本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

在顯示技術(shù)領(lǐng)域，平板顯示裝置，如液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)和有機(jī)電致發(fā)光顯示器(Organic Light Emitting Display，OLED)因其具有輕、薄、低功耗、高亮度，以及高畫質(zhì)等優(yōu)點(diǎn)，在平板顯示技術(shù)領(lǐng)域占據(jù)重要的地位。

顯示裝置至少包括設(shè)置有像素陣列的陣列基板，一般地，陣列基板設(shè)置有柵線、數(shù)據(jù)線、公共電極線，以及位于像素區(qū)域的像素電極、公共電極等。

以傳統(tǒng)超高級(jí)超維場(chǎng)開關(guān)(High Advanced Super Dimension Switch，HADS)模式的液晶顯示器為例，如圖1a和圖1b所示，在陣列基板的制作工藝中，陣列基板的所有區(qū)域(包括顯示區(qū)域和包圍該顯示區(qū)域的周邊區(qū)域)會(huì)覆蓋一層透明電極，為了產(chǎn)生穩(wěn)定的水平電場(chǎng)，一般設(shè)計(jì)情況下，僅對(duì)在顯示區(qū)域內(nèi)位于像素電極02上方的透明電極進(jìn)行slit處理，作為公共電極01(虛線標(biāo)注處)；對(duì)保留在數(shù)據(jù)線03(data line)上方區(qū)域的透明電極不進(jìn)行slit處理，作為無slit設(shè)計(jì)的屏蔽電極04(虛線標(biāo)注處)，該屏蔽電極04因具有穩(wěn)定的公共電壓(Vcom)而對(duì)耦合電容(Cpd)起到一定的屏蔽作用，但此區(qū)域無穩(wěn)定水平電場(chǎng)來控制液晶旋轉(zhuǎn)，不能正常顯示，需以彩膜基板側(cè)的遮光層(Black matrix，BM)遮擋，換言之，為了保證像素的開口率，屏蔽電極04的寬度不會(huì)太寬。但實(shí)際上，屏蔽電極04越寬，有穩(wěn)定的公共電壓供給的屏蔽電極04與其下方的像素電極02和data line 03均有較大的交疊面積，產(chǎn)生的屏蔽電容越強(qiáng)，可以有效屏蔽像素電極02和data line 03之間因相互耦合產(chǎn)生的耦合電容，從而改善因耦合電容過大導(dǎo)致的串?dāng)_(crosstalk)不良。反之，屏蔽電極04越窄，屏蔽電極04對(duì)像素電極02和data line 03之間的耦合作用屏蔽效果越差，加上工藝方面對(duì)位誤差的影響，極易發(fā)生嚴(yán)重的crosstalk不良。隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，顯示產(chǎn)品的分辨率(PPI)越來越高，屏蔽電極04的寬度也越來越窄，僅靠控制制程精度已經(jīng)難以有效改善因像素電極02和data line 03耦合產(chǎn)生的crosstalk不良。圖1b中的05為襯底基板，06為絕緣層，07為鈍化層。

因此，如何改善因像素電極和data line耦合產(chǎn)生的crosstalk不良，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置，可以有效屏蔽耦合電容，降低串?dāng)_不良風(fēng)險(xiǎn)。

因此，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括：襯底基板，設(shè)置在所述襯底基板上的多條相互交叉以界定像素區(qū)域的柵線和數(shù)據(jù)線，以及設(shè)置在所述襯底基板上的多條公共電極線；還包括：

設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線靠近所述襯底基板的一側(cè)且與所述公共電極線電性連接的補(bǔ)償電極；

在垂直于所述數(shù)據(jù)線延伸方向的方向上，所述補(bǔ)償電極在襯底基板上的正投影至少覆蓋位于相鄰兩個(gè)所述像素區(qū)域之間的所述數(shù)據(jù)線在襯底基板上的正投影。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，還包括：設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)且與所述公共電極線電性連接的屏蔽電極；

在垂直于所述數(shù)據(jù)線延伸方向的方向上，所述補(bǔ)償電極在襯底基板上的正投影至少覆蓋所述屏蔽電極在襯底基板上的正投影。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，還包括：設(shè)置在各所述像素區(qū)域內(nèi)且位于所述補(bǔ)償電極和屏蔽電極之間的第一透明電極；

所述補(bǔ)償電極在襯底基板上的正投影與所述第一透明電極在襯底基板上的正投影具有交疊區(qū)域。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述補(bǔ)償電極在襯底基板上的正投影與相鄰兩個(gè)所述第一透明電極在襯底基板上的正投影均具有交疊區(qū)域。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述補(bǔ)償電極的寬度為12μm至16μm。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述補(bǔ)償電極位于所述公共電極線靠近所述襯底基板的一側(cè)；或，

所述補(bǔ)償電極位于所述公共電極線遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，還包括：與所述屏蔽電極同層設(shè)置且與所述第一透明電極相互絕緣的第二透明電極。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述第一透明電極為公共電極，所述第二透明電極為像素電極；或，

所述第一透明電極為像素電極，所述第二透明電極為公共電極。

本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示面板，包括本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板。

本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述顯示面板。

本實(shí)用新型實(shí)施例的有益效果包括：

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置，包括：襯底基板，設(shè)置在襯底基板上的多條相互交叉以界定像素區(qū)域的柵線和數(shù)據(jù)線，以及設(shè)置在襯底基板上的多條公共電極線；還包括：設(shè)置在數(shù)據(jù)線靠近襯底基板的一側(cè)且與公共電極線電性連接的補(bǔ)償電極；在垂直于數(shù)據(jù)線延伸方向的方向上，補(bǔ)償電極在襯底基板上的正投影至少覆蓋位于相鄰兩個(gè)像素區(qū)域之間的數(shù)據(jù)線在襯底基板上的正投影。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板在不過分依賴于工藝制程精度的前提下，通過靜電屏蔽效應(yīng)，可以有效屏蔽耦合電容，降低串?dāng)_不良風(fēng)險(xiǎn)。

附圖說明

圖1a為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的俯視圖；

圖1b為圖1a沿A-A’方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2a為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板的俯視圖；

圖2b為圖2a沿B-B’方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板的等效電容示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板、顯示面板及顯示裝置的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)地說明。

其中，附圖中各膜層的厚度和形狀不反映陣列基板的真實(shí)比例，目的只是示意說明本實(shí)用新型內(nèi)容。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板，如圖2a和圖2b所示，包括：襯底基板1，設(shè)置在襯底基板1上的多條相互交叉以界定像素區(qū)域的柵線2和數(shù)據(jù)線3，以及設(shè)置在襯底基板1上的多條公共電極線4；還包括：

設(shè)置在數(shù)據(jù)線3靠近襯底基板1一側(cè)且與公共電極線4電性連接的補(bǔ)償電極5(即補(bǔ)償電極的輸入信號(hào)為穩(wěn)定的公共電極信號(hào)Vcom)；

在垂直于數(shù)據(jù)線3延伸方向的方向上，補(bǔ)償電極5在襯底基板1上的正投影至少覆蓋位于相鄰兩個(gè)像素區(qū)域之間的數(shù)據(jù)線3在襯底基板1上的正投影。

需要說明的是，圖2a中示出了補(bǔ)償電極5與公共電極線4直接電性連接，當(dāng)然，補(bǔ)償電極和公共電極線之間的連接方式也可以是其它方式，如可以通過過孔電性連接，或可以通過信號(hào)走線電性連接。對(duì)于補(bǔ)償電極和公共電極線之間的連接方式可以根據(jù)情況而定，在此不做限定。另外，需要說明的是，“在垂直于數(shù)據(jù)線3延伸方向的方向上，補(bǔ)償電極5在襯底基板1上的正投影至少覆蓋位于相鄰兩個(gè)像素區(qū)域之間的數(shù)據(jù)線3在襯底基板1上的正投影”，可以理解為補(bǔ)償電極5在襯底基板1上的正投影僅需滿足在其寬度方向上覆蓋數(shù)據(jù)線3在襯底基板1上的正投影即可，在其余方向上(如數(shù)據(jù)線延伸方向)無需滿足，在此不做限定。

在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板，包括：襯底基板，設(shè)置在襯底基板上的多條相互交叉以界定像素區(qū)域的柵線和數(shù)據(jù)線，以及設(shè)置在襯底基板上的多條公共電極線；還包括：設(shè)置在數(shù)據(jù)線靠近襯底基板的一側(cè)且與公共電極線電性連接的補(bǔ)償電極；在垂直于數(shù)據(jù)線延伸方向的方向上，補(bǔ)償電極在襯底基板上的正投影至少覆蓋位于相鄰兩個(gè)像素區(qū)域之間的數(shù)據(jù)線在襯底基板上的正投影。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板在不過分依賴于工藝制程精度的前提下，由于在垂直于數(shù)據(jù)線延伸方向的方向上，補(bǔ)償電極在襯底基板上的正投影至少覆蓋位于相鄰兩個(gè)像素區(qū)域之間的數(shù)據(jù)線在襯底基板上的正投影，又由于補(bǔ)償電極的輸入信號(hào)為穩(wěn)定的公共電極信號(hào)Vcom，即補(bǔ)償電極的電荷分布穩(wěn)定，而數(shù)據(jù)線的電壓會(huì)發(fā)生變化，這使得補(bǔ)償電極與數(shù)據(jù)線之間產(chǎn)生了屏蔽電容，通過靜電屏蔽效應(yīng)，可以拉動(dòng)數(shù)據(jù)線的電荷分布，促使數(shù)據(jù)線的電荷重新分布，趨于穩(wěn)定，進(jìn)而可以有效屏蔽耦合電容，降低串?dāng)_不良風(fēng)險(xiǎn)。

在具體實(shí)施時(shí)，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，為了能夠進(jìn)一步有效屏蔽耦合電容，如圖2a和圖2b所示，該陣列基板還可以包括：設(shè)置在數(shù)據(jù)線3遠(yuǎn)離襯底基板1一側(cè)且與公共電極線4電性連接的屏蔽電極6(即屏蔽電極的輸入信號(hào)為穩(wěn)定的公共電極信號(hào)Vcom)；在垂直于數(shù)據(jù)線3延伸方向的方向上，補(bǔ)償電極5在襯底基板1上的正投影至少覆蓋屏蔽電極6在襯底基板1上的正投影，即如圖2b所示，補(bǔ)償電極5的寬度可以大于或等于屏蔽電極6的寬度。由于屏蔽電極和補(bǔ)償電極的輸入信號(hào)均為穩(wěn)定的公共電極信號(hào)Vcom，電荷分布均為穩(wěn)定的狀態(tài)，通過屏蔽電極和補(bǔ)償電極的共同作用，使得屏蔽電極和補(bǔ)償電極分別與數(shù)據(jù)線之間產(chǎn)生了屏蔽電容，通過靜電屏蔽效應(yīng)，可以拉動(dòng)數(shù)據(jù)線的電荷分布，促使數(shù)據(jù)線的電荷重新分布，趨于穩(wěn)定，進(jìn)而可以進(jìn)一步有效屏蔽耦合電容，降低串?dāng)_不良風(fēng)險(xiǎn)。需要說明的是，圖2a中雖未示出屏蔽電極6與公共電極線4之間的連接方式，但可以是多種方式，如可以通過過孔電性連接，或可以通過信號(hào)走線電性連接，對(duì)于屏蔽電極和公共電極線之間的連接方式可以根據(jù)情況而定，在此不做限定。另外，需要說明的是，“在垂直于數(shù)據(jù)線3延伸方向的方向上，補(bǔ)償電極5在襯底基板1上的正投影至少覆蓋屏蔽電極6在襯底基板1上的正投影”，可以理解為補(bǔ)償電極5在襯底基板1上的正投影僅需滿足在其寬度方向上覆蓋屏蔽電極6在襯底基板1上的正投影即可，在其余方向上(如數(shù)據(jù)線延伸方向)無需滿足，在此不做限定。

在具體實(shí)施時(shí)，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖2a和圖2b所示，該陣列基板還可以包括：設(shè)置在各像素區(qū)域內(nèi)且位于補(bǔ)償電極5和屏蔽電極6之間的第一透明電極7；補(bǔ)償電極5在襯底基板1上的正投影與第一透明電極7在襯底基板1上的正投影具有交疊區(qū)域。由于補(bǔ)償電極在襯底基板上的正投影與第一透明電極在襯底基板上的正投影具有交疊區(qū)域，又由于補(bǔ)償電極的輸入信號(hào)為穩(wěn)定的公共電極信號(hào)Vcom，即補(bǔ)償電極的電荷分布穩(wěn)定，而在數(shù)據(jù)線的電壓發(fā)生變化的同時(shí)，會(huì)帶動(dòng)第一透明電極的電荷分布發(fā)生變化，這使得補(bǔ)償電極與第一透明電極之間產(chǎn)生了屏蔽電容，該屏蔽電容較強(qiáng)時(shí)，通過靜電屏蔽效應(yīng)，可以拉動(dòng)第一透明電極的電荷分布，保持第一透明電極的電荷分布的穩(wěn)定性，進(jìn)而可以有效屏蔽第一透明電極與數(shù)據(jù)線之間的耦合電容，改善因第一透明電極與數(shù)據(jù)線相互耦合產(chǎn)生的串?dāng)_不良。

進(jìn)一步地，在具體實(shí)施時(shí)，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖2a和圖2b所示，補(bǔ)償電極5在襯底基板1上的正投影與相鄰兩個(gè)第一透明電極7在襯底基板1上的正投影均具有交疊區(qū)域，即補(bǔ)償電極5的兩端分別延伸至像素區(qū)域，這樣可以使補(bǔ)償電極與相鄰兩個(gè)第一透明電極之間均產(chǎn)生屏蔽電容，通過靜電屏蔽效應(yīng)，可以拉動(dòng)相鄰兩個(gè)第一透明電極的電荷分布，保持相鄰兩個(gè)第一透明電極的電荷分布的穩(wěn)定性，進(jìn)而可以進(jìn)一步有效屏蔽相鄰兩個(gè)第一透明電極分別與數(shù)據(jù)線之間的耦合電容，進(jìn)而改善因相鄰兩個(gè)第一透明電極與數(shù)據(jù)線相互耦合產(chǎn)生的串?dāng)_不良。

具體地，以圖2b中的陣列基板為例，如圖3所示，相鄰兩個(gè)第一透明電極7分別與數(shù)據(jù)線3之間具有耦合電容C1和C2，此時(shí)若工藝制程發(fā)生對(duì)位偏差導(dǎo)致第一透明電極7和數(shù)據(jù)線3之間的距離縮短，耦合電容C1或耦合電容C2的耦合效應(yīng)將大大增強(qiáng)，極易發(fā)生串?dāng)_不良；而屏蔽電極6與相鄰兩個(gè)第一透明電極7之間具有屏蔽電容C3和C4，屏蔽電極6與數(shù)據(jù)線3之間具有屏蔽電容C5，由于為了保證像素的開口率，屏蔽電極6的寬度不會(huì)太寬(一般約為8μm至12μm)，屏蔽電極6與第一透明電極7的交疊面積過小，屏蔽電容C3和C4的屏蔽效應(yīng)較弱，對(duì)第一透明電極7的電荷分布的影響不大，因此無法有效屏蔽耦合電容C1或耦合電容C2；而添加了補(bǔ)償電極5相當(dāng)于增加了補(bǔ)償電極5與相鄰兩個(gè)第一透明電極7之間的屏蔽電容C6和C7，以及補(bǔ)償電極5與數(shù)據(jù)線3之間的屏蔽電容C8，由于與補(bǔ)償電極5與第一透明電極7的交疊面積較大，屏蔽電容C6和C7的屏蔽能力強(qiáng)于屏蔽電容C3和C4，可以保持相鄰兩個(gè)第一透明電極7的電荷分布的穩(wěn)定性，有效屏蔽耦合電容C1或耦合電容C2，并且對(duì)位精度對(duì)其影響很小。因此，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板，在不過分依賴于工藝制程精度的前提下，可以有效改善串?dāng)_不良，高PPI產(chǎn)品尤為適用。

在具體實(shí)施時(shí)，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，當(dāng)補(bǔ)償電極選擇為透明電極材料時(shí)，由于無需考慮像素開口率這一因素，補(bǔ)償電極的寬度可以設(shè)置為12μm至16μm。一般地，屏蔽電極的寬度會(huì)設(shè)置在8μm至12μm，這樣可以確保補(bǔ)償電極在襯底基板上的正投影至少覆蓋屏蔽電極在襯底基板上的正投影。

在具體實(shí)施時(shí)，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，補(bǔ)償電極可以位于公共電極線靠近襯底基板的一側(cè)；或，補(bǔ)償電極可以位于公共電極線遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)。具體地，在陣列基板的制作工藝中，具體步驟可以包括以下兩種方式：

第一種實(shí)施方式：首先在襯底基板上，通過構(gòu)圖工藝(即曝光顯影刻蝕等)形成柵線和公共電極線，然后在待形成的數(shù)據(jù)線靠近襯底基板的一側(cè)通過構(gòu)圖工藝形成補(bǔ)償電極的圖形，并且該補(bǔ)償電極與公共電極線直接搭接在一起；

第二種實(shí)施方式：首先在襯底基板上，通過構(gòu)圖工藝(即曝光顯影刻蝕等)在待形成的數(shù)據(jù)線靠近襯底基板的一側(cè)通過構(gòu)圖工藝形成補(bǔ)償電極的圖形，然后通過構(gòu)圖工藝在形成有補(bǔ)償電極圖形的襯底基板上形成柵線和公共電極線，并確保補(bǔ)償電極與公共電極線直接搭接在一起。

第二種實(shí)施方式與第一種實(shí)施方式相比，第二種實(shí)施方式較佳，補(bǔ)償電極的平坦性較好，當(dāng)補(bǔ)償電極的膜層較薄時(shí)，與公共電極線的搭接處不易產(chǎn)生裂縫(crack)。需要說明的是，上述制作方式的步驟僅為舉例，還可以是其它步驟或包含其他步驟，在此不做限定。

在具體實(shí)施時(shí)，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖2a和圖2b所示，該陣列基板還可以還包括：與屏蔽電極6同層設(shè)置且與第一透明電極7相互絕緣的第二透明電極8(虛線標(biāo)注處)，這樣，在制備陣列基板時(shí)不需要增加額外的制備工序，只需要通過一次構(gòu)圖工藝即可形成屏蔽電極6和第二透明電極8的圖形，能夠節(jié)省制備成本，提升產(chǎn)品附加值；優(yōu)選地，可以在陣列基板上覆蓋一層透明電極層薄膜，對(duì)位于像素區(qū)域內(nèi)的透明電極層薄膜進(jìn)行slit處理，作為第二透明電極8，對(duì)保留在數(shù)據(jù)線3上方區(qū)域的透明電極層薄膜不進(jìn)行slit處理，作為無slit設(shè)計(jì)的屏蔽電極6。

進(jìn)一步地，在具體實(shí)施時(shí)，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，當(dāng)?shù)谝煌该麟姌O為公共電極時(shí)，則第二透明電極可以為像素電極，此時(shí)公共電極為板狀電極，像素電極可以為狹縫電極；或，當(dāng)?shù)谝煌该麟姌O為像素電極時(shí)，則第二透明電極可以為公共電極，此時(shí)像素電極為板狀電極，公共電極可以為狹縫電極。

在具體實(shí)施時(shí)，如圖2b所示，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板中一般還會(huì)具有諸如絕緣層9、鈍化層10等其他膜層結(jié)構(gòu)，以及在襯底基板上還一般形成如薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)，這些具體結(jié)構(gòu)可以有多種實(shí)現(xiàn)方式，在此不做限定。

基于同一實(shí)用新型構(gòu)思，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示面板，包括本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板。

基于同一實(shí)用新型構(gòu)思，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述顯示面板，該顯示裝置可以為：手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。對(duì)于該顯示裝置的其它必不可少的組成部分均為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解具有的，在此不做贅述，也不應(yīng)作為對(duì)本實(shí)用新型的限制。該顯示裝置的實(shí)施可以參見上述顯示面板或陣列基板的實(shí)施例，重復(fù)之處不再贅述。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置，包括：襯底基板，設(shè)置在襯底基板上的多條相互交叉以界定像素區(qū)域的柵線和數(shù)據(jù)線，以及設(shè)置在襯底基板上的多條公共電極線；還包括：設(shè)置在數(shù)據(jù)線靠近襯底基板的一側(cè)且與公共電極線電性連接的補(bǔ)償電極；在垂直于數(shù)據(jù)線延伸方向的方向上，補(bǔ)償電極在襯底基板上的正投影至少覆蓋位于相鄰兩個(gè)像素區(qū)域之間的數(shù)據(jù)線在襯底基板上的正投影。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板在不過分依賴于工藝制程精度的前提下，通過靜電屏蔽效應(yīng)，可以有效屏蔽耦合電容，降低串?dāng)_不良風(fēng)險(xiǎn)。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。