本實(shí)用新型涉及一種通信設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種高消光比保偏光纖組件。

背景技術(shù)：

保偏光纖作為一種特種光纖，主要應(yīng)用于光纖陀螺，光纖水聽器等傳感器和DWDM、EDFA等光纖通信系統(tǒng)。由于光纖陀螺及光纖水聽器等可用于軍用慣導(dǎo)和聲吶，屬于高新科技產(chǎn)品，而保偏光纖又是其核心部件，在一些應(yīng)用環(huán)境比較苛刻的場景里，需要將光纖進(jìn)行氣密處理，使用光纖組件是一種常見的氣密處理方式。光纖組件是指先用特殊手段將光纖側(cè)面金屬化(鍍鎳和鍍金)，然后將金屬化的光纖穿入金屬管套(鎳管)并焊接，焊接后的光纖和鎳管就成為光纖組件。

當(dāng)光纖為保偏光纖時，在焊接金屬管套后，由于焊接過程中光纖快慢軸方向上所受的應(yīng)力不一致，導(dǎo)致兩個方向上的雙折射差發(fā)生變化，消光比顯著降低。根據(jù)實(shí)驗(yàn)，未焊接時消光比為35dB左右的保偏光纖，直接焊接鎳管后的消光比典型值為15～20dB。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種高消光比保偏光纖組件，通過在金屬套管一端進(jìn)行切槽處理，在焊接時保證保偏光纖和套管之間位置的確定，可以人為改變光纖快軸和慢軸上所受到的應(yīng)力差異。大大減小焊接金屬套管后消光比的降低。

本實(shí)用新型的目的通過下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種高消光比保偏光纖組件，包括保偏光纖和金屬套管，所述金屬套管套在保偏光纖的外部，所述保偏光纖包括纖芯，所述纖芯分為鍍金區(qū)域和非鍍金區(qū)域，所述鍍金區(qū)域?yàn)楸Ｆ饫w的插入端，所述非鍍金區(qū)域的外部被包層包裹，所述金屬套管的一端的端面上對稱設(shè)有一對用于放置焊接保偏光纖和金屬套管錫片的切槽，所述切槽的兩個切口分別與纖芯的鍍金區(qū)域融為一體。

作為優(yōu)選，所述纖芯插入金屬套管后，纖芯的芯軸與金屬套管的中心軸相重合。

作為優(yōu)選，所述保偏光纖的快軸或慢軸的軸線與兩切口的中心軸線相重合。

作為優(yōu)選，所述金屬套管的直徑大于保偏光纖纖芯的直徑。

作為優(yōu)選，所述切槽的橫截面可以為V型、U或矩形。

作為優(yōu)選，所述金屬套管為鍍金鎳管。

本實(shí)用新型相對于現(xiàn)有技術(shù)具有如下的優(yōu)點(diǎn)及效果：

本實(shí)用新型通過在金屬套管一端進(jìn)行切槽處理，在焊接時通過加熱切槽內(nèi)的錫片來對保偏光纖和金屬套管之間進(jìn)行焊接，可以人為改變光纖快軸和慢軸上所受到的應(yīng)力差異，大大減小焊接金屬套管后消光比的降低。根據(jù)實(shí)驗(yàn)，對于未焊接時消光比為35dB左右的保偏光纖，用切槽處理后的鎳管進(jìn)行焊接，焊接后的消光比典型值為25～30dB，直接焊接金屬套管后的消光比典型值為15～20dB。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型一種高消光比保偏光纖組件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型一種高消光比保偏光纖組件的左視圖；

圖3為本實(shí)用新型一種高消光比保偏光纖組件保偏光纖快慢軸的示意圖；

圖4為本實(shí)用新型一種高消光比保偏光纖組件切槽的一橫截面圖；

圖5為本實(shí)用新型一種高消光比保偏光纖組件切槽的又一橫截面圖；

圖6為本實(shí)用新型一種高消光比保偏光纖組件切槽的再一橫截面圖；

圖中所示：1、保偏光纖，1.1、纖芯，1.2、包層，1.3、鍍金區(qū)域，2、金屬套管，2.1、切槽，2.2、切口。

具體實(shí)施方式

為了更加清楚的闡明本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步的詳盡說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。此外，以下所描述的本實(shí)用新型各個實(shí)施方式中所涉及到的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突便可以相互組合。

如圖1至3所示，本實(shí)施例提供一種高消光比保偏光纖組件，包括保偏光纖1和金屬套管2，所述金屬套管2套在保偏光纖1的外部，所述保偏光纖包括纖芯1.1，所述纖芯.1.1分為鍍金區(qū)域1.3和非鍍金區(qū)域(所述纖芯1.1上除了插入金屬套管的一端的極少部分區(qū)域?yàn)殄兘饏^(qū)域1.3外，其余部分均為非鍍金區(qū)域)，所述鍍金區(qū)域1.3為保偏光纖的插入端，所述非鍍金區(qū)域的外部被包層1.2包裹，所述金屬套管2的一端的端面上對稱設(shè)有一對用于放置焊接保偏光纖1和金屬套管2錫片的切槽2.1，所述切槽2.1的兩個切口2.2分別與纖芯1.1的鍍金區(qū)域1.3融為一體。

如圖1和2所示，所述保偏光纖組件在進(jìn)行組合之前，首先將保偏光纖1側(cè)面金屬化(也就是在圖中所示的鍍金區(qū)域進(jìn)行鍍金)，然后將金屬化的保偏光纖1穿入金屬管套2內(nèi)，其中，保偏光纖1的金屬區(qū)域1.3從金屬套管的一端外露，為了保證保偏光纖1能順利的從金屬套管2中插入，所述金屬套管2的直徑比保偏光纖1(包括纖芯和包層)的直徑寬0.3～0.5mm，保偏光纖1插入金屬套管2后，使得鍍金區(qū)域1.3正好處在金屬套管2上切槽2.1的切口2.2所處的位置，在切槽2.1內(nèi)放入錫片，這樣，在對切槽2.1內(nèi)的錫片進(jìn)行加熱后，錫片融化后的錫水就會沿著切口2.2的圓周的方向上擴(kuò)散，當(dāng)錫水冷卻后，保偏光纖1與金屬套管就焊接在一起。焊接后的光纖和鎳管就成為光纖組件。通過在金屬套管2上開設(shè)切槽2.1的方式將保偏光纖1與金屬管套1焊接后，在焊接過程中保偏光纖1快慢軸方向上所受的應(yīng)力不一致的情況能大大的改善，消光比顯著降低。根據(jù)實(shí)驗(yàn)，未焊接時消光比為35dB左右的保偏光纖，直接與金屬套管1焊接后的消光比典型值為15～20dB，而通過上述結(jié)構(gòu)和方法進(jìn)行焊接后，消光比典型值為25～30dB，可見大大提高了保偏光纖1的消光比。

如圖2和3所示，作為本實(shí)施例的優(yōu)選，纖芯1.1插入金屬套管2后，纖芯1.1的芯軸與金屬套管2的中心軸相重合，同時保偏光纖1的快軸(慢軸)的軸線與兩切口2.2的中心軸線相重合，這樣，可以更好的保證保偏光纖1在進(jìn)行焊接的過程中，快慢軸方向上所受的應(yīng)力一致，使得焊接后的光纖組件的消光比能達(dá)到較高的水平。

如圖4至6所示，所述金屬套管2為鍍金鎳管，所述金屬套管2上切槽2.1的橫截面可以為V型、U或矩形，上述截面形狀，只是本實(shí)施例的優(yōu)選，只要能改變光纖快軸和慢軸上所受到的應(yīng)力差異，減小焊接金屬套管后消光比的降低的其他結(jié)構(gòu)形狀均可以。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。