本發(fā)明涉及光調(diào)制器元件、具備該光調(diào)制器元件的光調(diào)制模塊以及光調(diào)制器元件的制造方法。

背景技術(shù)：

伴隨數(shù)據(jù)通信的通信量增大，要求光纖通信系統(tǒng)的大容量化。因此采用了能夠通過多值化擴大每波特率(baudrate)的通信容量的相位調(diào)制方式、極化復用方式。在信號光的調(diào)制中，使用了馬赫－曾德爾型的光調(diào)制器。

在馬赫－曾德爾型的光調(diào)制器中，在所輸入的光被光耦合器分支為兩個路徑之后，輸出再次被光耦合器合成的光。此時，使用由于折射率變化而發(fā)生的相移而輸入光受到調(diào)制，該折射率變化基于對一方或者雙方的路徑的媒質(zhì)施加的電場而產(chǎn)生。

在4值以上的多值相位調(diào)制方式中，使用兩個馬赫－曾德爾型的光調(diào)制器進行調(diào)制。分別調(diào)制通過光耦合器而使輸入光分支的光，偏移90度相位之后，通過光耦合器合成。另外，在極化復用方式中，需要調(diào)制各個極化波的調(diào)制器(參照例如專利文獻1)。

在以往的極化復用方式的光調(diào)制器元件中，使用了鈮酸鋰(linbo3)結(jié)晶等的光電效應的調(diào)制器被使用。近年，為了使得更小型化、低成本化，開發(fā)了形成在inp、硅等半導體基板上的光調(diào)制器元件(參照例如專利文獻2、3)。

專利文獻1：日本特開2014－92713號公報

專利文獻2：日本特開2010－185979號公報

專利文獻3：日本特開2014－164243號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：

但是，由于以下敘述的理由，在半導體光調(diào)制器元件以及具備半導體光調(diào)制器元件的光調(diào)制模塊中，在小型化方面有制約。

第1，在使兩個光調(diào)制器平行地鄰接而配置的以往的結(jié)構(gòu)中，無法配置成使兩個光調(diào)制器的間隔接近至極限。這是因為受到配置在各光調(diào)制器的輸出側(cè)的準直透鏡的外徑所致的制約。即，未能配置成使兩個光調(diào)制器比能夠使兩個準直透鏡鄰接而配置的間隔更接近。

第2，為了使各個光調(diào)制器中的高頻信號的延遲量一致，必須引導高頻傳送路，使得與最長的高頻傳送路的長度一致。由于該制約，高頻傳送路的配置所需的面積增大。

第3，以往，存在輸入光的光路與模塊內(nèi)的高頻傳送路的路徑干擾這樣的問題。因此，需要避開光路以及光學部件而配置高頻傳送路，高頻傳送路的設置面積變大，所以存在無法使模塊小型化這樣的課題。

本發(fā)明是為了解決以上那樣的課題而完成的，其目的在于提供使芯片面積比以往縮小的光調(diào)制器元件、具備該光調(diào)制器元件的光調(diào)制模塊以及光調(diào)制器元件的制造方法。

本發(fā)明涉及的光調(diào)制器元件具備：第1、第2光調(diào)制器，形成在半導體基板上；光輸入部，光被輸入到該光輸入部；以及分支耦合器，使輸入到光輸入部的光分別分支到第1、第2光調(diào)制器，第1、第2光調(diào)制器分別具備：一組馬赫－曾德爾型波導路；第1光耦合器，使來自分支耦合器的光分別分支到一組馬赫－曾德爾型波導路；以及第2光耦合器，合成分別通過一組馬赫－曾德爾型波導路的光，在第1、第2光調(diào)制器中，第1光調(diào)制器的一組馬赫－曾德爾型波導路的光的行進方向與第2光調(diào)制器的一組馬赫－曾德爾型波導路的光的行進方向被配置成相互帶有角度。

在本發(fā)明的光調(diào)制器元件中，通過將第1光調(diào)制器的一組馬赫－曾德爾型波導路的光的行進方向與第2光調(diào)制器的一組馬赫－曾德爾型波導路的光的行進方向配置成相互帶有角度，從而緩和連接分支耦合器和各個第1、第2光調(diào)制器的波導路的彎曲。即，能夠進一步縮短波導路的距離。由此，能夠在保持將第1、第2光調(diào)制器的光輸出部的間隔維持為準直透鏡的配置所需的距離的狀態(tài)下，進一步縮短光調(diào)制器元件的長度。因此，能夠進一步減小光調(diào)制器元件的芯片尺寸。

附圖說明

圖1是實施方式1的光調(diào)制器元件的俯視圖。

圖2是實施方式2的光調(diào)制器元件的俯視圖。

圖3是實施方式3的光調(diào)制模塊的俯視圖。

圖4是實施方式4的光調(diào)制器元件的俯視圖。

圖5是實施方式5的光調(diào)制模塊的俯視圖。

圖6是實施方式6的光調(diào)制模塊的俯視圖。

圖7是示出實施方式7的光調(diào)制器元件的制造方法中的光調(diào)制器元件的半導體基板上的配置的俯視圖。

圖8是示出實施方式7的光調(diào)制器元件的制造方法中的光調(diào)制器元件的半導體基板上的配置的其它例子的俯視圖。

圖9是沿著圖8中的切斷線而切斷的半導體基板的俯視圖。

圖10是沿著圖9中的切斷線而切斷的半導體基板的俯視圖。

圖11是現(xiàn)有技術(shù)的光調(diào)制器元件的俯視圖。

圖12是現(xiàn)有技術(shù)的光調(diào)制模塊的俯視圖。

符號說明

1：半導體基板；2：光輸入部；4：分支耦合器；31、32：光輸出部；6、7、8、9：光耦合器；12：相位調(diào)整部；15a、15b、15c、15d：馬赫－曾德爾型波導路；161：第1光調(diào)制器；162：第2光調(diào)制器；171：第1準直透鏡；172：第2準直透鏡；173：第3準直透鏡；181：第1聚光透鏡；182：第2聚光透鏡；191、192、193、194、195：反射鏡；20：偏振分束器；21：轉(zhuǎn)子；111：第1高頻電極；112：第2高頻電極；241：第1高頻傳送路；242：第2高頻傳送路；50、100、200、300：光調(diào)制器元件；60、110、210、310、320：光調(diào)制模塊；300p：一組光調(diào)制器元件；1a、1b、1c、1d：邊；22：高頻信號輸入部；22a、22b、22c、22d：信號輸入端；11、13、14、15、16：切斷線。

具體實施方式

<現(xiàn)有技術(shù)>

在說明本發(fā)明的實施方式之前，說明作為本發(fā)明的前提的技術(shù)。圖11是現(xiàn)有技術(shù)中的光調(diào)制器元件50的俯視圖。另外，圖12是具備現(xiàn)有技術(shù)中的光調(diào)制器元件50的光調(diào)制模塊60的俯視圖。

在現(xiàn)有技術(shù)中，光調(diào)制器元件50利用例如極化復用正交相位調(diào)制方式(還稱為dp－qpsk方式)進行光調(diào)制。如圖11所示，光調(diào)制器元件50具備第1、第2光調(diào)制器161、162、光輸入部2、分支耦合器4。

第1、第2光調(diào)制器161、162形成在例如inp基板等半導體基板1上。輸入到光輸入部2的光被分支耦合器4分支，經(jīng)由彎曲波導路5輸入到第1、第2光調(diào)制器161、162。從第1光調(diào)制器161輸出的光從光輸出部31輸出。另外，從第2光調(diào)制器161輸出的光從光輸出部32輸出。

第1光調(diào)制器161具備一組馬赫－曾德爾型波導路15a、15b、第1光耦合器8以及第2光耦合器9。第1光耦合器8使光分別分支到一組馬赫－曾德爾型波導路15a、15b。第2光耦合器9合成分別通過一組馬赫－曾德爾型波導路15a、15b的光。

馬赫－曾德爾型波導路15a具備兩條波導路、使向兩條波導路的輸入光分支的光耦合器6以及合成兩條波導路的輸出光的光耦合器7。馬赫－曾德爾型波導路15b的結(jié)構(gòu)也是同樣的。

如圖11所示，在第1光調(diào)制器161中的一組馬赫－曾德爾型波導路15a、15b中，沿著各波導路而配置第1高頻電極111。對第1高頻電極111電連接有第1高頻傳送路241。

第2光調(diào)制器162具備一組馬赫－曾德爾型波導路15c、15d、第1光耦合器8以及第2光耦合器9。第1光耦合器8使光分別分支到一組馬赫－曾德爾型波導路15c、15d。第2光耦合器9合成分別通過一組馬赫－曾德爾型波導路15c、15d的光。

馬赫－曾德爾型波導路15c具備兩條波導路、使向兩條波導路的輸入光分支的光耦合器6以及合成兩條波導路的輸出光的光耦合器7。馬赫－曾德爾型波導路15d的結(jié)構(gòu)也是同樣的。

如圖11所示，在第2光調(diào)制器162中的一組馬赫－曾德爾型波導路15c、15d中，沿著各波導路而配置第2高頻電極112。對第2高頻電極112電連接有第2高頻傳送路242。

另外，如圖11所示，與各波導路對應地設置相位調(diào)整部12。在相位調(diào)整部12中，進行例如π或者π/2相移的調(diào)整。

另外，第1、第2高頻電極111、112、第1、第2高頻傳送路241、242、相位調(diào)整部12隔著絕緣層而設置在第1、第2光調(diào)制器161、162的上部。

用圖11中的箭頭a1表示第1光調(diào)制器161中的一組馬赫－曾德爾型波導路15a、15b的光的行進方向。另外，用圖11中的箭頭a2表示第2光調(diào)制器162中的一組馬赫－曾德爾型波導路15c、15d的光的行進方向。在現(xiàn)有技術(shù)中，箭頭a1的方向與箭頭a2的方向平行。

另外，光調(diào)制器元件50具備形成輪廓的邊1a、1b、1c、1d。在光調(diào)制器元件50中，光輸入部2設置在邊1a一側(cè)。另外，光輸出部31、32設置在邊1b一側(cè)。另外，第1高頻傳送路241從邊1c一側(cè)連接于第1光調(diào)制器161。另外，第2高頻傳送路242從邊1d一側(cè)連接于第2光調(diào)制器162。

在現(xiàn)有技術(shù)中的光調(diào)制器元件50中，并聯(lián)地連接的第1、第2光調(diào)制器161、162沿著半導體基板1的結(jié)晶方向形成。半導體基板1的結(jié)晶方向是指向半導體基板1上的外延生長、半導體基板1的切斷等容易的結(jié)晶方向。

接下來，使用圖12說明現(xiàn)有技術(shù)中的光調(diào)制模塊60的結(jié)構(gòu)。如圖12所示，在光調(diào)制模塊60的基板25上配置光調(diào)制器元件50。

在光調(diào)制模塊60，作為光學構(gòu)件，設置第1、第2、第3準直透鏡171、172、173、第1、第2聚光透鏡181、182、反射鏡191、192、193、偏振分束器20(以后還記載為pbs20)、轉(zhuǎn)子21。

在光調(diào)制模塊60，從輸入光纖41入射的光通過第1準直透鏡171而作為平行光在空間傳播，被反射鏡191、192反射而改變行進方向之后，通過第1聚光透鏡181聚光到光調(diào)制器元件50的光輸入部2。

來自光調(diào)制器元件50的光輸出部31的輸出光通過第2準直透鏡172而作為平行光在空間傳播，被反射鏡193反射而入射到pbs20。

來自光調(diào)制器元件50的光輸出部32的輸出光通過第3準直透鏡173而作為平行光在空間傳播，通過轉(zhuǎn)子21而使偏振方向旋轉(zhuǎn)90°之后，入射到pbs20。在pbs20中合成的輸出光通過第2聚光透鏡182而聚光到輸出光纖42。

另外，在光調(diào)制模塊60，設置用于對第1光調(diào)制器161傳送高頻信號的第1高頻傳送路241。第1高頻傳送路241是具有g(shù)sgsg(g為接地線，s為信號線)或者gssgssg的排列的布線群。第1、第2高頻傳送路241、242從光調(diào)制器元件50的邊1c、1d一側(cè)分別連接于第1、第2光調(diào)制器161、162。另外，雖未圖示，但對第1、第2高頻傳送路241、242的與高頻信號輸入部22相反一側(cè)的端部連接末端電阻。

同樣地，在光調(diào)制模塊60，設置用于對第2光調(diào)制器162傳送高頻信號的第2高頻傳送路242。第2高頻傳送路242是具有g(shù)sgsg或者gssgssg的排列的布線群。

在光調(diào)制模塊60，作為高頻信號輸入部22，設置信號輸入端22a、22b、22c、22d。對信號輸入端22a、22b分別連接有高頻傳送路23a、23b。高頻傳送路23a、23b成為一個群的傳送路，對應于第1高頻傳送路241。對信號輸入端22c、22d分別連接有高頻傳送路23c、23d。高頻傳送路23c、23d成為一個群的傳送路，對應于第2高頻傳送路242。

在現(xiàn)有技術(shù)中的光調(diào)制器元件50中，有想要進一步減小光調(diào)制器元件的輪廓的大小、即芯片尺寸這樣的要求。另外，在現(xiàn)有技術(shù)中的光調(diào)制模塊60中，有想要進一步縮短從信號輸入端至各光調(diào)制器為止的高頻傳送路的路徑這樣的要求。另外，在現(xiàn)有技術(shù)中的光調(diào)制模塊60中，為了盡量避免高頻信號傳送路與傳播光的光路的干擾，進行了高頻信號傳送路以及光學構(gòu)件的配置設計，所以存在光調(diào)制模塊60的尺寸變大的問題。本發(fā)明的實施方式解決上述課題。

<實施方式1>

圖1是本實施方式1中的光調(diào)制器元件100的俯視圖。在本實施方式1中，光調(diào)制器元件100利用例如極化復用正交相位調(diào)制方式(還稱為dp－qpsk方式)進行光調(diào)制。如圖1所示，光調(diào)制器元件100具備第1、第2光調(diào)制器161、162、光輸入部2以及分支耦合器4。

本實施方式1中的光調(diào)制器元件100相對現(xiàn)有技術(shù)中的光調(diào)制器元件50，第1、第2光調(diào)制器161、162的配置不同。如圖1所示，用圖1中的箭頭b1表示第1光調(diào)制器161中的一組馬赫－曾德爾型波導路15a、15b的光的行進方向。另外，用圖1中的箭頭b2表示第2光調(diào)制器162中的一組馬赫－曾德爾型波導路15c、15d的光的行進方向。在本實施方式1中，箭頭b1的方向與箭頭b2的方向相互帶有角度。

另外，在本實施方式1中，配置在分支耦合器與第1、第2光調(diào)制器161、162之間的彎曲波導路5成為容許波導路損耗的最小的彎曲半徑。

如圖1所示，第1、第2光調(diào)制器161、162相對光輸入部2對稱地配置。第1光調(diào)制器161的光輸出部31與第2光調(diào)制器162的光輸出部32的間隔設為配置第2、第3準直透鏡172、173(參照圖12)所需的間隔。

在現(xiàn)有技術(shù)中的光調(diào)制器元件50中，第1、第2光調(diào)制器161、162相互平行地配置。另一方面，在本實施方式1中的光調(diào)制器元件100中，以使兩個第1光耦合器8間的距離比兩個第2光耦合器9間的距離短的方式配置有第1、第2光調(diào)制器161、162。

另外，光調(diào)制器元件100具備形成輪廓的邊1a、1b、1c、1d。在光調(diào)制器元件100中，光輸入部2設置在邊1a一側(cè)。另外，光輸出部31、32設置在邊1b一側(cè)。另外，第1高頻傳送路241從邊1c一側(cè)連接于第1光調(diào)制器161。另外，第2高頻傳送路242從邊1d一側(cè)連接于第2光調(diào)制器162。

本實施方式1的光調(diào)制器元件100中的其它結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有技術(shù)(圖11)相同，所以省略說明。

另外，關(guān)于本實施方式1中的光調(diào)制器元件100，設想了基于極化復用正交相位調(diào)制方式的光調(diào)制，但調(diào)制方式并非限定于此。

另外，將本實施方式1中的光調(diào)制器元件100搭載于光調(diào)制模塊的結(jié)構(gòu)成為例如在現(xiàn)有技術(shù)中的光調(diào)制模塊60(圖12)中將光調(diào)制器元件50置換為光調(diào)制器元件100而成的結(jié)構(gòu)。

<效果>

本實施方式1中的光調(diào)制器元件100具備：第1、第2光調(diào)制器161、162，形成在半導體基板1上；光輸入部2，光被輸入到該光輸入部2；以及分支耦合器4，使輸入到光輸入部2的光分別分支到第1、第2光調(diào)制器161、162，第1、第2光調(diào)制器161、162分別具備：一組馬赫－曾德爾型波導路；第1光耦合器8，使來自分支耦合器4的光分別分支到一組馬赫－曾德爾型波導路；以及第2光耦合器9，合成分別通過一組馬赫－曾德爾型波導路的光，在第1、第2光調(diào)制器161、162中，第1光調(diào)制器161的一組馬赫－曾德爾型波導路15a、15b的光的行進方向與第2光調(diào)制器162的一組馬赫－曾德爾型波導路15c、15d的光的行進方向被配置成相互帶有角度。

因此，在本實施方式1中，通過將第1光調(diào)制器161的一組馬赫－曾德爾型波導路的光的行進方向與第2光調(diào)制器162的一組馬赫－曾德爾型波導路的光的行進方向配置成相互帶有角度，從而緩和連接分支耦合器4和各個第1、第2光調(diào)制器161、162的彎曲波導路5的彎曲。即，能夠進一步縮短彎曲波導路5的距離。由此，能夠在保持將兩個光輸出部31、32的間隔維持為準直透鏡172、173的配置所需的距離的狀態(tài)下，進一步縮短光調(diào)制器元件100的邊1c(邊1d)的長度。因此，能夠進一步減小光調(diào)制器元件100的芯片尺寸。

<實施方式2>

圖2是本實施方式2中的光調(diào)制器元件200的俯視圖。在本實施方式2中，第1光調(diào)制器161的一組馬赫－曾德爾型波導路15a、15b的光的行進方向(用圖2中的箭頭c1示出的方向)與第2光調(diào)制器162的一組馬赫－曾德爾型波導路15c、15d的光的行進方向(用圖2中的箭頭c2示出的方向)相差180°。

如圖2所示，光輸入部2設置于邊1a的中點。連接于光輸入部2的分支耦合器4與第1、第2光調(diào)制器161、162通過彎曲波導路5連接。光的傳播方向通過彎曲波導路5而變化90°。彎曲波導路5為容許波導路損耗的最小的彎曲半徑。

第1光調(diào)制器161的輸出光的行進方向通過彎曲波導路而彎曲了90°之后，從設置于邊1b的光輸出部31輸出。此處，彎曲波導路為容許波導路損耗的最小的彎曲半徑。

同樣地，第2光調(diào)制器162的輸出光的行進方向通過彎曲波導路而彎曲了90°之后，從設置于邊1b的光輸出部32輸出。此處，彎曲波導路為容許波導路損耗的最小的彎曲半徑。

如圖2所示，在第1光調(diào)制器161中的一組馬赫－曾德爾型波導路15a、15b中，沿著各波導路而配置第1高頻電極111。對第1高頻電極111電連接有第1高頻傳送路241。

同樣地，如圖2所示，在第2光調(diào)制器162中的一組馬赫－曾德爾型波導路15c、15d中，沿著各波導路而配置第2高頻電極112。對第2高頻電極112電連接有第2高頻傳送路242。

另外，如圖2所示，與各波導路對應地設置相位調(diào)整部12。在相位調(diào)整部12中，進行例如π相移的調(diào)整。

另外，第1、第2高頻電極111、112，第1、第2高頻傳送路241、242、相位調(diào)整部12隔著絕緣層設置在第1、第2光調(diào)制器161、162的上部。

在本實施方式2中，第1、第2光調(diào)制器161、162相對光輸入部2對稱地配置。另外，第1、第2高頻電極111、112相對光輸入部2對稱地配置。另外，第1、第2高頻傳送路241、242相對光輸入部2對稱地配置。

在光調(diào)制器元件200中，沿著邊1a(或者邊1b)的芯片的寬度被設定為彎曲波導路5的最小的彎曲半徑的2倍、光輸出部31、32中的彎曲波導路的彎曲半徑以及第1、第2光調(diào)制器161、162的長度的合計以上。另外，沿著邊1c(或者邊1d)的芯片的長度被設定為第1或者第2光調(diào)制器161、162的寬度的一半、彎曲波導路5的最小的彎曲半徑、分支耦合器4的長度以及光輸入部2的波導路長的合計以上。

在光調(diào)制器元件200中，沿著邊1a(或者邊1b)的芯片的寬度為現(xiàn)有技術(shù)(圖11)中的光調(diào)制器元件50的沿著邊1c(或者邊1d)的芯片的長度的2倍以下。另外，在光調(diào)制器元件200中，沿著邊1c(或者邊1d)的芯片的長度為現(xiàn)有技術(shù)(圖11)中的光調(diào)制器元件50的沿著邊1a(或者邊1b)的芯片的寬度的一半以下。因此，與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠縮小光調(diào)制器元件200的芯片的面積。

在光調(diào)制器元件200中，配置于邊1b的兩個光輸出部31、32的間隔大致為第1、第2光調(diào)制器161、162的長度的合計，所以能夠易于確保配置第2、第3準直透鏡172、173的間隔。另外，與現(xiàn)有技術(shù)(圖11)相比，第1、第2光調(diào)制器161、162相互相離地配置，所以能夠抑制高頻信號的串擾。

另外，在光調(diào)制器元件200中，第1、第2高頻傳送路241、242被配置成面向邊1a。因此，能夠從光調(diào)制器元件200的1條邊對全部高頻傳送路連接布線。

另外，在光調(diào)制器元件200中，也可以將構(gòu)成光輸出部31、32的波導路的一部分做成具備多重量子阱(mqw)的半導體光放大器。在本實施方式2中，隔開間隔地配置光輸出部31、32，所以能夠避免半導體光放大器的熱串擾所致的增益的下降。

<效果>

在本實施方式2中的光調(diào)制器元件200中，第1光調(diào)制器161的一組馬赫－曾德爾型波導路的光的行進方向與第2光調(diào)制器162的一組馬赫－曾德爾型波導路的光的行進方向相差180°。

因此，通過配置成使第1光調(diào)制器161的一組馬赫－曾德爾型波導路的光的行進方向與第2光調(diào)制器162的一組馬赫－曾德爾型波導路的光的行進方向相差180°，從而與如現(xiàn)有技術(shù)(圖11)那樣使第1、第2光調(diào)制器161、162鄰接而平行地配置的情況相比，能夠縮小光調(diào)制器元件200的芯片的面積。另外，在本實施方式2中，第1、第2光調(diào)制器161、162相互相離地配置，所以能夠抑制高頻信號的串擾。

另外，本實施方式2中的光調(diào)制器元件200還具備沿著第1光調(diào)制器161的一組馬赫－曾德爾型波導路15a、15b配置的第1高頻電極111、沿著第2光調(diào)制器162的一組馬赫－曾德爾型波導路15c、15d配置的第2高頻電極112、與第1高頻電極111連接的第1高頻傳送路241、與第2高頻電極112連接的第2高頻傳送路242，第1、第2光調(diào)制器161、162相對光輸入部2對稱地配置，第1、第2高頻電極111、112相對光輸入部2對稱地配置，第1、第2高頻傳送路241、242相對光輸入部2對稱地配置。

因此，在光調(diào)制器元件200中，相對光輸入部2對稱地配置第1、第2光調(diào)制器161、162、第1、第2高頻電極111、112以及第1、第2高頻傳送路241、242，從而能夠使光調(diào)制器元件200中的電性的構(gòu)件以及光學性的構(gòu)件的配置對稱化。由此，能夠抑制連接于光調(diào)制器元件200的高頻傳送路的處理、針對光調(diào)制器元件200的輸入輸出光的路徑的處理變復雜。

<實施方式3>

圖3是本實施方式3中的光調(diào)制模塊210的俯視圖。如圖3所示，在光調(diào)制模塊210的基板25上，配置實施方式2(圖2)中說明的光調(diào)制器元件200。

在光調(diào)制模塊210，作為光學構(gòu)件，設置第1、第2、第3準直透鏡171、172、173、第1、第2聚光透鏡181、182、反射鏡191、192、193、194、195、pbs20、轉(zhuǎn)子21。

在光調(diào)制模塊210，從輸入光纖41入射的光通過第1準直透鏡171而作為平行光在空間傳播，被反射鏡191、192反射而改變行進方向之后，通過第1聚光透鏡181聚光到光調(diào)制器元件200的光輸入部2。

來自光調(diào)制器元件200的光輸出部31的輸出光通過第2準直透鏡172而作為平行光在空間傳播，被反射鏡193、194反射而入射到pbs20。

來自光調(diào)制器元件200的光輸出部32的輸出光通過第3準直透鏡173而作為平行光在空間傳播，通過轉(zhuǎn)子21而使偏振方向旋轉(zhuǎn)90°之后，利用反射鏡195反射而入射到pbs20。在pbs20中合成的輸出光通過第2聚光透鏡182而聚光到輸出光纖42。

另外，對光調(diào)制模塊210設置用于對第1光調(diào)制器161傳送高頻信號的第1高頻傳送路241。第1高頻傳送路241為具有g(shù)sgsg或者gssgssg的排列的布線群。

同樣地，對光調(diào)制模塊210設置用于對第2光調(diào)制器162傳送高頻信號的第2高頻傳送路242。第2高頻傳送路242為具有g(shù)sgsg或者gssgssg的排列的布線群。

對光調(diào)制模塊210設置信號輸入端22a、22b、22c、22d，作為高頻信號輸入部22。信號輸入端22a、22b對應于第1高頻傳送路241。信號輸入端22c、22d對應于第2高頻傳送路242。

在光調(diào)制器元件200中，如圖2所示，第1、第2高頻傳送路241、242被配置成面向邊1a。因此，通過以使光調(diào)制器元件200的邊1a與高頻信號輸入部22對置的方式對光調(diào)制模塊210配置光調(diào)制器元件200，能夠進一步縮短第1、第2高頻傳送路241、242的長度。

另外，在高頻信號輸入部22中，各信號輸入端22a、22b、22c、22d以等間隔配置。光調(diào)制器元件200中的第1、第2高頻傳送路241、242的間隔為從鄰接的信號輸入端的間隔(例如信號輸入端22a與22b的間隔)的2倍減去第1或者第2光調(diào)制器161、162的寬度的一半而得到的長度。

<實施方式4>

圖4是本實施方式4中的光調(diào)制器元件300的俯視圖。在本實施方式4中，第1光調(diào)制器161的一組馬赫－曾德爾型波導路15a、15b的光的行進方向(用圖4中的箭頭d1示出的方向)與第2光調(diào)制器162的一組馬赫－曾德爾型波導路15c、15d的光的行進方向(用圖4中的箭頭d2示出的方向)相差180°。

在實施方式2中的光調(diào)制器元件200中，光輸入部2配置于邊1a。另一方面，在本實施方式4中的光調(diào)制器元件300中，光輸入部2配置于與邊1a對置的邊1b。其它結(jié)構(gòu)與實施方式2中的光調(diào)制器元件200相同，所以省略說明。

在本實施方式4中的光調(diào)制器元件300中，光輸入部2以及光輸出部31、32配置于相同的邊(邊1b)。另外，在光調(diào)制器元件300中，第1、第2高頻傳送路241、242被配置成面向與邊1b對置的邊1a。

在光調(diào)制器元件300中，如上所述光輸入部2與光輸出部31、32配置于相同的邊1b，所以在將光調(diào)制器元件300搭載于光調(diào)制模塊的情況下，能夠?qū)⑷抗鈱W構(gòu)件配置在邊1b側(cè)。

另外，在光調(diào)制器元件300中，與光調(diào)制器元件200同樣地，也可以將構(gòu)成光輸出部31、32的波導路的一部分做成具備多重量子阱(mqw)的半導體光放大器。在本實施方式4中，隔開間隔地配置光輸出部31、32，所以能夠避免半導體光放大器的熱串擾所致的增益的下降。

<效果>

在本實施方式4中的光調(diào)制器元件300中，第1光調(diào)制器161的一組馬赫－曾德爾型波導路15a、15b的光的行進方向與第2光調(diào)制器162的一組馬赫－曾德爾型波導路15c、15d的光的行進方向相差180°。

因此，通過配置成使第1光調(diào)制器161的一組馬赫－曾德爾型波導路的光的行進方向與第2光調(diào)制器162的一組馬赫－曾德爾型波導路的光的行進方向相差180°，從而與如現(xiàn)有技術(shù)(圖11)那樣使第1、第2光調(diào)制器161、162鄰接而平行地配置的情況相比，能夠縮小光調(diào)制器元件200的芯片的面積。另外，在本實施方式4中，第1、第2光調(diào)制器161、162相互相離地配置，所以能夠抑制高頻信號的串擾。

另外，本實施方式4中的光調(diào)制器元件300還具備沿著第1光調(diào)制器161的一組馬赫－曾德爾型波導路15a、15b而配置的第1高頻電極111、沿著第2光調(diào)制器162的一組馬赫－曾德爾型波導路15c、15d而配置的第2高頻電極112、與第1高頻電極111連接的第1高頻傳送路241以及與第2高頻電極112連接的第2高頻傳送路242，第1、第2光調(diào)制器161、162相對光輸入部2對稱地配置，第1、第2高頻電極111、112相對光輸入部2對稱地配置，第1、第2高頻傳送路241、242相對光輸入部2對稱地配置。

因此，在光調(diào)制器元件300中，相對光輸入部2對稱地配置第1、第2光調(diào)制器161、162、第1、第2高頻電極111、112以及第1、第2高頻傳送路241、242，從而能夠使光調(diào)制器元件300中的電性的構(gòu)件以及光學性的構(gòu)件的配置對稱化。由此，能夠抑制連接于光調(diào)制器元件300的高頻傳送路的處理、針對光調(diào)制器元件300的輸入輸出光的路徑的處理變復雜。

另外，本實施方式4中的光調(diào)制器元件300具備在俯視時形成輪廓的邊(邊1a、1b、1c、1d)，光輸入部2、第1光調(diào)制器161的光輸出部31、第2光調(diào)制器162的光輸出部32設置在相同的邊側(cè)(即邊1b側(cè))。

因此，在光調(diào)制器元件300中，光輸入部2與光輸出部31、32配置于相同的邊1b，所以在將光調(diào)制器元件300搭載于光調(diào)制模塊的情況下，能夠?qū)⑷抗鈱W構(gòu)件配置在邊1b側(cè)。另外，光輸入部2和光輸出部31、32配置于1條邊1b，所以僅對邊1b施加無反射涂層即可，所以能夠削減制造成本。

<實施方式5>

圖5是本實施方式5中的光調(diào)制模塊310的俯視圖。如圖5所示，在光調(diào)制模塊310的基板25上，配置實施方式4(圖4)中說明的光調(diào)制器元件300。

在光調(diào)制模塊310，作為光學構(gòu)件，設置第1、第2、第3準直透鏡171、172、173、第1、第2聚光透鏡181、182、反射鏡193、194、195、pbs20、轉(zhuǎn)子21。

在光調(diào)制模塊310，從輸入光纖41入射的光通過第1準直透鏡171而作為平行光在空間傳播，通過第1聚光透鏡181聚光到光調(diào)制器元件300的光輸入部2。

來自光調(diào)制器元件300的光輸出部31的輸出光通過第2準直透鏡172而作為平行光在空間傳播，被反射鏡193、194反射而入射到pbs20。

來自光調(diào)制器元件300的光輸出部32的輸出光通過第3準直透鏡173而作為平行光在空間傳播，通過轉(zhuǎn)子21而使偏振方向旋轉(zhuǎn)90°之后，利用反射鏡195反射而入射到pbs20。在pbs20中合成的輸出光通過第2聚光透鏡182而聚光到輸出光纖42。

在本實施方式5中，第1、第2聚光透鏡181、182、第1、第2、第3準直透鏡171、172、173、轉(zhuǎn)子21以及pbs20配置在光調(diào)制器元件300的與第1邊(即邊1a)對置的第2邊(即邊1b)側(cè)。另外，反射鏡193、194、195也配置在邊1b側(cè)。

另外，在本實施方式5中的光調(diào)制模塊310中，輸入光纖41以及輸出光纖42設置在與設置高頻信號輸入部22的邊對置的邊側(cè)。

另外，對光調(diào)制模塊310設置用于對第1光調(diào)制器161傳送高頻信號的第1高頻傳送路241。第1高頻傳送路241為具有g(shù)sgsg或者gssgssg的排列的布線群。

同樣地，對光調(diào)制模塊310設置用于對第2光調(diào)制器162傳送高頻信號的第2高頻傳送路242。第2高頻傳送路242為具有g(shù)sgsg或者gssgssg的排列的布線群。

在光調(diào)制模塊310，作為高頻信號輸入部22，設置信號輸入端22a、22b、22c、22d。信號輸入端22a、22b對應于第1高頻傳送路241。信號輸入端22c、22d對應于第2高頻傳送路242。

在光調(diào)制器元件300中，如圖4所示，第1、第2高頻傳送路241、242被配置成面向邊1a。因此，通過以使光調(diào)制器元件300的邊1a與高頻信號輸入部22對置的方式對光調(diào)制模塊310配置光調(diào)制器元件300，能夠進一步縮短第1、第2高頻傳送路241、242的長度。

另外，在高頻信號輸入部22中，各信號輸入端22a、22b、22c、22d以等間隔配置。光調(diào)制器元件300中的第1、第2高頻傳送路241、242的間隔是從鄰接的信號輸入端的間隔(例如信號輸入端22a與22b的間隔)的2倍減去第1或者第2光調(diào)制器161、162的寬度的一半而得到的長度。

從信號輸入端22a、22b延伸的高頻傳送路成為一邊使線路間隔變窄一邊朝向第1光調(diào)制器161延伸的第1高頻傳送路241。第1高頻傳送路241的中心位置配置成相比于信號輸入端22a、22b的中點，靠近信號輸入端22b側(cè)相當于一組馬赫－曾德爾型波導路的間隔的一半的距離。

同樣地，從信號輸入端22c、22d延伸的高頻傳送路成為一邊使線路間隔變窄一邊朝向第2光調(diào)制器162延伸的第2高頻傳送路242。第2高頻傳送路242的中心位置配置成相比于信號輸入端22c、22d的中點，靠近信號輸入端22c側(cè)相當于一組馬赫－曾德爾型波導路的間隔的一半的距離。

在本實施方式5中的光調(diào)制模塊310中，高頻信號輸入部22與光調(diào)制器元件300的邊1a對置地配置。因此，能夠易于使從高頻信號輸入部22至各個第1、第2光調(diào)制器161、162為止的第1、第2高頻傳送路241、242等長化。在本實施方式5中的光調(diào)制模塊310中，與現(xiàn)有技術(shù)(圖12)相比，能夠縮短第1、第2高頻傳送路241、242的長度，所以能夠使光調(diào)制模塊310小型化。

另外，在本實施方式5中的光調(diào)制模塊310中，第1、第2高頻傳送路241、242與傳播光的光路不干擾，所以無需使第1、第2高頻傳送路241、242迂回。因此，能夠削減第1、第2高頻傳送路241、242的設置空間，使調(diào)制模塊310小型化。

另外，在本實施方式5中的光調(diào)制模塊310中，不配置成準直透鏡與聚光透鏡接近，所以裝配容易，能夠削減制造成本。

<效果>

本實施方式5中的光調(diào)制模塊310還具備光調(diào)制器元件300、與第1高頻傳送路241對應的多個信號輸入端22a、22b、與第2高頻傳送路242對應的多個信號輸入端22c、22d，光調(diào)制器元件300具備在俯視時形成輪廓的邊，與第1高頻傳送路241對應的多個信號輸入端22a、22b以及與第2高頻傳送路242對應的多個信號輸入端22c、22d設置在光調(diào)制器元件300的第1邊(即邊1a)側(cè)，與第1高頻傳送路241對應的多個信號輸入端22a、22b以及與第2高頻傳送路242對應的多個信號輸入端22c、22d以等間隔配置。

在本實施方式5中的光調(diào)制模塊310中，高頻信號輸入部22(即，信號輸入端22a、22b、22c、22d)與光調(diào)制器元件300的邊1a對置地配置。因此，能夠易于使從高頻信號輸入部22至各個第1、第2光調(diào)制器161、162為止的第1、第2高頻傳送路241、242等長化。在本實施方式5中的光調(diào)制模塊310中，與現(xiàn)有技術(shù)(圖12)相比，能夠縮短第1、第2高頻傳送路241、242的長度，所以能夠使光調(diào)制模塊310小型化。

另外，本實施方式5中的光調(diào)制模塊310還具備：第1聚光透鏡181，配置于光輸入部2的前級；第1準直透鏡171，配置于第1聚光透鏡181的前級；第2準直透鏡172，配置于第1光調(diào)制器161所具備的第2光耦合器9的后級；第3準直透鏡173，配置于第2光調(diào)制器162所具備的第2光耦合器9的后級；轉(zhuǎn)子21，配置于第3準直透鏡173的后級，使光的偏振方向旋轉(zhuǎn)90°；分光器(即偏振分束器20)，配置于轉(zhuǎn)子21和第2準直透鏡173的后級，合成光；以及第2聚光透鏡182，配置于分光器的后級，第1、第2聚光透鏡181、182、第1、第2、第3準直透鏡171、172、173、轉(zhuǎn)子21以及分光器配置在光調(diào)制器元件300的與第1邊(即邊1a)對置的第2邊(即邊1b)側(cè)。

因此，在本實施方式5中的光調(diào)制模塊310中，在光調(diào)制器元件300的第1邊(即邊1a)側(cè)配置高頻信號輸入部22以及第1、第2高頻傳送路241、242，在與第1邊對置的第2邊(即邊1b)側(cè)配置光學構(gòu)件。由此，第1、第2高頻傳送路241、242與傳播光的光路不干擾，所以無需使第1、第2高頻傳送路241、242迂回。因此，能夠削減第1、第2高頻傳送路241、242的設置空間，使光調(diào)制模塊310小型化。

<實施方式6>

圖6是本實施方式6中的光調(diào)制模塊320的俯視圖。如圖6所示，在光調(diào)制模塊320的基板25上，配置實施方式4(圖4)中說明的光調(diào)制器元件300。

在實施方式5中的光調(diào)制模塊310(圖5)中，輸入光纖41以及輸出光纖42設置在與設置高頻信號輸入部22的邊對置的邊側(cè)。另一方面，在本實施方式6中的光調(diào)制模塊320中，輸入光纖41設置在與設置高頻信號輸入部22的邊鄰接的邊側(cè)。另外，輸出光纖42設置在與設置輸入光纖41的邊對置的邊側(cè)。

在光調(diào)制模塊320中，從輸入光纖41入射的光通過第1準直透鏡171而作為平行光在空間傳播，在反射鏡191處反射之后，通過第1聚光透鏡181而聚光到光調(diào)制器元件300的光輸入部2。

來自光調(diào)制器元件300的光輸出部31的輸出光通過第2準直透鏡172而作為平行光在空間傳播，被反射鏡193、194反射而入射到pbs20。

來自光調(diào)制器元件300的光輸出部32的輸出光通過第3準直透鏡173而作為平行光在空間傳播，利用反射鏡195反射之后，通過轉(zhuǎn)子21而偏振方向旋轉(zhuǎn)90°，入射到pbs20。在pbs20中合成的輸出光通過第2聚光透鏡182而聚光到輸出光纖42。

在本實施方式6中，第1、第2聚光透鏡181、182、第1、第2、第3準直透鏡171、172、173、轉(zhuǎn)子21以及pbs20配置在光調(diào)制器元件300的與第1邊(即邊1a)對置的第2邊(即邊1b)側(cè)。另外，反射鏡191、193、194、195也配置在邊1b側(cè)。

光調(diào)制模塊320的其它結(jié)構(gòu)與光調(diào)制模塊310(圖5)相同，所以省略說明。

在本實施方式6中的光調(diào)制模塊320中，也能夠得到與關(guān)于實施方式5的光調(diào)制模塊310而敘述的效果同樣的效果。

<實施方式7>

在本實施方式7中，說明實施方式4的光調(diào)制器元件300的制造方法。本實施方式7中的光調(diào)制器元件300的制造方法具備在同一半導體基板1同時地形成一組光調(diào)制器元件300p的工序、切斷半導體基板1而使形成于半導體基板1的一組光調(diào)制器元件300p相互分離的工序。

圖7是示出本實施方式7中的光調(diào)制器元件300的制造方法中的光調(diào)制器元件300的半導體基板1上的配置的俯視圖。如圖7所示，一組光調(diào)制器元件300p包括兩個光調(diào)制器元件300。兩個光調(diào)制器元件300以光輸入部2為對稱點而相互按照180°旋轉(zhuǎn)對稱的配置來形成于半導體基板1。

如圖7所示，在一組光調(diào)制器元件300p中，相互的光調(diào)制器元件300的光輸入部2的波導路連接。另外，相互的光調(diào)制器元件300的第1光調(diào)制器161的光輸出部31的波導路與第2光調(diào)制器162的光輸出部32的波導路連接。

半導體基板1為例如inp等半導體基板。在半導體基板1上，通過外延生長依次層疊基于n型半導體的包覆層、包括進行光的關(guān)閉以及調(diào)制的多重量子阱(mqw)的芯層、基于p型半導體的包覆層。

接下來，在半導體基板1形成具有高臺面構(gòu)造的波導路?？偫ǖ匦纬蓤D7所示的一組光調(diào)制器元件300p的波導路圖案。波導路圖案通過使用光掩模的干蝕刻形成。另外，波導路圖案被形成為圖7中的切斷線11沿著半導體基板1的結(jié)晶方向。

接下來，在半導體基板1上形成鈍化膜。鈍化膜為sio2、sin或者有機高分子。然后，在與第1、第2高頻電極111、112、第1、第2高頻傳送路241、242以及相位調(diào)整部12在俯視時重疊的部分，通過蝕刻去除鈍化膜。

進而，形成第1、第2高頻電極111、112、第1、第2高頻傳送路241、242以及相位調(diào)整部12。它們是通過將光掩模轉(zhuǎn)印到半導體基板1上之后，蒸鍍金屬，將不需要的金屬與光掩模一起去除而形成的。以上，一組光調(diào)制器元件300p按照圖7所示的配置來形成于半導體基板1。

接下來，通過沿著圖7中的切斷線11切斷半導體基板1，使形成于半導體基板1的一組光調(diào)制器元件300p相互分離。切斷線11為通過一組光調(diào)制器元件300p的相互的光輸入部2的連接點和相互的光輸出部31、32的連接點的直線。即，在一組光調(diào)制器元件300p中，兩個光調(diào)制器元件300相對切斷線11線對稱地配置。

在沿著切斷線11切斷的半導體基板1的切斷面，露出有光輸入部2以及光輸出部31、32。該切斷面相當于圖4的邊1b的面。針對該切斷面施加無反射涂層。通過以上的制造工序來制造兩個光調(diào)制器元件300。另外，根據(jù)需要，也可以沿著例如圖7所示的切斷線14、15進一步切斷半導體基板1。

圖8是示出本實施方式7中的光調(diào)制器元件300的制造方法中的光調(diào)制器元件300的半導體基板1上的配置的其它例子的俯視圖。在圖8中，為了使圖清晰，省略了高頻電極、高頻傳送路等記載。

在圖8中，在半導體基板1即半導體晶片，16組光調(diào)制器元件300p按照2行8列形成為格子狀。在各列中，兩組光調(diào)制器元件300p按照各自的切斷線11成為一條直線的配置來形成于半導體基板1。圖8所示的16組光調(diào)制器元件300p的波導路圖案通過使用光掩模的干蝕刻而總括地形成。

通過沿著圖8所示的切斷線13切斷半導體基板1，使各列分離。圖9是沿著圖8中的切斷線13切斷的半導體基板1的俯視圖。如圖9所示，兩組光調(diào)制器元件300p按照各自的切斷線11成為一條直線的配置來形成于半導體基板1。

接下來，通過沿著圖9中的切斷線11切斷半導體基板1，在形成于半導體基板1的兩組光調(diào)制器元件300p的各個中，光調(diào)制器元件300對相互分離。圖10是沿著圖9中的切斷線11切斷的半導體基板1的俯視圖。接下來，針對沿著切斷線11切斷的半導體基板1的切斷面施加無反射涂層。

在對沿著切斷線11的切斷面施加無反射涂層之后，將被切斷的半導體基板1沿著圖10中的切斷線16進一步切斷。由此，配置于沿著切斷線11切斷的半導體基板1的多個光調(diào)制器元件300相互分離。

通過以上的工序，能夠從半導體基板1即半導體晶片的各列得到4個光調(diào)制器元件300。另外，在圖8中，說明了在各列配置兩組光調(diào)制器元件300p的例子，但只要在各列配置的各組光調(diào)制器元件300p的切斷線11成為一條直線，則也可以在各列配置兩組以上的光調(diào)制器元件300p。

<效果>

本實施方式7中的光調(diào)制器元件的制造方法是實施方式4的光調(diào)制器元件300的制造方法，具備：工序(a)，在同一半導體基板1同時地形成至少一組光調(diào)制器元件300p；以及工序(b)，沿著切斷線11切斷半導體基板1而使形成于半導體基板1的至少一組光調(diào)制器元件300p相互分離，在工序(a)中，至少一組光調(diào)制器元件300p是以光輸入部2為對稱點而相互按照180°旋轉(zhuǎn)對稱的配置來形成于半導體基板1的兩個光調(diào)制器元件300，在至少一組光調(diào)制器元件300p中，相互的光輸入部2連接，且相互的第1光調(diào)制器161的光輸出部31與第2光調(diào)制器162的光輸出部32連接，在工序(b)中，切斷線11為通過至少一組光調(diào)制器元件300p的相互的光輸入部2的連接點和相互的光輸出部31、32的連接點的直線。

通過按照上述配置而在半導體基板1形成一組光調(diào)制器元件300p，從而當沿著切斷線11切斷半導體基板1時，在切斷面，各光調(diào)制器元件300的光輸入部2的波導路以及光輸出部31、32的波導路必定露出。這是因為在一組光調(diào)制器元件300p中，相互的光輸入部2連接，且相互的第1光調(diào)制器161的光輸出部31與第2光調(diào)制器162的光輸出部32連接。因此，即使當在切斷半導體基板1時由于機械的誤差等而實際的切斷線相對理想的切斷線11發(fā)生偏差的情況下，在切斷面也必定能夠使波導路露出。

當在半導體基板單獨地分別配置多個光調(diào)制器元件的情況下，為了防止波導路不從半導體基板的切斷面露出，需要在各光調(diào)制器元件中多余長地形成波導路的端部。另一方面，根據(jù)本實施方式7，波導路必定從切斷面露出，所以無需多余長地形成光調(diào)制器元件300的波導路。因此，能夠縮小每1個光調(diào)制器元件300所占有的半導體基板1上的面積。即，能夠通過1個半導體基板1、即1個半導體晶片形成許多光調(diào)制器元件300。

另外，在本實施方式7中的光調(diào)制器元件的制造方法中，至少一組光調(diào)制器元件300p也可以是多組，在工序(a)中，按照多組光調(diào)制器元件300p的各組光調(diào)制器元件300p的切斷線11成為一條直線的配置，在半導體基板1同時地形成多組光調(diào)制器元件300p。

通過將多組光調(diào)制器元件300p的切斷線11配置成一條直線，能夠通過沿著一條切斷線11的切斷，在多組中的各組中使光調(diào)制器元件300對分離。因此，能夠削減切斷次數(shù)，所以能夠使生產(chǎn)效率提高。

另外，在本實施方式7中的光調(diào)制器元件的制造方法中，還具備：工序(c)，在工序(b)之后對沿著切斷線11切斷的半導體基板1的切斷面施加無反射涂層；以及工序(d)，在工序(c)之后進一步切斷被切斷的半導體基板1而使配置于沿著切斷線11切斷的半導體基板1的多個光調(diào)制器元件300相互分離。

因此，通過在使多個光調(diào)制器元件300相互分離之前對沿著切斷線11的切斷面施加無反射涂層，從而與在使多個光調(diào)制器元件300相互分離之后針對各個調(diào)制器元件300施加無反射涂層的情況相比，能夠使生產(chǎn)效率提高。

另外，在本實施方式7中說明了制造方法的光調(diào)制器元件300(參照圖4)中，光輸入部2與光輸出部31、32配置于1條邊1b，所以僅對邊1b施加無反射涂層即可。即，與如現(xiàn)有技術(shù)(參照圖11)那樣將光輸入部2與光輸出部31、32配置于不同的邊的結(jié)構(gòu)相比，能夠?qū)⑹┘訜o反射涂層的邊的數(shù)量(面的數(shù)量)從2削減為1。由此，能夠削減制造成本。

另外，關(guān)于在實施方式1～7中說明的光調(diào)制器元件，設為以極化復用正交相位調(diào)制方式進行光調(diào)制，但調(diào)制方式并非限定于此，例如，也可以以dp－16qam(dualpolarizationquadratureamplitudemodulation，雙極化正交幅度調(diào)制)方式進行調(diào)制。

另外，本發(fā)明能夠在其發(fā)明的范圍內(nèi)對各實施方式自由地進行組合或者對各實施方式適當?shù)剡M行變形、省略。