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具有輻射轉換元件的光電子裝置和用于制造輻射轉換元件的方法與流程

文檔序號:11287921閱讀:256來源:國知局
具有輻射轉換元件的光電子裝置和用于制造輻射轉換元件的方法與流程

提出一種具有輻射轉換元件的光電子裝置和一種用于制造輻射轉換元件的方法。



背景技術:

為了顯示尤其運動的圖像,通常應用液晶顯示器(liquidcrystaldisplay,lcd),例如呈顯示屏或投影儀的形式。這些液晶顯示器例如能夠借助于發(fā)光二極管作為輻射源從背光照明。然而,通過在lcd中用于產生圖像的偏振鏡,典型地失去輻射源的相對大的輻射份額。為了補償所述損失,維持輻射源的相對提高的初級光通量,這引起提高的能量消耗。



技術實現要素:

一個目的是,提高在lcd的背光照明中的效率。

所述目的還通過根據獨立權利要求的光電子裝置或方法實現。改進方案和實施方式是從屬權利要求的主題。

根據光電子裝置的至少一個實施方式,裝置具有至少一個半導體芯片,所述半導體芯片具有設為用于產生輻射的有源區(qū)域。尤其,輻射位于紫外的,可見的,尤其藍色的或紅色的或近紅外的光譜范圍中。半導體芯片例如設置在殼體中或未封裝地固定在連接載體上,例如固定在電路板上。

根據光電子裝置的至少一個實施方式,裝置具有輻射轉換元件。輻射轉換元件沿放射方向尤其設置在半導體芯片下游。放射方向尤其垂直于有源區(qū)域的主延伸平面伸展。輻射轉換元件設為用于:將由至少一個半導體芯片產生的初級輻射,例如在藍色的或紫外的光譜范圍中的初級輻射完全地或至少部分地轉換為次級輻射。次級輻射例如能夠處于紅色的、綠色的、黃色的和/或藍色的光譜范圍中。尤其,次級輻射能夠在可見的光譜的至少兩個彼此不同的光譜范圍中包含輻射份額,例如在紅色的和在綠色的光譜范圍中的輻射份額。

例如,輻射轉換元件鄰接于半導體芯片。輻射轉換元件例如是半導體芯片的包封部。

替選地,輻射轉換元件例如是光電子裝置的預制的元件。預制的輻射轉換元件例如是無支撐的元件,例如預制的薄膜或預制的小板。

根據光電子裝置的至少一個實施方式,輻射轉換元件具有多個轉換體。術語“轉換體”通常表示適合于輻射轉換的體部,例如發(fā)光材料顆?;虬l(fā)光材料分子。轉換體能夠包含無機的和/或有機的材料。尤其,轉換體能夠分別具有對稱軸線。

例如,有機材料是適合的,例如二萘嵌苯、熒光素、香豆素、羅丹明、二苯乙烯、卟啉、酞菁染料或嵌二萘。

此外,無機半導體材料是適合的,例如gan、inn、aln及其混合晶體,例如ingan或alingan、cuins2、cdse、cds、inp、pbs、inas、znse、znsse或znssete。尤其,借助于無機的半導體材料能夠形成量子棒。尤其將如下體積體理解為量子棒,所述體積體由于其小的尺寸至少橫向于縱向延伸軸線經受能量狀態(tài)的量子化。量子棒尤其不是球對稱的。例如,量子棒是關于其縱向延伸軸線旋轉對稱的。

根據至少一個實施方式,轉換體是具有縱向延伸軸線的長形的轉換體。尤其,縱向延伸軸線是對稱軸線。沿著縱向延伸軸線,長形的轉換體具有比橫向于其或垂直于其伸展的方向更大的伸展。對稱軸線沿著如下方向伸展,轉換體沿著所述方向的伸展最大。

輻射轉換元件還能夠具有多個轉換體,所述轉換體的次級輻射的峰值波長不同。例如,第一轉換體在紅色的光譜范圍中發(fā)射,而第二轉換體在綠色的光譜范圍中發(fā)射。

根據光電子裝置的至少一個實施方式,轉換體的空間定向具有優(yōu)先方向。例如,轉換體的空間定向涉及所述轉換體的對稱軸線。因此,對稱軸線的空間定向具有優(yōu)先方向。因此,轉換體在其取向方面,例如在其對稱軸線的取向方面不隨機地分布。尤其,至少50%的轉換體,優(yōu)選至少80%的轉換體定向為,使得轉換體的對稱軸線以相對于優(yōu)先方向最高20°的角度伸展。在理想情況下,所有轉換體都沿著優(yōu)先方向定向。然而,當轉換體僅部分地沿著優(yōu)先方向定向時,也已經實現光電子裝置的提高的效率。

優(yōu)先方向平行于有源區(qū)域的主延伸平面伸展。

根據光電子裝置的至少一個實施方式,由輻射轉換元件放射的輻射具有優(yōu)先偏振,所述輻射轉換元件具有多個轉換體。優(yōu)先偏振尤其在垂直于優(yōu)先方向伸展的平面中伸展。因此,由輻射轉換元件發(fā)射的次級輻射至少被部分偏振。

根據光電子裝置的至少一個實施方式,光電子裝置具有進行反射的偏振元件,所述偏振元件沿放射方向設置在輻射轉換元件下游。尤其,由半導體芯片和輻射轉換元件放射的輻射在其能夠從光電子裝置中射出之前,必須經過進行反射的偏振元件。進行反射的偏振元件主要允許具有優(yōu)先偏振的輻射通過,也就是說允許至少51%的輻射通過。優(yōu)選地,進行反射的偏振元件允許至少80%的具有優(yōu)先偏振的輻射通過。對于所述輻射份額的透射率越高,吸收損失整體上就會越少。此外,進行反射的偏振元件大部分地反射垂直于優(yōu)先偏振來偏振的輻射。因此,其偏振不對應于優(yōu)先偏振的輻射至少不會大部分地通過在進行反射的偏振元件處吸收而失去,而是被反射并且能夠在光電子裝置內部的至少一次另外的反射或散射之后重新射到進行反射的偏振元件上并且至少部分地從光電子裝置中射出。

優(yōu)選地,進行反射的偏振元件對于所述輻射份額的反射率至少為60%,特別優(yōu)選至少為80%。例如,進行反射的偏振元件構成為預制的薄膜。這種薄膜例如由制造商3m光學系統(tǒng)以名稱dbef(dualbrightnessenhancementfilm雙亮度增強膜)提供。所述薄膜設為用于:設置在光導體和液晶顯示器之間,以便提高亮度。然而,已證實的是:這種薄膜也能夠用于:使光電子裝置本身放射已經偏振的或至少部分偏振的輻射。所述偏振的或至少部分偏振的輻射能夠耦合輸入到光導體中,以對液晶顯示器進行背光照明,或者將液晶顯示器直接進行背光照明。

在光電子裝置的至少一個實施方式中,光電子裝置具有半導體芯片,所述半導體芯片具有設為用于產生輻射的有源區(qū)域,其中沿放射方向在半導體芯片下游設置有輻射轉換元件。輻射轉換元件具有多個轉換體,所述轉換體分別具有對稱軸線,其中對稱軸線的空間定向具有優(yōu)先方向。由輻射轉換元件放射的輻射具有優(yōu)先偏振。光電子裝置具有進行反射的偏振元件,所述偏振元件沿放射方向設置在輻射轉換元件下游,其中進行反射的偏振元件允許具有優(yōu)先偏振的輻射大部分地通過,并且將垂直于優(yōu)先偏振來偏振的輻射大部分地反射。

因此,光電子裝置不放射未偏振的輻射,而是放射偏振的或至少部分偏振的輻射。在本文中,部分偏振意味著:一個偏振方向相對于垂直于其伸展的另一偏振方向占大部分,例如至少多10%,優(yōu)選至少多50%。由于其在偏振濾波器處的偏振,在下游設置的液晶顯示器的輸入偏振濾波器處失去的輻射份額能夠減小。因此,與放射未偏振的輻射的光電子裝置不同,放射的輻射的不到一半在所述輸入偏振濾波器處失去。因此,在光電子裝置的功率消耗相同的情況下,可用于對液晶顯示器進行背光照明的輻射份額提高。同樣地,能夠以光電子裝置的降低的功率消耗實現相同亮度的背光照明。換言之,輻射的對于液晶顯示器的功能所需的偏振不僅通過輻射入射側的偏振濾波器實現,這在未偏振的輻射的情況下強制性造成一半輻射功率的損失。更確切地說,在光電子裝置中產生輻射,使得從該光電子裝置中射出的輻射已經大部分地,例如55%或更多的或65%或更多的輻射具有適當的偏振。尤其,在輻射轉換元件中,已經產生輻射,使得適當的偏振占大部分。因此,僅通過具有該定向的轉換體的輻射轉換元件實現相對于具有常規(guī)的輻射轉換元件的裝置提高的效率。效率的進一步升高能夠通過進行反射的偏振元件實現,因為由于其偏振而不可用的輻射份額至少大部分地不由進行反射的偏振元件吸收,而是被反射并且隨后能夠從光電子裝置中射出。

根據光電子裝置的至少一個實施方式,轉換體包含量子棒并且尤其具有在1.5:1和40:1之間的縱向伸展與最大橫向伸展的比,其中包含邊界值。具有這種比例的轉換體被證實為對于用于產生至少部分偏振的輻射的輻射轉換元件是特別適合的。

尤其,與此不同地,借助于有機材料形成的轉換體能夠也具有橫向伸展,所述橫向伸展等于或基本上等于沿著對稱軸線的伸展。

根據光電子裝置的至少一個實施方式,半導體芯片至少局部地由尤其進行漫反射的反射器包圍。在進行反射的偏振元件處反射的輻射能夠在漫反射之后具有至少一個具有優(yōu)先偏振的輻射份額并且從光電子裝置中射出。例如,反射器由半導體芯片的殼體本體的壁形成。反射器也能夠通過層形成,所述層直接鄰接于半導體芯片。借助于聚合物填充劑還能夠實現各向異性的散射。

根據光電子裝置的至少一個實施方式,輻射轉換元件具有基體材料,轉換體嵌入到所述基體材料中?;w材料尤其包含聚合物材料。

根據光電子裝置的至少一個實施方式,輻射轉換元件局部地直接鄰接于半導體芯片。例如,輻射轉換元件形成用于半導體芯片的包封部。尤其,輻射轉換元件能夠以包封部的形式也覆蓋半導體芯片的側面。

根據光電子裝置的至少一個實施方式,漫射體嵌入到基體材料中。借助于漫射體提高如下可能性,即不具有優(yōu)先偏振的輻射在漫射體處散射之后能夠從光電子裝置中射出的可能性。優(yōu)選地,漫射體引起各向異性的散射。

根據光電子裝置的至少一個實施方式,進行反射的偏振元件具有多個層,所述層具有各向異性的折射率。進行反射的偏振元件能夠以簡單且可靠的方式緊湊地制造。

根據光電子裝置的至少一個實施方式,與對于由輻射轉換元件放射的次級輻射相比,進行反射的偏振元件對于由半導體芯片放射的初級輻射具有更高的反射率。這表明,光電子裝置的效率能夠升高,因為借助于轉換體已經部分偏振地產生次級輻射并且通過在次級輻射的光譜范圍中減小的反射率能夠減小在光電子裝置內部的吸收損失。

根據光電子裝置的至少一個實施方式,進行反射的偏振元件鄰接于輻射轉換元件或者與輻射轉換元件間隔開最高200μm。尤其,輻射轉換元件和進行反射的偏振元件能夠機械穩(wěn)定地相互固定。尤其,在進行反射的偏振元件和輻射轉換元件之間不存在光導體。

根據光電子裝置的至少一個實施方式,進行反射的偏振元件的主延伸平面和有源區(qū)域的主延伸平面彼此平行地伸展。

根據光電子裝置的至少一個實施方式,光電子裝置是可表面安裝的半導體器件(surfacemounteddevice,smd)。因此,光電子裝置是可以簡單的方式安裝的半導體器件,所述半導體器件的特征在于偏振的或至少部分偏振的放射。然而,替選地,光電子裝置也能夠是在連接載體,例如電路板上的一個半導體芯片或多個半導體芯片的裝置。

根據光電子裝置的至少一個實施方式,光電子裝置設為用于對液晶顯示器進行背光照明。

能夠特別能量有效地且同時以長的運行時長進行背光照明。光電子裝置尤其能夠設為用于側向地耦合輸入到光導體中或者用于液晶顯示器的背光照明。

在用于制造輻射轉換元件的方法中,根據實施方式中的至少一個,提供液態(tài)的原始材料,所述原始材料摻入有轉換體,所述轉換體分別具有對稱軸線。將原始材料填充到模具中。將轉換體的對稱軸線至少部分地沿著優(yōu)先方向定向。使原始材料硬化。

由此產生輻射轉換元件,其中轉換體以定向的形式存在于基體材料中。通過所述方法,能夠以簡單的方式制造輻射轉換元件,所述輻射轉換元件在通過初級輻射激勵時放射至少部分偏振的次級輻射。

根據方法的至少一個實施方式,將轉換體通過電場定向。尤其也在硬化期間至少以如下時長施加電場,使得轉換體在切斷電場之后至少部分地保持其沿著優(yōu)先方向的定向。

根據方法的至少一個實施方式,模具是腔室,在所述腔室中設置有至少一個半導體芯片。例如,腔室構成在用于尤其光電子的半導體器件的預制的殼體中。

但是與此不同,模具也能夠設為用于:構成無支撐的轉換元件,例如所述轉換元件呈小板或薄膜的形式。在此情況下,能夠在硬化之后將模具移除。

此外,能夠應用液晶聚合物。借助于這種聚合物,能夠使定向變得簡單。

從下面結合附圖所描述的實施例中得出其他設計方案和改進方案。

附圖說明

附圖示出:

圖1a、1b和1c示出用于光電子裝置的實施例的示意俯視圖(圖1a)和兩個所屬的剖視圖(圖1b和1c);

圖1d示出具有光電子裝置的顯示設備的實施例;以及

圖2a和2b借助于示意地以俯視圖示出的中間步驟示出用于制造輻射轉換元件的方法的實施例。

相同的,同類的或起相同作用的元件在附圖中設有相同的附圖標記。附圖和在圖中示出的元件彼此間的相互關系不能夠視為是符合比例的。更確切地說,為了更好地示出和/或為了更好的理解,能夠夸大地示出個別元件和尤其層厚度。

具體實施方式

在圖1a至1c中借助于一個俯視圖和兩個彼此垂直取向的剖視圖示出光電子裝置1的實施例。

光電子裝置1具有設為用于產生輻射的半導體芯片2。例如,半導體芯片包含設為用于在藍色的或紫外的光譜范圍中產生輻射的有源區(qū)域20,所述有源區(qū)域基于氮化物半導體材料,例如alxinyga1-x-yn,其中0≤x≤1,0≤y≤1并且x+y≤1。由半導體芯片放射的輻射尤其是未偏振的。

此外,光電子裝置1具有輻射轉換元件3,所述輻射轉換元件沿放射方向21設置在半導體芯片2下游。因此,輻射轉換元件3是光電子裝置的一部分。因此,在光電子裝置的運行中在半導體芯片2中產生的初級輻射從光電子裝置的輻射出射面10中射出之前,輻射必須穿過輻射轉換元件3。

輻射轉換元件3包括多個轉換體4。轉換體4分別具有對稱軸線40。在示出的實施例中,轉換體是長形的轉換體,例如無機的量子棒,在所述量子棒中縱向延伸軸線形成對稱軸線。沿著縱向延伸軸線的縱向伸展大于垂直于縱向延伸軸線伸展的最大橫向延伸42。

輻射轉換元件3具有基體材料35,輻射轉換元件3的轉換體4嵌入到所述基體材料中。基體材料尤其包含聚合物材料和/或無機的氧化物。例如,適合作為基體材料的是pet、pe、ps、pmma、丙烯酸酯/鹽、環(huán)氧化物、硅樹脂或具有至少一種環(huán)氧化物或硅樹脂的有機-無機聚合物,例如硅樹脂,其中結合有al2o3或sio2。

在通過初級輻射81光學激勵轉換體4時,轉換體發(fā)射次級輻射82。

在輻射轉換元件3中,各個轉換體4定向為,使得轉換體4的對稱軸線40具有優(yōu)先方向45。優(yōu)先方向尤其垂直于放射方向21并且平行于有源區(qū)域20伸展。在示出的實施例中,所有對稱軸線40平行于優(yōu)先方向伸展。在該理想情況下,在輻射轉換元件3中由轉換體4產生的次級輻射完全被偏振,其中由輻射轉換元件放射的輻射的優(yōu)先偏振48在垂直于優(yōu)先方向45的平面中伸展。然而,各個轉換體4也能夠具有對稱軸線40的與優(yōu)先方向45不同的取向,使得次級輻射82被部分偏振。

長形的轉換體4例如具有在1.5:1和40:1之間的縱向伸展與最大橫向伸展的比,其中包含邊界值。

轉換體4例如能夠是發(fā)光材料顆?;虬l(fā)光材料分子。轉換體還能夠包含有機的和/或無機的材料。尤其在所說明書的概述部分中提到的無機的和有機的材料適合用于轉換體。

與所描述的實施例不同,轉換體不必一定強制性長形地構成。例如,也能夠應用有機的分子,所述分子相對于對稱軸線的橫向伸展是等于或基本上等于沿著縱向軸線的伸展。

光電子裝置1還具有進行反射的偏振元件5。進行反射的偏振元件沿放射方向21設置在輻射轉換元件3下游。進行反射的偏振元件允許具有優(yōu)先偏振48的輻射大部分地通過并且大部分地反射垂直于優(yōu)先偏振來偏振的輻射。在示出的實施例中,進行反射的偏振元件5形成光電子裝置1的輻射出射面10。

優(yōu)選地,進行反射的偏振元件5允許至少80%的具有優(yōu)先偏振48的輻射通過。此外,進行反射的偏振元件大部分地反射垂直于優(yōu)先偏振來偏振的輻射。因此,其偏振不對應于優(yōu)先偏振的輻射至少不大部分地通過在進行反射的偏振元件處的吸收而失去,而是被反射并且能夠回到輻射轉換元件3中。優(yōu)選地,對于所述輻射份額的反射率至少為60%,特別優(yōu)選至少為80%。

進行反射的偏振元件5例如構成為預制的薄膜,所述薄膜固定在輻射轉換元件3上。在輻射出射面10的俯視圖中,進行反射的偏振元件5完全地覆蓋輻射轉換元件3。進行反射的偏振元件5在示出的實施例中鄰接于輻射轉換元件3。然而,與其不同,這些元件也能夠彼此間隔開,例如彼此間隔開最高200μm。

在示出的實施例中,進行反射的偏振元件5具有多個層51,所述層具有各向異性的折射率。由此,能夠以簡單且可靠的方式實現偏振相關的透射率并且同時實現對于不允許通過的輻射份額的高的反射率。反射率和/或透射率也能夠是波長選擇性的并且與對于次級輻射相比,例如對于初級輻射更高或更低。

優(yōu)選地,進行反射的偏振元件5對于在有源區(qū)域20中未偏振地產生的初級輻射具有比對于次級輻射更高的反射率。通過對于初級輻射的高的反射率,能夠將具有不適合的偏振的輻射份額向回反射。相反,已經部分偏振地產生次級輻射,使得通過較低的反射率能夠避免在光電子裝置1內部的吸收損失。

光電子裝置1還具有反射器7,所述反射器構成為對于初級輻射和次級輻射是漫反射的。反射器優(yōu)選具有至少80%的反射率。反射率越高,在光電子裝置內部的吸收率損失能夠更小。在示出的實施例中,反射器通過殼體本體25的腔室250的壁26形成。半導體芯片2設置在腔室250中并且沿橫向方向,即平行于有源區(qū)域20的主延伸平面由反射器包圍。不具有適合的偏振的輻射為了能夠從進行反射的偏振元件中射出,能夠在所述偏振元件處被反射。在光電子裝置1內部的,例如在反射器7處的每次尤其漫反射中,輻射的偏振狀態(tài)統(tǒng)計學地改變,使得輻射的至少一部分在隨后射到進行反射的偏振元件5上時能夠從光電子裝置1中射出。在基體材料35中為了提高耦合輸出概率可選地嵌入有漫射體75。

由光電子裝置1產生的和通過光電子裝置的輻射出射面10射出的輻射被偏振或至少部分偏振。因此,光電子裝置1本身已經提供偏振的或至少部分偏振的輻射,使得在對液晶顯示器進行背光照明時減小在偏振濾波器處的損失,所述偏振濾波器設置在液晶顯示器的輻射入射側上。此外,根據借助于已經定向的轉換體進行的產生機制,已經以優(yōu)先偏振在輻射轉換元件3中產生次級輻射,并且光電子裝置的效率提高。

在示出的實施例中,光電子裝置是可表面安裝的半導體器件。為了簡化地描述,連接導體在附圖中沒有示出,經由所述連接導體從在殼體25外部從背離輻射出射面10的側起可從外部電接觸半導體芯片2。

在示出的實施例中,輻射轉換元件3鄰接于半導體芯片2,并且形成用于半導體芯片2的包封部22。然而,與其不同地,輻射轉換元件也能夠是預制的元件,所述元件固定在半導體芯片上。此外,輻射轉換元件3也能夠與半導體芯片2間隔開,并且尤其對于包封部附加地設置。

輻射轉換元件3也還能夠具有轉換體4,所述轉換體產生具有彼此不同的峰值波長的次級輻射份額。

例如,第一轉換體產生在紅色的波長范圍中的輻射,而第二轉換體產生在綠色的波長范圍中的輻射。

顯而易見地,光電子裝置1也能夠具有多于一個設為用于產生輻射的半導體芯片2,其中半導體芯片能夠分別設置在一個殼體中,或者多個半導體芯片能夠設置在一個殼體中。此外,替選地,多個半導體芯片也能夠在一個殼體中設置和電接觸或未封裝地在連接載體上,例如在電路板上設置并且電接觸。用于半導體芯片2的殼體的類型可在大范圍中選擇。例如,殼體25也能夠由如下材料形成,所述材料模制到半導體芯片2上并且尤其形成反射器7。

光電子裝置1還具有光學元件6。光學元件6設為用于:將由輻射轉換元件3放射的輻射和通過進行反射的偏振元件射出的輻射以獲得偏振的方式轉向。為此,光學元件示例地具有多個縱向延伸的棱鏡61,所述棱鏡的縱向方向610平行于優(yōu)先方向45伸展。尤其,棱鏡能夠將輻射準直到可用的角范圍中。光學元件6例如能夠構成為薄膜,所述薄膜設置在進行反射的偏振元件5上。薄膜尤其能夠構成為所謂的提升亮度的薄膜(brightnessenhancementfilm,bef)。光學元件6和進行反射的偏振元件5也能夠一件式地在薄膜中構成。此外,也能夠棄用光學元件。

具有所描述的光電子裝置1的顯示設備9的實施例在圖1d中示意地示出。顯示設備具有光導體91,由光電子裝置放射的輻射側向地耦合輸入到所述光導體中。光電子裝置1設置在連接載體95上,例如設置在電路板上。在輻射耦合輸入到光導體中之前,在半導體芯片2中產生的輻射和沿放射方向21放射的輻射經過進行反射的偏振元件5。因此,耦合輸入到光導體中的輻射被偏振或至少部分偏振。光導體適宜地以獲得偏振的方式構成。從光導體的主面910中射出的輻射照亮液晶顯示器92。由于光電子裝置1的至少部分偏振的放射,使在液晶顯示器的輸入偏振濾波器920處的吸收率損失變得最小。尤其,在光電子裝置1中不可用于背光照明的輻射份額例如由于不適合的偏振已經在產生輻射時被減少,以利于提高可利用的輻射。

與示出的實施例不同,光電子裝置1也能夠設為用于對顯示設備進行直接的背光照明。

在圖2a和2b中借助于兩個中間步驟以示意俯視圖示出用于制造輻射轉換元件的方法。所述描述對于輻射轉換元件示例地如結合圖1a至1c那樣進行描述。

為了構成輻射轉換元件,提供液態(tài)的原始材料30,所述原始材料摻入有例如長形的轉換體4,所述轉換體分別具有對稱軸線40。原始材料填充到模具32中,例如通過澆注(molding)、注射成型(injectionmolding)或轉送成形(transfermolding)。在示出的實施例中,殼體本體25的腔室250用作模具。如在圖2a中示出,對稱軸線40首先隨機地取向并且不具有優(yōu)先方向。

下面,如在圖2b中示出,轉換體的對稱軸線至少部分地沿著優(yōu)先方向45定向。這例如能夠通過施加電場進行?,F在,將原始材料30硬化,其中適宜地施加電場直至原始材料充分固化,使得轉換體4的定向也在切斷電場之后保持不變。

因此,能夠以簡單的方式制造輻射轉換元件3,所述輻射轉換元件在通過初級輻射激勵時放射至少部分偏振的次級輻射。

與所描述的實施例不同,借助于所述方法也能夠構成無支撐的轉換元件,例如小板形式的轉換元件。為此,在硬化之后能夠將模具移除。

本專利申請要求德國專利申請102015101216.2的優(yōu)先權,其公開內容通過參引接合于此。

本發(fā)明不通過根據實施例的描述而局限于此。更確切地說,本發(fā)明包括每個新的特征以及特征的任意組合,這尤其包含在權利要求中的特征的任意組合,即使這個特征或這些組合本身并未詳盡地在權利要求或實施例中給出也如此。

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