本實(shí)用新型涉及光通信技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種用于具有傾斜光纖端面的光纖裸露型光纖陣列的基板。

背景技術(shù)：

具有傾斜光纖端面的光纖裸露型光纖陣列廣泛應(yīng)用于并行光電收發(fā)模塊，有源光纜產(chǎn)品中。在此類應(yīng)用中，需要將光纖裸露型光纖陣列的裸光纖部分前端研磨成一定角度（一般研磨成42°、45°或48°），來實(shí)現(xiàn)對(duì)光信號(hào)的90°轉(zhuǎn)向?，F(xiàn)有一般的方法是將裸光纖排入基板，將蓋板壓在裸光纖上，并使裸光纖伸出基板及蓋板前端，再點(diǎn)紫外膠固化，然后用石蠟滴注在伸出的裸光纖上使裸光纖與基板和蓋板形成一個(gè)整體形成光纖陣列半成品，將制作好的光纖陣列半成品裝進(jìn)研磨夾具后放入研磨設(shè)備的研磨盤上對(duì)該整體進(jìn)行角度研磨，研磨過程中需往研磨盤上滴入研磨砂，研磨完成后用清洗劑將石蠟清洗干凈，形成一個(gè)光纖裸露型光纖陣列。該方法雖然可以實(shí)現(xiàn)具有傾斜光纖端面的光纖裸露型光纖陣列的制作，但是由于研磨過程中石蠟和裸光纖與研磨盤直接接觸，研磨夾具的重力、研磨砂的摩擦力以及不可控外力均容易導(dǎo)致裸光纖部分連同石蠟一起發(fā)生脫落或斷裂，導(dǎo)致產(chǎn)品報(bào)廢。采用該方法制作光纖陣列報(bào)廢率偏高，材料損耗大，制作成本高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決具有傾斜光纖端面的光纖裸露型光纖陣列制作過程報(bào)廢率偏高，材料損耗大，制作成本高的問題，本實(shí)用新型提供一種用于具有傾斜光纖端面的光纖裸露型光纖陣列基板。

為解決上述問題，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是：

一種用于具有傾斜光纖端面的光纖裸露型光纖陣列的基板，包括平臺(tái)結(jié)構(gòu)、刻槽結(jié)構(gòu)和壓力分散結(jié)構(gòu)，所述刻槽結(jié)構(gòu)位于平臺(tái)結(jié)構(gòu)和壓力分散結(jié)構(gòu)之間，且所述刻槽結(jié)構(gòu)上表面高于壓力分散結(jié)構(gòu)和平臺(tái)結(jié)構(gòu)的上表面，所述刻槽結(jié)構(gòu)表面有刻槽。

進(jìn)一步，所述刻槽結(jié)構(gòu)的刻槽為V型槽或U型槽。

進(jìn)一步，所述刻槽結(jié)構(gòu)與壓力分散結(jié)構(gòu)的高度差大于0.15mm。

進(jìn)一步，所述刻槽結(jié)構(gòu)與壓力分散結(jié)構(gòu)的高度差為0.2mm。

進(jìn)一步，所述刻槽結(jié)構(gòu)與平臺(tái)結(jié)構(gòu)的高度差大于0.25mm。

進(jìn)一步，所述刻槽結(jié)構(gòu)與平臺(tái)結(jié)構(gòu)的高度差為0.29mm。

進(jìn)一步，所述壓力分散結(jié)構(gòu)的形狀為矩形、或梯形、或球形。

進(jìn)一步，所述壓力分散結(jié)構(gòu)長(zhǎng)度大于0.2mm。

進(jìn)一步，所述壓力分散結(jié)構(gòu)長(zhǎng)度為0.4mm。

進(jìn)一步，所述平臺(tái)結(jié)構(gòu)與刻槽結(jié)構(gòu)的連接處設(shè)有斜面，所述斜面角度為30°至60°。

進(jìn)一步，所述斜面角度為45°。

本實(shí)用新型的有益效果是，由于設(shè)計(jì)了基板前段的壓力分散結(jié)構(gòu)，使得在研磨過程中基板前段壓力分散結(jié)構(gòu)與研磨盤直接接觸，減小石蠟與裸光纖的受力，從而降低制作過程報(bào)廢率，減少材料損耗，降低制作成本。

附圖說明

圖1 為本實(shí)用新型一種用于具有傾斜光纖端面的光纖裸露型光纖陣列的基板俯視圖；

圖2為本實(shí)用新型一種用于具有傾斜光纖端面的光纖裸露型光纖陣列的基板側(cè)視圖；

圖中各標(biāo)號(hào)所代表的部件列表如下：1基板，11平臺(tái)結(jié)構(gòu)，12刻槽結(jié)構(gòu)，13壓力分散結(jié)構(gòu)。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。

如圖1、圖2所示，一種用于具有傾斜光纖端面的光纖裸露型光纖陣列的基板，包括平臺(tái)結(jié)構(gòu)11、刻槽結(jié)構(gòu)12和壓力分散結(jié)構(gòu)13，所述刻槽結(jié)構(gòu)12位于平臺(tái)結(jié)構(gòu)11和壓力分散結(jié)構(gòu)13之間，且所述刻槽結(jié)構(gòu)12上表面高于壓力分散結(jié)構(gòu)13和平臺(tái)結(jié)構(gòu)11的上表面，所述刻槽結(jié)構(gòu)22表面有刻槽。

刻槽結(jié)構(gòu)12的刻槽為V型槽或U型槽。

刻槽結(jié)構(gòu)12與壓力分散結(jié)構(gòu)13的高度差大于0.15mm，該高度差在0.2mm是較佳選擇。

刻槽結(jié)構(gòu)12與平臺(tái)結(jié)構(gòu)11的高度差大于0.25mm，較為典型的高度差在0.29mm。

基板前段的壓力分散結(jié)構(gòu)13的形狀為矩形、或梯形、或球形以及其他不規(guī)則形狀。

基板前段的壓力分散結(jié)構(gòu)13的寬度與基板寬度一致，長(zhǎng)度大于0.2mm，考慮制作效率因素，壓力分散結(jié)構(gòu)13長(zhǎng)度為0.4mm較佳。

平臺(tái)結(jié)構(gòu)11與刻槽結(jié)構(gòu)12的連接處設(shè)有斜面，所述斜面角度為30°至60°，較為典型的斜面角度為45°。

應(yīng)用本實(shí)用新型提供的基板制作具有傾斜光纖端面的光纖裸露型光纖陣列的方法如下：

1）將光纖的一端用光纖熱剝鉗進(jìn)行剝纖操作，去除光纖一端的包覆層形成去除包覆層的裸光纖部分，另外一端為帶包覆層的光纖部分。

2）將裸光纖排入基板中段刻槽結(jié)構(gòu)12的刻槽中，裸光纖端面伸出基板前段壓力分散結(jié)構(gòu)13。

3）將蓋板壓在基板中段刻槽結(jié)構(gòu)12上方的裸光纖上，蓋板與基板中段的刻槽結(jié)構(gòu)12尾端平齊，所述尾端方向?yàn)榕c基板前段的壓力分散結(jié)構(gòu)相反的方向。

4）將紫外膠從蓋板的尾端、基板中段刻槽結(jié)構(gòu)12與基板后段平臺(tái)結(jié)構(gòu)11的交界區(qū)域滴入，紫外固化膠緩慢滲透充滿全部蓋板下表面區(qū)域，用紫外燈對(duì)紫外膠進(jìn)行固化。

5）將石蠟融化后滴在基板前段的壓力分散結(jié)構(gòu)13上方的裸光纖處上，使得蓋板前端伸出裸光纖部分與基板前段的壓力分散結(jié)構(gòu)13在石蠟的組合下形成一個(gè)整體。

6）將光纖陣列裝配進(jìn)特定角度設(shè)計(jì)的研磨夾具中，進(jìn)行研磨拋光。光纖陣列基板底部與夾具側(cè)面平面需完全接觸。

7）將研磨拋光后的光纖裸露型光纖陣列進(jìn)行超聲波清洗，去除石蠟。

以上所述為本實(shí)用新型的最佳實(shí)施例，并非對(duì)本實(shí)用新型作任何形式上的限制，凡是依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。