技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施方式涉及定影裝置。

背景技術(shù)：

目前，存在多功能打印機(jī)(Multi Function Peripheral，以下稱為“MFP”)以及打印機(jī)等圖像形成裝置。圖像形成裝置具備定影裝置。定影裝置利用電磁感應(yīng)加熱方式(以下稱為“IH方式”)對定影帶的導(dǎo)電層進(jìn)行加熱。定影裝置利用定影帶的熱量使色調(diào)劑圖像定影在記錄介質(zhì)上。例如，定影裝置具備夾著定影帶與感應(yīng)電流發(fā)生部相對的發(fā)熱輔助部。感應(yīng)電流發(fā)生部通過來自變換器驅(qū)動(dòng)電路的高頻電流的施加產(chǎn)生磁通量。變換器驅(qū)動(dòng)電路具備IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)元件。發(fā)熱輔助部使電磁感應(yīng)加熱時(shí)的磁通量集中，使定影帶的發(fā)熱量增加。此處，通過電力控制而調(diào)整定影帶的發(fā)熱。為了保持定影帶的溫度(以下稱為“帶溫度”)為恒定，感應(yīng)電流發(fā)生部被控制為恒定的輸出。在由整磁合金形成發(fā)熱輔助部的情況下，發(fā)熱輔助部如超過居里點(diǎn)則失去磁性，不形成磁路。發(fā)熱輔助部的磁路如沒有形成，則感應(yīng)電流發(fā)生部的負(fù)荷(電阻)減少。定影裝置使在變換器驅(qū)動(dòng)電路流動(dòng)的電流增加僅相當(dāng)于感應(yīng)電流發(fā)生部的負(fù)荷的減少，保持感應(yīng)電流發(fā)生部的輸出為恒定。如使在變換器驅(qū)動(dòng)電路流動(dòng)的電流增加，則由于在IGBT元件流動(dòng)的電流也增加，所以存在使IGBT元件的溫度過度上升、使IGBT元件破損的可能性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的問題是提供能夠防止IGBT元件的破損的定影裝置。

本發(fā)明第一方面的定影裝置包括定影帶、感應(yīng)電流發(fā)生部、發(fā)熱輔助部、測定部以及控制部。定影帶具備導(dǎo)電層。感應(yīng)電流發(fā)生部與所述定影帶相對。感應(yīng)電流發(fā)生部具有對所述導(dǎo)電層進(jìn)行電磁感應(yīng)加熱的第一線圈。發(fā)熱輔助部夾著所述定影帶與所述感應(yīng)電流發(fā)生部相對。發(fā)熱輔助部具有比所述導(dǎo)電層低的居里點(diǎn)的磁性材料。測定部測定所述發(fā)熱輔助部的狀態(tài)。控制部，根據(jù)所述測定部的測定結(jié)果，判斷為所述發(fā)熱輔助部已超過居里點(diǎn)的情況下，控制降低所述感應(yīng)電流發(fā)生部的輸出。

本發(fā)明第二方面的定影裝置包括：定影帶，具備導(dǎo)電層；感應(yīng)電流發(fā)生部，與所述定影帶相對且具有對所述導(dǎo)電層進(jìn)行電磁感應(yīng)加熱的線圈；發(fā)熱輔助部，夾著所述定影帶與所述感應(yīng)電流發(fā)生部相對且具有比所述導(dǎo)電層低的居里點(diǎn)的磁性材料；測定部，測定所述發(fā)熱輔助部的狀態(tài)；以及控制部，根據(jù)所述測定部的測定結(jié)果，判斷為所述發(fā)熱輔助部已超過居里點(diǎn)的情況下，控制降低所述感應(yīng)電流發(fā)生部的輸出，所述感應(yīng)電流發(fā)生部作為所述測定部發(fā)揮作用。

附圖說明

圖1是第一實(shí)施方式所涉及的圖像形成裝置的側(cè)視圖。

圖2是第一實(shí)施方式所涉及的包含IH線圈單元以及主體控制電路的控制模塊的側(cè)視圖。

圖3是第一實(shí)施方式所涉及的IH線圈單元的透視圖。

圖4是第一實(shí)施方式所涉及的主線圈的磁通量向定影帶以及發(fā)熱輔助板的磁路的說明圖。

圖5是示出以第一實(shí)施方式所涉及的以IH線圈單元的控制為主體的控制系統(tǒng)的方框圖。

圖6是第一實(shí)施方式所涉及的定影裝置的主要部分的側(cè)視圖。

圖7是示出第一實(shí)施方式所涉及的定影裝置的動(dòng)作的一個(gè)例子的流程圖。

圖8是第二實(shí)施方式所涉及的定影裝置的主要部分的側(cè)視圖。

圖9是第三實(shí)施方式所涉及的定影裝置的主要部分的側(cè)視圖。

具體實(shí)施方式

[第一實(shí)施方式]

下面，參照附圖，對第一實(shí)施方式的圖像形成裝置10進(jìn)行說明。此外，在各圖中，對同一構(gòu)成附上同一符號(hào)。

圖1是第一實(shí)施方式所涉及的圖像形成裝置10的側(cè)視圖。下面作為圖像形成裝置10的一個(gè)例子舉出MFP 10進(jìn)行說明。

如圖1所示，MFP 10具備掃描儀12、控制面板13以及主體部14。掃描儀12、控制面板13以及主體部14分別具備控制部。MFP 10具備總括各控制部的控制部即系統(tǒng)控制部100。系統(tǒng)控制部100具備CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)100a、ROM(Read Only Memory，只讀存儲(chǔ)器)100b以及RAM(Random Access Memory，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)100c(參照圖5)。系統(tǒng)控制部100控制主體部14的控制部即主體控制電路101(參照圖2)。

主體控制電路101具備未圖示的CPU、ROM以及RAM。主體部14具備供給盒部16、打印機(jī)部18以及定影裝置34等。主體控制電路101控制供給盒部16、打印機(jī)部18以及定影裝置34等。

掃描儀12讀取原稿圖像?？刂泼姘?3具備輸入鍵13a、顯示部13b。例如，輸入鍵13a接受用戶的輸入。例如，顯示部13b是觸摸面板式。顯示部13b接受用戶的輸入，進(jìn)行對用戶的顯示。

供給盒部16具備供紙盒16a、拾取輥16b。供紙盒16a收納記錄介質(zhì)即片材(sheet)P。拾取輥16b從供紙盒16a取出片材P。

供紙盒16a提供未使用的片材P。供紙托盤17利用拾取輥17a提供未使用的片材P。

打印機(jī)部18進(jìn)行圖像形成。例如，打印機(jī)部18進(jìn)行由掃描儀12讀取到的原稿圖像的圖像形成。打印機(jī)部18具備中間轉(zhuǎn)印帶21。打印機(jī)部18通過支撐輥40、從動(dòng)輥41以及張力輥42支撐中間轉(zhuǎn)印帶21。支撐輥40具備驅(qū)動(dòng)部(未圖示)。打印機(jī)部18使中間轉(zhuǎn)印帶21沿箭頭m方向旋轉(zhuǎn)。

打印機(jī)部18具備四組圖像形成站22Y、22M、22C以及22K。各圖像形成站22Y、22M、22C以及22K被分別用作Y(黃色)、M(品紅色)、C(青色)以及K(黑色)的圖像形成。圖像形成站22Y、22M、22C以及22K在中間轉(zhuǎn)印帶21的下側(cè)沿中間轉(zhuǎn)印帶21的旋轉(zhuǎn)方向并列配置。

打印機(jī)部18在各圖像形成站22Y、22M、22C以及22K的上方具備各墨盒(cartridge)23Y、23M、23C以及23K。各墨盒23Y、23M、23C以及23K分別收納Y(黃色)、M(品紅色)、C(青色)以及K(黑色)補(bǔ)給用的色調(diào)劑。

下面，對以各圖像形成站22Y、22M、22C以及22K中的Y(黃色)的圖像形成站22Y為例舉例進(jìn)行說明。此外，對圖像形成站22M、22C以及22K，由于具備與圖像形成站22Y同樣的構(gòu)成而省略詳細(xì)的說明。

圖像形成站22Y具備帶電充電器26、曝光掃描頭27、顯影裝置28以及感光體清潔器29。帶電充電器26、曝光掃描頭27、顯影裝置28以及感光體清潔器29被配置在沿箭頭n方向旋轉(zhuǎn)的感光鼓24的周圍。

圖像形成站22Y具備一次轉(zhuǎn)印輥30。一次轉(zhuǎn)印輥30經(jīng)由中間轉(zhuǎn)印帶21與感光鼓24相對。

圖像形成站22Y在通過帶電充電器26使感光鼓24帶電后，利用曝光掃描頭27曝光。圖像形成站22Y在感光鼓24上形成靜電潛像。顯影裝置28使用由色調(diào)劑和載體形成的雙成分的顯影劑，使感光鼓24上的靜電潛像顯影。

一次轉(zhuǎn)印輥30使形成于感光鼓24的色調(diào)劑圖像一次轉(zhuǎn)印到中間轉(zhuǎn)印帶21上。圖像形成站22Y、22M、22C以及22K利用一次轉(zhuǎn)印輥30在中間轉(zhuǎn)印帶21上形成彩色色調(diào)劑圖像。彩色色調(diào)劑圖像依次重疊Y(黃色)、M(品紅色)、C(青色)以及K(黑色)的色調(diào)劑像而形成。感光體清潔器29在一次轉(zhuǎn)印之后除去殘留在感光鼓24的色調(diào)劑。

打印機(jī)部18具備二次轉(zhuǎn)印輥32。二次轉(zhuǎn)印輥32經(jīng)由中間轉(zhuǎn)印帶21與支撐輥40相對。二次轉(zhuǎn)印輥32將中間轉(zhuǎn)印帶21上的彩色色調(diào)劑圖像一并二次轉(zhuǎn)印在片材P上。片材P沿著輸送路徑33從供給盒部16或者手動(dòng)供紙托盤17被提供。

打印機(jī)部18具備經(jīng)由中間轉(zhuǎn)印帶21與從動(dòng)輥41相對的帶清潔器43。帶清潔器43在二次轉(zhuǎn)印后除去殘留于中間轉(zhuǎn)印帶21的色調(diào)劑。此外，圖像形成部包括中間轉(zhuǎn)印帶21、四組圖像形成站(22Y、22M、22C以及22K)和二次轉(zhuǎn)印輥32。

打印機(jī)部18沿輸送路徑33具備對位輥33a、定影裝置34以及排出輥36。打印機(jī)部18在定影裝置34的下游具備分叉部37以及翻轉(zhuǎn)輸送部38。分叉部37將定影后的片材P送至排出部20或者翻轉(zhuǎn)輸送部38。在雙面打印的情況下，翻轉(zhuǎn)輸送部38將從分叉部37送來的片材P向?qū)ξ惠?3a的方向翻轉(zhuǎn)并輸送。MFP 10在打印機(jī)部18在片材P上形成定影色調(diào)劑圖像并排出至排出部20。

此外，MFP 10并不限于串聯(lián)顯影方式，也不限定顯影裝置28的數(shù)量。另外，MFP 10可以將色調(diào)劑從感光鼓24直接轉(zhuǎn)印至片材P。

下面，對定影裝置34進(jìn)行詳述。

圖2是包括第一實(shí)施方式所涉及的電磁感應(yīng)加熱線圈單元52(感應(yīng)電流發(fā)生部)(下面簡稱IH線圈單元52)以及主體控制電路101(控制部)的控制模塊的側(cè)視圖。下面，將電磁感應(yīng)加熱線圈單元稱為“IH線圈單元”

如圖2所示，定影裝置34具備定影帶50、加壓輥51、IH線圈單元52、發(fā)熱輔助板69(鐵磁板)、第二線圈單元84(測定部)以及主體控制電路101。

定影帶50是筒狀的環(huán)形帶。在定影帶50的內(nèi)周側(cè)配置有包括夾持墊53以及發(fā)熱輔助板69的帶內(nèi)部機(jī)構(gòu)55。

定影帶50在基層50b上依次層疊發(fā)熱部即發(fā)熱層50a(導(dǎo)電層)以及分型(離型)層50c而形成(參照圖4)。此外，只要定影帶50具備發(fā)熱層50a即可，對層構(gòu)造沒有限定。

例如，基層50b由聚酰亞胺樹脂(PI)形成。例如，發(fā)熱層50a由銅(Cu)等非磁性金屬形成。例如，分型層50c由四氟乙烯·全氟烷氧基乙烯基醚共聚樹脂(PFA)等氟樹脂形成。

為了進(jìn)行急速的預(yù)熱，定影帶50使發(fā)熱層50a薄層化而減小熱容量。熱容量小的定影帶50縮短預(yù)熱所需要的時(shí)間，節(jié)約功耗。

例如，定影帶50為了縮小熱容量而使發(fā)熱層50a的銅層的厚度為10μm。例如，發(fā)熱層50a被鎳等保護(hù)層覆蓋。鎳等保護(hù)層抑制銅層的氧化。鎳等保護(hù)層使定影帶50的機(jī)械強(qiáng)度提高。

此外，發(fā)熱層50a可以通過在由聚酰亞胺樹脂形成的基層50b上進(jìn)行無電解鎳電鍍的同時(shí)進(jìn)行銅電鍍而形成。通過進(jìn)行無電解鎳電鍍，使基層50b和發(fā)熱層50a的緊貼強(qiáng)度提高。通過進(jìn)行無電解鎳電鍍，從而使定影帶50的機(jī)械強(qiáng)度提高。

另外，基層50b的表面可以通過噴砂或者化學(xué)蝕刻而粗糙。通過使基層50b的表面粗糙，使基層50b和發(fā)熱層50a的鎳電鍍的緊貼強(qiáng)度進(jìn)一步提高。

另外，可以使鈦(Ti)等金屬分散于形成基層50b的聚酰亞胺樹脂中。通過使金屬分散于基層50b，使基層50b和發(fā)熱層50a的鎳電鍍的緊貼強(qiáng)度進(jìn)一步提高。

例如，發(fā)熱層50a可以由鎳、鐵(Fe)、不銹鋼、鋁(Al)以及銀(Ag)等形成。發(fā)熱層50a可以使用兩種以上的合金，還可以將兩種以上的金屬重疊為層狀。

圖3是第一實(shí)施方式所涉及的IH線圈單元52的透視圖。

如圖3所示，IH線圈單元52具備主線圈56(第一線圈)、第一磁芯57以及第二磁芯58。

主線圈56通過高頻電流的施加而產(chǎn)生磁通量。主線圈56配置于定影帶50的外周側(cè)。主線圈56與定影帶50在厚度方向相對。主線圈56在定影帶50的寬度方向(以下稱為“帶寬方向”)上使長度方向一致。

第一磁芯57以及第二磁芯58覆蓋主線圈56的與定影帶50相反側(cè)(以下稱為“背面?zhèn)取?。第一磁芯57以及第二磁芯58抑制主線圈56產(chǎn)生的磁通量在背面?zhèn)刃孤丁５谝淮判?7以及第二磁芯58使來自主線圈56的磁通量集中于定影帶50。

第一磁芯57具備多個(gè)片翼部(片翼部)57a。多個(gè)片翼部57a以沿著主線圈56的長度方向的中心線56d為軸對稱地相互配置為交錯(cuò)狀。

第二磁芯58配置于第一磁芯57的長度方向的兩側(cè)。第二磁芯58具備跨越主線圈56的兩翼的多個(gè)兩翼部58a。

例如，片翼部57a以及兩翼部58a由鎳-鋅合金(Ni-Zn)以及錳鎳合金(Mn-Ni)等磁性材料形成。

第一磁芯57利用多個(gè)片翼部57a限制主線圈56產(chǎn)生的磁通量。主線圈56產(chǎn)生的磁通量以中心線56d為軸對稱而被主線圈56的每個(gè)片翼相互限制。第一磁芯57利用多個(gè)片翼部57a將來自主線圈56的磁通量集中于定影帶50。

第二磁芯58利用多個(gè)兩翼部58a限制主線圈56產(chǎn)生的磁通量。主線圈56產(chǎn)生的磁通量被第一磁芯57的兩側(cè)中的主線圈56的兩翼限制。第二磁芯58利用多個(gè)兩翼部58a將來自主線圈56的磁通量集中于定影帶50。第二磁芯58的磁通量集中力比第一磁芯57的磁通量集中力大。

主線圈56具備第一翼56a、第二翼56b。第一翼56a夾著中心線56d而配置于一側(cè)。第二翼56b夾著中心線56d配置于另一側(cè)。在第一翼56a和第二翼56b之間即主線圈56的長度方向的內(nèi)側(cè)，形成有窗部56c。

例如，主線圈56使用絞合線。絞合線是將被絕緣材料即耐熱性聚酰胺酰亞胺包覆的銅線材料多根捆扎而形成。主線圈56是圍繞導(dǎo)電性的線圈而形成的。

如圖2所示，主線圈56通過來自變換器驅(qū)動(dòng)電路68的高頻電流的施加而使磁通量產(chǎn)生。例如，變換器驅(qū)動(dòng)電路68具備IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)元件68a以及MOSFET(Metal Oxide semiconductor field effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)元件(未圖示)等開關(guān)元件。IGBT元件68a與MOSFET元件連接。通過將IGBT元件68a以及MOSFET元件交替接通(ON)/斷開(OFF)，使高頻電流在主線圈56流動(dòng)。通過使高頻電流在主線圈56流動(dòng)，從而在主線圈56的周圍產(chǎn)生高頻磁場。通過上述高頻磁場的磁通量，在定影帶50的發(fā)熱層50a產(chǎn)生渦電流。通過上述渦電流和發(fā)熱層50a的電阻，產(chǎn)生焦耳熱。通過上述焦耳熱的產(chǎn)生，對定影帶50加熱。

例如，IGBT元件68a的接通期間為恒定的。通過使MOSFET元件的接通期間變化，從而在主線圈56中流動(dòng)的高頻電流變化。伴隨在主線圈56中流動(dòng)的高頻電流的變化，電磁感應(yīng)加熱的輸出變化。

發(fā)熱輔助板69被配置在定影帶50的內(nèi)周側(cè)。從帶寬方向觀察，發(fā)熱輔助板69沿著定影帶50的內(nèi)周面形成為圓弧形狀。發(fā)熱輔助板69夾著定影帶50而與主線圈56相對。發(fā)熱輔助板69具有低于發(fā)熱層50a的居里點(diǎn)的磁性材料(強(qiáng)磁性材料)。通過主線圈56產(chǎn)生的磁通量，在發(fā)熱輔助板69和定影帶50之間產(chǎn)生磁通量。通過上述磁通量的產(chǎn)生，在定影帶50的發(fā)熱層50a產(chǎn)生焦耳熱。通過上述焦耳熱的產(chǎn)生，輔助主線圈56的定影帶50的加熱。

發(fā)熱輔助板69圓弧形狀的兩端被基臺(tái)(未圖示)支撐。發(fā)熱輔助板69的徑向外側(cè)面從定影帶50的內(nèi)周面遠(yuǎn)離。例如，發(fā)熱輔助板69的徑向外側(cè)面和定影帶50的內(nèi)周面之間的間隔為1mm～2mm左右。此外，發(fā)熱輔助板69的徑向外側(cè)面可以接觸定影帶50的內(nèi)周面。

例如，帶寬方向上的發(fā)熱輔助板69的長度大于帶寬方向上的通過紙張區(qū)域的長度(以下稱為“片材寬”)。此外，片材寬是使用的片材中最短邊寬大的片材的寬。例如，片材寬稍微大于A3紙張的短邊寬。

圖4是第一實(shí)施方式所涉及的主線圈56的磁通量向定影帶50以及發(fā)熱輔助板69的磁路的說明圖。

如圖4所示，主線圈56產(chǎn)生的磁通量形成定影帶50的發(fā)熱層50a感應(yīng)的第一磁路81。第一磁路81形成為包圍主線圈56的第一翼56a以及第二翼56b。第一磁路81通過第一磁芯57以及第二磁芯58、發(fā)熱層50a。另外，主線圈56產(chǎn)生的磁通量形成發(fā)熱輔助板69感應(yīng)的第二磁路82。第二磁路82形成于在定影帶50的徑向(以下稱為“帶徑向”)與第一磁路81鄰接的位置。第二磁路82通過發(fā)熱輔助板69和發(fā)熱層50a。

發(fā)熱輔助板69由居里點(diǎn)為220℃～230℃的鐵、鎳合金等的整磁合金制的薄片金屬部件形成。發(fā)熱輔助板69如超過居里點(diǎn)則失去磁性。具體而言，發(fā)熱輔助板69如超過居里點(diǎn)則由強(qiáng)磁性變化為順磁性。發(fā)熱輔助板69如超過居里點(diǎn)則不形成第二磁路82，不輔助定影帶50的加熱。通過由整磁合金形成發(fā)熱輔助板69，以居里點(diǎn)為界限，低溫時(shí)能夠輔助定影帶50的升溫，且高溫時(shí)能夠抑制定影帶50的過度升溫。

此處，定影帶50的發(fā)熱通過IH控制電路67的電力控制而被調(diào)整。為了保持帶溫度為恒定，IH線圈單元52被控制為恒定的輸出。在由整磁合金形成發(fā)熱輔助板69的情況下，發(fā)熱輔助板69如超過居里點(diǎn)則失去磁性，不形成第二磁路82。如不形成第二磁路82，則IH線圈單元52的負(fù)載(電阻)減少。

IH控制電路67在變換器驅(qū)動(dòng)電路68流動(dòng)的電流增加僅相當(dāng)于IH線圈單元52的負(fù)載的減少，保持IH線圈單元52的輸出為恒定。如在變換器驅(qū)動(dòng)電路68流動(dòng)的電流增加，則由于在IGBT元件68a流動(dòng)的電流也增加，因此存在使IGBT元件68a的溫度過度上升、使IGBT元件68a破損的可能性。因此在本實(shí)施方式中，如后所述，通過測定第二線圈84a的電阻而推斷發(fā)熱輔助板69的磁性變化。于是，IH控制電路67控制IH線圈單元52，以使在測定的上述電阻小于閾值時(shí)電磁感應(yīng)加熱的輸出降低。

此外，發(fā)熱輔助板69可以由具備鐵、鎳以及不銹鋼等磁性特性的薄片金屬部件形成。另外，發(fā)熱輔助板69如具備磁性特性，則可以由包含磁性粉末的樹脂等形成。另外，發(fā)熱輔助板69可以由以下磁性材料(鐵氧體)形成。磁性材料(鐵氧體)通過感應(yīng)電流的磁通量并促進(jìn)定影帶50的發(fā)熱。磁性材料(鐵氧體)即使暴露于感應(yīng)電流的磁通量，自身也不發(fā)熱。發(fā)熱輔助板69不限定于薄板部件。

如圖2所示，罩(shield)76被配置于發(fā)熱輔助板69的內(nèi)周側(cè)。罩76形成為與發(fā)熱輔助板69同樣的圓弧形狀。罩76將圓弧形狀的兩端支撐在基臺(tái)(未圖示)上。此外，罩76可以支撐發(fā)熱輔助板69。例如，罩76由鋁以及銅等非磁性材料形成。罩76遮斷來自IH線圈單元52的磁通量。罩76抑制磁通量影響熱敏電阻的測定電壓等。

夾持墊53是將定影帶50的內(nèi)周面向加壓輥51側(cè)按壓的按壓部。在定影帶50和加壓輥51之間形成有夾持部54。夾持墊53在定影帶50和加壓輥51之間具有形成夾持部54的夾持部形成面53a。夾持部形成面53a從帶寬方向觀察在定影帶50的內(nèi)周側(cè)彎曲形成凸?fàn)?。夾持部形成面53a從帶寬方向觀察沿著加壓輥51的外周面而彎曲。

例如，加壓輥51在芯鐵的周圍具備耐熱性的硅海綿以及硅氧橡膠層等。例如，在加壓輥51的表面配置有分型層。分型層由PFA樹脂等氟類樹脂形成。加壓輥51利用加壓機(jī)構(gòu)對定影帶50加壓。加壓輥51是與夾持墊53一起對定影帶50加壓的加壓部。

作為定影帶50以及加壓輥51的驅(qū)動(dòng)源，設(shè)置有一個(gè)電動(dòng)機(jī)51b。電動(dòng)機(jī)51b由主體控制電路101控制的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路51c驅(qū)動(dòng)。電動(dòng)機(jī)51b經(jīng)由第一齒輪列(未圖示)與加壓輥51連接。電動(dòng)機(jī)51b經(jīng)由第二齒輪列以及單向超越離合器而與帶驅(qū)動(dòng)部件(都未圖示)連接。加壓輥51根據(jù)電動(dòng)機(jī)51b沿箭頭q方向進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。在定影帶50以及加壓輥51抵接時(shí)定影帶50從動(dòng)于加壓輥51，沿箭頭u方向旋轉(zhuǎn)。在定影帶50以及加壓輥51背離時(shí)定影帶50通過電動(dòng)機(jī)51b沿箭頭u方向旋轉(zhuǎn)。此外，定影帶50也可以獨(dú)立于加壓輥51而具備驅(qū)動(dòng)源。

中央熱敏電阻61以及邊緣熱敏電阻62測定帶溫度。帶溫度的測定結(jié)果被輸入至主體控制電路101。中央熱敏電阻61被配置于帶寬方向內(nèi)側(cè)。邊緣熱敏電阻62在帶寬方向被配置在IH線圈單元52的加熱區(qū)域且非通過紙張區(qū)域。主體控制電路101控制IH線圈單元52，以使在邊緣熱敏電阻62測定出的帶溫度在閾值以上時(shí)使電磁感應(yīng)加熱的輸出停止。定影帶50的非通過紙張區(qū)域過度升溫時(shí)通過使電磁感應(yīng)加熱的輸出停止，從而防止定影帶50的損傷。

主體控制電路101根據(jù)中央熱敏電阻61以及邊緣熱敏電阻62的帶溫度的測定結(jié)果，對IH控制電路67進(jìn)行控制。IH控制電路67通過主體控制電路101的控制對變換器驅(qū)動(dòng)電路68輸出的高頻電流的大小進(jìn)行控制。定影帶50根據(jù)變換器驅(qū)動(dòng)電路68的輸出，保持各種控制溫度范圍。IH控制電路67具備未圖示的CPU、ROM以及RAM。

恒溫裝置63作為定影裝置34的安全裝置而發(fā)揮作用。恒溫裝置63在定影帶50異常發(fā)熱、溫度上升至遮斷閾值時(shí)進(jìn)行動(dòng)作。通過恒溫裝置63的動(dòng)作，流向IH線圈單元52的電流被遮斷。通過流向IH線圈單元52的電流的遮斷，MFP 10停止驅(qū)動(dòng)，抑制定影裝置34異常發(fā)熱。

下面，對使定影帶50發(fā)熱的IH線圈單元52的控制系統(tǒng)110進(jìn)行詳細(xì)敘述。

圖5是示出以第一實(shí)施方式所涉及的IH線圈單元52的控制為主體的控制系統(tǒng)110的框圖。

如圖5所示，控制系統(tǒng)110具備系統(tǒng)控制部100、主體控制電路101、IH電路120以及電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路51c。

控制系統(tǒng)110利用IH電路120向IH線圈單元52提供電力。IH電路120具備整流電路121、IH控制電路67、變換器驅(qū)動(dòng)電路68以及電流測定電路122。

IH電路120經(jīng)由繼電器112從交流電源111被輸入電流。IH電路120將輸入的電流通過整流電路121進(jìn)行整流并提供給變換器驅(qū)動(dòng)電路68。繼電器112在切斷恒溫裝置63的情況下遮斷來自交流電源111的電流。變換器驅(qū)動(dòng)電路68具備IGBT元件68a的驅(qū)動(dòng)IC 68b。IH控制電路67根據(jù)中央熱敏電阻61以及邊緣熱敏電阻62的帶溫度的測定結(jié)果，對驅(qū)動(dòng)IC 68b進(jìn)行控制。IH控制電路67控制驅(qū)動(dòng)IC 68b，并控制IGBT元件68a的輸出。電流測定電路122將IGBT元件68a的輸出的測定結(jié)果發(fā)送至IH控制電路67。IH控制電路67根據(jù)電流測定電路122的IGBT元件68a的輸出的測定結(jié)果，對驅(qū)動(dòng)IC 68b進(jìn)行控制，以使IH線圈單元52的輸出為恒定。

主體控制電路101從電阻測定電路84b取得后述的測定值R(參照圖7)。主體控制電路101根據(jù)測定值R控制IH線圈單元52。主體控制電路101判定測定值R是否小于閾值Rt。主體控制電路101根據(jù)上述判定結(jié)果，進(jìn)行定影裝置34的驅(qū)動(dòng)的繼續(xù)以及IH線圈單元52的輸出的降低中任一項(xiàng)的控制。此外，IH線圈單元52的輸出的降低包括IH線圈單元52的停止。

圖6是第一實(shí)施方式所涉及的定影裝置34的主要部分的側(cè)視圖。

如圖6所示，第二線圈單元84具備第二線圈84a、電阻測定電路84b(電阻測定部)。第二線圈單元84測定發(fā)熱輔助板69是否處于已超過居里點(diǎn)的狀態(tài)。第二線圈84a與主線圈56分體構(gòu)成。第二線圈84a通過通電產(chǎn)生通過發(fā)熱輔助板69的磁場。例如，第二線圈84a使用絞合線的線圈。電阻測定電路84b測定第二線圈84a的電阻。第二線圈84a的電阻的測定結(jié)果被輸入至主體控制電路101。

下面，在發(fā)熱輔助板69中在定影帶50的周方向(以下稱為“帶周方向”)，將以夾著定影帶50與IH線圈單元52相對的區(qū)域設(shè)為對向區(qū)域69a。發(fā)熱輔助板69的端部69c是發(fā)熱輔助板69的帶周方向的端部，其是鄰接于對向區(qū)域69a的區(qū)域。發(fā)熱輔助板69的端部69c在帶徑方向上不夾著定影帶50與IH線圈單元52相對。

另外，IH線圈單元52的端部52c是第一磁芯57以及第二磁芯58的帶周方向的端部，其包括向帶徑方向內(nèi)側(cè)突出的區(qū)域。

第二線圈84a被配置于與發(fā)熱輔助板69相對且不與主線圈56相對的區(qū)域S1(參照圖2)。具體而言，區(qū)域S1在帶徑方向位于IH線圈單元52的端部52c和定影帶50之間。區(qū)域S1是在帶周方向從主線圈56的外側(cè)至發(fā)熱輔助板69的端部69c的范圍。區(qū)域S1在帶周方向與IH線圈單元52的端部52c相對且夾著定影帶50與發(fā)熱輔助板69的端部69c相對。區(qū)域S1中的帶周方向的一端(內(nèi)側(cè)端)在帶徑方向面對IH線圈單元52的端部52c和主線圈56之間的邊界。區(qū)域S1中的帶寬方向的另一端(外側(cè)端)在帶徑方向夾著定影帶50面對發(fā)熱輔助板69的端部69c的前端(圓弧形狀的兩端)。

在本實(shí)施方式中，第二線圈84a被配置于定影帶50的外周側(cè)。第二線圈84a夾著定影帶50與發(fā)熱輔助板69的端部69c相對。

此外，第二線圈84a在不與主線圈56相對的范圍內(nèi)可以夾著定影帶50與發(fā)熱輔助板69的對向區(qū)域69a相對。

第二線圈84a與定影帶50離開指定間隔而被固定。第二線圈84a在帶寬方向至少與通過紙張區(qū)域相對。例如，第二線圈84a與定影帶50的中央部相對。

第二線圈84a的大小小于主線圈56的大小。這是因?yàn)榈诙€圈84a通過通電產(chǎn)生通過發(fā)熱輔助板69的磁場，電阻測定電路84b可以測定第二線圈84a的電阻。

此外，與使第二線圈84a的大小與主線圈56同等以上的情況相比較，能夠?qū)⒌诙€圈84a容易地配置于上述區(qū)域S1。

第二線圈84a產(chǎn)生的磁通量形成定影帶50的發(fā)熱層50a感應(yīng)的第三磁路85。第三磁路85通過發(fā)熱層50a。另外，第二線圈84a產(chǎn)生的磁通量在發(fā)熱輔助板69超過居里點(diǎn)而失去磁性之前，形成發(fā)熱輔助板69感應(yīng)的第四磁路86。第四磁路86形成于在帶徑方向與第三磁路85鄰接的位置。第四磁路86通過發(fā)熱輔助板69和發(fā)熱層50a。第二線圈84a的電阻伴隨發(fā)熱輔助板69的磁性的變化而變化。即，第二線圈84a的電阻根據(jù)是否形成第四磁路86而變化。

通過使微弱的高頻電流(以下稱為“高頻微弱電流”)在第二線圈84a中流動(dòng)，能夠測定第二線圈84a的電阻。例如，在第二線圈84a的上游側(cè)和下游側(cè)連接電阻測定電路84b，根據(jù)第二線圈84a的上游側(cè)和下游側(cè)中的電流值測定上述電阻。此外，高頻微弱電流為比變換器驅(qū)動(dòng)電路68輸出的高頻電流弱的電流。

接著，參照圖7，對第一實(shí)施方式所涉及的定影裝置34的動(dòng)作的一個(gè)例子進(jìn)行說明。

圖7是示出第一實(shí)施方式所涉及的定影裝置34的動(dòng)作的一個(gè)例子的流程圖。

在Act100，電阻測定電路84b在第二線圈84a流動(dòng)高頻微弱電流。例如，高頻微弱電流為頻率60kHz、電流10mA。

在Act101，電阻測定電路84b測定第二線圈84a的電阻。在本實(shí)施方式中，以電阻測定電路84b測定到的第二線圈84a的電阻為“測定值R”。主體控制電路101從電阻測定電路84b取得測定值R。

此外，主體控制電路101可以經(jīng)由邏輯電路等其他電路取得測定值R。

在Act102，主體控制電路101判定在Act101已取得的測定值R是否小于閾值Rt(例如1[Ω])。

根據(jù)以下理由，通過判定測定值R是否小于閾值Rt，能夠判斷發(fā)熱輔助板69的磁性的變化。

測定值R為閾值Rt以上的情況下，發(fā)熱輔助板69超過居里點(diǎn)具有強(qiáng)磁性。發(fā)熱輔助板69具有強(qiáng)磁性的情況下，第二線圈84a產(chǎn)生的磁通量形成第三磁路85以及第四磁路86。

另一方面，測定值R小于閾值Rt的情況下，發(fā)熱輔助板69超過居里點(diǎn)而變化為順磁性。發(fā)熱輔助板69變?yōu)轫槾判缘那闆r下，第四磁路86喪失。

因此，通過判定測定值R是否小于閾值Rt，能夠推斷發(fā)熱輔助板69的磁性變化。

主體控制電路101在判定為測定值R小于閾值Rt的時(shí)候(Act102為是)使處理進(jìn)入Act104。主體控制電路101在判定測定值R在閾值Rt以上的情況下(Act102為否)，使處理進(jìn)入Act103。

在Act103，定影裝置34繼續(xù)驅(qū)動(dòng)。例如，定影裝置34在進(jìn)行連續(xù)通過紙張以及預(yù)熱等高輸出驅(qū)動(dòng)的情況下，繼續(xù)高輸出驅(qū)動(dòng)。

在Act104，主體控制電路101根據(jù)測定值R控制IH線圈單元52。根據(jù)以下理由，進(jìn)行基于測定值R的主體控制電路101的控制。

在Act105，主體控制電路101根據(jù)測定值R判定是否停止IH線圈單元52。例如，主體控制電路101在測定值R小于0.5[Ω]的情況下判定為停止IH線圈單元52。主體控制電路101在判定為停止IH線圈單元52的情況下(Act105為是)，結(jié)束處理。主體控制電路101通過停止IH線圈單元52，抑制IGBT元件68a的溫度過度上升。主體控制電路101通過抑制IGBT元件68a的溫度過度上升，防止IGBT元件68a的破損。

主體控制電路101在判定為不停止IH線圈單元52的情況下(Act105為否)，使處理進(jìn)入Act106。

在Act106，主體控制電路101降低IH線圈單元52的輸出。例如，主體控制電路101降低向IH線圈單元52提供的電力。主體控制電路101通過降低IH線圈單元52的輸出，抑制IGBT元件68a的溫度過度上升。主體控制電路101通過抑制IGBT元件68a的溫度過度上升，防止IGBT元件68a的破損。

在Act103，定影裝置34在IH線圈單元52的輸出被降低的狀態(tài)下繼續(xù)驅(qū)動(dòng)。

下面對預(yù)熱時(shí)的定影裝置34的動(dòng)作進(jìn)行說明。

如圖2所示，預(yù)熱時(shí)，定影裝置34使定影帶50向箭頭u方向旋轉(zhuǎn)。IH線圈單元52通過變換器驅(qū)動(dòng)電路68的高頻電流的施加，在定影帶50側(cè)產(chǎn)生磁通量。

例如，預(yù)熱時(shí)，在使定影帶50從加壓輥51遠(yuǎn)離的狀態(tài)下，使定影帶50向箭頭u方向旋轉(zhuǎn)。預(yù)熱時(shí)，通過使定影帶50在從加壓輥51遠(yuǎn)離的狀態(tài)下旋轉(zhuǎn)，起到以下效果。與使定影帶50在已抵接加壓輥51的狀態(tài)下旋轉(zhuǎn)的情況相比較，能夠回避定影帶50的熱量被加壓輥51奪去。通過回避定影帶50的熱量被加壓輥51奪去，能夠縮短預(yù)熱時(shí)間。

此外，預(yù)熱時(shí)，在使加壓輥51已抵接定影帶50的狀態(tài)下，通過使加壓輥51向箭頭q方向旋轉(zhuǎn)，可以使定影帶50向箭頭u方向從動(dòng)旋轉(zhuǎn)。

如圖4所示，IH線圈單元52利用第一磁路81對定影帶50進(jìn)行加熱。發(fā)熱輔助板69利用第二磁路82輔助定影帶50的加熱。通過輔助定影帶50的加熱，促進(jìn)定影帶50的急速的預(yù)熱。

如圖2所示，IH控制電路67根據(jù)中央熱敏電阻61或邊緣熱敏電阻62的帶溫度的測定結(jié)果，控制變換器驅(qū)動(dòng)電路68。變換器驅(qū)動(dòng)電路68向主線圈56提供高頻電流。

下面，對定影操作時(shí)的定影裝置34的動(dòng)作進(jìn)行說明。

在定影帶50達(dá)到定影溫度而結(jié)束預(yù)熱之后，使加壓輥51抵接定影帶50。在使加壓輥51已抵接定影帶50的狀態(tài)下，通過使加壓輥51向箭頭q方向旋轉(zhuǎn)，而使定影帶50向箭頭u方向從動(dòng)旋轉(zhuǎn)。如存在打印要求時(shí)，則MFP 10(參照圖1)開始打印操作。MFP 10通過打印機(jī)部18在片材P上形成色調(diào)劑圖像，并將片材P輸送至定影裝置34。

MFP 10使形成有色調(diào)劑圖像的片材P通過達(dá)到定影溫度的定影帶50和加壓輥51之間的夾持部(nip)54。定影裝置34將色調(diào)劑圖像定影在片材P上。在進(jìn)行定影期間，IH控制電路67控制IH線圈單元52，將定影帶50保持在定影溫度。

通過定影操作，定影帶50被片材P奪去熱量。例如，以高速連續(xù)通過紙張的情況下，由于被片材P奪去的熱量很大，因此有時(shí)低熱容量的定影帶50不能保持在定影溫度。第二磁路82的定影帶50的加熱輔助補(bǔ)償帶發(fā)熱量的不足。第二磁路82的定影帶50的加熱輔助即使在以高速的連續(xù)通過紙張時(shí)也使帶溫度保持在定影溫度。

然而，認(rèn)為為了防止IGBT元件68a的破損，需要設(shè)置測定IGBT元件68a的溫度的熱敏電阻。熱敏電阻被安裝在并非IGBT元件68a本身而是變換器驅(qū)動(dòng)電路68的殼體中。在熱敏電阻測定IGBT元件68a的溫度上升的情況下，主體控制電路101驅(qū)動(dòng)風(fēng)扇冷卻IGBT元件68a。根據(jù)熱敏電阻，能夠測定IGBT元件68a的緩慢的溫度上升。可是，用熱敏電阻測定急劇的溫度上升是困難的，在IGBT元件68a的溫度追隨性存在限度。另外，由于熱敏電阻被安裝在殼體中，因此在熱敏電阻中測定IGBT元件68a的正確的溫度是困難的。利用熱敏電阻的IGBT元件68a的測定溫度有時(shí)與實(shí)際的IGBT元件68a的內(nèi)部溫度背離。另外，在利用風(fēng)扇的IGBT元件68a的冷卻下，冷卻到IGBT元件68a的內(nèi)部是困難的，充分冷卻IGBT元件68a也存在限度。從而，在利用熱敏電阻的溫度測定以及利用風(fēng)扇的冷卻下，存在不能防止IGBT元件68a的破損的可能性。

對此，根據(jù)第一實(shí)施方式，電阻測定電路84b測定第二線圈84a的電阻。通過測定第二線圈84a的電阻，能夠間接地測定IGBT元件68a的緩慢的溫度上升以及急劇的溫度上升。通過測定第二線圈84a的電阻，與設(shè)置上述熱敏電阻的情況相比較，能夠間接地實(shí)時(shí)地測定IGBT元件68a的溫度。另外，通過測定第二線圈84a的電阻，與上述實(shí)際的IGBT元件68a的內(nèi)部溫度的背離不成問題。

另外，主體控制電路101從電阻測定電路84b取得第二線圈84a的電阻(測定值R)。主體控制電路101在測定值R小于閾值時(shí)控制IH線圈單元52，以使電磁感應(yīng)加熱的輸出降低。在測定值R小于閾值時(shí)通過降低電磁感應(yīng)加熱的輸出，能夠抑制IGBT元件68a的溫度過度上升。具體而言，主體控制電路101判定測定值R是否小于閾值Rt。在測定值R小于閾值Rt的情況下，主體控制電路101能夠降低IH線圈單元52的輸出。例如，通過停止IH線圈單元52或降低IH線圈單元52的輸出，能夠抑制IGBT元件68a的溫度過度上升。從而，能夠防止IGBT元件68a的破損。

另外，通過第二線圈84a與主線圈56分體構(gòu)成，電阻測定電路84b能夠隨時(shí)測定第二線圈84a的電阻。因此，主體控制電路101能夠隨時(shí)取得測定值R。

另外，通過將第二線圈84a配置于與發(fā)熱輔助板69相對且與主線圈56不相對的區(qū)域S1，取得以下效果。與將第二線圈84a配置于與主線圈56相對的區(qū)域的情況相比較，由于能夠抑制第二線圈84a受到主線圈56的很大磁力的影響，因此能夠高精度地測定第二線圈84a的電阻。

另外，通過第二線圈84a夾著定影帶50與發(fā)熱輔助板69的端部69c(鄰接于對向區(qū)域69a的部位)相對，取得以下效果。第二線圈單元84能夠在具有與對向區(qū)域69a同等的溫度變化的部位(與對向區(qū)域69a的溫度變化具有相關(guān)性的部位)測定第二線圈84a的電阻。

另外，通過第二線圈84a在帶寬方向至少與通過紙張區(qū)域相對，第二線圈單元84與非通過紙張區(qū)域分開而能夠測定第二線圈84a的電阻。因此，主體測定電路101與非通過紙張區(qū)域區(qū)分地能夠取得測定值R。

[第二實(shí)施方式]

接著，根據(jù)圖8說明第二實(shí)施方式。此外，對與第一實(shí)施方式同一方式附上同一符號(hào)省略說明。

圖8是第二實(shí)施方式所涉及的定影裝置234的主要部分的側(cè)視圖。此外，圖8是相當(dāng)于圖6的側(cè)視圖。

如圖8所示，第二實(shí)施方式所涉及的定影裝置234不具備第一實(shí)施方式所涉及的第二線圈84a。第二實(shí)施方式所涉及的定影裝置234在具備使用主線圈56的測定部284的這點(diǎn)與上述第一實(shí)施方式不同。此外，在圖8符號(hào)284b表示電阻測定電路。

IH線圈單元52具有對發(fā)熱層50a進(jìn)行電磁感應(yīng)加熱的主線圈56(線圈)。IH線圈單元52作為測定部284發(fā)揮作用。測定部284通過對主線圈56的通電而產(chǎn)生通過發(fā)熱輔助板69的磁場。測定部284測定主線圈56的電阻。

主線圈56產(chǎn)生的磁通量形成第一磁路81以及第二磁路82。主線圈56的電阻伴隨發(fā)熱輔助板69的磁性變化而變化。

通過使高頻微弱電流在主線圈56流動(dòng)，能夠測定主線圈56的電阻。

電阻測定電路284b測定主線圈56的電阻。在本實(shí)施方式中，將電阻測定電路284b測定出的主線圈56的電阻作為“測定值R”。主體控制電路101從電阻測定電路284b取得測定值R。

主體控制電路101判定取得的測定值R是否小于閾值Rt(例如1[Ω])。

根據(jù)以下理由，通過判定測定值R是否小于閾值Rt，能夠判斷發(fā)熱輔助板69的磁性的變化。

測定值R為閾值Rt以上的情況下，發(fā)熱輔助板69不超過居里點(diǎn)而具有強(qiáng)磁性。發(fā)熱輔助板69具有強(qiáng)磁性的情況下，主線圈56產(chǎn)生的磁通量形成第一磁路81以及第二磁路82。

另一方面，測定值R小于閾值Rt的情況下，發(fā)熱輔助板69超過居里點(diǎn)而變?yōu)轫槾判?。發(fā)熱輔助板69變?yōu)轫槾判缘那闆r下，第二磁路82喪失。

因此，通過判定測定值R是否小于閾值Rt，能夠推斷發(fā)熱輔助板69的磁性變化。

主體控制電路101控制IH線圈單元52，以使在取得的測定值R小于閾值Rt時(shí)使電磁感應(yīng)加熱的輸出降低。

根據(jù)第二實(shí)施方式，取得與第一實(shí)施方式同樣的效果。

另外，與第二線圈84a夾著定影帶50與發(fā)熱輔助板69的端部69c相對的情況相比較，在面對對向區(qū)域69a的地點(diǎn)能夠測定主線圈56的電阻。因此，能夠判斷對向區(qū)域69a的磁性的變化。

另外，在不使IH線圈單元52發(fā)熱的定時(shí)(timing)，能夠測定主線圈56的電阻。例如，在連續(xù)通過紙張時(shí)以及預(yù)熱時(shí)之外的作業(yè)期間等(例如每通過紙張10張)，能夠測定主線圈56的電阻。因此，在作業(yè)期間，能夠判斷對向區(qū)域69a的磁性的變化。

另外，與將第二線圈84a與主線圈56分體構(gòu)成的情況相比較，由于能夠削減部件數(shù)量，能夠使定影裝置234的構(gòu)成簡化。

此外，在使IH線圈單元52發(fā)熱的定時(shí)，可以測定主線圈56的電阻。例如，在連續(xù)通過紙張時(shí)以及預(yù)熱時(shí)，可以測定主線圈56的電阻。在連續(xù)通過紙張時(shí)以及預(yù)熱時(shí)通過測定主線圈56的電阻，能夠在面對對向區(qū)域69a的地點(diǎn)實(shí)時(shí)測定主線圈56的電阻。因此，在連續(xù)通過紙張時(shí)以及預(yù)熱時(shí)能夠?qū)崟r(shí)判斷對向區(qū)域69a的磁性的變化。

[第三實(shí)施方式]

接著，根據(jù)圖9說明第三實(shí)施方式。此外，對與第一實(shí)施方式同一方式附上同一符號(hào)省略說明。

圖9是第三實(shí)施方式所涉及的定影裝置334的主要部分的側(cè)視圖。此外，圖9是相當(dāng)于圖6的側(cè)視圖。

如圖9所示，第三實(shí)施方式所涉及的定影裝置334不具備第一實(shí)施方式所涉及的第二線圈84a。第三實(shí)施方式所涉及的定影裝置334在具備配置于定影帶50的內(nèi)周側(cè)的第二線圈384a的這點(diǎn)與上述第一實(shí)施方式不同。第二線圈384a被配置于發(fā)熱輔助板69的徑向內(nèi)側(cè)(比發(fā)熱輔助部69更靠近定影帶的徑向內(nèi)側(cè))。此外，在圖9，符號(hào)384表示第二線圈單元、符號(hào)384b表示電阻測定電路。

第二線圈384a產(chǎn)生的磁通量在發(fā)熱輔助板69超過居里點(diǎn)失去磁性之前形成發(fā)熱輔助板69感應(yīng)的第五磁路87。第五磁路87不向發(fā)熱輔助板69的帶徑方向外側(cè)伸出而通過發(fā)熱輔助板69。

另外，第二線圈384a產(chǎn)生的磁通量在發(fā)熱輔助板69超過居里點(diǎn)而失去磁性的情況下，形成定影帶50的發(fā)熱層50a感應(yīng)的第六磁路88。第六磁路88向發(fā)熱輔助板69的帶徑方向外側(cè)伸出，且通過發(fā)熱層50a。第二線圈384a的電阻伴隨發(fā)熱輔助板69的磁性的變化而變化。

通過使高頻微弱電流在第二線圈384a流動(dòng)，能夠測定第二線圈384a的電阻。

電阻測定電路384b測定第二線圈384a的電阻。在本實(shí)施方式中，將電阻測定電路384b測定的第二線圈384a的電阻作為“測定值R”。主體控制電路101從電阻測定電路384b取得測定值R。

主體控制電路101判定已取得的測定值R是否小于閾值Rt(例如1[Ω])。

根據(jù)以下理由，通過判定測定值R是否小于閾值Rt，從而能夠判斷發(fā)熱輔助板69的磁性的變化。

測定值Rt為閾值Rt以上的情況下，發(fā)熱輔助板69不超過居里點(diǎn)而具有強(qiáng)磁性。發(fā)熱輔助板69具有強(qiáng)磁性的情況下，第二線圈384a產(chǎn)生的磁通量形成第五磁路87。

另一方面，在測定值R小于閾值Rt的情況下，發(fā)熱輔助板69超過居里點(diǎn)而變?yōu)轫槾判浴０l(fā)熱輔助板69變?yōu)轫槾判缘那闆r下，第二線圈384a產(chǎn)生的磁通量形成第六磁路88。此外，在發(fā)熱輔助板69變?yōu)轫槾判缘那闆r下，第五磁路87喪失。

因此，通過判定測定值R是否小于閾值Rt，能夠推斷發(fā)熱輔助板69的磁性變化。

主體控制電路101控制IH線圈單元52，以使在取得的測定值R小于閾值Rt時(shí)使電磁感應(yīng)加熱的輸出降低。

根據(jù)第三實(shí)施方式，得到與第一實(shí)施方式同樣的效果。

另外，通過在定影帶50的內(nèi)周側(cè)將第二線圈384a配置于發(fā)熱輔助板69的徑向內(nèi)側(cè)，取得以下效果。與將第二線圈84a配置于定影帶50的外周側(cè)的情況相比較，能夠?qū)⒌诙€圈384a與發(fā)熱輔助板69一起匯集在定影帶50的內(nèi)周側(cè)。

根據(jù)以上所述的至少一個(gè)實(shí)施方式的定影裝置，由于能夠抑制IGBT元件68a的溫度過度上升，因此能夠防止IGBT元件68a的破損。

此外，上述發(fā)熱層50a也可以由鎳等磁性材料形成。

另外，上述的測定部不限定于具備電阻測定部。例如，測定部可以包括測定發(fā)熱輔助板69的溫度的溫度測定部。例如，溫度測定部使用溫度傳感器。通過測定發(fā)熱輔助板69的溫度，能夠直接判斷發(fā)熱輔助板69是否超過居里點(diǎn)。即，測定部可以測定發(fā)熱輔助板69的狀態(tài)即可。

另外，上述的主體控制電路101不限定于根據(jù)電阻測定電路的測定結(jié)果而間接判斷發(fā)熱輔助板69是否超過居里點(diǎn)。例如，主體控制電路101根據(jù)上述溫度傳感器的測定結(jié)果，可以直接判斷發(fā)熱輔助板69是否超過居里點(diǎn)。即，主體控制電路101在根據(jù)上述測定部的測定結(jié)果判斷發(fā)熱輔助板69超過居里點(diǎn)的情況下，控制使IH線圈單元的輸出降低即可。

可以用計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)上述的實(shí)施方式中的定影裝置的功能。此時(shí)，也可以通過將用于實(shí)現(xiàn)該功能的程序記錄在計(jì)算機(jī)可讀取的記錄介質(zhì)上，并將記錄在該記錄介質(zhì)上的程序讀入計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中執(zhí)行而實(shí)現(xiàn)。此外，此處所指的“計(jì)算機(jī)系統(tǒng)”包括OS、外部設(shè)備等硬件。另外，所謂“計(jì)算機(jī)可讀取的記錄介質(zhì)”是指軟盤、光磁盤、ROM、CD-ROM等可移動(dòng)介質(zhì)、以及內(nèi)置于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的硬盤等存儲(chǔ)裝置。并且，所謂“計(jì)算機(jī)可讀取的記錄介質(zhì)”還可以包括：如經(jīng)由因特網(wǎng)等網(wǎng)絡(luò)、電話線等通信電線路發(fā)送程序的情況下的通信線路那樣在短時(shí)間內(nèi)動(dòng)態(tài)地保持程序的介質(zhì)；以及如構(gòu)成此時(shí)的服務(wù)器、客戶機(jī)的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)內(nèi)部的揮發(fā)性存儲(chǔ)器那樣在一定時(shí)間內(nèi)保持程序的介質(zhì)。另外，上述程序可以是用于實(shí)現(xiàn)上述的功能的一部分的程序，還可以是通過與已經(jīng)記錄在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的程序的組合來實(shí)現(xiàn)上述功能的程序。

對本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行了說明，然而這些實(shí)施方式僅作為例子而提出的，并非意圖對發(fā)明的范圍進(jìn)行限定。這些實(shí)施方式能夠以其他各種方式加以實(shí)施，在不脫離發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)，可以進(jìn)行各種省略、替換、變更。這些實(shí)施方式及其變形與包含于發(fā)明的范圍或主旨同樣，屬于技術(shù)方案所記載的發(fā)明和與其等同的范圍。

符號(hào)說明

10圖像形成裝置 34、234、334定影裝置

50定影帶 50a發(fā)熱層(導(dǎo)電層)

52IH線圈單元(感應(yīng)電流發(fā)生部)

56主線圈(線圈、第一線圈)

69發(fā)熱輔助板(發(fā)熱輔助部)

84、384第二線圈單元(測定部)

84a、384a第二線圈 101主體控制電路(控制部)

284測定部 S1區(qū)域。