本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示面板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

液晶顯示器具有低輻射、體積小以及低能耗等優(yōu)點(diǎn)，其已經(jīng)逐漸取代傳統(tǒng)的陰極射線管顯示器而廣泛地應(yīng)用在平板電視、個(gè)人電腦以及其它便攜式產(chǎn)品上。

通常情況下，顯示面板中的每個(gè)像素包括三個(gè)子像素(例如，R、G、B)，每個(gè)子像素均由一條掃描線(gate line)和一條數(shù)據(jù)線(source line)進(jìn)行控制。因此，一個(gè)分辨率為M×N的顯示面板，就需要配置M條掃描線和3N條數(shù)據(jù)線。

然而，一方面，顯示面板正向越大和越小兩個(gè)方向發(fā)展，而對(duì)于小尺寸的液晶顯示面板來說，由于受到空間的限制，通常在這類液晶顯示面板中只能配置一個(gè)驅(qū)動(dòng)芯片。而另一方面，隨著顯示面板分辨率的提高，顯示面板中所包含的子像素的數(shù)量也越來越多。因此，在空間有限的情況下，通常采用多路分用(DEMUX)電路來減少驅(qū)動(dòng)芯片的輸出管腳數(shù)。

DEMUX電路包括多個(gè)多路分用開關(guān)，通過對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片的至少一個(gè)輸出通道的數(shù)據(jù)電壓進(jìn)行時(shí)分，然后將數(shù)據(jù)電壓提供給多個(gè)數(shù)據(jù)線(實(shí)現(xiàn)對(duì)所連接子像素的充電)。例如，1：2、1：3、1：6、2：6、2：12等。通過響應(yīng)于多路分用控制信號(hào)驅(qū)動(dòng)的多路分用開關(guān)的切換操作來執(zhí)行多路分用切換電路的時(shí)分操作。

然而，現(xiàn)有技術(shù)的顯示面板中，采用DEMUX電路后，在子像素的實(shí)際充電過程中，在開關(guān)元件截止之后，數(shù)據(jù)線上的殘留數(shù)據(jù)電壓會(huì)繼續(xù)對(duì)子像素充電，但是對(duì)于同一幀周期中的最后一個(gè)子像素，由于數(shù)據(jù)線的殘留電壓對(duì)該子像素的充電時(shí)間較短(與同一幀周期的其他子像素相比)，該子像素充電不足，存在同一幀周期的各個(gè)子像素充電差異大的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷或不足，期望提供一種顯示面板及顯示裝置，以期解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題。

根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)方面，提供了一種顯示面板，包括：多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線，多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線絕緣交叉設(shè)置；多條數(shù)據(jù)信號(hào)線；多條多路分用控制線；以及多路分用電路，用于基于多路分用控制線的信號(hào)將數(shù)據(jù)信號(hào)線上的數(shù)據(jù)電壓信號(hào)分時(shí)提供給各數(shù)據(jù)線。其中，多路分用電路包括多個(gè)多路分用開關(guān)單元，每個(gè)多路分用開關(guān)單元包括多個(gè)晶體管開關(guān)；每條多路分用控制線與每個(gè)多路分用開關(guān)單元中的至少一個(gè)晶體管開關(guān)的柵極電連接；晶體管開關(guān)的第一極與數(shù)據(jù)信號(hào)線電連接，晶體管開關(guān)的第二極與數(shù)據(jù)線電連接；在一個(gè)幀周期中，同一個(gè)多路分用開關(guān)單元中最后一個(gè)導(dǎo)通的晶體管開關(guān)的溝道寬長比大于該多路分用開關(guān)單元中其他晶體管開關(guān)的溝道寬長比。

在一些實(shí)施例中，顯示面板包括彼此相對(duì)設(shè)置的陣列基板和彩膜基板，以及設(shè)置在陣列基板和彩膜基板之間的液晶層。其中，多路分用電路設(shè)置在陣列基板上，多路分用控制線設(shè)置在陣列基板上或彩膜基板上，數(shù)據(jù)信號(hào)線設(shè)置在陣列基板上或彩膜基板上。

在一些實(shí)施例中，陣列基板具有顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的邊框區(qū)域。其中，多路分用電路設(shè)置在邊框區(qū)域。

在一些實(shí)施例中，晶體管開關(guān)為薄膜晶體管。

在一些實(shí)施例中，晶體管開關(guān)包括有源層。其中，有源層由低溫多晶硅構(gòu)成。

在一些實(shí)施例中，在一個(gè)幀周期中，同一個(gè)多路分用開關(guān)單元中除最后一個(gè)導(dǎo)通的晶體管開關(guān)之外的其他多個(gè)晶體管開關(guān)中，晶體管開關(guān)的溝道寬長比是相同的。

在一些實(shí)施例中，在一個(gè)幀周期中，同一個(gè)多路分用開關(guān)單元中除最后一個(gè)導(dǎo)通的晶體管開關(guān)之外的其他多個(gè)晶體管開關(guān)中，至少兩個(gè)晶體管開關(guān)的溝道寬長比是不同的。

在一些實(shí)施例中，在一個(gè)幀周期中，同一個(gè)多路分用開關(guān)單元中任意兩個(gè)相鄰的晶體管開關(guān)中，先導(dǎo)通的晶體管開關(guān)的溝道寬長比小于后導(dǎo)通的晶體管開關(guān)的溝道寬長比。

在一些優(yōu)選的實(shí)施例中，每個(gè)多路分用開關(guān)單元包括六個(gè)晶體管開關(guān)。其中，在同一個(gè)幀周期中，在同一個(gè)多路分用開關(guān)單元中最后一個(gè)導(dǎo)通的晶體管開關(guān)的溝道寬長比是該多路分用開關(guān)單元中其他五個(gè)晶體管開關(guān)的溝道寬長比的3倍。

根據(jù)本申請(qǐng)的另一方面還提供了一種顯示裝置，包括如上的顯示面板。

本申請(qǐng)?zhí)峁┑姆桨?，通過采用非對(duì)稱設(shè)計(jì)，使得在一個(gè)幀周期中，同一個(gè)多路分用開關(guān)單元中最后一個(gè)導(dǎo)通的晶體管開關(guān)的溝道寬長比大于該多路分用開關(guān)單元中其他晶體管開關(guān)的溝道寬長比，實(shí)現(xiàn)同一個(gè)幀周期中最后一個(gè)被充電的子像素具有與該幀周期中的其他子像素一致的充電效果。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖所作的對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本申請(qǐng)的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯：

圖1示出了晶體管開關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2A示出了本申請(qǐng)的顯示面板的一個(gè)實(shí)施例的示意性結(jié)構(gòu)圖；

圖2B示出了圖2A的顯示面板的局部示意圖；

圖3示出了具有六路分用電路的顯示面板的工作時(shí)序示意圖；

圖4A示出了具有相同溝道寬長比的晶體管開關(guān)的六路分用電路的顯示面板的子像素充電電壓時(shí)序示意圖；

圖4B示出了圖2A的顯示面板的子像素充電電壓時(shí)序示意圖；

圖5A示出了本申請(qǐng)的顯示面板的另一實(shí)施例的示意性結(jié)構(gòu)圖；

圖5B示出了本申請(qǐng)的顯示面板的又一實(shí)施例的示意性結(jié)構(gòu)圖；

圖6A示出了本申請(qǐng)的顯示面板的一個(gè)實(shí)施例的多路分用開關(guān)單元的示意性結(jié)構(gòu)圖；

圖6B示出了本申請(qǐng)的顯示面板的另一實(shí)施例的多路分用開關(guān)單元的示意性結(jié)構(gòu)圖；

圖7示出了本申請(qǐng)的顯示裝置的一個(gè)實(shí)施例的示意性結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步的詳細(xì)說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋相關(guān)發(fā)明，而非對(duì)該發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與有關(guān)發(fā)明相關(guān)的部分。

需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本申請(qǐng)。

圖1示出了晶體管開關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖。

如圖1所示，晶體管開關(guān)100包括柵極103、源極101和漏極102。其中，源極101和漏極102之間形成導(dǎo)電溝道(未示出)，源極101和漏極102之間的距離為溝道的長度L，源極101/漏極102垂直于長度L方向的寬度為溝道的寬度W。

繼續(xù)參考圖2A和圖2B，圖2A示出了本申請(qǐng)的顯示面板的一個(gè)實(shí)施例的示意性結(jié)構(gòu)圖，圖2B示出了圖2A的顯示面板的局部示意圖。

下面結(jié)合圖2A和圖2B對(duì)本實(shí)施例的顯示面板進(jìn)行描述。

如圖2A所示，顯示面板200包括：多條沿第一方向D1延伸的數(shù)據(jù)線S1～Sn和多條沿第二方向D2延伸的掃描線G1～Gm，且多條數(shù)據(jù)線S1～Sn和多條掃描線G1～Gm絕緣交叉地設(shè)置；多條數(shù)據(jù)信號(hào)線DATA1～DATAb；多條多路分用控制線CK1～CKa；以及多路分用控制電路22，用于基于多路分用控制線的信號(hào)將所述數(shù)據(jù)信號(hào)線上的數(shù)據(jù)電壓信號(hào)分時(shí)提供給各數(shù)據(jù)線。多路分用控制電路22包括多個(gè)多路分用開關(guān)單元221～22k。其中，m、n、a、b、k均為大于1的整數(shù)。

如圖2B所示，多路分用開關(guān)單元221包括多個(gè)晶體管開關(guān)，作為示意，圖2B示出的多路分用開關(guān)單元221包括六個(gè)晶體管開關(guān)T11～T16，晶體管開關(guān)T11～T16的溝道寬長比分別為W₁/L₁、W₂/L₂、W₃/L₃、W₄/L₄、W₅/L₅、W₆/L₆。

其中，每條多路分用控制線(例如，CK1)與每個(gè)多路分用開關(guān)單元中的至少一個(gè)晶體管開關(guān)(例如，在多路分用開關(guān)單元221中的晶體管開關(guān)T11)的柵極電連接，晶體管開關(guān)的第一極與數(shù)據(jù)信號(hào)線(例如，DATA1)電連接各晶體管開關(guān)的第二極分別與數(shù)據(jù)線S1～Sn電連接。

在一個(gè)幀周期中，響應(yīng)于多路分用控制信號(hào)的切換操作，多路分用開關(guān)單元221中的多個(gè)晶體管開關(guān)T11～T16逐個(gè)導(dǎo)通，例如，按照T11～T16的順序，晶體管開關(guān)T11第一個(gè)導(dǎo)通，晶體管開關(guān)T16最后一個(gè)導(dǎo)通。其中，晶體管開關(guān)T16的溝道寬長比W₆/L₆大于其他晶體管開關(guān)T11～T15的溝道寬長比。

由晶體管開關(guān)的特性可知，源、漏極之間的電流與溝道寬長比成正比，即，溝道寬長比越大，源、漏極之間的電流也越大。采用了上述設(shè)計(jì)的多路分用開關(guān)單元221，由于晶體管開關(guān)T16的溝道寬長比大于晶體管開關(guān)T11～T15的溝道寬長比，也就是說，晶體管開關(guān)T16這一通路的數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)子像素的充電能力大大提高，因此，在同一個(gè)幀周期中給子像素充電時(shí)，盡管晶體管開關(guān)T16最后一個(gè)導(dǎo)通并與晶體管開關(guān)T11～T15一起截止使得最后一個(gè)被充電的子像素的充電時(shí)間較短，但是充電能力的提高有效彌補(bǔ)了這一缺陷，使該子像素在較短的時(shí)間內(nèi)較快地被充電，并達(dá)到與該幀周期中其他子像素一致的充電效果，削弱了子像素間的充電差異，改善了顯示面板200的顯示效果。

需要說明的是，雖然在圖2A和圖2B中示出了與每個(gè)多路分用開關(guān)單元連接的數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)信號(hào)線和多路分用控制線的數(shù)量以及每個(gè)多路分用開關(guān)單元中包含的晶體管開關(guān)的數(shù)量，但這僅僅是示意性的。可以理解的是，上述數(shù)量可以是任意合適的數(shù)量。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場景的需求來設(shè)置，例如，將數(shù)據(jù)信號(hào)線增加為兩條、每個(gè)多路分用開關(guān)單元包括三個(gè)晶體管開關(guān)或者將多路分用控制線減少為兩條，只要形成多路分用的邏輯關(guān)系即可。

此外，本實(shí)施例的顯示面板200還包括顯示區(qū)域23和圍繞顯示區(qū)域23的邊框區(qū)域，多路分用電路22設(shè)置在邊框區(qū)域中。

例如，當(dāng)由集成電路(未示出)來向數(shù)據(jù)信號(hào)線DATA1～DATAb提供數(shù)據(jù)信號(hào)時(shí)，可以將多路分用電路22設(shè)置在與集成電路同側(cè)的邊框區(qū)域中。這樣，既可簡化集成電路與數(shù)據(jù)信號(hào)線之間的走線設(shè)計(jì)，還可利用多路分用開關(guān)單元221中由于溝道寬長比不同產(chǎn)生的區(qū)域進(jìn)行其他的版圖設(shè)計(jì)，使顯示面板200的版圖布局更加緊湊。

下面，將結(jié)合圖3、4A和圖4B來對(duì)本實(shí)施例的顯示面板進(jìn)行進(jìn)一步描述，以使本實(shí)施例的顯示面板的技術(shù)效果更加明確。

其中，圖3示出了具有六路分用電路的顯示面板的工作時(shí)序示意圖；圖4A示出了現(xiàn)有技術(shù)中具有相同溝道寬長比的晶體管開關(guān)的六路分用電路的顯示面板的子像素充電電壓時(shí)序示意圖，圖4B示出了圖2A的顯示面板的子像素充電電壓時(shí)序示意圖。

作為示意，在圖3所示的一個(gè)幀周期中，分時(shí)向多路分用單元221的六個(gè)晶體管T11～T16提供數(shù)據(jù)信號(hào)電壓(例如，5.0v)；圖4A所示的顯示面板的六路分用電路的晶體管開關(guān)的溝道寬長比為W/L(例如，120μm/4μm)。

如圖3所示，在一個(gè)幀周期中，掃描線G1提供選通信號(hào)，多路分用控制線CK1～CK6依次提供選通信號(hào)，多路分用開關(guān)單元221中的晶體管開關(guān)T11～T16依次選通，數(shù)據(jù)信號(hào)線提供的數(shù)據(jù)信號(hào)電壓經(jīng)由晶體管開關(guān)T11～T16依次提供到數(shù)據(jù)線S1～S6，并為所連接的子像素充電。

如圖4A所示，在一個(gè)幀周期中，響應(yīng)于掃描線G1、多路分用控制線CK1～CK6的分時(shí)切換，子像素Pixel1～Pixel6依次被充電；其中，子像素Pixel1～Pixel6分別與數(shù)據(jù)線S1～S6電連接。

具體地，在一個(gè)幀周期中，掃描線G1提供選通信號(hào)，掃描線G1對(duì)應(yīng)的一整行子像素被選通。當(dāng)多路分用控制線CK1提供選通信號(hào)時(shí)，晶體管開關(guān)T11導(dǎo)通，數(shù)據(jù)信號(hào)電壓經(jīng)由晶體管開關(guān)T11、數(shù)據(jù)線S1以及子像素Pixel1內(nèi)的薄膜晶體管給子像素Pixel1充電；當(dāng)多路分用控制線CK1提供的選通信號(hào)轉(zhuǎn)換為截止信號(hào)時(shí)，晶體管開關(guān)T11截止，使數(shù)據(jù)信號(hào)電壓與子像素Pixel1的連接斷開，但是由于數(shù)據(jù)線S1的殘留電壓仍然高于子像素Pixel1的電壓，因此子像素Pixel1繼續(xù)被數(shù)據(jù)線S1的殘留電壓充電。同樣地，子像素Pixel2～Pixel6也依次被充電。

然而，對(duì)于子像素Piexl6而言，由于其是該幀周期中最后一個(gè)被充電的子像素，當(dāng)多路分用控制線CK6提供的選通信號(hào)轉(zhuǎn)換為截止信號(hào)后，掃描線G1提供的選通信號(hào)也轉(zhuǎn)換為截止信號(hào)，從而使數(shù)據(jù)線S6與子像素Pixel6的連接也斷開，即子像素Pixel6被數(shù)據(jù)線S6上的殘留電壓充電的時(shí)間不足，導(dǎo)致子像素Pixel6只能被充到4.72v左右，充電率不足95％(4.72v/5.0v＝94.4％)，而子像素Pixel1～Pixel5可被充到4.95v，充電率為99％(4.95v/5.0v＝99％)。

因此，子像素Pixel6與Pixel1～Pixel5之間存在明顯的充電差異，影響顯示面板的顯示質(zhì)量。

為了改善同一個(gè)幀周期中的各個(gè)子像素(Pixel6與Pixel1～Pixel5)的這種充電差異，在本實(shí)施例中，對(duì)上述多路分用開關(guān)單元221中的晶體管開關(guān)T11～T16采用非對(duì)稱設(shè)計(jì)，即：增大晶體管開關(guān)T16的溝道寬長比W₆/L₆，同時(shí)減小晶體管開關(guān)T11～T15的溝道寬長比W₁/L₁(作為示意，晶體管開關(guān)T11～T15具有相同的溝道寬長比)。

表一示出了增大晶體管開關(guān)T16的溝道寬長比W₆/L₆并且減小晶體管開關(guān)T11～T15的溝道寬長比W₁/L₁時(shí)，子像素Pixel6和子像素Pixel1～Pixel5的充電電壓和充電率。其中，序號(hào)為1的一行數(shù)據(jù)為晶體管開關(guān)T11～T16采用相同溝道寬長比時(shí)子像素Pixel1～Pixel6的充電數(shù)據(jù)，序號(hào)為2～4的三行數(shù)據(jù)為晶體管開關(guān)T16的溝道寬長比W₆/L₆大于晶體管開關(guān)T11～T15的溝道寬長比W₁/L₁的不同情況下子像素Pixel1～Pixel6的充電數(shù)據(jù)。

表一子像素的充電電壓和充電率表

從表一中可以看出，增加/減小晶體管開關(guān)的溝道寬長比可提高/降低子像素的充電能力，通過增加晶體管開關(guān)T16的溝道寬長比W₆/L₆并且減小晶體管開關(guān)T11～T15的溝道寬長比W₁/L₁，可縮小子像素Pixel6與子像素Pixel1～Pixel5之間的充電差異，尤其是，當(dāng)晶體管開關(guān)T16的溝道寬長比W₆/L₆為180μm/4μm，晶體管開關(guān)T11～T15的溝道寬長比W₁/L₁為60μm/4μm時(shí)，子像素Pixel6與子像素Pixel1～Pixel5的充電效果基本一致，如圖4B所示。

盡管上述實(shí)施例中，僅對(duì)溝道的寬度W進(jìn)行了增大/減小的設(shè)計(jì)，但是這僅僅是示意性的?？梢岳斫獾氖?，也可改變溝道的長度L或者同時(shí)改變溝道的寬度W和長度L。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場景的需求來設(shè)置。

在本實(shí)施例中，多路分用開關(guān)單元中的晶體管開關(guān)T11～T16的溝道面積：S’＝180*4+60*4*5＝1920(μm²)；

而采用相同的溝道寬長比的晶體管開關(guān)T11～T16的溝道面積：S＝120*4*6＝2880(μm²)；

本實(shí)施例的多路分用開關(guān)單元與采用相同溝道寬長比的晶體管開關(guān)的多路分用開關(guān)單元相比，溝道面積減少了：ΔS＝960(μm²)；

在實(shí)際設(shè)計(jì)中，當(dāng)溝道面積減小時(shí)，晶體管開關(guān)的柵極以及源/漏極所占面積也可以相應(yīng)地縮小，從而進(jìn)一步減小多路分用開關(guān)電路所占邊框區(qū)域的面積，有利于窄邊框的實(shí)現(xiàn)。

盡管在本實(shí)施例中，晶體管開關(guān)T1～T5具有相同的溝道寬長比，但這僅僅是示意性的?？梢岳斫獾氖?，晶體管開關(guān)T1～T5的溝道寬長比可以是不同的，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場景的需求來設(shè)置。

繼續(xù)參考圖5A和圖5B，圖5A示出了本申請(qǐng)的顯示面板的另一實(shí)施例的示意性結(jié)構(gòu)圖，圖5B示出了本申請(qǐng)的顯示面板的又一實(shí)施例的示意性結(jié)構(gòu)圖。

如圖5A所示，顯示面板500a包括：相對(duì)設(shè)置的陣列基板502和彩膜基板501，以及設(shè)置在基板501和502之間的液晶層503。其中，示意性地示出了顯示面板500a的非顯示區(qū)域504和顯示區(qū)域505。

與圖2A所示實(shí)施例不同的是，本實(shí)施例中，進(jìn)一步限定了多路分用電路設(shè)置在陣列基板上。在陣列基板502的非顯示區(qū)域504中，第一基板510上設(shè)置有晶體管開關(guān)，多路分用電路的每個(gè)多路分用開關(guān)單元包含多個(gè)晶體管開關(guān)。其中，晶體管開關(guān)包括柵極511、源極514和漏極515以及位于柵極511和源/漏極514/515之間的柵介質(zhì)層512和有源層513。晶體管開關(guān)之上形成有鈍化層517，鈍化層517上形成有多個(gè)過孔518。通過過孔518，數(shù)據(jù)信號(hào)線516與源極514電相連，多路分用控制線(未示出)與柵極511電連接。

在陣列基板502的顯示區(qū)域505中，第一基板510上設(shè)置有相同或類似的晶體管開關(guān)，通過鈍化層517上的過孔518，像素電極519與漏極515電連接。

圖5B示出的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)與圖5A的實(shí)施例基本相同，在以下的描述中，將不再贅述與圖5A所示實(shí)施例相同的部分而重點(diǎn)描述不同之處。與圖5B所示實(shí)施例不同的是，本實(shí)施例中，如圖5B所示，在顯示面板500b的非顯示區(qū)域504中，數(shù)據(jù)信號(hào)線516和多路分用控制線(未示出)設(shè)置在彩膜基板501上，在彩膜基板501和陣列基板502之間設(shè)置有多個(gè)導(dǎo)電金球520。通過導(dǎo)電金球520，數(shù)據(jù)信號(hào)線516電連接到鈍化層上的電極521，在經(jīng)由通孔518電連接到源極514，多路分用控制線(未示出)電連接到柵極511。

可選地，數(shù)據(jù)信號(hào)線和多路分用控制線可設(shè)置在不同的基板上，例如，數(shù)據(jù)信號(hào)線設(shè)置在陣列基板上而多路分用控制線設(shè)置在彩膜基板上，或者，數(shù)據(jù)信號(hào)線設(shè)置在彩膜基板上而多路分用控制線設(shè)置在陣列基板上。

需要說明的是，雖然在圖5A和圖5B中示出了在顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域的晶體管開關(guān)均為非晶硅薄膜晶體管，但這僅僅是示意性的?？梢岳斫獾氖?，上述晶體管開關(guān)也可以是其他類型，諸如，低溫多晶硅薄膜晶體管，并且顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域的晶體管開關(guān)可以是不同的。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場景的需求來設(shè)置。

另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以明白，當(dāng)上述實(shí)施例的顯示面板200、500a和500b為液晶顯示面板時(shí)，還可以包括其它的一些公知的結(jié)構(gòu)，例如，設(shè)置在彩膜基板上的黑色矩陣(未示出)、色阻(未示出)、O/C保護(hù)層(未示出)，設(shè)置在陣列基板上和彩膜基板上的配向膜(未示出)，等。為了不模糊本申請(qǐng)的重點(diǎn)，將不再對(duì)這些公知的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)的描述。

繼續(xù)參考圖6A和圖6B，圖6A示出了本申請(qǐng)的顯示面板的一個(gè)實(shí)施例的多路分用開關(guān)單元的示意性結(jié)構(gòu)圖，圖6B示出了本申請(qǐng)的顯示面板的另一實(shí)施例的多路分用開關(guān)單元的示意性結(jié)構(gòu)圖。

如圖6A所示，多路分用開關(guān)單元600a包括六個(gè)晶體管開關(guān)T11～T16，其中，晶體管開關(guān)T16為同一個(gè)幀周期中最后一個(gè)導(dǎo)通的晶體管開關(guān)，多路分用開關(guān)單元600a中的其他晶體管開關(guān)T11～T15具有相同的溝道寬長比W/L，晶體管開關(guān)T16的溝道寬長比W₆/L₆大于晶體管開關(guān)T11～T15的溝道寬長比W/L。

本實(shí)施例的工作原理與圖4B所示的實(shí)施例相同，在此忽略其具體描述。

優(yōu)選地，當(dāng)多路分用電路為六路分用電路時(shí)，同一個(gè)幀周期中，多路分用開關(guān)單元中最后一個(gè)導(dǎo)通的晶體管開關(guān)的溝道寬長比是該分路多用開關(guān)單元中其他晶體管開關(guān)的溝道寬長比的3倍。

圖6B所示的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)與圖6A所示的實(shí)施例類似，在以下的描述中，將不再贅述與圖6A所示的實(shí)施例相同的部分而重點(diǎn)描述不同之處。

如圖6B所示，多路分用開關(guān)單元600b中的晶體管開關(guān)T11～T16的溝道寬長比分別為W₁/L₁、W₂/L₂、……、W₆/L₆，晶體管開關(guān)T16的溝道寬長比W₆/L₆大于晶體管開關(guān)T11～T15中任意一個(gè)晶體管開關(guān)的溝道寬長比，并且在晶體管開關(guān)T11～T15中至少有兩個(gè)晶體管開關(guān)(例如，T11和T15)的溝道寬長比是不同的(W₁/L₁≠W₅/L₅)。

可選地，在一個(gè)幀周期中，同一個(gè)多路分用開關(guān)單元中任意兩個(gè)相鄰的晶體管開關(guān)中，先導(dǎo)通的晶體管開關(guān)的溝道寬長比小于后導(dǎo)通的晶體管開關(guān)的溝道寬長比。例如，W₁/L₁<W₂/L₂<……<W₆/L₆。

盡管圖6A、6B示出了多路分用開關(guān)單元600a和600b中包含的晶體管開關(guān)的數(shù)量為六個(gè)，但這僅僅是示意性的?？梢岳斫獾氖?，多路分用開關(guān)單元包含的晶體管開關(guān)的數(shù)量可以為大于1的任意數(shù)量。諸如，兩個(gè)、三個(gè)等。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場景的需求來設(shè)置。

優(yōu)選地，本申請(qǐng)各實(shí)施例中的晶體管開關(guān)為薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)。

薄膜晶體管開關(guān)包括有源層，有源層可由非晶硅(amorphous silicon，a-Si)或多晶硅(poly silicon，p-Si)構(gòu)成，多晶硅分為高溫多晶硅(High Temperature Poly-silicon，HTPS)和低溫多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)。

優(yōu)選地，薄膜晶體管的有源層由低溫多晶硅構(gòu)成。

多晶硅薄膜的晶粒尺寸通常會(huì)隨著制備溫度的升高而增大，晶粒之間的缺陷會(huì)減少，載流子遷移率會(huì)大幅提高。但是，雖然高溫(超過650℃)多晶硅可以獲得較大的晶粒尺寸和較高的載流子遷移率，但是對(duì)于襯底的要求也越高，需要使用石英或其他特制的耐高溫玻璃。而低溫多晶硅的整個(gè)過程在600℃以下完成，一般的玻璃基板都可使用。并且低溫多晶硅相對(duì)非晶硅而言，不僅可以獲得很高的載流子遷移率，還可大幅縮小薄膜晶體管的尺寸，有利于窄邊框的實(shí)現(xiàn)。

本申請(qǐng)還公開了一種顯示裝置，如圖7中所示，圖7示出了本申請(qǐng)的顯示裝置的一個(gè)實(shí)施例的示意性結(jié)構(gòu)圖。其中，顯示裝置700可包括如上的顯示面板。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，顯示裝置除了包括如上的顯示面板之外，還可以包括一些其它的公知的結(jié)構(gòu)。為了不模糊本申請(qǐng)的重點(diǎn)，將不再對(duì)這些公知的結(jié)構(gòu)進(jìn)行進(jìn)一步描述。

本申請(qǐng)的顯示裝置可以是任何包含如上的顯示面板的裝置，包括但不限于如圖7所示的蜂窩式移動(dòng)電話700、平板電腦、計(jì)算機(jī)的顯示器、應(yīng)用于智能穿戴設(shè)備上的顯示器、應(yīng)用于汽車等交通工具上的顯示裝置等等。只要顯示裝置包含了本申請(qǐng)公開的顯示面板的結(jié)構(gòu)，便視為落入了本申請(qǐng)的保護(hù)范圍之內(nèi)。

以上描述僅為本申請(qǐng)的較佳實(shí)施例以及對(duì)所運(yùn)用技術(shù)原理的說明。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，本申請(qǐng)中所涉及的發(fā)明范圍，并不限于上述技術(shù)特征的特定組合而成的技術(shù)方案，同時(shí)也應(yīng)涵蓋在不脫離所述發(fā)明構(gòu)思的情況下，由上述技術(shù)特征或其等同特征進(jìn)行任意組合而形成的其它技術(shù)方案。例如上述特征與本申請(qǐng)中公開的(但不限于)具有類似功能的技術(shù)特征進(jìn)行互相替換而形成的技術(shù)方案。