30包括中間區(qū)域301以及側(cè)邊區(qū)域302，該側(cè)邊區(qū)域302位于中間區(qū)域301的兩側(cè)。中間區(qū)域301上布設(shè)有若干條第一金屬繞線1a，側(cè)邊區(qū)域302上亦布設(shè)有若干條第二金屬繞線1b。側(cè)邊區(qū)域302上的第二金屬繞線1b的長(zhǎng)度大于中間區(qū)域301上的第一金屬繞線1a的長(zhǎng)度；而中間區(qū)域301上的第一金屬繞線1a的阻抗比側(cè)邊區(qū)域302上的第二金屬繞線1b的阻抗高。為了使中間區(qū)域301上的第一金屬繞線1a的長(zhǎng)度更接近側(cè)邊區(qū)域302上的第二金屬繞線1b的長(zhǎng)度，本實(shí)施例中，中間區(qū)域301的第一金屬繞線1a以折線形方式設(shè)置，側(cè)邊區(qū)域302上的第二金屬繞線1b的部分位置也以折線形方式設(shè)置。

具體地，上述中間區(qū)域301上各條第一金屬繞線1a的長(zhǎng)度可以相同，也可以不相同。請(qǐng)參見圖2，中間區(qū)域301上所有的第一金屬繞線1a的長(zhǎng)度相同，中間區(qū)域301上所有的第一金屬繞線1a均可采用相同阻抗的金屬線材。請(qǐng)參見圖3，中間區(qū)域301上的第一金屬繞線1a中，越靠近中間區(qū)域302中心位置的第一金屬繞線1a，其長(zhǎng)度越短，其需要采用阻抗越大的金屬線材。

同樣的，側(cè)邊區(qū)域302上的第二金屬繞線1b，其長(zhǎng)度可以不同或者相同。請(qǐng)繼續(xù)參見圖2，側(cè)邊區(qū)域302上的第二金屬繞線1b的長(zhǎng)度相同，側(cè)邊區(qū)域302上的第二金屬繞線1b可采用相同阻抗的金屬線材。請(qǐng)繼續(xù)參見圖3，側(cè)邊區(qū)域302上的第二金屬繞線1b中，越靠近中間區(qū)域301的第二金屬繞線1b，其長(zhǎng)度越短，其需要采用阻抗越大的金屬線材。

上述第一金屬繞線1a和第二金屬繞線1b為沉積于基板100上的導(dǎo)電層或者固定連接在基板100上的導(dǎo)線。

本實(shí)施例可以采用沉積方法將第一金屬繞線1a和第二金屬繞線1b布設(shè)于基板上。

本實(shí)施例的基板100的制作步驟如下：

玻璃清洗，去除異物；

劃分區(qū)域，將玻璃表面上劃分出所述顯示區(qū)域10以及扇出線區(qū)域30，其中，所述扇出線區(qū)域30再劃分出所述的中間區(qū)域301以及側(cè)邊區(qū)域302；

成膜工藝，采用不同阻抗的金屬材料在干凈的玻璃表面，通過(guò)濺射沉積形成不同阻抗的金屬薄膜，其中，所述中間區(qū)域301上的金屬薄膜的阻抗比側(cè)邊區(qū)域302上的金屬薄膜的阻抗高；

上光阻，在已形成的金屬薄膜上面均勻涂覆一層光刻膠；

曝光，紫外線透過(guò)掩模板照射玻璃上的光刻膠，進(jìn)行曝光，其中，所述掩模板上的通孔以外的位置為所述顯示區(qū)域10以及扇出線區(qū)域30的布線位置；所述掩模板上對(duì)應(yīng)于所述中間區(qū)域301第一金屬繞線1a的線狀區(qū)域的長(zhǎng)度小于對(duì)應(yīng)于所述側(cè)邊區(qū)域302第二金屬繞線1b的線狀區(qū)域的長(zhǎng)度；

顯影，光刻膠曝光部分被顯影液溶解，留下部分圖案呈現(xiàn)所需形狀；

蝕刻，把基板100放入對(duì)應(yīng)腐蝕液或腐蝕氣體中，腐蝕掉無(wú)光刻膠覆蓋的薄膜；

去光阻，去除殘余的光刻膠，留下所需形狀的金屬薄膜，即制得所述的基板100。

本實(shí)施例的基板100，其扇出線區(qū)域30的中間區(qū)域301上的第一金屬繞線1a采用的金屬線材的阻抗可以比側(cè)邊區(qū)域302上的第二金屬繞線1b采用的金屬線材的阻抗高。因此，能使中間區(qū)域301上的第一金屬繞線1a與側(cè)邊區(qū)域302上的第二金屬繞線1b的阻抗相同或者差異縮小。從而防止金屬繞線所傳輸?shù)臇艠O驅(qū)動(dòng)信號(hào)或數(shù)據(jù)信號(hào)的波形失真，保證了驅(qū)動(dòng)信號(hào)的均勻性。

下面，本實(shí)施例以液晶面板為例，具體描述上述基板100的實(shí)施方式。

請(qǐng)參見圖4，為本實(shí)施例提供的一種液晶面板，包括上述的基板100、彩膜基板200、液晶層4、第一偏光板5以及第二偏光板6。上述的基板100為陣列基板；基板100內(nèi)側(cè)設(shè)有帶有晶體管11的第一電極層12與覆蓋第一電極層12的第一配向?qū)?3?；?00的第一電極層12上具有上述的顯示區(qū)域10以及邊框區(qū)域20，邊框區(qū)域20上設(shè)置有若干個(gè)上述的扇出線區(qū)域30。彩膜基板200的內(nèi)側(cè)設(shè)有第二電極層21與覆蓋第二電極層21的第二配向?qū)?2。液晶層4配置于第一配向?qū)?3與所述第二配向?qū)?2之間；第一偏光板5設(shè)置于基板100的外側(cè)，第二偏光板6設(shè)置于彩膜基板200的外側(cè)。

本實(shí)施例還提供了一種顯示裝置(圖中未示出)，包括顯示面板以及背光模組，該顯示面板具有上述的基板100?？梢岳斫?，上述顯示面板可以是液晶面板、半導(dǎo)體發(fā)光二極管面板、有機(jī)發(fā)光二極管面板等面板。

以上所述僅為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。