本公開的一方面總地涉及一種顯示裝置。更具體而言，本公開的一方面涉及具有集成的觸摸感測組件的顯示裝置。

背景技術(shù)：

傳統(tǒng)的觸摸感測顯示裝置典型地包括附接到顯示面板的觸摸屏。觸摸屏可以被認(rèn)為是信息輸入器件。使用者觀看在顯示面板中產(chǎn)生的圖像并通過按壓或觸摸觸摸屏中的觸摸傳感器而輸入信息。

最新的嘗試集中于發(fā)展用于纖薄便攜式終端例如智能手機(jī)和平板pc的觸摸感測顯示裝置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)本公開的一方面，提供一種與顯示裝置集成的觸摸屏，其中組成觸摸屏的元件布置在顯示面板內(nèi)，即，集成到顯示面板中。

根據(jù)一實(shí)施方式，該顯示裝置可以包括：多條柵線；交叉柵線的多條數(shù)據(jù)線；多個(gè)薄膜晶體管，每個(gè)薄膜晶體管連接到柵線之一和數(shù)據(jù)線之一；多個(gè)像素，每個(gè)像素包括第一電極和與第一電極絕緣并且連接到薄膜晶體管之一的第二電極，所述像素布置成包括平行于柵線延伸的多個(gè)像素行和平行于數(shù)據(jù)線延伸的多個(gè)像素列的矩陣構(gòu)造；以及連接到第一電極的多條感測線。所述柵線包括布置在各像素行的每個(gè)的前面和后面的前柵線和后柵線，并且前像素行的后柵線和后像素行的前柵線布置在相鄰的像素行之間，以及兩個(gè)像素列布置在相鄰的數(shù)據(jù)線之間。

感測線可以基本上平行于數(shù)據(jù)線和柵線的至少一條取向。

感測線可以基本上平行于數(shù)據(jù)線取向并且每條布置在兩個(gè)相鄰的像素列之間。感測線和數(shù)據(jù)線可以交替地布置。

感測線可以基本上平行于柵線取向。感測線中的相應(yīng)感測線可以布置在每個(gè)前像素行中的后柵線和相鄰的后像素行中的前柵線之間。

感測線可以包含平行于柵線取向的第一感測線以及連接到第一感測線并且平行于數(shù)據(jù)線取向的第二感測線。第一感測線可以布置在前像素行的其中之一的后柵線與對應(yīng)的后像素行的前柵線之間。第二感測線可以布置在與數(shù)據(jù)線相同的層上并且布置在相鄰的像素列之間。

第二電極可以包含相互間隔開的多個(gè)分支單元以及連接分支單元的兩側(cè)的連接單元。

第二電極可以包含布置在假想的參考線的相反兩側(cè)的第一電極單元和第二電極單元，以及第一電極單元和第二電極單元每個(gè)可以包含多個(gè)分支單元以及連接分支單元的至少一側(cè)的連接單元。

第一電極單元的分支單元和第二電極單元的分支單元可以在相對于參考線傾斜的方向上延伸。第一電極單元和第二電極單元可以具有相對于參考線傾斜的邊緣。

數(shù)據(jù)線和感測線可以包含對應(yīng)于第一電極單元取向的第一部分以及對應(yīng)于第二電極單元取向的第二部分。數(shù)據(jù)線和感測線還可以包含基本上垂直于柵線的至少之一取向的直線單元。

第一電極可以包含覆蓋多個(gè)像素區(qū)域的感測電極。感測電極的側(cè)部可以基本上平行于對應(yīng)數(shù)據(jù)線的對應(yīng)側(cè)部取向。

感測電極可以至少部分地交疊數(shù)據(jù)線。

相鄰的感測電極之間的距離可以小于數(shù)據(jù)線的寬度。

此外，一種顯示裝置可以包含：第一基板，包括基底基板、布置在基底基板上的多條柵線、交叉柵線的多條數(shù)據(jù)線、布置在與柵線和數(shù)據(jù)線的至少之一相同的層上的多條感測線、以及連接到所述柵線中的相應(yīng)柵線和所述數(shù)據(jù)線中的相應(yīng)數(shù)據(jù)線的多個(gè)薄膜晶體管；與第一基板相對的第二基板；以及多個(gè)像素，布置成包括基本上平行于柵線取向的多個(gè)像素行和基本上平行于數(shù)據(jù)線取向的多個(gè)像素列的矩陣構(gòu)造，所述像素位于第一基板和第二基板之間。每個(gè)像素包括：連接到感測線之一的第一電極；布置在第一電極上的電極絕緣層；第二電極，布置在電極絕緣層上并且連接到薄膜晶體管之一；和在第一電極和第二電極之間的光學(xué)層。柵線包括布置在各像素行的每個(gè)的前面和后面的前柵線和后柵線，并且前像素行的后柵線和后像素行的前柵線布置在相鄰的像素行之間，以及兩個(gè)像素列布置在相鄰的數(shù)據(jù)線之間。

第二電極可以包括相互間隔開的多個(gè)分支單元以及連接分支單元的兩側(cè)的連接單元。

附圖說明

圖1是示出根據(jù)本公開的一實(shí)施方式的顯示裝置的平面圖。

圖2是放大了在其中布置圖1中的感測電極的區(qū)域的一部分的概念圖。

圖3至5是示出布置在同一行且彼此鄰近的兩個(gè)像素、連接到所述兩個(gè)像素的柵線和數(shù)據(jù)線、以及感測線的平面圖。

圖6是沿圖3中的線i-i'截取的截面圖。

圖7是沿圖3中的線ii-ii'截取的截面圖。

圖8是沿圖3中的線iii-iii'截取的截面圖。

圖9是示出根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示裝置的局部平面圖，以及圖10是沿圖9中的線iv-iv'截取的截面圖。

圖11是示出根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示裝置的局部平面圖，以及圖12是沿圖11中的線v-v'截取的截面圖。

圖13是示出根據(jù)另一實(shí)施方式的部分電極的平面圖，以及圖14是圖13中的區(qū)域ea的放大圖。

具體實(shí)施方式

在下文中，將參考附圖詳細(xì)描述本公開的示例性實(shí)施方式。各個(gè)圖可以不按比例繪制。所有數(shù)值都是近似的，而且可以變化。特定材料和組成的所有示例將被認(rèn)為是非限制性的，且僅是示例性的?？梢蕴娲厥褂闷渌m當(dāng)?shù)牟牧虾秃铣晌铩?/p>

圖1是示出根據(jù)本公開的一實(shí)施方式的顯示裝置的平面圖。

參考圖1，顯示裝置可以包括顯示面板100和觸摸驅(qū)動(dòng)單元200。

觸摸屏(未示出)可以被包括在顯示面板100中，并且觸摸屏可以感測使用者的觸摸位置。顯示面板100可以包括第一基板(未示出)、第二基板(未示出)以及布置在第一基板和第二基板之間的多個(gè)像素，如已知的。第一和第二基板的其中之一可以包括多條柵線、交叉柵線的多條數(shù)據(jù)線、以及連接到柵線和數(shù)據(jù)線的多個(gè)薄膜晶體管。每個(gè)像素可以連接到薄膜晶體管之一。

像素可以是例如液晶顯示裝置的一個(gè)像素、電泳顯示裝置的像素、電潤濕顯示裝置的像素或有機(jī)發(fā)光顯示裝置的像素。根據(jù)本公開的一實(shí)施方式，為了說明的方便，該像素可以是液晶顯示裝置的像素。此外，雖然未示出，該像素可以通過使用自背光單元提供的光來顯示圖像。

該像素可以包括第一電極、第二電極以及通過第一和第二電極形成的電場而透射光的液晶層。第一和第二電極的其中之一，例如第二電極，可以連接到薄膜晶體管并且接收驅(qū)動(dòng)信號。

第一和第二電極的其中之一，例如第一電極，可以接收公共電壓信號以與第二電極一起形成電場。此外，第一電極可以包括被圖案化以覆蓋多個(gè)像素區(qū)域的多個(gè)電極圖案。該像素可以布置在像素區(qū)域中。此外，電極圖案可以是觸摸屏的感測電極tse。也就是，第一電極可以包括多個(gè)感測電極tse。

感測電極tse可以每個(gè)均具有多邊形形狀，例如正方形形狀。此外，感測電極tse可以通過感測線sl連接到觸摸驅(qū)動(dòng)單元200。因此，感測電極tse可以在通過感測線sl施加觸摸掃描信號時(shí)感測使用者的觸摸位置。

感測線sl可以將從觸摸驅(qū)動(dòng)單元20施加的觸摸掃描信號傳輸?shù)礁袦y電極tse。此外，感測線sl可以將從感測電極tse接收的觸摸感測信號，例如電容變化，傳輸?shù)接|摸驅(qū)動(dòng)單元200。

觸摸驅(qū)動(dòng)單元200可以產(chǎn)生用于感測觸摸的觸摸掃描信號，并將該信號傳輸?shù)礁袦y電極tse。布置在觸摸驅(qū)動(dòng)單元200和顯示面板100之間的切換單元210可以切換被傳輸?shù)礁袦y電極tse的觸摸掃描信號。

圖2是放大了在其中布置圖1中的感測電極的區(qū)域的一部分的概念圖。

參考圖1和圖2，顯示面板100可以包括多條柵線gi(a)、gi(b)、gi+1(a)和gi+1(b)，交叉柵線gi(a)、gi(b)、gi+1(a)和gi+1(b)的多條數(shù)據(jù)線dj和dj+1，以及平行數(shù)據(jù)線dj和dj+1的感測線sl。還包括連接?xùn)啪€gi(a)、gi(b)、gi+1(a)和gi+1(b)以及數(shù)據(jù)線dj和dj+1的薄膜晶體管tft，以及布置成多個(gè)像素列和多個(gè)像素行的多個(gè)像素p1、p2、p3和p4。多個(gè)像素p1、p2、p3和p4可以分別連接到薄膜晶體管tft。

柵線gi(a)、gi(b)、gi+1(a)和gi+1(b)可以包括分別布置在每個(gè)像素行的前面和后面的前柵線gi(a)和gi+1(a)以及后柵線gi(b)和gi+1(b)。此外，前像素行中的后柵線和后像素行中的前柵線可以布置在這些相鄰的像素行之間。例如，第i(i是自然數(shù))個(gè)像素行中的后柵線gi(b)和第(i+1)個(gè)像素行中的前柵線gi+1(a)可以都布置在第i個(gè)像素行和第(i+1)個(gè)像素行之間。

兩個(gè)像素行可以布置在相鄰的數(shù)據(jù)線dj和dj+1之間。

感測線sl之一可以布置在相鄰的數(shù)據(jù)線dj和dj+1之間。感測線sl之一可以布置在兩個(gè)相鄰的像素列之間以及相鄰的數(shù)據(jù)線dj和dj+1之間。例如，感測線sl之一可以布置在第j(j是自然數(shù))個(gè)像素列和第(j+1)個(gè)像素列之間。此外，感測線sl和數(shù)據(jù)線dj和dj+1可以交替地布置。

更詳細(xì)地，像素p1、p2、p3和p4可以包括彼此相鄰并且布置在第i個(gè)像素行中的第一像素p1和第二像素p2以及彼此相鄰并且布置在第(i+1)個(gè)像素行中的第三像素p3和第四像素p4。第一像素p1和第三像素p3可以在列方向上彼此相鄰，并且布置在第j個(gè)像素列。第一像素p1和第三像素p3可以都電連接到布置在第j個(gè)像素列中的數(shù)據(jù)線dj。此外，第二像素p2和第四像素p4可以在列方向上彼此相鄰，并且布置在第(j+1)個(gè)像素列。因此，第二像素p2和第四像素p4可以電連接到布置在第(j+1)個(gè)像素列中的數(shù)據(jù)線dj+1。

布置在第i個(gè)像素行中的前柵線gi(a)可以電連接到第一像素p1，布置在第i個(gè)像素行中的后柵線gi(b)可以電連接到第二像素p2。布置在第(i+1)個(gè)像素行中的前柵線gi+1(a)可以電連接到第三像素p3，布置在第(i+1)個(gè)像素行中的后柵線gi+1(b)可以電連接到第四像素p4。布置在第i個(gè)像素行中的后柵線gi(b)和布置在第(i+1)個(gè)像素行中的前柵線gi+1(a)可以彼此相鄰。

此外，第一像素p1和第三像素p3可以布置在感測線sl的左側(cè)，第二像素p2和第四像素p4可以布置在感測線sl的右側(cè)。

當(dāng)柵信號被施加到前柵線gi(a)，驅(qū)動(dòng)信號被施加到第j個(gè)像素列中的數(shù)據(jù)線dj，并且公共電壓信號被施加到感測線sl時(shí)，第一像素p1可以透射光。

當(dāng)柵信號被施加到后柵線gi(b)，驅(qū)動(dòng)信號被施加到第(j+1)個(gè)像素列中的數(shù)據(jù)線dj+1，并且公共電壓信號被施加到感測線sl時(shí)，第二像素p2可以透射光。

當(dāng)柵信號被施加到后柵線gi+1(a)，驅(qū)動(dòng)信號被施加到第j個(gè)像素列中的數(shù)據(jù)線dj，并且公共電壓信號被施加到感測線sl時(shí)，第三像素p3可以透射光。

當(dāng)柵信號被施加到后柵線gi+1(b)，驅(qū)動(dòng)信號被施加到第(j+1)個(gè)像素列中的數(shù)據(jù)線dj+1，并且公共電壓信號被施加到感測線sl時(shí)，第四像素p4可以透射光。

圖3至5是示出布置在同一行且彼此鄰近的兩個(gè)像素、連接兩個(gè)像素的柵線和數(shù)據(jù)線以及感測線的平面圖。圖6是沿圖3中的線i-i'截取的截面圖，圖7是沿圖3中的線ii-ii'截取的截面圖，圖8是沿圖3中的線iii-iii'截取的截面圖。

參考圖1至8，顯示面板100可以包括第一基板110、與第一基板110相對的第二基板120、以及布置在第一基板110和第二基板120之間的所述多個(gè)像素p1和p2。第一像素p1和第二像素p2可以布置在同一像素行。

第一基板110可以包括基底基板sub、以及布置在基底基板sub上的薄膜晶體管tft1和tft2。薄膜晶體管tft1和tft2可以包括連接第一像素p1的第一薄膜晶體管tft1以及連接第二像素p2的第二薄膜晶體管tft2。

基底基板sub1可以包括絕緣材料，并可以透射光?；谆錽ub可以是剛性基板或柔性基板。剛性基板可以包括玻璃基板、石英基板、玻璃陶瓷基板和/或結(jié)晶玻璃基板。柔性基板可以包括包含聚合物有機(jī)材料的薄膜基板和/或塑料基板。此外，柔性基板可以包括玻璃纖維增強(qiáng)塑料(frp)。

期望的是，用于基底基板sub的材料具有對制造工藝期間的高處理溫度的抵抗力(或耐熱性)。

所述多條柵線gi-1(b)、gi(a)、gi(b)和gi+1(a)以及交叉柵線gi-1(b)、gi(a)、gi(b)和gi+1(a)的所述多條數(shù)據(jù)線dj和dj+1可以布置在基底基板sub上。

柵線可以包括分別布置在每個(gè)像素行的前面和后面的前柵線gi(a)和gi+1(a)和后柵線gi-1(b)和gi(b)。

第一薄膜晶體管tft1和第二薄膜晶體管tft2可以均分別連接到柵線gi-1(b)、gi(a)、gi(b)和gi+1(a)的其中之一以及數(shù)據(jù)線dj和dj+1的其中之一。例如，第一薄膜晶體管tft1可以連接到第i個(gè)像素行中的前柵線gi(a)以及第j個(gè)像素列中的數(shù)據(jù)線dj。第二薄膜晶體管tft2可以連接到第i個(gè)像素行中的后柵線gi(b)以及第(j+1)個(gè)像素列中的數(shù)據(jù)線dj+1。

感測線sl可以布置在相鄰的數(shù)據(jù)線dj和dj+1之間。感測線sl可以布置在與數(shù)據(jù)線dj和dj+1相同的層上。例如，感測線sl可以布置在第一像素p1和第二像素p2之間。

第一薄膜晶體管tft1和第二薄膜晶體管tft2可以均包括柵電極ge、半導(dǎo)體有源層sa、源電極se和漏電極de。

柵電極ge可以連接到柵線gi(a)和gi(b)的其中之一。例如，第一薄膜電極tft1的柵電極ge可以連接到第i個(gè)像素行中的前柵線gi(a)，第二薄膜電極tft2的柵電極ge可以連接到第i個(gè)像素行中的后柵線gi(b)。柵電極ge可以布置在與柵線gi-1(b)、gi(a)、gi(b)和gi+1(a)相同的層上，例如布置在基底基板sub上。

柵絕緣層gi可以布置在柵線gi-1(b)、gi(a)、gi(b)和gi+1(a)以及柵電極ge上。柵絕緣層gi可以使柵電極ge和半導(dǎo)體有源層sa絕緣。換言之，柵絕緣層gi可以布置在柵電極ge和半導(dǎo)體有源層sa之間。柵絕緣層gi可以包括硅氧化物和硅氮化物的其中之一。例如，柵絕緣層gi可具有其中包括硅氧化物的絕緣層和包括硅氮化物的絕緣層層疊的結(jié)構(gòu)。

半導(dǎo)體有源層sa可以布置在柵絕緣層gi上。半導(dǎo)體有源層sa的至少一部分可以交疊柵電極ge。半導(dǎo)體有源層sa可以包括非晶硅(a-si)、多晶硅(p-si)和氧化物半導(dǎo)體的其中之一。此外，在半導(dǎo)體有源層sa中，連接源電極se和漏電極de的區(qū)域可以是在其中摻雜或注入雜質(zhì)的源極區(qū)和漏極區(qū)。源極區(qū)和漏極區(qū)之間的區(qū)域可以是溝道區(qū)。

源電極se的一端部分可以連接到半導(dǎo)體有源層sa的一個(gè)端部分，并且源電極se的另一端部可以連接到數(shù)據(jù)線dj和dj+1之一。例如，第一薄膜晶體管tft1的源電極se可以連接到第j個(gè)像素列中的數(shù)據(jù)線dj，第二薄膜晶體管tft2的源電極se可以連接到第(j+1)個(gè)像素列中的數(shù)據(jù)線dj+1。

漏電極de可以連接到半導(dǎo)體有源層sa的另一側(cè)，并且布置為與源電極se間隔開。

數(shù)據(jù)線dj和dj+1和感測線sl可以包括包含與半導(dǎo)體有源層sa相同材料的半導(dǎo)體材料層scl，并且還可以包括布置在半導(dǎo)體材料層scl上的導(dǎo)電層cl。導(dǎo)電層cl可以包括與源電極se和漏電極de相同的材料。

具有其中柵電極ge布置在半導(dǎo)體有源層sa下面的底柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管tft被示為薄膜晶體管tft的一示例，但是本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。例如，薄膜晶體管tft可具有其中柵電極ge布置在半導(dǎo)體有源層sa上方的頂柵結(jié)構(gòu)。

第一保護(hù)層psv1可以布置于在其上布置薄膜晶體管的基底基板sub上。第一保護(hù)層psv1可以覆蓋薄膜晶體管tft。第一保護(hù)層psv1可以包括硅氧化物和硅氮化物的其中之一。

濾色器cf可以布置在第一保護(hù)層psv1上。濾色器cf可以包括包含有機(jī)絕緣材料的有機(jī)溶劑以及分散在有機(jī)溶劑中以產(chǎn)生顏色的染料或顏料。因此，濾色器cf可以通過透射或反射來自外部源的光而產(chǎn)生顏色。濾色器cf可以是紅色、綠色、藍(lán)色、青色、品紅色和黃色濾色器的其中之一。

第二保護(hù)層psv2可以布置在濾色器cf上。第二保護(hù)層psv2可以包括與第一保護(hù)層psv1相同的材料。換言之，第二保護(hù)層psv2可以包括硅氧化物和硅氮化物中的至少一種。

像素p1和p2可以布置在第二保護(hù)層psv2上。像素p1和p2可以包括布置在第二保護(hù)層psv2上的第一電極ce、布置在第一電極ce上的電極絕緣層psv3、布置在電極絕緣層psv3上并且通過接觸孔連接到漏電極de的第二電極pe、以及根據(jù)由第二電極pe產(chǎn)生的電場透射光或不透射光的光學(xué)層lc。光學(xué)層lc可以是包括多個(gè)液晶分子的液晶層。

第一電極ce可以包括透明導(dǎo)電氧化物。例如，第一電極ce可以包括銦錫氧化物(ito)和銦鋅氧化物(izo)的其中之一。

此外，第一電極ce可以包括被圖案化以覆蓋所述多個(gè)像素區(qū)域的電極圖案。第一電極ce的電極圖案可以通過接觸孔連接到感測線sl。

第一電極ce可以通過感測線sl接收公共電壓信號。因此，第一電極ce可以作為公共電極操作，其與第二電極pe形成電場并由此驅(qū)動(dòng)液晶分子。

第一電極ce的電極圖案還可以通過感測線sl接收觸摸掃描信號。因此，當(dāng)通過感測線sl施加觸摸掃描信號時(shí)，第一電極ce可以作為感測電極操作，其感測使用者的觸摸位置。因而，電極圖案可以作為圖1中示出的觸摸屏的感測電極tse操作。

電極絕緣層psv3可以包括與第一保護(hù)層psv1相同的材料。例如，電極絕緣層psv3可以包括硅氧化物和硅氮化物中的至少一種。

第二電極pe可以作為像素電極操作，其在通過薄膜晶體管tft施加驅(qū)動(dòng)信號時(shí)，與第一電極ce形成電場并驅(qū)動(dòng)液晶分子。第二電極pe可以包括與第一電極ce相同的材料。

如圖3所示，第二電極pe可以包括相互平行且間隔開地布置的多個(gè)分支單元pe1以及連接分支單元pe1的兩側(cè)的連接單元pe2。連接單元pe2之一可以連接到薄膜晶體管tft。

此外，如圖4和5所示，第二電極pe可以包括布置在假想的參考線(顯示為圖4的像素p2中的虛線)的兩側(cè)的第一電極單元pep1和第二電極單元pep2。第一電極單元pep1和第二電極單元pep2可以均包括所述多個(gè)分支單元pe1以及連接分支單元pe1的至少一側(cè)的連接單元pe2。

第一電極單元pep1的分支單元pe1和第二電極單元pep2的分支單元pe1可以在從參考線傾斜的方向上延伸。例如，第一電極單元pep1的分支單元pe1和第二電極單元pep2的分支單元pe1可以在相對于參考線對稱的方向上延伸。

如圖4所示，第一電極單元pep1的分支單元pe1和第二電極單元pep2的分支單元pe1可以彼此分離，即，可以占據(jù)它們的像素的不同部分。

如圖5所示，第一電極單元pep1的分支單元pe1和第二電極單元pep2的分支單元pe1可以彼此分離。此外，第二電極pe的第一電極單元pep1和第二電極單元pep2可以均具有相對于參考線傾斜的形狀。數(shù)據(jù)線dj和dj+1和感測線sl可具有對應(yīng)于第一電極單元pep1和第二電極單元pep2中的彎折的彎折形狀。

例如，數(shù)據(jù)線dj和dj+1和感測線sl可以包括對應(yīng)于第一電極單元pep1傾斜的第一傾斜部ip1、對應(yīng)于第二電極單元pep2傾斜的第二傾斜部ip2、以及平坦單元fp，該平坦單元fp不傾斜，即，沒有第一傾斜部ip1或第二傾斜部ip2。

第二基板120可以與第一基板110相對，并且可以通過密封劑附接到第一基板110。第二基板120可以包括與第一基板110相同的材料。

在顯示裝置中，第一電極ce可以是觸摸屏的感測電極。因此，與包括附接到顯示面板100的表面的觸摸屏的顯示裝置相比，本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示裝置可以更薄。

以下，本公開的其它實(shí)施方式呈現(xiàn)在圖9至14中。參考圖9至14，即使在不同圖中顯示，相同的附圖標(biāo)記始終指代相同的元件，并且伴隨簡要描述。此外，參考圖9至14，將主要描述與圖1至8的差異，以免重復(fù)說明。

圖9是示出根據(jù)一實(shí)施方式的顯示裝置的局部平面圖，圖10是沿圖9中的線iv-iv'截取的截面圖。

參考圖1、2、9和10，例如，顯示面板100可以包括第一基板110、與第一基板110相對的第二基板120、以及布置在第一基板110和第二基板120之間的多個(gè)像素，例如像素p1和p2。第一像素p1和第二像素p2可以布置在同一像素行中。

第一基板100可以包括基底基板sub以及布置在基底基板sub上的薄膜晶體管tft。薄膜晶體管tft可以包括連接第一像素p1的第一薄膜晶體管tft1以及連接第二像素p2的第二薄膜晶體管tft2。

此外，柵線gi-1(b)、gi(a)、gi(b)和gi+1(a)以及交叉柵線gi-1(b)、gi(a)、gi(b)和gi+1(a)的數(shù)據(jù)線dj和dj+1布置在基底基板sub上。

柵線gi-1(b)、gi(a)、gi(b)和gi+1(a)可以包括前柵線gi(a)和gi+1(a)以及后柵線gi-1(b)和gi(b)。

第一薄膜晶體管tft1和第二薄膜晶體管tft2可以分別連接到柵線gi-1(b)、gi(a)、gi(b)和gi+1(a)的其中之一以及數(shù)據(jù)線dj和dj+1的其中之一。例如，第一薄膜晶體管tft1可以連接到第i個(gè)像素行中的前柵線gi(a)以及第j個(gè)像素列中的數(shù)據(jù)線dj。第二薄膜晶體管tft2可以連接到第i個(gè)像素行中的后柵線gi(b)以及第(j+1)個(gè)像素列中的數(shù)據(jù)線dj+1。

此外，感測線sl可以布置在第i個(gè)像素行中的后柵線gi(b)與第(i+1)個(gè)像素行中的前柵線gi+1(a)之間。感測線sl平行于柵線gi-1(b)、gi(a)、gi(b)和gi+1(a)。感測線sl可以布置在與柵線gi-1(b)、gi(a)、gi(b)和gi+1(a)相同的層上，例如，布置在基底基板sub上。

第一像素p1和第二像素p2可以布置在數(shù)據(jù)線dj和dj+1之間。

像素p1和p2可以包括布置在第二保護(hù)層psv2上的第一電極ce、布置在第一電極ce上的電極絕緣層psv3、布置在電極絕緣層psv3上并且通過接觸孔連接漏電極de的第二電極pe、以及根據(jù)由第二電極pe產(chǎn)生的電場透射光的光學(xué)層lc。

第一電極ce可以通過接觸孔連接到感測線sl。第一電極ce可以通過感測線sl接收公共電壓信號。因此，第一電極ce可以作為公共電極操作，其形成電場并驅(qū)動(dòng)液晶分子。

此外，第一電極ce可以通過感測線sl接收觸摸掃描信號。因此，當(dāng)通過感測線sl施加觸摸掃描信號時(shí)，第一電極ce可以作為感測電極操作，其感測使用者的觸摸位置。

圖11是示出根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示裝置的局部平面圖，圖12是沿圖11中的線v-v'截取的截面圖。

參考圖1、2、11和12，顯示面板100可以包括第一基板110、與第一基板110相對的第二基板120、以及布置在第一基板110和第二基板120之間的多個(gè)像素諸如像素p1和p2。第一像素p1和第二像素p2可以布置在同一像素行中。

第一基板100可以包括基底基板sub以及布置在基底基板sub上的薄膜晶體管tft。薄膜晶體管tft可以包括連接第一像素p1的第一薄膜晶體管tft1以及連接第二像素p2的第二薄膜晶體管tft2。

柵線gi-1(b)、gi(a)、gi(b)和gi+1(a)以及交叉柵線gi-1(b)、gi(a)、gi(b)和gi+1(a)的數(shù)據(jù)線dj和dj+1布置在基底基板sub上。

柵線gi-1(b)、gi(a)、gi(b)和gi+1(a)可以包括前柵線gi(a)和gi+1(a)以及后柵線gi-1(b)和gi(b)。

第一薄膜晶體管tft1和第二薄膜晶體管tft2可以分別連接到柵線gi-1(b)、gi(a)、gi(b)和gi+1(a)的其中之一以及數(shù)據(jù)線dj和dj+1的其中之一。例如，第一薄膜晶體管tft1可以連接到第i個(gè)像素行中的前柵線gi(a)以及第j個(gè)像素列中的數(shù)據(jù)線dj。第二薄膜晶體管tft2可以連接到第i個(gè)像素行中的后柵線gi(b)以及第(j+1)個(gè)像素列中的數(shù)據(jù)線dj+1。

第一像素p1和第二像素p2可以布置在數(shù)據(jù)線dj和dj+1之間并且彼此相鄰。

感測線sl可以包括第一感測線sl1和第二感測線sl2。第一感測線sl1可以電連接到第二感測線sl2。

此外，第一感測線sl1可以布置在第i個(gè)像素行中的后柵線gi(b)與第(i+1)個(gè)像素行中的前柵線gi+1(a)之間。第一感測線sl1平行于柵線gi-1(b)、gi(a)、gi(b)和gi+1(a)。第一感測線sl1可以布置在與柵線gi-1(b)、gi(a)、gi(b)和gi+1(a)相同的層上，例如，布置在基底基板sub上。

第二感測線sl2可以布置在相鄰的數(shù)據(jù)線dj和dj+1之間。第二感測線sl2可以布置在與數(shù)據(jù)線dj和dj+1相同的層上。例如，第二感測線sl2可以布置在第一像素p1和第二像素p2之間。

像素p1和p2可以包括布置在第二保護(hù)層psv2上的第一電極ce、布置在第一電極ce上的電極絕緣層psv3、布置在電極絕緣層psv3上并且通過接觸孔連接漏電極de的第二電極pe、以及根據(jù)由第二電極pe產(chǎn)生的電場透射光或截?cái)喙獾墓鈱W(xué)層lc。

第一電極ce可以通過接觸孔連接到感測線sl1、sl2。第一電極ce可以通過第二感測線sl2接收公共電壓信號。因此，第一電極ce可以作為公共電極操作，其在通過第二感測線sl2施加公共電壓信號時(shí)形成電場并驅(qū)動(dòng)液晶分子。

此外，第一電極ce可以通過感測線sl例如第一感測線sl1接收觸摸掃描信號。因此，當(dāng)通過感測線sl施加觸摸掃描信號時(shí)，第一電極ce可以作為感測電極操作，其感測使用者的觸摸位置。

圖13是示出根據(jù)另一實(shí)施方式的部分電極的平面圖，圖14是圖13中的區(qū)域ea的放大圖。

參考圖1、2、13和14，顯示面板100可以包括第一基板、第二基板以及布置在第一基板和第二基板之間的所述多個(gè)像素p1和p2。第一基板和第二基板的其中之一可以包括所述多條柵線gi-1(b)、gi(a)、gi(b)和gi+1(a)以及交叉柵線gi-1(b)、gi(a)、gi(b)和gi+1(a)的數(shù)據(jù)線dj和dj+1。這些基板的其中之一還可以包括連接到數(shù)據(jù)線dj和dj+1的所述多個(gè)薄膜晶體管，例如tft1和tft2。像素p1和p2的每個(gè)可以連接到薄膜晶體管tft1和tft2之一。

像素p1和p2可以包括第一電極、第二電極pe以及根據(jù)由第一和第二電極形成的電場透射光的液晶層。

第一電極和第二電極pe的其中之一，例如第一電極，可以接收公共電壓信號以形成電場。此外，第一電極可以包括將被圖案化以覆蓋所述多個(gè)像素區(qū)域的電極圖案。像素區(qū)域可以是在其中分別布置像素的區(qū)域。此外，電極圖案可以是觸摸屏的感測電極tse。

感測電極tse可具有多邊形形狀，例如正方形的形狀。此外，感測電極tse可以通過感測線sl連接到觸摸驅(qū)動(dòng)單元200。因此，感測電極tse可以在通過感測線sl施加觸摸掃描信號時(shí)感測使用者的觸摸位置。

第一電極和第二電極pe的其中之一，例如第二電極pe，可以連接到薄膜晶體管tft1和tft2并且接收驅(qū)動(dòng)信號。

第二電極pe可以包括布置在參考線的兩側(cè)的第一電極單元pep1和第二電極單元pep2。第一電極單元pep1和第二電極單元pep2可以包括多個(gè)分支單元pe1以及連接分支單元pe1的至少一側(cè)的連接單元pe2。

第一電極單元pep1的分支單元pe1和第二電極單元pep2的分支單元pe1可以在相對于參考線傾斜的方向上延伸。例如，第一電極單元pep1的分支單元pe1和第二電極單元pep2的分支單元pe1可以在相對于參考線對稱的方向上延伸。

如圖14所示，第一電極單元pep1的分支單元pe1和第二電極單元pep2的分支單元pe1可以彼此連接。此外，第二電極pe的第一電極單元pep1和第二電極單元pep2可以具有其外邊緣相對于參考線傾斜的形狀。數(shù)據(jù)線dj和dj+1以及感測線sl可以彎折以對應(yīng)于第一電極單元pep1和第二電極單元pep2的傾斜角。

例如，數(shù)據(jù)線dj和dj+1和感測線sl可具有對應(yīng)于第一電極單元pep1在第一傾斜部ip1傾斜的部分、對應(yīng)于第二電極單元pep2在第二傾斜部ip2傾斜的部分、以及連接所述傾斜部分的筆直或豎直部分。

感測電極tse的至少一側(cè)，例如對應(yīng)于數(shù)據(jù)線dj和dj+1的側(cè)部，可以包括z字形形狀。對應(yīng)于數(shù)據(jù)線dj和dj+1的側(cè)部的對應(yīng)第一傾斜部ip1的區(qū)域可以平行于第一傾斜部ip1。對應(yīng)于數(shù)據(jù)線dj和dj+1的側(cè)部的對應(yīng)第二傾斜部ip2的區(qū)域可以平行于第二傾斜部ip2。對應(yīng)于數(shù)據(jù)線dj和dj+1的筆直部分的區(qū)域也可以是筆直的。

此外，對應(yīng)于數(shù)據(jù)線dj和dj+1的側(cè)部可以交疊數(shù)據(jù)線dj和dj+1。因此，相鄰感測電極tse之間的距離可以小于數(shù)據(jù)線dj和dj+1的寬度。當(dāng)感測電極tse的對應(yīng)于數(shù)據(jù)線dj和dj+1的側(cè)部可以交疊數(shù)據(jù)線dj和dj+1時(shí)，可以防止被感測電極tse覆蓋的區(qū)域中的光泄漏。

如上所述，顯示裝置可以包括在顯示面板內(nèi)組成觸摸屏的元件。此外，因?yàn)橄袼氐碾姌O之一還可以作為觸摸感測電極，所以更纖薄的顯示裝置可以產(chǎn)生。

實(shí)施方式被提供以更誠實(shí)地且完全地公開本發(fā)明并且將本發(fā)明的精神完全傳達(dá)給本發(fā)明所屬領(lǐng)域中的技術(shù)人員，并且本發(fā)明的范圍應(yīng)該通過本發(fā)明的權(quán)利要求被理解。因此，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解，可以在形式和細(xì)節(jié)上進(jìn)行各種改變，而不脫離如由權(quán)利要求書所闡述的本發(fā)明的精神和范圍。因此，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解，可以在形式和細(xì)節(jié)上進(jìn)行各種改變，而不脫離如由權(quán)利要求書所闡述的本發(fā)明的精神和范圍。因此，本發(fā)明的技術(shù)范圍不限于說明書的詳細(xì)描述而是由權(quán)利要求的范圍限定。以上描述的和其它實(shí)施方式的各種特征可以以任何方式混合和匹配，以產(chǎn)生按照本發(fā)明的另一些實(shí)施方式。

本申請要求享有2016年1月20日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2016-0006907號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，該韓國專利申請的整體內(nèi)容通過引用被全部合并于此。